JPS63153520A

JPS63153520A - 光学変調方法および光学変調素子

Info

Publication number: JPS63153520A
Application number: JP61300876A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Yoshinaga; 和夫吉永; Takeshi Miyazaki; 健宮崎; Toshiichi Onishi; 敏一大西; Yutaka Kurabayashi; 豊倉林; Yoshio Takasu; 高須　義雄
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-12-17
Filing date: 1986-12-17
Publication date: 1988-06-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はガラス転移点を有する強誘電体を用い、かつ書
き込み状態の保存性を改良した点に特徴を持つ、該強誘
電体への情報の書き込み、記録及び識別工程を有する光
学変調方法ならびに光学変調方法を手段として有する光
学変調素子に関する。

〔従来の技術及び問題点〕

強誘電体を用いる情報の書き込み及び記録方法として、
特開昭５９−２１５０９７に示される高分子強誘電体や
、特開昭４７−４５５４４に示される無機強誘電体を用
いたものが知られている。しかし、これらの方法では記
録媒体の向きや大きさが空間電荷の影響をうけるため、
記録状態の安定性という面では非常に悪かった。

又、光−電界を用いる書き換え可能な記録媒体での読み
取り方法として、（１）強誘電体結晶（２）強誘電体高
分子（３）液晶（４）高分子液晶等、それぞれの材料に
適した読み出し方法が提案されているが、今の所、どれ
も満足のい（ものではない。

例えば、強誘電体結晶であればその焦電性を利用して発
生する電荷の符号を読み取る方法や複屈折を利用する方
法が知られているが、焦電性を利用する方法では記録密
度が大きくなると読み出すことの出来る電荷が減少して
しまい、安定な読み出しを行うことが困難となり、また
複屈折を利用する方法では、記録密度の点に関しては良
好であるが、複屈折効果を得るためには十分な厚みが必
要となり、感度の点から好ましくないという問題がある
。

又、強誘電体高分子てあれば記録密度を増していくと読
み取りが困難となってくるという問題をかかえている。

液晶も書き込み部分で配向を乱すことにより、光の散乱
を利用してコントラストを得るものであるため、十分読
み出せるだけの光の散乱を得るには記録層を厚くする必
要があり感度の点から好ましくなかった。

一方、素子という観点から考えた際、現在強誘電性液晶
を用いる素子が、従来のＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍ
ａｔｉｃ）型液晶素子の問題点を改善するものとして提
案されているが、この強誘電性液晶素子も（り返し応答
させた場合、完全なしきい値電圧が得られず、書き込み
一記録状態の不安定、又はクロストークという問題を生
じさせている。

〔発明の目的〕

よって本発明は、書き込み状態を安定にする光学変調方
法を提供し、飛躍的に保存性、読み取り安定性を高めた
ところの光学変調方法を提供することを目的とする。

又、本発明の別の目的は、該光学変調方法において、読
み取り時の書き込み内容の劣化を完全に防止するだけで
なく、同時に高記録密度の高感度で読み取りが行える光
学変調方法を提供することである。

又、さらに本発明の別の目的は、前記光学変調方法を手
段として有し、かつ大画面で多数の表示画素を持つよう
な光学変調素子において走査線の増加によるコントラス
トの低下やクロストークから影響を受けない光学変調素
子を提供することである。

〔目的を達するための手段及び作用〕本発明は記録媒体にガラス転移点（Ｔｇ）を有する強誘
電体を用い、さらに該ガラス転移点以下でその記録状態
を保持することにより記録の安定性を大巾に向上させた
ものである。このようにして安定化した強誘電体では自
発分極の向き、大きさが温度変化や空間電荷によって影
響を受けないため長期間の保存に耐え、誤り率も減少す
る。

又、Ｔｇ以下で固定されていると、自発分極の向きに応
じた複屈折の変化を利用してクロストークにより読み出
す際にも、安定に読み出しを行うことかできる。

又、該ガラス転移点を有する強誘電体を記録媒体として
一対の平行な電極間に配置した光学変調素子において、
各走査線毎にガラス転移点以上に加熱する工程及び／又
は電界を印加する工程を有する書き込み方法と書き込ん
だ情報をガラス転移点以下とすることで表示状態を固定
化（メモリー）する方法と、該書き込み部分の複屈折の
変化を利用して読みとりを行う各光学変調方法を実施す
れば、従来にないコントラストの低下やクロストークの
発生しない、より効果的な光学変調素子が得られる。

第４図に記録媒体にレーサーを照射して書き込みを行う
装置の概略図を示した。

第４図において信号５は記録媒体を有する記録層を、６
はレーザー光を、８は電圧印加装置を、９は記録層駆動
装置を、１０は光学系駆動装置を、１１は光学系を、１
２は反射鏡を、１３は光変調装置を、１４は変調信号発
生装置を、１５はレーザー発振器を表わす。

図に示すようにレーザー発振器（１５）から出たレーサ
ー光を光変調装置（１３）を通して光学系（１１）によ
り焦点をあわせ記録層（６）へ入射する。この際、レー
ザー光を照射する書き込み部は光学系駆動装置（１０）
と記録層駆動装置（９）により調節が可能である。

この書き込み方法は電界印加時にレーザー光をあて記録
層の書き込み部分をＴｇ以」二に加熱することにより行
うが、レーザー光を照射するだけでなく、記録層を加熱
状態へ変化させられる手段なら、発熱体電極等を設けて
書き込みを行ってもよい。第１〜３図に書き込む方法の
違う例をあげた。

本発明の書き込み及び記録の光学変調方法は、ガラス転
移点を持つ記録媒体を有する記録層に上記書き込み方法
をほどこした後、該ガラス転移点以下に温度を下げ、そ
の状態で書き込み状態を保持させる方法をとる。その際
、記録媒体に用いる強誘電体のガラス転移点は室温以上
であることが、記録状態の安定化のために望ましいが、
あまり高ずぎると記録感度１作業性が問題となる。そこ
てそのような用途に適した強誘電体として本発明では高
分子液晶を用いる。

具体的にはＮ、Ａ、Ｐｌａｔｉ、　Ｖ、Ｐ、５ｈｉｂａ
ｅｖ　　Ｐｕｒｅ＆　　Ａｐｐｌ、Ｃｈｅｍ、、５７．
１５８９　（１９８５）に示されるような（１）式のも
のである。

ｌ−１３＋ＣＴｌ２−Ｃ→− 本本発明は（］）式で表わされる高分子液晶を共重合する
ことにより、又、さらにｍを制御することによりガラス
転移点を制御して、２０〜１５０°Ｃｆｕ度のガラス転
移点をもつ組成物を得るようにする。本発明においてｍ
は好ましくは５〜１５である。又、該記録媒体を用いる
記録層の膜厚は１０００人〜１００μ、より好ましくは
１００人〜１０μであるとよい。

書き込み状態時をさらに詳しく説明する。

本発明に用いる高分子液晶は、一度加熱をした後徐冷を
すると電極に対して水平配向した記録層を形成すること
ができる。

よって、該水平配向している状態での記録層に書き込み
を行うのであるが、徐冷時に電界を印加していると該記
録層が均一方向に配向した記録層となるので、均一方向
に配向させた後に書き込み部だけ加熱し、逆電界をかけ
て、配向方向を変えて書き込みを行うこともてきる。

しかし、本発明で用いる高分子液晶の記録層は、加熱し
た後徐冷を行うだけで、電界印加をせずに同一方向に配
向させていなくても、記録層をなす液晶層のドメインが
小さいために、書き込みをして得られた記録状態と区別
することができる。

よって本発明の書き込みは一度Ｔｇ以」−に加熱した後
徐冷して得た記録層に実施することができる。

次に読み取りの光学変調方法について説明する。

第１２図は本発明に用いる強誘電体を用いた記録媒体の
読み取り説明の為に模式的に描いたものである。

本発明に用いている強誘電体を有する記録媒体の分子は
、その分子に直交した方向に双極子モーメントを有して
いる。一対の基板」二の電極間に一定の閾値以上に電圧
を印加すると、双極性モーメントはすべて電界方向に向
くようになり、該記録媒体の分子は配向方向を変えるこ
とができる。

第１２図に示すように一定の閾値以上の極性の異なる電
界Ｅ又はＥ′　を電圧印加手段により付与すると、双極
子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′　の電界ベクＩ・ルに
対応して向きを変え、それに応じて記録媒体の分子は図
中Ａ又はＢのいずれかの状態をとる。従って例えばガラ
ス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる光学変調素子とな
り、読み取りが行われる。

本発明は上述のごとく電圧印加極性によって書き込みが
行われた記録媒体での光学特性の変化を（複屈折効果に
より）読み出している。

この際、光の透過強度は下記の式で表わされるため、本発明では自発分極の向きを選択することによってθを
決め、記録内容を読み出している。また、Δｎやｄを制
御することによって、読み取り感度を向上させることも
可能となるので、適宜、それらの条件を考慮して実験を
行っている。

以上、上でのべた読み取りの光学変調方法は、本発明で
は媒体をガラス転移点以下とした状態で行っている。

この光学変調方法により、高密度かつ高感度な読み取り
が行え、さらに、読み取り光によって記録層が多少加熱
されても、内部電界によって記録−内容が乱されること
のない光学変調方法が提供できる、。

第８図に記録媒体に読み取り光を照射して読み取りを行
う装置の概略図を示した。

第８図において、俳号５は強誘電性高分子液晶、９は記
録層駆動装置、１０は光学系駆動装置、１１は光学系、
】２は反射鏡、１５は読み取りレーザー発振器、１６は
偏光子、１７は検光子、１９はビームスプリッタ−１２
３は光検出装置である。

図に示す通り、読み取りレーザー発振器（Ｉ５）からで
たレーザー光をミラーにて方向を調節し、偏光子とビー
ムスプリッタ−を通して記録層へ照射し、その反射光を
再びビームスプリッタ−に通して光検出装置で読み取り
を行う。その読み取りの光学変調方法において、レーザ
ー光を照射する読み取り部は光学系駆動装置（１０）と
記録層駆動装置（９）により調節が可能である。

次に本発明で用いる記録媒体を一対の平行基板間に配置
して得た光学的変調素子の一例の断面概略図を第９図に
示す。

第９図において俳号１は基板、２は電極（透明電極でも
よい）、４は絶縁性配向制御層、５は強誘電性高分子液
晶層、１６は偏光子、１７は検光子、２４はスペーサー
を示している。

第１図に示すセル構造体の中の液晶層５は、ＳｍＣ”。

Ｓ　ｍ　Ｈ”　、　　Ｓ　ｍ　Ｆ　”　、　　Ｓ　ｍ　
Ｉ　”　、　　Ｓ　ｍ　Ｇ　”などのカイラルスメクテ
イツク相とすることができる。２枚のガラス基板ｌには
、それぞれ、■ｎ２０３．ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｗ１ｄｅ）等の薄膜から成る
透明電極又は電極（２）が被覆されている。

その上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセ
テート植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に
並べる絶縁性配向制御層（４）が形成されている。また
絶縁層として例えばシリコン窒化物、水素を含有するシ
リコン炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含
有する硼素窒化物。

セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸
化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムなどの無機物
質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド。

ポリエステルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステル
、ボリノＪ−ボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化）＝ニル、ポリ酢酸ヒニル、ポリアミド、ボリスヂレ
ン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、アク
リル樹脂やフ第１・レソスト樹脂などの有機絶縁物質を
配向制御層として、２層で絶縁すｌＩ配向制御層が形成
されていてもよく、また無機物Ｔｆｊｊ絶縁性配向制御
層あるいは有機物質絶縁性配向制御層単層であっても良
い。又、基板に配置する配向制御層は片側基板にのみ設
けてもかまわない。、この絶縁性配向制御層が無機系な
らば蒸着法なとて形成でき、有機系ならば、有機絶縁物
質を溶解させた溶液または、その前駆体溶液（溶剤０．
１〜２０重■１％、好ましくは０．２〜１０重量％）を
用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印
刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所定
の硬化条件下（例えば加熱）下で硬化させ形成させるこ
とができる。絶縁性配向制御層の層のりみは通常２０人
〜１μ。好ましくは３０人〜５０００人、さらに好まし
くは５０人〜３０００人が適している。

この２枚のガラス基板ｌはスペーサ−２４によって任意
の間かくに保たれている。例えば、所定の直径を持つシ
リカヒーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス
基板２枚ではさみ周囲をシール祠、例えばエポキシ系接
着材を用いて密封する方法がある。その他、スペーサー
として高分子フィルムやガラスファイバー等を用いても
良い。この２枚のガラス基板の間に強誘電性高分子液晶
が封入されている。

透明電極２からはリード線によって外部電源に接続され
ている。またガラス基板１の外側には偏光子１６と検光
子１７が貼り合わせである。

又光学変調素子とする場合、基板上の電極をマトリクス
構造で形成させてもよい。７トリクス電極構造の具体例
を第１０図に示しておく。

基板１の上には複数の透明電極２５からなる電極群（例
えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印加用電極
群）が例えば帯状パターンなどの所定パターンで形成さ
れている。基板１の上には前述の透明電極２５と交差さ
せた複数の透明電極２６からなる電極群（例えば、マト
リクス電極構造のうちの信吋電圧印加用電極群）が形成
されている。

上述のようにして形成した光学変調素子に、今までのへ
てきた書き込み、記録及び読み取りの光学変調方法を適
用させると、各走査線毎にガラス転移点以上に加熱した
のち電界を印加することにより書き込み状態を選択し、
さらにガラス転移点以下とすることで書き込み状態を固
定し、該固定状態下での記録媒体の光学的性質の変化を
利用して（具体的には複屈折を利用して）読み取る方法
を実施するということになる。そしてそのような光学変
調方法を行った光学変調素子は走査線が増加しても本質
的に影響を受けない従来にない素子とすることができる
のである。又、上記ガラス転移点以上に加熱する際に光
波長に対して吸収を有する物質を高分子液晶中に添加す
るとより効果的である。（但し光を用いて加熱を行う場
合である。）以下、本発明の実施例を図面を参照して詳
細に説明する。

〔実施例１〕ガラスからなる基板１に透明電極２をスパッタリングに
より蒸着した基板へポリアミック酸溶液（日立化成工業
（掬ＰＴＱ　：不揮発分濃度３．０ｗｔ％）をスピナー
塗布機により塗布し、１２０　’Ｃで３０分間、　２０
００Ｃで６０分間、３５０℃で３０分間加熱することに
よりポリイミド配向層４を形成した。これをラヒング法
によって一軸配向性を与えた。

その上に（２）式で示される高分子液晶の溶液（不揮発
分濃度１０ｗｔ％）をスピナー塗布機により塗布し、１
００℃で乾燥したのち室温まで徐々に冷却し、高分子液
晶層５を得た。さらにアルミニウムを蒸着して上部電極
２を形成した。（第一１図）Ｈ３ −Ｉｌ：ＣＩ（２−ＣＨ矢 ■ ＊（２）式で表わされる記録媒体のガラス転移点は３０℃
であった。（ＯＳＣＩ？よる）この記録媒体において透明電極２ξ上部電極２に電界１
０Ｖを印加しつつ、レーザ光６により加熱してガラス転
移点量」二とした後、冷却することで自発分極をそろえ
、次に記録媒体をガラス転移点以下とし、情報の書き込
み及び記録を行った。このようにして得られた記録状態
は室温において一１０Ｖの逆電界をくり返し印加したが
偏光顕微鏡で観察したところ記録状態の劣化はなかった
。

〔実施例２〕ポリカーボネートからなる基板ｌにアルミニウムを蒸着
して電極２とした基板へＰＶＡ水溶液（クラレ■ポバー
ル：不揮発分３　、　Ｏｗ　ｔ％）をスピナー塗布機に
より塗布し、１００℃で減圧乾燥した。これをラビング
法によって一軸配向性を与えた。

その上に（２）式で示される高分子液晶の溶液（不揮発
分濃度１０ｗｔ％）をスピナー塗布機により塗布し、９
０℃で乾燥したのち徐々に冷却したところ、高分子液晶
層５を得た。（第＃２図）この記録媒体において加熱電極３により記録層５をガラ
ス転移点以上約５０℃に加熱しつつ、電極２と加熱電極
３の間に５ｖの電界を印加し書き込みを行った。その後
加熱を停止し室温まで記録層を冷却して記録を行った。

このようにして得られた記録状態は室温において一５■
の逆電界をくり返し印加したが偏光顕微鏡で観察したと
ころ記録状態の劣化はなかった。

〔実施例３〕ガラスからなる基板ｌにＩＴＯ電極を蒸着したのちポジ
型レジスト溶液（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）をスピナー塗布
し、プリベークした。このレジスト層上に、マスク中７
μ、マスク部のピッチ１０μのストライプ状マスクを用
いて露光した。次いでテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド含有の現像液“ＭＦ３１２”で現象し露光
部のレジストを除去し、さらにＩＴＯ。

電極のエツチングを行った。水洗、乾燥後Ｍ　Ｅ　Ｋに
て未露光部のレジストを除去し下部電極３を形成した。

次にポリアミック酸溶液（日立化成工業■製：不揮発分
濃度１０ｗｔ％）をスピナー塗布機で塗布し、１２０℃
テ３０分間、　２００’Ｃテロ０分間、３５０℃テ３０
分間加熱することによりポリイミド膜４を形成した。

その上に（２）式で示される高分子液晶の溶液（不揮発
分濃度１０ｗｔ％）をスピナー塗布機により塗布し、１
００　℃で乾燥したのち徐々に冷却したところ、均一に
水平配向した高分子液晶層５を得た。次いでアルミニウ
ムを蒸着し、下部電極２と同様にポジ型レジストを用い
て下部電極２と直交する向きにストライプ状電極２を形
成した。（第＝：３図）この記録媒体において下部電極
３に通電して発熱させ記録層５を加熱しつつ、上部電極
２と下部電極３間にＩＯＶの電圧を印加しその後加熱を
停止し室温まで冷却して記録の書き込みを行った。この
ようにして形成した記録状態は、室温において一１０Ｖ
の逆電界をくり返し印加したが偏光顕微鏡で観察したと
ころ記録状態の劣化はなかった。

〔実施例４〕ガラス基板にＩＴＯからなる透明電極２が形成されたも
のへポリアミック酸溶液（日立化成工業■製ＰＩＱ　：
不揮発分濃度３ｗｔ％）を３００Ｏｒｐｍで回転するス
ピナー塗布機で３０秒間かけて塗布し、１２０℃で３０
分間、２００℃で６０分間、３５０℃で３０分間加熱し
た。このようにして得たポリイミド配向層４をラビング
法により一軸配向性を与えた。この上に（２）式の高分
子液晶のジクロロエタン溶液（不揮発分濃度１０ｗｔ％
）を３００Ｏｒｐｍで回転するスピナー塗布機で塗布し
１００℃で乾燥した。その上にＩＴＯからなる透明電極
２と一軸配向処理したポリイミド配向層４が形成された
ガラス基板を配向方向が一致するようにはり合わせ接着
した。そして高分子液晶の透明点より十分高い温度（１
５０’Ｃ前後）まで上げた後、徐冷することで一軸配向
した記録層５を得た。加熱しガラス転移点以上とし、か
つＩＯＶの電圧を印加して分極の方向をそろえた後、２
の電極間に一１０Ｖの逆電圧を印加しつつレーザーで加
熱することにより書き込みを行った。

この記録媒体を、非記録部においては読み取り光が透過
しないように設定した偏光子と検光子の間に配置するこ
とによって、透過光をフォトダイオートにより検出して
記録部の読み出しを行った。

（第５図）コンＩ・ラスＩ・比０８て読みとりが行えた。さらにく
り返し読み取りを行ったがコントラスト比は低ドしなか
った。

〔実施例５〕偏光子１６．ビームスプリッタ−１９，検光子１７゜及
び反則板２０を第６図のように配置して記録媒体の記録
部の読み取りを行った。この実験でのコントラスト〔実施例６〕ガラス基板１にＩＴＯからなる透明電極２が形成された
ものへポリアミック酸溶液（日立化成工業（株製門Ｑ：
不揮発分濃度３ｗｔ％）をスピナー塗布機で塗布し、１
２０°Ｃて３０分間，２００℃で６０分間。

３５０℃で３０分間加熱した。このようにして得たポリ
イミド配向層４をラビング法により一軸配向性を与えた
。この」二に実施例４と同様に高分子液晶をスピナー塗
布機で塗布し、１００°Ｃで乾燥した。一方、ガラス基
板１にアルミニウムを５０００人蒸着したものの上にポ
リイミド配向層４を形成し一軸配向処理したものを作成
した。両者を配向軸が一致するようにしてはり合わせ接
着した。これを第７図に示すように偏光子１６，検光子
１７，　　ビームスプリッタ−１９を配置し、かつ、金
属反射層２２を設けて、読みとり光をフォトダイオード
で検出した。この実験でのコントラスト比は０．６であ
った。さらに（り返し読み取りを行ったがコントラスト
比は低下しなかった。

〔実施例７〕ＩＴＯからなるストライプ状のパターン電極２が形成さ
れたガラス基板１上に、ポリアミック酸溶液（日立化成
工業（掬製ＰＩＱ　：不揮発分濃度５ｗｔ％）を３００
０ｒｐｍで回転するスピナー塗布機で３０秒間かけて塗
布し、１２０℃で３０分間，２００’Ｃで６０分間。

３５０℃で３０分間加熱した。このようにして得た基板
にラビング法により一軸配向性を与えた。このようにし
て得た基板１を電極２が直交し、配向軸が一致するよう
に５μｍＰＥＴフィルムをスペーサとしてはり合わせ、
一方向を残し接着剤で封した。前記セルを減圧したのち
溶融した（２）式の高分子液晶へ開放した口を浸漬し大
気圧へもどすことによって高分子液晶を封入した。この
セルを１００８Ｃから徐々に冷却することて一軸配向し
た高分子液晶の光学変調素子を得た。（第９図）この光学変調素子において、電極２はリート線により外
部電源に接続しており、接続のし方は第３図に示しであ
るのと同様な方法をとった。

〔実施例８〕実施例７て得た光学変調素子を用いた。第１０図に示す
ように電極はマトリクス構造に組んである。

まず走査電極２５−ａへ電流を流すことで高分子液晶を
ガラス転移点以上に加熱し、同時に信号電極２６へそれ
ぞれの選択電圧を印加することにより書き込みを行った
。走査電極２５−ａへ流していた電流を停止しガラス転
移点以下へ冷却した。次に走査電極２５−ｂへ電流を流
し、記録媒体を加熱しつつ同時に信号電極２６へそれぞ
れの選択電圧を印加して書き込みを行った。同様にして
走査電極２５−ｃ。

２５−ｄと書き込みを行った。

このとき書き込み走査電極以外にも閾値電圧以上が印加
されていたがコントラストの低下，クロストーク等は発
生しなかった。

〔実施例９〕実施例７で得た光学変調素子に８００ｎｍの吸収層を蒸
着によりとりつけ、記録書き込みを以下のようにして行
った。（第１１図）半導体レーザー（加熱用）光源２７より出た光をポリゴ
ンミラー、走査線選択用ポリゴンミラーを経て、走査電
極にそって走査させた。

半導体レーザーの照射部がガラス転移点以上となったと
ころで走査電極２５と信号側の非パターニング電極３１
に電界を印加して書き込み状態を選択した。その後ガラ
ス転移点以下に冷却し書き込み状態を固定化させた。以
下走査線選択用ポリゴンミラー２９を操作すればレーザ
ーの次の走査線を選択することができる。順次各走査電
極に対して同様にして書き込みと固定化を行った。この
とき書き込み部以外にも閾値電圧以上が印加されたがコ
ントラストの低下，クロストーク等は発生しなかった。

〔実施例１０）実施例９の走査電極側も非パターニング電極として、同
様にレーザーを走査させることにより、各画素毎に加熱
、書き込み状態の選択、冷却を行って表示を行った。こ
の場合もコントラストの低下。

クロストーク等は発生しなかった。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば強誘電体の自発分
極の向きを選択する記録方法において極めて安定な記録
状態を実現するとともに簡単な操作で高速に記録を行う
ことが可能となる。

又、ガラス転移点を有する強誘電体を用いた記録媒体に
おいて該ガラス転移点以下で複屈折変化を利用して記録
内容を読み出すことにより、非接触で高感度な読み出し
が可能となる上に、読み出し時の記録の安定性を大巾に
改善できる。

又、該記録媒体を用いた光学変調素子において本発明の
書き込み、記録、及び読み取り方法を組み合わせること
により高精細、大画面化にともなウコントラストの低下
やクロストークを本質的に改善した表示を行うことが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の書き込み一記録の光学変調方
法に関する実施例図、第４図は記録媒体へレーザー光を書き込む概略図、第５
図〜第７図は本発明の読み取りの光学変調方法に関する
実施例図、第８図は記録媒体に読み取りレーザー光で読み取る概略
図、第９図は本発明の光学変調素子の一例の断面図、第１０
図は光学変調素子のマトリクス状に配置した走査電極と
信号電極の構成図、第１１図は光学変調素子に本発明の光学変調方法を行う
一実施例図、第１２図は電界によって配向の向きがかわる本発明で用
いている記録媒体の動作図を表わしている。基板・・・ｌ　　　　電極・・・２　　　発熱体電極・
・・３配向層・・・４　　　記録層・・・５　　レーザ
ー光・・・６直流電源・・・７　　電圧印加装置・・・
８記録層駆動装置・・・９　光学系駆動装置・・・１゜
光学系・・・１１　　　　　反射鏡・・・１２光変調装
置・・・１３　　　変調信号発生装置・・・１４レ一ザ
ー発振器・・・１５　偏光子・・・１６検光子・・・１
７　　　　　読み取り光・・・１８ビームスプリッタ−
・・・１９反射板・・・２０　　　　　　反射光中２１金属反射層
・・・２２　　　光検出装置・・・２３スペーザー・・
・２４　　　　走査電極・・・２５信号電極・・・２６
　　　　加熱用光源・・・２７走査用ポリゴンミラー・
・・２８走査線選択用ポリゴンミラー・・・２９加熱光吸収層・
・・３０非パターニング電極・・・３１光源・・・３２

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ガラス転移点を持つ強誘電体に、ガラス転移点以
上で書き込みを行い、ガラス転移点以下で書き込み状態
を保持することを特徴とする光学変調方法。
（２）ガラス転移点を持つ強誘電体に、ガラス転移点以
上で書き込みを行い、ガラス転移点以下で書き込み状態
を保持している該強誘電体の複屈折変化を利用して書き
込み内容を識別することを特徴とする光学変調方法。
（３）一対の平行な電極間にガラス転移点を持つ強誘電
体を配置させることを特徴とする光学変調素子。
（４）一対の平行な電極間にガラス転移点を持つ強誘電
体を配置した光学変調素子において、該強誘電体に、ガ
ラス転移点以上で書き込みを行い、ガラス転移点以下に
することで書き込み状態を保持する光学変調方法を手段
として有することを特徴とする光学変調素子。
（５）一対の平行な電極間にガラス転移点を持つ強誘電
体を配置した光学変調素子において、該強誘電体にガラ
ス転移点以上で書き込みを行い、ガラス転移点以下にす
ることで書き込み状態を保持する光学変調方法と、該ガ
ラス転移点以下で書き込み状態を保持している強誘電体
の複屈折変化を利用して書き込み内容を識別する光学変
調方法とを手段として有することを特徴とする光学変調
素子。
（６）前記強誘電体がカイラルスメクチツク相を有する
高分子液晶であるところの特許請求の範囲第１項記載の
光学変調方法。
（７）該書き込みを行う光学変調方法が該記録媒体をガ
ラス転移点以上に加熱した状態時に電界を印加する工程
により書き込みを行う方法である特許請求の範囲第１項
記載の光学変調方法。
（８）前記ガラス転移点以上に加熱する方法として、発
熱体電極を用いることを特徴とする特許請求の範囲第７
項記載の光学変調方法。
（９）書き込み内容を識別する際にビームスプリッター
を用いて識別することを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の光学変調方法。
（１０）該一対の平行電極がマトリクス構造に配置した
電極である特許請求の範囲第３項記載の光学変調素子。
（１１）前記ガラス転移点以上に加熱する方法として、
一対の平行電極の一方向から半導体レーザーを照射する
方法を特徴とする特許請求の範囲第７項記載の光学変調
方法。
（１２）該一対の平行電極の少なくともいずれか一方が
非パターニング電極である特許請求の範囲第３項記載の
光学変調素子。