JPS63149607A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPS63149607A JPS63149607A JP29804286A JP29804286A JPS63149607A JP S63149607 A JPS63149607 A JP S63149607A JP 29804286 A JP29804286 A JP 29804286A JP 29804286 A JP29804286 A JP 29804286A JP S63149607 A JPS63149607 A JP S63149607A
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- Japan
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- layer
- glass layer
- semi
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
基板の表面に堆積させた多孔質ガラス層を、低温度で熱
処理して半焼結ガラス層とし、ドライエツチング手段に
より、所望のパターン形状の半焼結ガラスパターンとし
た後に、半焼結ガラスパターンを透明ガラスとして光導
波路コアとなし、基板の表面に光導波路を形成するよう
にすることにより、パターン形成時のエツチング速度を
速めて、低コストの光導波路を提供する。
処理して半焼結ガラス層とし、ドライエツチング手段に
より、所望のパターン形状の半焼結ガラスパターンとし
た後に、半焼結ガラスパターンを透明ガラスとして光導
波路コアとなし、基板の表面に光導波路を形成するよう
にすることにより、パターン形成時のエツチング速度を
速めて、低コストの光導波路を提供する。
本発明方法は光導波路の製造方法の改良に関する。
第２図（ａ）の斜視図、Φ）の断面図に示すように、基
板（例えば石英ガラス基板）■の表面に、所望のパター
ン形状の光導波路コア５を形成し、光導波路コア５の上
面、及び側面を光導波路コア５の屈折率よりも小さい屈
折率を有するクラツド膜６で被覆して構成された光導波
路１０は、光合分岐器。
板（例えば石英ガラス基板）■の表面に、所望のパター
ン形状の光導波路コア５を形成し、光導波路コア５の上
面、及び側面を光導波路コア５の屈折率よりも小さい屈
折率を有するクラツド膜６で被覆して構成された光導波
路１０は、光合分岐器。
光合分波器、光減衰器等の光デバイスを軽少、短薄にす
ることができるので、今後は、これらの光デバイスに広
く用いられると、考えられる。
ることができるので、今後は、これらの光デバイスに広
く用いられると、考えられる。
従来の光導波路の製造方法は、第３図に示すような工程
順による。
順による。
■ 多孔質ガラス層の形成（第３図（ａ）参照）透明基
板（例えば石英ガラス基板）１の表面に、火炎加水分解
法により多孔質ガラス層２を堆積させる。
板（例えば石英ガラス基板）１の表面に、火炎加水分解
法により多孔質ガラス層２を堆積させる。
詳述すると、ノズルより５ｉＣＬ４ 、ＧｅＣＬ、、
Ｏｚ＋ Ｈ２＋Ａｒの燃焼ガスを吹きつけて、透明基板
１の表面に、例えば５００μｍ厚の多孔質ガラス層２を
堆積させる。
Ｏｚ＋ Ｈ２＋Ａｒの燃焼ガスを吹きつけて、透明基板
１の表面に、例えば５００μｍ厚の多孔質ガラス層２を
堆積させる。
■ 多孔質ガラス層の透明化（第３図（′ｂ）参照）透
明基板１を電気炉等に投入して、１２００℃〜１３００
℃に加熱して、多孔質ガラス層２を透明ガラスとして、
コア層３とする。
明基板１を電気炉等に投入して、１２００℃〜１３００
℃に加熱して、多孔質ガラス層２を透明ガラスとして、
コア層３とする。
なお、多孔質ガラス層２はガラス化すると収縮して、コ
ア層３の厚さがほぼ５０μｍとなる。
ア層３の厚さがほぼ５０μｍとなる。
■ マスクパターンの形成（第３図（Ｃ１参照）コア層
３の表面に銅を蒸着し、銅膜の表面にレジスト膜を塗布
する。次にレジスト膜９−所望のパターン形状に露光し
て、レジストパターンを形成し、エツチング液として燐
酸を用いて、銅膜をエツチングしてレジストパターンの
下部に銅膜ノぐターンが存在する金属マスク４とする。
３の表面に銅を蒸着し、銅膜の表面にレジスト膜を塗布
する。次にレジスト膜９−所望のパターン形状に露光し
て、レジストパターンを形成し、エツチング液として燐
酸を用いて、銅膜をエツチングしてレジストパターンの
下部に銅膜ノぐターンが存在する金属マスク４とする。
■ 光導波路コアの形成（第３図（ｄ＋参照）金属マス
ク４上のレジストパターンを除去後、（ＣＦ、 ＋０□
）ガスをエツチングガスとして用いて、コア層３をドラ
イエツチングし、マスクパターン４Ａの下部に、所望の
パターン形状の光導波路コア５を形成する。
ク４上のレジストパターンを除去後、（ＣＦ、 ＋０□
）ガスをエツチングガスとして用いて、コア層３をドラ
イエツチングし、マスクパターン４Ａの下部に、所望の
パターン形状の光導波路コア５を形成する。
■ 光導波路の完成（第３図（ｅ）参照）銅膜よりなる
マスクパターン４Ａを、燐酸を用いて除去後、光導波路
コア５の上面、及び両側面をクラツド膜６で被覆して、
光導波路１０を完成させる。
マスクパターン４Ａを、燐酸を用いて除去後、光導波路
コア５の上面、及び両側面をクラツド膜６で被覆して、
光導波路１０を完成させる。
しかしながら上記従来の製造過程において、多孔質ガラ
ス層２が透明ガラス化されたコア層３の、ドライエツチ
ング速度は、０．３μｍ／分と非常に遅い速度である。
ス層２が透明ガラス化されたコア層３の、ドライエツチ
ング速度は、０．３μｍ／分と非常に遅い速度である。
したがって、はぼ５０μｍＩＥのコア層３をドライエツ
チングするには、約３時間を必要とし、ドライエツチン
グ時間が長くて、光導波路１０がコスト高であるという
問題点がある。
チングするには、約３時間を必要とし、ドライエツチン
グ時間が長くて、光導波路１０がコスト高であるという
問題点がある。
本発明はこのような点にかんがみて創作されたもので、
ドライエツチング時間の短い光導波路の製造方法を提供
することを目的としている。
ドライエツチング時間の短い光導波路の製造方法を提供
することを目的としている。
上記従来の問題点を解決するため本発明方法は、第１図
に示したように、基板１の表面に多孔質ガラス層２を堆
積させ、所望の低温度に加熱して半焼結ガラス層２０と
し、半焼結ガラスＪＷ２０をドライエツチング手段によ
り、所望のパターン形状の半焼結ガラスパターン２１と
する。
に示したように、基板１の表面に多孔質ガラス層２を堆
積させ、所望の低温度に加熱して半焼結ガラス層２０と
し、半焼結ガラスＪＷ２０をドライエツチング手段によ
り、所望のパターン形状の半焼結ガラスパターン２１と
する。
その後、高温度に加熱して半焼結ガラスパターン２１を
透明ガラスとして′、光導波路コア５とし、光導波路コ
ア５をクラツド膜６で被覆して、基板１の表面に光導波
路１０を形成するようにしたものである。
透明ガラスとして′、光導波路コア５とし、光導波路コ
ア５をクラツド膜６で被覆して、基板１の表面に光導波
路１０を形成するようにしたものである。
上記本発明方法によれば、半焼結ガラスパターン２１は
、透明ガラス化されたものに比較して、分子間の結合力
が弱い。よって、ドライエツチングの進行速度が、透明
ガラスに比較して遥かに大きくて、短時間にドライエツ
チングが終了する。
、透明ガラス化されたものに比較して、分子間の結合力
が弱い。よって、ドライエツチングの進行速度が、透明
ガラスに比較して遥かに大きくて、短時間にドライエツ
チングが終了する。
なお、ウェットエツチング手段により金属マスク４を形
成する際に、多孔質ガラス層２のままであると、多孔質
ガラスはエツチング液に侵され多孔質ガラスが溶けだす
が、半焼結ガラス層２０としであるので、このようなこ
とが発生しない。
成する際に、多孔質ガラス層２のままであると、多孔質
ガラスはエツチング液に侵され多孔質ガラスが溶けだす
が、半焼結ガラス層２０としであるので、このようなこ
とが発生しない。
以下第１図の製造工程図を参照しながら、本発明方法を
具体的に説明する。なお、全図を通じて同一符号は同一
対象物を示す。
具体的に説明する。なお、全図を通じて同一符号は同一
対象物を示す。
■ 多孔質ガラス層の形成（第１図（ａ）参照）透明基
板（例えば石英ガラス基板）ｌの表面に、火炎加水分解
法により、例えば５００μｍ厚の多孔質ガラス層２を堆
積させる。
板（例えば石英ガラス基板）ｌの表面に、火炎加水分解
法により、例えば５００μｍ厚の多孔質ガラス層２を堆
積させる。
■ 半焼結ガラス層の形成（第１図（ｂ）参照）透明基
板１を電気炉等に投入して、はぼ１０００℃に加熱して
、多孔質ガラス層２を半焼結状態にして、半焼結ガラス
層２０とする。
板１を電気炉等に投入して、はぼ１０００℃に加熱して
、多孔質ガラス層２を半焼結状態にして、半焼結ガラス
層２０とする。
なおこの際、多孔質ガラス層２は収縮して、約９８μｍ
厚の半焼結ガラス層２０となる。
厚の半焼結ガラス層２０となる。
■ マスクパターンの形成（第１図（Ｃ１参照）半焼結
ガラスＮ２０の表面に銅を蒸着し、銅膜の表面にレジス
ト膜を塗布する。次にレジスト膜を所望ツバターン形状
に露光して、レジストパターンを形成し、エツチング液
として燐酸を用いて、銅膜をエツチングしてレジストパ
ターンの下部に銅膜パターンが存在する金属マスク４と
する。
ガラスＮ２０の表面に銅を蒸着し、銅膜の表面にレジス
ト膜を塗布する。次にレジスト膜を所望ツバターン形状
に露光して、レジストパターンを形成し、エツチング液
として燐酸を用いて、銅膜をエツチングしてレジストパ
ターンの下部に銅膜パターンが存在する金属マスク４と
する。
■ 半焼結ガラスパターンの形成（第１図（ｄ）参照）
金属マスク４上のレジストパターンを除去後、（ＣＦ４
＋０□）ガスをエツチングガスとして用いて、半焼結ガ
ラス層２０をドライエツチングし、マスクパターン４＾
の下部に、パターン幅が例えば５５μｍの所望のパター
ン形状の、半焼結ガラスパターン２１を形成する。
金属マスク４上のレジストパターンを除去後、（ＣＦ４
＋０□）ガスをエツチングガスとして用いて、半焼結ガ
ラス層２０をドライエツチングし、マスクパターン４＾
の下部に、パターン幅が例えば５５μｍの所望のパター
ン形状の、半焼結ガラスパターン２１を形成する。
■ 光導波路コアの形成（第１図（ｅ）参照）燐酸を用
いてウェットエツチングして、マスクパターン４Ａを除
去して後に、透明基板１を電気炉等に入れ、１２００℃
〜１３００℃に加熱して、半焼結ガラスパターン２１を
透明ガラスとして、光導波路コア５とする。
いてウェットエツチングして、マスクパターン４Ａを除
去して後に、透明基板１を電気炉等に入れ、１２００℃
〜１３００℃に加熱して、半焼結ガラスパターン２１を
透明ガラスとして、光導波路コア５とする。
なおこの際、光導波路コア５のパターン厚さは、はぼ９
８μｍよりほぼ４８μｍに収縮するが、パターン幅は５
５μｍより４８μｍに収縮するだけで、所望のパターン
幅が保持される。
８μｍよりほぼ４８μｍに収縮するが、パターン幅は５
５μｍより４８μｍに収縮するだけで、所望のパターン
幅が保持される。
■ 光導波路の完成（第１図（ｆ）参照）光導波路コア
５の上面、及び両側面をクラツド膜６で被覆して、光導
波路１０を完成させる。
５の上面、及び両側面をクラツド膜６で被覆して、光導
波路１０を完成させる。
上述のようにすることにより、従来のドライエツチング
速度が、０．３μ’ｍ ／分であったのが、約２０倍速
い６μｍ／分とすることができた。
速度が、０．３μ’ｍ ／分であったのが、約２０倍速
い６μｍ／分とすることができた。
以上説明したように本発明方法は、透明基板の表面に堆
積させた多孔質ガラス層を、一旦半焼結ガラス層とし、
所望のパターン形状の半焼結ガラスパターンとした後に
、透明ガラス化して光導波路コアとする方法であって、
ドライエツチング手段によるパターン形成時のエツチン
グ速度が速く、低コストの光導波路が得られるという、
実用上で優れた効果がある。
積させた多孔質ガラス層を、一旦半焼結ガラス層とし、
所望のパターン形状の半焼結ガラスパターンとした後に
、透明ガラス化して光導波路コアとする方法であって、
ドライエツチング手段によるパターン形成時のエツチン
グ速度が速く、低コストの光導波路が得られるという、
実用上で優れた効果がある。
第１図は本発明方法の製造工程図、
第２図は光導波路の図で、
（ａ）は斜視図、（ｂｌは断面図、
第３図は従来方法の製造工程図である。
図において、
ｌは基板、
２は多孔質ガラス層、
３はコア層、
４は金属マスク、
４Ａはマスクパターン、
５は光導波路コア、
６はクラツド膜、
１０は光導波路、
２０は半焼結ガラス層、
２１は半焼結ガラスパターンをそれぞれ示す。
第 １ 図
僅東鼾鉤飯ｔＩ−ｉ図
邦５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１）の表面に多孔質ガラス層（２）を堆積させ、
所望の低温度で熱処理して、該多孔質ガラス層（２）を
半焼結ガラス層（２０）とし、 該半焼結ガラス層（２０）をドライエッチング手段によ
り、所望の形状の半焼結ガラスパターン（２１）とした
後に、 光導波路コア（５）とすべく、該半焼結ガラスパターン
（２１）を高温度で熱処理し、透明ガラスとすることを
特徴とする光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29804286A JPS63149607A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29804286A JPS63149607A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149607A true JPS63149607A (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=17854369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29804286A Pending JPS63149607A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63149607A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004061629A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 機能性素子の製造方法 |
| JP2004061634A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 機能性素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139708A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of optical waveguide |
| JPS57185405A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of optical waveguide |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP29804286A patent/JPS63149607A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139708A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of optical waveguide |
| JPS57185405A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of optical waveguide |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004061629A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 機能性素子の製造方法 |
| JP2004061634A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 機能性素子の製造方法 |
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