JPS63149911A - 高インピ−ダンス増幅器 - Google Patents
高インピ−ダンス増幅器Info
- Publication number
- JPS63149911A JPS63149911A JP29631086A JP29631086A JPS63149911A JP S63149911 A JPS63149911 A JP S63149911A JP 29631086 A JP29631086 A JP 29631086A JP 29631086 A JP29631086 A JP 29631086A JP S63149911 A JPS63149911 A JP S63149911A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric element
- voltage
- polymer piezoelectric
- high polymer
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は圧電素子の電圧対機械的変位を利用し、かつ入
出力間が絶縁されている増幅器に関する。
出力間が絶縁されている増幅器に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来、一般に使用されている増幅器は半導体素子を使用
したものが普通であるので、これらの増幅器は入力部と
出力部との間のインピーダンスが低いものが一般的であ
る。
したものが普通であるので、これらの増幅器は入力部と
出力部との間のインピーダンスが低いものが一般的であ
る。
また、特に高インピーダンスの半導体増幅器も使用され
ているが、価格が高く、回路も複雑となる等の問題があ
った。
ているが、価格が高く、回路も複雑となる等の問題があ
った。
（問題を解決するための手段）
両面に導電膜を設けたセラミックス圧電素子２と、両面
に導電膜を設けた高分子圧電素子３とを絶縁層４を介し
て積層し、セラミックス圧電素子２の導電膜間に電圧を
入力し、高分子圧電素子３の導電膜間から電圧を出力す
るものである。
に導電膜を設けた高分子圧電素子３とを絶縁層４を介し
て積層し、セラミックス圧電素子２の導電膜間に電圧を
入力し、高分子圧電素子３の導電膜間から電圧を出力す
るものである。
（作用）
上述のように、入力側のセラミックス圧電素子２と出・
力側の高分子圧電素子３とは機械的に接合しているので
、セラミックス圧電素子２に印加された電圧による変位
はそのまま高分子圧電素子３の変位となり、高分子圧電
素子３に入力電圧と同一波形の電圧が発生する。
力側の高分子圧電素子３とは機械的に接合しているので
、セラミックス圧電素子２に印加された電圧による変位
はそのまま高分子圧電素子３の変位となり、高分子圧電
素子３に入力電圧と同一波形の電圧が発生する。
（具体的説明）
本発明増幅器１は、第１図に示すようにセラミックス圧
電素子２と高分子圧電素子３が絶縁層４を介して積層さ
れている。
電素子２と高分子圧電素子３が絶縁層４を介して積層さ
れている。
セラミックス圧電素子２としては、チタン酸・ジルコン
酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム等の強誘電性セラミ
ックスが用いられ、第２図に示すようにセラミックス圧
電素子２の両面にはアルミニウム蒸着等によって導電膜
５．６を設けて電極とし、リード線７．８に連結する。
酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム等の強誘電性セラミ
ックスが用いられ、第２図に示すようにセラミックス圧
電素子２の両面にはアルミニウム蒸着等によって導電膜
５．６を設けて電極とし、リード線７．８に連結する。
また、セラミックス圧電素子２は、第３図に示すように
リン青銅薄板等のシム９の両面にセラミックス圧電素子
２．２を接着し、その両面に導電膜５ａ、５ｂを形成し
、シム９と導電１１５ａ、５ｂを電掘とすることも出来
る。
リン青銅薄板等のシム９の両面にセラミックス圧電素子
２．２を接着し、その両面に導電膜５ａ、５ｂを形成し
、シム９と導電１１５ａ、５ｂを電掘とすることも出来
る。
高分子圧電素子３としては、
１）ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）若しくはポリシ
アノビニリデン（ＰＶＣＮ）を延伸状態で分掘したもの
。
アノビニリデン（ＰＶＣＮ）を延伸状態で分掘したもの
。
２）プラスチック（ポリアセクールあるいはポリカーボ
ネート等）にＰＺＴ粉末等の強誘電性セラミックス粉末
を混合し、シート状にしてから分掻したもの等の複合型
高分子圧電素子を用いることが出来る。
ネート等）にＰＺＴ粉末等の強誘電性セラミックス粉末
を混合し、シート状にしてから分掻したもの等の複合型
高分子圧電素子を用いることが出来る。
高分子圧電素子３の両面には、セラミックス圧電素子２
と同様に、導電膜１１．１２が形成され、リード線１３
．１４に連結される。
と同様に、導電膜１１．１２が形成され、リード線１３
．１４に連結される。
絶縁層４は、セラミックス圧電素子２と高分子圧電素子
３を電気的に絶縁するもので、シリコンゴム等のゴム物
質、ポリエステル、ポリアミド等のプラスチックあるい
は、紙、布等を用いることが出来る。また、必要に応じ
て、表面を上記絶縁物で処理したリン青銅等の金属薄板
等を用いることも出来る。
３を電気的に絶縁するもので、シリコンゴム等のゴム物
質、ポリエステル、ポリアミド等のプラスチックあるい
は、紙、布等を用いることが出来る。また、必要に応じ
て、表面を上記絶縁物で処理したリン青銅等の金属薄板
等を用いることも出来る。
また、重錘１５は、圧電素子系の固有振動を調整するた
めのもので、重錘１５の重量を調整することによって所
定周波数の入力に対してゲインを増加させることが出来
る。
めのもので、重錘１５の重量を調整することによって所
定周波数の入力に対してゲインを増加させることが出来
る。
なお、１６は本発明の増幅器１を収容するための本体ベ
ース、１７はカバーである。
ース、１７はカバーである。
また、第１図においては、圧電素子２．３の両端を本体
ベース１６に保持せしめているが、第４図に示すように
一端のみを本体ベース１６に保持せしめて片持ち構造と
することも出来る； このようにして得られた増幅器ｌを用いて増幅するとき
は、セラミックス圧電素子２のリード線７．８に入力信
号を入力する。
ベース１６に保持せしめているが、第４図に示すように
一端のみを本体ベース１６に保持せしめて片持ち構造と
することも出来る； このようにして得られた増幅器ｌを用いて増幅するとき
は、セラミックス圧電素子２のリード線７．８に入力信
号を入力する。
入力信号が付加されたセラミックス圧電素子２は変形し
、高分子圧電素子３を湾曲せしめる。変形された高分子
圧電素子３は圧電効果によって、導電膜１１．１２に電
荷を発生せしめ、リード線１３゜１４に出力信号を発生
する。
、高分子圧電素子３を湾曲せしめる。変形された高分子
圧電素子３は圧電効果によって、導電膜１１．１２に電
荷を発生せしめ、リード線１３゜１４に出力信号を発生
する。
しかして、圧電素子には圧電効果（Ｇ定数：力−電圧へ
の変換定数）と逆圧電効果（ｄ定数：電圧−力への変換
定数）とがあり、各々その大きさを表す定数がＧ定数、
ｄ定数である。一般にセラミックス圧電素子は ｄ定数
〉Ｇ定数で、高分子圧電素子は Ｇ定数〉ｄ定数である
。
の変換定数）と逆圧電効果（ｄ定数：電圧−力への変換
定数）とがあり、各々その大きさを表す定数がＧ定数、
ｄ定数である。一般にセラミックス圧電素子は ｄ定数
〉Ｇ定数で、高分子圧電素子は Ｇ定数〉ｄ定数である
。
従って、入力信号が付加されたセラミックス圧電素子２
の変形が大きく、また、その変形に基づく高分子圧電素
子３の電荷発生量も太き（、結果として大きな増幅率を
得ることが出来る。
の変形が大きく、また、その変形に基づく高分子圧電素
子３の電荷発生量も太き（、結果として大きな増幅率を
得ることが出来る。
＝（発明の効果）
本発明はかかる構成からなるから、入力側と出力側間の
インピーダンスの高い増幅器を安価に、かつ簡便に得る
ことが出来、また、セラミックス圧電素子と高分子圧電
素子を組み合わせているから増幅率も大きく、実用性の
高い増幅器が得られる。
インピーダンスの高い増幅器を安価に、かつ簡便に得る
ことが出来、また、セラミックス圧電素子と高分子圧電
素子を組み合わせているから増幅率も大きく、実用性の
高い増幅器が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す増幅器の縦断面図、第
２図はその圧電素子部の拡大断面図、第３図、第４図は
それぞれ他の実施例を示す作動部の縦断面図である。 １：増幅器、 ２：セラミックス圧電素子、３：高分子
圧電素子、 ４：絶縁層。 答ｌ目
２図はその圧電素子部の拡大断面図、第３図、第４図は
それぞれ他の実施例を示す作動部の縦断面図である。 １：増幅器、 ２：セラミックス圧電素子、３：高分子
圧電素子、 ４：絶縁層。 答ｌ目
Claims (1)
- 両面に導電膜を設けたセラミックス圧電素子と、両面に
導電膜を設けた高分子圧電素子とを絶縁層を介して積層
し、セラミックス圧電素子の導電膜間に電圧を入力し、
高分子圧電素子の導電膜間から電圧を出力することを特
徴とする高インピーダンス増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29631086A JPS63149911A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 高インピ−ダンス増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29631086A JPS63149911A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 高インピ−ダンス増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149911A true JPS63149911A (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=17831891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29631086A Pending JPS63149911A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 高インピ−ダンス増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63149911A (ja) |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP29631086A patent/JPS63149911A/ja active Pending
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