JPS63152126A - アツシング方法 - Google Patents
アツシング方法Info
- Publication number
- JPS63152126A JPS63152126A JP30060486A JP30060486A JPS63152126A JP S63152126 A JPS63152126 A JP S63152126A JP 30060486 A JP30060486 A JP 30060486A JP 30060486 A JP30060486 A JP 30060486A JP S63152126 A JPS63152126 A JP S63152126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- gas
- mixed
- rate
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要コ
酸素ガスに四弗化炭素および窒素ガスを混合したマイク
ロ波アッシング処理をおこなうと、スループットが向上
する。
ロ波アッシング処理をおこなうと、スループットが向上
する。
［産業上の利用分野］
本発明はフォトプロセスなどに使用されるアッシング（
Ａｓｈｉｎｇ ；灰化）方法の改善に関する。
Ａｓｈｉｎｇ ；灰化）方法の改善に関する。
ＩＣなどの半導体装置を製造する工程において、フォト
プロセスは重要な工程の一つとなっており、その際に、
レジスト膜マスクの除去にはアッシング処理がおこなわ
れている。
プロセスは重要な工程の一つとなっており、その際に、
レジスト膜マスクの除去にはアッシング処理がおこなわ
れている。
従前、レジスト膜は有機溶剤に溶解して除去するウェッ
ト処理法が採られていたが、ウェット処理は処理液の廃
棄などに問題があり、最近では、専らプラズマアッシン
グによるドライ処理法が主体になっている。
ト処理法が採られていたが、ウェット処理は処理液の廃
棄などに問題があり、最近では、専らプラズマアッシン
グによるドライ処理法が主体になっている。
しかし、このようなアッシング処理は、できるだけスル
ープットを高めること、即ち、処理工数を少なくするこ
とが望ましい。
ープットを高めること、即ち、処理工数を少なくするこ
とが望ましい。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］従来、
ウェハー上に形成したレジスト膜を除去する処理方法と
して、酸素（０２）プラズマでレジスト膜をアッシング
する処理方法が使用されており、このようなアッシング
方法は従前、１３．５６Ｍ＋１Ｚ程度の高周波電源を用
いて、酸素プラズマを発生させ、その酸素プラズマによ
って７ソシング処理をおこなう方法であった。
ウェハー上に形成したレジスト膜を除去する処理方法と
して、酸素（０２）プラズマでレジスト膜をアッシング
する処理方法が使用されており、このようなアッシング
方法は従前、１３．５６Ｍ＋１Ｚ程度の高周波電源を用
いて、酸素プラズマを発生させ、その酸素プラズマによ
って７ソシング処理をおこなう方法であった。
ところが、最近、マイクロ波（２，４５ＧＩＩＺなど）
電源を用い、マイクロ波プラズマ処理した酸素プラズマ
によってアッシング処理をおこなう方法が汎用されるよ
うになってきた。これは、マイクロ波プラズマ処理の方
が高周波プラズマ処理よりも酸素の励起効率が一層高く
、アッシングのスループットが向上するからである。
電源を用い、マイクロ波プラズマ処理した酸素プラズマ
によってアッシング処理をおこなう方法が汎用されるよ
うになってきた。これは、マイクロ波プラズマ処理の方
が高周波プラズマ処理よりも酸素の励起効率が一層高く
、アッシングのスループットが向上するからである。
第２図はそのマイクロ波プラズマアッシング装置の一例
の概要断面図を示している。１はマイクロ波電源、２は
導波管、３はアルミナ類のマイクロ波透過窓、４はプラ
ズマ発生室、５はアッシング処理室、６は反応ガス流入
口、７は排気口、８は被着処理ウェハーであるが、この
ような装置に、反応ガス流入口６から反応ガスを流入さ
せ、排気口から排気してプラズマ発生室、アッシング処
理室を０．Ｉ Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏ、ｒｒに減圧し、反応
ガスをプラズマ励起させてアッシング処理室に導入し、
ウェハー８面のレジスト膜をアッシング処理している。
の概要断面図を示している。１はマイクロ波電源、２は
導波管、３はアルミナ類のマイクロ波透過窓、４はプラ
ズマ発生室、５はアッシング処理室、６は反応ガス流入
口、７は排気口、８は被着処理ウェハーであるが、この
ような装置に、反応ガス流入口６から反応ガスを流入さ
せ、排気口から排気してプラズマ発生室、アッシング処
理室を０．Ｉ Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏ、ｒｒに減圧し、反応
ガスをプラズマ励起させてアッシング処理室に導入し、
ウェハー８面のレジスト膜をアッシング処理している。
そのとき、反応ガスは酸素（０２）に四弗化炭素（フレ
オン； ＣＦ ａ ）を混合したガスを使用し、例えば
、０２ ： ＣＦ４ ＝１０ ： １の比率にした混
合ガスを用いている。
オン； ＣＦ ａ ）を混合したガスを使用し、例えば
、０２ ： ＣＦ４ ＝１０ ： １の比率にした混
合ガスを用いている。
しかしながら、そのアッシングレート（ＡｓｈｉｎｇＲ
ａｔｅ ；アッシング速度）は必ずしも満足なもので
はない。本発明はこのようなアッシングレートを高める
アッシング法を提案するものである。
ａｔｅ ；アッシング速度）は必ずしも満足なもので
はない。本発明はこのようなアッシングレートを高める
アッシング法を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、酸素ガスに四弗化炭素および窒素ガスを混
合してマイクロ波アッシング処理するようにしたアッシ
ング方法によって達成される。
合してマイクロ波アッシング処理するようにしたアッシ
ング方法によって達成される。
［作用］
即ち、本発明は、０２ガスにＣＦ４ガスおよび窒素（Ｎ
２）ガスを混合したマイクロ波アッシング処理をする。
２）ガスを混合したマイクロ波アッシング処理をする。
そうすると、アッシングレートが高くなり、スループッ
トが向上する。
トが向上する。
［実施例］
以下、実施例によって詳細に説明する。
実施した結果のデータによれば、０２：ＣＦ４：Ｎ２＝
１０：Ｘ：ｌの比率に混合した反応ガスのアッシングレ
ートは、Ｎ２を添加しない０２ ：ＣＦａ＝ｌＯ：Ｘの
比率に混合した反応ガスのアッシングレートに比べ、２
倍程度に高くな′ることが判った。
１０：Ｘ：ｌの比率に混合した反応ガスのアッシングレ
ートは、Ｎ２を添加しない０２ ：ＣＦａ＝ｌＯ：Ｘの
比率に混合した反応ガスのアッシングレートに比べ、２
倍程度に高くな′ることが判った。
いま、０２ ：ＣＦ４ ：Ｎ２ ＝ｔｏ：ｘ： １と
して、０２ガスとＮ２ガスを固定し、ＣＦ４ガスの量を
変動させて、ＣＦ４ガス量とアッシングレートとの関係
を調べると、その結果が第１図に示す曲線□■のデータ
であり、曲線Ｉは従来のＮ′２ガスを添加せず、０２
： ＣＦ４ ＝１０： Ｘの比率に混合した反応ガス
を用いた場合のデータである。こめ図表はＮ２ガスを添
加しない場合、ＣＦ４ガス量が５％の時にアッシングレ
ートが最高になるが、Ｎ２ガスを添加した場合は、ＣＦ
４ガス量が２０％の時にアッシングレートが最高になる
ことを示している。且つ、Ｎ２ガスを添加せず、ＣＦ４
ガス量が５純の時のアッシングレートの実測値は１．５
μｍ／分であった。これに対して、Ｎ２ガスを添加して
、ＣＦ４ガス量を２０％とした時のアッシングレートの
実測値は３．２μｍ／分となった。従って、Ｎ２ガス添
加が顕著にアッシングレートの向上に役立っていること
が明らかである。
して、０２ガスとＮ２ガスを固定し、ＣＦ４ガスの量を
変動させて、ＣＦ４ガス量とアッシングレートとの関係
を調べると、その結果が第１図に示す曲線□■のデータ
であり、曲線Ｉは従来のＮ′２ガスを添加せず、０２
： ＣＦ４ ＝１０： Ｘの比率に混合した反応ガス
を用いた場合のデータである。こめ図表はＮ２ガスを添
加しない場合、ＣＦ４ガス量が５％の時にアッシングレ
ートが最高になるが、Ｎ２ガスを添加した場合は、ＣＦ
４ガス量が２０％の時にアッシングレートが最高になる
ことを示している。且つ、Ｎ２ガスを添加せず、ＣＦ４
ガス量が５純の時のアッシングレートの実測値は１．５
μｍ／分であった。これに対して、Ｎ２ガスを添加して
、ＣＦ４ガス量を２０％とした時のアッシングレートの
実測値は３．２μｍ／分となった。従って、Ｎ２ガス添
加が顕著にアッシングレートの向上に役立っていること
が明らかである。
更に、例えば、従来、アルミニウム膜をレジストをマス
クにして塩素ガスでエツチングしてパターンニングする
と、塩素ガスがアルミニウムに残留して、アルミニウム
を腐食する問題があったが、上記のように、アッシング
レートが高くなると塩素ガスが完全に除かれ、アルミニ
ウムの腐食（アフターコロ−ジョン）が著しく減少する
結果も得られた。従って、アルミニウム配線の高信頼化
にも寄与することができる。
クにして塩素ガスでエツチングしてパターンニングする
と、塩素ガスがアルミニウムに残留して、アルミニウム
を腐食する問題があったが、上記のように、アッシング
レートが高くなると塩素ガスが完全に除かれ、アルミニ
ウムの腐食（アフターコロ−ジョン）が著しく減少する
結果も得られた。従って、アルミニウム配線の高信頼化
にも寄与することができる。
［発明の効果］
上記の説明から判るように、本発明によれば、アッシン
グレートが高くなってスループットが向上し、且つ、高
信頼化にも寄与する極めて有効なアッシング方法と云え
る。
グレートが高くなってスループットが向上し、且つ、高
信頼化にも寄与する極めて有効なアッシング方法と云え
る。
第１図は本発明に係わりあるＣＦ４ガス量とアッシング
レートとの関係図表、 第２図はマイクロ波アッシング装置の概要図である。 図において、 ｌはマイクロ波電源、 ２は導波管、３は透過窓、
４はプラズマ発生室、５はアッシング処理室
、６は反応ガス流入口、７は排気口、 ８は
ウェハーを示している。 ＣＦ４８に＋ｔＴｔ””７−Ｌ−ｉｃｉＪＦ’ＪｓＩＨ
Ｈ第１図 第２図
レートとの関係図表、 第２図はマイクロ波アッシング装置の概要図である。 図において、 ｌはマイクロ波電源、 ２は導波管、３は透過窓、
４はプラズマ発生室、５はアッシング処理室
、６は反応ガス流入口、７は排気口、 ８は
ウェハーを示している。 ＣＦ４８に＋ｔＴｔ””７−Ｌ−ｉｃｉＪＦ’ＪｓＩＨ
Ｈ第１図 第２図
Claims (1)
- 酸素ガスに四弗化炭素および窒素ガスを混合してマイク
ロ波アッシング処理するようにしたことを特徴とするア
ッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30060486A JPS63152126A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | アツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30060486A JPS63152126A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | アツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152126A true JPS63152126A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17886846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30060486A Pending JPS63152126A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | アツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63152126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002531932A (ja) * | 1997-12-19 | 2002-09-24 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体製造法における乾式法によるフォトレジストの剥離方法と組成 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102232A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP30060486A patent/JPS63152126A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102232A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002531932A (ja) * | 1997-12-19 | 2002-09-24 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体製造法における乾式法によるフォトレジストの剥離方法と組成 |
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