JPS63153820A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPS63153820A JPS63153820A JP61288929A JP28892986A JPS63153820A JP S63153820 A JPS63153820 A JP S63153820A JP 61288929 A JP61288929 A JP 61288929A JP 28892986 A JP28892986 A JP 28892986A JP S63153820 A JPS63153820 A JP S63153820A
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- reticle
- lens
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- illumination light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、投影露光装置にかかるものであり、特に該装
置におけるアライメント方式の改良に関するものである
。
置におけるアライメント方式の改良に関するものである
。
[従来の技術]
投影露光装置で行われるマスクないしレチクルとクエへ
とのアライメント方式のうち、露光波長と異った波長の
光を使用する方式では、レチクルとクエへとが露光光の
波長に対して共役の位置となっているため、アライメン
ト光の波長に対しては、レチクルとウェハとが必ずしも
共役の位置とはならない。
とのアライメント方式のうち、露光波長と異った波長の
光を使用する方式では、レチクルとクエへとが露光光の
波長に対して共役の位置となっているため、アライメン
ト光の波長に対しては、レチクルとウェハとが必ずしも
共役の位置とはならない。
このため、補正レンズの挿入や光路の変更による対応が
行われている。
行われている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、以上のような対応では、オフセットが乗
りやすく、アライメント位置が固定されてしまうという
不都合、がある。
りやすく、アライメント位置が固定されてしまうという
不都合、がある。
また、アライメント光として露光波長の光を使用すると
、ウェハ上のレジストがアライメント時に感光し、アラ
イメントに使用したマークを再び使用できないという不
都合がある。
、ウェハ上のレジストがアライメント時に感光し、アラ
イメントに使用したマークを再び使用できないという不
都合がある。
特に、レジストとして、露光光を吸収して反射しない色
素人レジストが使用されているような場合には、アライ
メントが困難になるという不都合がある。
素人レジストが使用されているような場合には、アライ
メントが困難になるという不都合がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、アラ
イメントオフセットのない高精度の良好なアライメント
を行うことができる投影露光装置を提供することを、そ
の目的とするものである。
イメントオフセットのない高精度の良好なアライメント
を行うことができる投影露光装置を提供することを、そ
の目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、フレネルパターンを透過ないし反射した光も
しくは偏光特性を持ったレンズ(2重焦点素子)を透過
した光が二つの位置で結像することを利用し、該結像位
置の間隔を、投影光学系の色収差量に対応させるように
してレチクル上及びウェハ上に照明光を結像させるよう
にしたことを技術的要点としている。
しくは偏光特性を持ったレンズ(2重焦点素子)を透過
した光が二つの位置で結像することを利用し、該結像位
置の間隔を、投影光学系の色収差量に対応させるように
してレチクル上及びウェハ上に照明光を結像させるよう
にしたことを技術的要点としている。
[作用]
本発明によれば、露光光と異る波長の照明光がアライメ
ント用の光として使用される。このため、レジストが露
光されることはない。フレネルパターンまたは偏光レン
ズ(2重焦点素子)が利用されて、照明光が2重焦点化
されるので、格別の補正用レンズをレチクルとクエへの
間のアライメント光路中に挿入する必要がない。
ント用の光として使用される。このため、レジストが露
光されることはない。フレネルパターンまたは偏光レン
ズ(2重焦点素子)が利用されて、照明光が2重焦点化
されるので、格別の補正用レンズをレチクルとクエへの
間のアライメント光路中に挿入する必要がない。
[実施例]
以下、本発明の実施例を、添付図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図には、本発明にかかる投影露光装置の第1の実施
例が示されている。この図において、投影レンズ10は
、レンズ12および14から構成されている。
例が示されている。この図において、投影レンズ10は
、レンズ12および14から構成されている。
投影レンズ10の上方には、レチクル16がレチクルス
テージ18に保持されて配置されている。そして、レチ
クル16の上方には、コンデンサレンズ20が配置され
ており、露光光が該コンデンサレンズ20を介し−でレ
チクル16に入射するようになっている。
テージ18に保持されて配置されている。そして、レチ
クル16の上方には、コンデンサレンズ20が配置され
ており、露光光が該コンデンサレンズ20を介し−でレ
チクル16に入射するようになっている。
上記投影レンズ10の下方には、ステージ22上に載置
されたウェハ24が配置されており、該ステージ22上
には、その端側の適宜位置に、基準マーク26が設けら
れている。
されたウェハ24が配置されており、該ステージ22上
には、その端側の適宜位置に、基準マーク26が設けら
れている。
次に、前記露光光と異る波長のアライメント光であるレ
ーザ光28は、レーザ光源30から出力されるようにな
っている。
ーザ光28は、レーザ光源30から出力されるようにな
っている。
レーザ光28は、フレネルパターン板32、ビームスプ
リッタ34、対物レンズ36、ミラー38を各々介して
レチクル16のアライメント用のマーク部分に入射する
ようになっている。
リッタ34、対物レンズ36、ミラー38を各々介して
レチクル16のアライメント用のマーク部分に入射する
ようになっている。
次に、レチクル16を透過したレーザ光28は、更に投
影レンズ10を透過してウェハ24に入射し、そこで反
射されて往路を戻り、再びレチクル16を透過してミラ
ー38、対物レンズ36を介しビームスプリッタ34に
入射するようになっている。
影レンズ10を透過してウェハ24に入射し、そこで反
射されて往路を戻り、再びレチクル16を透過してミラ
ー38、対物レンズ36を介しビームスプリッタ34に
入射するようになっている。
そして、ビームスプリッタ34で反射されたレーザ光2
8の反射光は、ハーフミラ−40に入射し、一方は、レ
ンズ42、アパーチャ44、レンズ46、空間フィルタ
48、レンズ50を各々介して受光素子52に入射する
ようになっている。
8の反射光は、ハーフミラ−40に入射し、一方は、レ
ンズ42、アパーチャ44、レンズ46、空間フィルタ
48、レンズ50を各々介して受光素子52に入射する
ようになっている。
他方のレーザ光28の反射光は、ミラー54、レンズ5
6、アパーチャ58、レンズ60、空間フィルタ62、
レンズ64を各々介して受光素子66に入射するように
なっている。
6、アパーチャ58、レンズ60、空間フィルタ62、
レンズ64を各々介して受光素子66に入射するように
なっている。
次に、受光素子52、受光素子66は、各々信号処理部
68に接続されており、前述したフレネルパターン板3
2の駆動部70も信号処理部68に接続されている。こ
の信号処理部68は、ステージ22の駆動部72、ステ
ージ22の位早検出を行う干渉計74とともに、主制御
装置76に接続されている。
68に接続されており、前述したフレネルパターン板3
2の駆動部70も信号処理部68に接続されている。こ
の信号処理部68は、ステージ22の駆動部72、ステ
ージ22の位早検出を行う干渉計74とともに、主制御
装置76に接続されている。
以上の各構成部分のうち、フレネルパターン板32には
、例えば第8図に示すようなパターンが形成されており
、これを、透過したレーザ光28は、二つの位置で合焦
する。この例では、第一焦点(1次回折光の集光点、)
がPであり、第二焦点(2次回折光の集光点)がQであ
る。
、例えば第8図に示すようなパターンが形成されており
、これを、透過したレーザ光28は、二つの位置で合焦
する。この例では、第一焦点(1次回折光の集光点、)
がPであり、第二焦点(2次回折光の集光点)がQであ
る。
そして、第一焦点Pは、第1図の実線で示すように、レ
チクル16上で結像するようになっており、第二焦点Q
は、破線で示すように、ウェハ24上で結像するように
なっている。
チクル16上で結像するようになっており、第二焦点Q
は、破線で示すように、ウェハ24上で結像するように
なっている。
ずなわち、第一焦点Pは、レチクル16と共役となって
おり、第二焦点Qは、ウェハ24と共役となっている。
おり、第二焦点Qは、ウェハ24と共役となっている。
そして、駆動部70によりフレネルパターン板32が駆
動されると、各々結像したパターンがレチクル16ある
いはウェハ24上で振動するようになり、レチクル16
あるいはウェハ24上のパターン(マーク)からの光情
報が受光素子52あるいは受光素子66で読取られるよ
うになっている。
動されると、各々結像したパターンがレチクル16ある
いはウェハ24上で振動するようになり、レチクル16
あるいはウェハ24上のパターン(マーク)からの光情
報が受光素子52あるいは受光素子66で読取られるよ
うになっている。
次に、フレネルパターン板32のフレネルパターンの作
用によってレチクル16およびウェハ24上に投影され
た照明光の反射光は、各々ビームスプリッタ34に反射
され、更には40で分割されて受光素子52および66
に各々入射するようになっている。
用によってレチクル16およびウェハ24上に投影され
た照明光の反射光は、各々ビームスプリッタ34に反射
され、更には40で分割されて受光素子52および66
に各々入射するようになっている。
以上のうち、受光素子52に反射光を入射させるレンズ
42、アパーチャ44、レンズ46、空間フィルタ48
、レンズ50は、全体としてレチクル16からの反射光
による像(回折、散乱光による暗視野像)を受光素子5
2上で結像できるように、その光学的特性が設定されで
いる。また、受光素子66に反射光を入射させるミラー
54、レンズ56、アパーチャ58、レンズ60、空間
フィルタ62、レンズ64は、全体としてウェハ24か
らの反射光による像(回折、散乱光による暗視野像)を
受光素子66上で結像できるように、その光学的特性が
設定されている。また、アパーチャ44はレチクル16
のパターン(又はマークRM)、すなわち点Pと共役に
配置され、アパーチャ58はウェハ24のパターン(又
はマークWM)、すなわち点Qと共役に配置される。
42、アパーチャ44、レンズ46、空間フィルタ48
、レンズ50は、全体としてレチクル16からの反射光
による像(回折、散乱光による暗視野像)を受光素子5
2上で結像できるように、その光学的特性が設定されで
いる。また、受光素子66に反射光を入射させるミラー
54、レンズ56、アパーチャ58、レンズ60、空間
フィルタ62、レンズ64は、全体としてウェハ24か
らの反射光による像(回折、散乱光による暗視野像)を
受光素子66上で結像できるように、その光学的特性が
設定されている。また、アパーチャ44はレチクル16
のパターン(又はマークRM)、すなわち点Pと共役に
配置され、アパーチャ58はウェハ24のパターン(又
はマークWM)、すなわち点Qと共役に配置される。
次に、信号処理部68は受光素子52、受光素子66の
検出出力から1、アライメント用のマークの位置ずれを
検出してその結果を主制御装置76に出力するものであ
る。
検出出力から1、アライメント用のマークの位置ずれを
検出してその結果を主制御装置76に出力するものであ
る。
主制御装置76は、駆動部70の駆動制御を行うととも
に、干渉計74の出力によりてステージ22の位置を把
掴し、信号処理部68の出力によってステージ22の位
置を制御調整する機能を有する。
に、干渉計74の出力によりてステージ22の位置を把
掴し、信号処理部68の出力によってステージ22の位
置を制御調整する機能を有する。
次に、上記実施例の全体的動作について、第2図乃至第
7図を参照しながら説明する。
7図を参照しながら説明する。
なお、第2図には、レチクル16上のアライメントマー
クの一例が示されており、ウィンドRW内に、レチクル
マークRM+ 、RM2を形成した構成となっている。
クの一例が示されており、ウィンドRW内に、レチクル
マークRM+ 、RM2を形成した構成となっている。
レチクルマークRM r、RM2の照明光SRは、合焦
した第一焦点の照明光5PR(実線参照)と、合焦して
いない第二焦点の照明光5QR(破線参照)とを含んで
いる。
した第一焦点の照明光5PR(実線参照)と、合焦して
いない第二焦点の照明光5QR(破線参照)とを含んで
いる。
第3図には、かかる照明光SPR,SQRの第2図左右
方向の強度分布が示されている。同図中、(A)は各々
の分布であり、(B)は全体の分布である。この図に示
すように、照明光SPRは、狭い部分を強く照明するの
に対し、照明光SQRは、広い分布となっている。
方向の強度分布が示されている。同図中、(A)は各々
の分布であり、(B)は全体の分布である。この図に示
すように、照明光SPRは、狭い部分を強く照明するの
に対し、照明光SQRは、広い分布となっている。
また、第4図には、ウェハ24上のアライメントマーク
の一例が示されており、ウェハマークWMが該当する。
の一例が示されており、ウェハマークWMが該当する。
図には、レチクルマークRMI 、RM2の投影像も示
されている。ウェハマークWMの照明光SWは、合焦し
ていない第一焦点の照明光spw(実線参照)と、合焦
した第二焦点の照明光5QW(破線参照)とを含んでい
る。これらの照明光の強度分布は、第2図の場合と反対
の関係になる。
されている。ウェハマークWMの照明光SWは、合焦し
ていない第一焦点の照明光spw(実線参照)と、合焦
した第二焦点の照明光5QW(破線参照)とを含んでい
る。これらの照明光の強度分布は、第2図の場合と反対
の関係になる。
まず、駆動部70によるフレネルパターン板32の駆動
操作により、照明光SRがレチクルマークRM、% R
M2上を走査すると、該マークのエツジ部分から強く光
が反射(散乱)され、第5図に示すような波形の光電信
号IRが受光素子52によって得られる。レチクルマー
クRMI 、RM2の中心は、光電信号IHのビークX
A、XBの中心と、ピークXC,XDの中心とを求め、
次に、該中心間、の更に中心を求めるようにすればよい
。尚、アパーチャ44は、クエへ面とは共役でないので
、ウニへ面からの反射光はほとんど遮光される。
操作により、照明光SRがレチクルマークRM、% R
M2上を走査すると、該マークのエツジ部分から強く光
が反射(散乱)され、第5図に示すような波形の光電信
号IRが受光素子52によって得られる。レチクルマー
クRMI 、RM2の中心は、光電信号IHのビークX
A、XBの中心と、ピークXC,XDの中心とを求め、
次に、該中心間、の更に中心を求めるようにすればよい
。尚、アパーチャ44は、クエへ面とは共役でないので
、ウニへ面からの反射光はほとんど遮光される。
他方、上述したフレネルパターン板32の駆動により、
照明光SWがウェハマークWM上を走査すると、該マー
クのエツジ部分から強く光が反射(散乱)され、第6図
に示すような波形の光電信号IWが受光素子66によっ
て得られる。ウェハマークWMの中心は、光電信号IW
のピークXE、XFの中心から求められる。尚、アパー
チャ58は、レチクル面とは共役でないのでレチクル面
からの反射光はほとんど遮光される。
照明光SWがウェハマークWM上を走査すると、該マー
クのエツジ部分から強く光が反射(散乱)され、第6図
に示すような波形の光電信号IWが受光素子66によっ
て得られる。ウェハマークWMの中心は、光電信号IW
のピークXE、XFの中心から求められる。尚、アパー
チャ58は、レチクル面とは共役でないのでレチクル面
からの反射光はほとんど遮光される。
以上のようにして得られた光電信号IR。
IWは、信号処理部68に各々入力され、ここで互いに
加えられて第7図にしめず加算信号となり、主制御装置
76に入力される。
加えられて第7図にしめず加算信号となり、主制御装置
76に入力される。
そして、上述した方法でレチクル16とウェハ24の位
置ずれdが求められる。例えば、レチクルマークRM、
、RM2のエツジで生じる光電信号IRの各ピークの
位置をA% B、C,Dとし、ウェハマークWMのエツ
ジで生じる光電信号IWの各ピークの位置をε、Fとす
ると、d= (2(F−E) −(A+ D) + (
B+ C))/4となる。
置ずれdが求められる。例えば、レチクルマークRM、
、RM2のエツジで生じる光電信号IRの各ピークの
位置をA% B、C,Dとし、ウェハマークWMのエツ
ジで生じる光電信号IWの各ピークの位置をε、Fとす
ると、d= (2(F−E) −(A+ D) + (
B+ C))/4となる。
以上のようにして求められたレチクル16とウェハ24
の位置ずれは、主制御装置76によってフィードバック
され、72によってステージ22が!!!勅されてアラ
イメントが行われることとなる。
の位置ずれは、主制御装置76によってフィードバック
され、72によってステージ22が!!!勅されてアラ
イメントが行われることとなる。
次に、第9図、′!JJ10図を参照しながら、フレネ
ルパターン板32の他の例について説明する。
ルパターン板32の他の例について説明する。
第9図に示すものは、透過型のもので、図の右方向から
入射した照明光LBのうち、プラス次光LBIは一次焦
点S1で合焦し、マイナス次光LB2は二次焦点S2で
合焦するようになる。
入射した照明光LBのうち、プラス次光LBIは一次焦
点S1で合焦し、マイナス次光LB2は二次焦点S2で
合焦するようになる。
従って、焦点S1、S2の間隔を、投影レンズ10の色
収差量に対応させてやればよい。
収差量に対応させてやればよい。
次に、第10図に示すものは、反射型のもので、図の上
方から入射した照明光LBのうち、プラス次光のうち1
次光LJ 1は一次焦点S4で合焦し、プラス次光のう
ち例えば2次光LB2は二次焦点S3で合焦する。従っ
て、同様に焦点S3、S4の間隔を、投影レンズ10の
色収差量に対応させてやればよい。
方から入射した照明光LBのうち、プラス次光のうち1
次光LJ 1は一次焦点S4で合焦し、プラス次光のう
ち例えば2次光LB2は二次焦点S3で合焦する。従っ
て、同様に焦点S3、S4の間隔を、投影レンズ10の
色収差量に対応させてやればよい。
以上説明したように、本実施例によれば、フレネルパタ
ーン板32を利用して照明光を複数の位置で合焦ないし
結像させ、該位置の間隔を投影レンズ10の色収差量に
対応させることとしたので、レーザのぶれや経時変化に
よるアライメントのオフセットを良好に除去することが
できるとともに、非露光波長の光を用いているのでマー
ク保護を行って同一のマークを何回でも使用することが
できるという効果がある。
ーン板32を利用して照明光を複数の位置で合焦ないし
結像させ、該位置の間隔を投影レンズ10の色収差量に
対応させることとしたので、レーザのぶれや経時変化に
よるアライメントのオフセットを良好に除去することが
できるとともに、非露光波長の光を用いているのでマー
ク保護を行って同一のマークを何回でも使用することが
できるという効果がある。
なお、本発明は何ら上記実施例に限定されるものではな
く、例えば、ステージ22上に固定して形成された基準
マーク26を利用してアライメントを行うようにすると
、ベースライン(ウェハアライメント顕微鏡とTTL方
式の顕微鏡との間隔)計測、レチクルアライメントなど
を行うことが可能となる。またフレネル板以外にレンズ
系によるフレネル効果を用いてもよい。
く、例えば、ステージ22上に固定して形成された基準
マーク26を利用してアライメントを行うようにすると
、ベースライン(ウェハアライメント顕微鏡とTTL方
式の顕微鏡との間隔)計測、レチクルアライメントなど
を行うことが可能となる。またフレネル板以外にレンズ
系によるフレネル効果を用いてもよい。
次に、本発明の第2の実施例を、添付図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
ら詳細に説明する。
第11図には、本発明にかかる投影露光装置の第2の実
施例が示されている。この図において、2重焦点P、Q
を与えるための送光光学系とアライメントのための受光
光学系以外は、第1の実施例と同一の構成であるため、
それらの説明を省略する レーザ光源30からのレーザ光は、ビームスプリッタ8
0で反射され、スキャナー83.2重焦点レンズ82.
対物レンズ(テレセントリックであることが望ましい)
81.ミラー38を各々介して、互いに異なる偏光成分
(P偏光とS偏光)となってレチクル16のアライメン
ト用のマーク部分に入射するようになっている。
施例が示されている。この図において、2重焦点P、Q
を与えるための送光光学系とアライメントのための受光
光学系以外は、第1の実施例と同一の構成であるため、
それらの説明を省略する レーザ光源30からのレーザ光は、ビームスプリッタ8
0で反射され、スキャナー83.2重焦点レンズ82.
対物レンズ(テレセントリックであることが望ましい)
81.ミラー38を各々介して、互いに異なる偏光成分
(P偏光とS偏光)となってレチクル16のアライメン
ト用のマーク部分に入射するようになっている。
次に、レチクル16を透過したレーザ光は、更に投影レ
ンズ10を透過してウェハ24に入射し、そこで反射さ
れて往路を戻り、再びレチクル16を透過してミラー3
8.対物レンズ81゜2重焦点レンズ82.及び投影レ
ンズ1oの瞳゛位置をリレーした位置に設けられたスキ
ャナー83を介しビームスプリッタ80に入射する様に
なっている。(尚、スキャナー83の存する瞳位置は上
記の構成によってP偏光、S偏光に共通している。) そしてビームスプリッタ80で透過されたレーザ光の透
過光は、レンズ84.85及び瞳面と共役に配置された
空間フィルター(例えば正反射光のカット用)86を各
々介して偏光板(偏光ビームスプリッタ)87に入射す
る。そして一方の偏光は偏光板87を透過し、レンズ6
4を介して受光素子66に入射し、他方の偏光は偏光板
87によって反射され、レンズ50を介して受光素子5
2に入射するようになりている。
ンズ10を透過してウェハ24に入射し、そこで反射さ
れて往路を戻り、再びレチクル16を透過してミラー3
8.対物レンズ81゜2重焦点レンズ82.及び投影レ
ンズ1oの瞳゛位置をリレーした位置に設けられたスキ
ャナー83を介しビームスプリッタ80に入射する様に
なっている。(尚、スキャナー83の存する瞳位置は上
記の構成によってP偏光、S偏光に共通している。) そしてビームスプリッタ80で透過されたレーザ光の透
過光は、レンズ84.85及び瞳面と共役に配置された
空間フィルター(例えば正反射光のカット用)86を各
々介して偏光板(偏光ビームスプリッタ)87に入射す
る。そして一方の偏光は偏光板87を透過し、レンズ6
4を介して受光素子66に入射し、他方の偏光は偏光板
87によって反射され、レンズ50を介して受光素子5
2に入射するようになりている。
次に、受光素子52、受光素子66は、各々信号処理部
68に接続されており、前述したスキャナー83の駆動
部70も信号処理部68に接続されている。
68に接続されており、前述したスキャナー83の駆動
部70も信号処理部68に接続されている。
以上の各構成部分のうち、2重焦点レンズ82及び対物
レンズ81の拡大図を第12図に示す、2重焦点レンズ
82の斜線部分は、異常光線(紙面に垂直な偏波面)で
nい常光線(紙面に平行な偏波面)でnoの屈折率をも
つ結晶である。斜線の描かれていない部分は、屈折率が
noの通常のガラスであり、異常光線は境界面でその曲
率に従って屈折するが、常光線は直進する。その結果、
対物レンズ81によって一方の偏光は第1焦点Pに結像
し、他方の偏光は破線で示す様に第2焦点Qに結像する
。すなわち第1の実施例と同様に第1焦点Pはレチクル
16と共役となっており、第2焦点Qはウェハ24と共
役となっている。
レンズ81の拡大図を第12図に示す、2重焦点レンズ
82の斜線部分は、異常光線(紙面に垂直な偏波面)で
nい常光線(紙面に平行な偏波面)でnoの屈折率をも
つ結晶である。斜線の描かれていない部分は、屈折率が
noの通常のガラスであり、異常光線は境界面でその曲
率に従って屈折するが、常光線は直進する。その結果、
対物レンズ81によって一方の偏光は第1焦点Pに結像
し、他方の偏光は破線で示す様に第2焦点Qに結像する
。すなわち第1の実施例と同様に第1焦点Pはレチクル
16と共役となっており、第2焦点Qはウェハ24と共
役となっている。
そして駆動部70によりスキャナー83が振動すると、
2つの偏光成分の異なるレーザ光の夫々が、レチクル1
6とウェハ24の各々に結像したスポット光となって振
動する。この際、第1の実施例と同様にスポット光をス
リット状にするためには、レーザ光源30とビームスプ
リッタ80の間の光路中にシリンドリカルレンズ等を設
ければよい。このスポット光がレチクル16あるいはウ
ェハ24上のパターン(マーク)を走査すると、受光素
子52あるいは受光素子66は、それらパターンからの
光情報(散乱光や回折光)を受光する。このとき2重焦
点レンズの特性によってレチクル16及びウェハ24に
照射された照明光の反射光の夫々は、ビームスプリッタ
80を透過し、更に偏光板87によって一方の偏光特性
をもつ光は透過して受光素子66に入射し、他方の偏光
特性をもつ光は反射して受光素子52に入射する。
2つの偏光成分の異なるレーザ光の夫々が、レチクル1
6とウェハ24の各々に結像したスポット光となって振
動する。この際、第1の実施例と同様にスポット光をス
リット状にするためには、レーザ光源30とビームスプ
リッタ80の間の光路中にシリンドリカルレンズ等を設
ければよい。このスポット光がレチクル16あるいはウ
ェハ24上のパターン(マーク)を走査すると、受光素
子52あるいは受光素子66は、それらパターンからの
光情報(散乱光や回折光)を受光する。このとき2重焦
点レンズの特性によってレチクル16及びウェハ24に
照射された照明光の反射光の夫々は、ビームスプリッタ
80を透過し、更に偏光板87によって一方の偏光特性
をもつ光は透過して受光素子66に入射し、他方の偏光
特性をもつ光は反射して受光素子52に入射する。
また第1の実施例と同様にレンズ50.64等の光学系
は、レチクル、クエへからの反射光による像(暗視舒像
、又は瞳面でのフーリエ像)を受光素子52.66の夫
々の受光面に結像するように光学的特性が定められてい
る。検出部については第1の実施例とほぼ同様なので説
明は省略する。
は、レチクル、クエへからの反射光による像(暗視舒像
、又は瞳面でのフーリエ像)を受光素子52.66の夫
々の受光面に結像するように光学的特性が定められてい
る。検出部については第1の実施例とほぼ同様なので説
明は省略する。
以上第2の実施例では、2重焦点素子と対物レンズとで
本発明の送光光学系の一部分を構成するが、それらは同
時に受光系の一部分にもなっている。また、2重焦点素
子と対物レンズとの組み合わせとして、例えば特開昭5
9−42517号公報に開示された方法を採用すること
もできる。
本発明の送光光学系の一部分を構成するが、それらは同
時に受光系の一部分にもなっている。また、2重焦点素
子と対物レンズとの組み合わせとして、例えば特開昭5
9−42517号公報に開示された方法を採用すること
もできる。
以上、本発明の各実施例を説明したが、アライメント用
の照明光は露光すべきレジストに対して感度が十分低け
ればよく、必ずしもレジストを感光させない光である必
要はない(長時間に渡っては感光する光であってもかま
わない)。
の照明光は露光すべきレジストに対して感度が十分低け
ればよく、必ずしもレジストを感光させない光である必
要はない(長時間に渡っては感光する光であってもかま
わない)。
〔発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、露光光と異る波
長の照明光を用いて、何ら補正用の光学系を使用するこ
となく良好にオフセットの発生を防止して高精度のアラ
イメントを行うことができるとともに、マーク保護も行
うことができ、更には、高スルーブツトを達成できると
いう効果がある。
長の照明光を用いて、何ら補正用の光学系を使用するこ
となく良好にオフセットの発生を防止して高精度のアラ
イメントを行うことができるとともに、マーク保護も行
うことができ、更には、高スルーブツトを達成できると
いう効果がある。
さらに第2の実施例では、第1焦点と第2焦点の偏光特
性が異なる為、レチクルマークからの信号とクエへから
の信号を偏光板によって分離して受光することが可能と
なり信号のS/N比を向上させ、アライメント精度が良
くなるとともに、レーザ光(送光用)の損失が少ないと
いう効果もある。
性が異なる為、レチクルマークからの信号とクエへから
の信号を偏光板によって分離して受光することが可能と
なり信号のS/N比を向上させ、アライメント精度が良
くなるとともに、レーザ光(送光用)の損失が少ないと
いう効果もある。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、′!J2図は
レチクルマークの例を示す説明図、第3図は照明光の強
度分布の例を示す線図、第4図はウェハマークの例を示
す説明図、第5図はレチクルマークの反射光によって得
られる光電信号の例を示す線図、第6図はウェハマーク
の反射光によって得られる光電信号の例を示す線図、第
7図は光電信号の処理例を示す線図、第8図はリニアフ
レネルパターンの例を示す説明図、第9図および第10
図はフレネルパターン板の他の例を示す説明図、第11
図は本発明の第2の実施例を示す構成図、第12図は偏
光特性をもったレンズの例を示す説明図である。 10・・・投影レンズ、16・・・レチクル、22・・
・ステージ、24・・・ウェハ、28・・・レーザ光、
32・・・フレネルパターン板、52□、66・・・受
光素子、68・・・信号処理部、81・・・対物シン4
ズ、82・・・21焦点レンズ。
レチクルマークの例を示す説明図、第3図は照明光の強
度分布の例を示す線図、第4図はウェハマークの例を示
す説明図、第5図はレチクルマークの反射光によって得
られる光電信号の例を示す線図、第6図はウェハマーク
の反射光によって得られる光電信号の例を示す線図、第
7図は光電信号の処理例を示す線図、第8図はリニアフ
レネルパターンの例を示す説明図、第9図および第10
図はフレネルパターン板の他の例を示す説明図、第11
図は本発明の第2の実施例を示す構成図、第12図は偏
光特性をもったレンズの例を示す説明図である。 10・・・投影レンズ、16・・・レチクル、22・・
・ステージ、24・・・ウェハ、28・・・レーザ光、
32・・・フレネルパターン板、52□、66・・・受
光素子、68・・・信号処理部、81・・・対物シン4
ズ、82・・・21焦点レンズ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上の感光体を感光させ得る波長を有する露光光をマ
スクに照射し、該露光光のもとで投影光学系を介して前
記マスクとほぼ共役になるように配置された基板に前記
マスクのパターンを投影する投影露光装置において、 前記露光光と異なる波長を有するとともに、前記マスク
と基板に各々形成されたアライメント用のマークを照明
するための照明光を出力する照明系と、 該照明系とマスクの間の照明光光路中に配置され、この
照明光に対する前記投影光学系の色収差量に相当する間
隔だけ離れた二ケ所に該照明光を結像させる送光光学系
とを具備し、 該照明光の一方の結像面を前記マスクと略一致もしくは
ほぼ共役の位置とし、該照明光の他方の結像面を前記基
板とほぼ共役の位置としたことを特徴とする投影露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/287,559 US4880310A (en) | 1986-07-28 | 1988-12-20 | Optical device for alignment in a projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17570286 | 1986-07-28 | ||
| JP61-175702 | 1986-07-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153820A true JPS63153820A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=16000750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61288929A Pending JPS63153820A (ja) | 1986-07-28 | 1986-12-05 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61288929A patent/JPS63153820A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
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