JPS63155759A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS63155759A JPS63155759A JP61301691A JP30169186A JPS63155759A JP S63155759 A JPS63155759 A JP S63155759A JP 61301691 A JP61301691 A JP 61301691A JP 30169186 A JP30169186 A JP 30169186A JP S63155759 A JPS63155759 A JP S63155759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- vertical
- transfer
- photodiode
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はインターラインＣＯＤイメージセンサに関し、
特に高密度化に起因して生じるブルーミングやスメア−
を防止できるイメージセンサに関する。
特に高密度化に起因して生じるブルーミングやスメア−
を防止できるイメージセンサに関する。
第２図に、従来周知のインターライン転送方式のイメー
ジセンサを図示する。このイメージセンサは、ポテンシ
ャル障壁１により互いに仕切ら扛かつポリシリコン転送
電極２が除か扛で形成される複数のフォトダイオード６
と、このフォトダイオード列毎に設けられる垂直転送Ｃ
ＣＤ４とが、転送ゲート５を介して配置された構成から
成っている。
ジセンサを図示する。このイメージセンサは、ポテンシ
ャル障壁１により互いに仕切ら扛かつポリシリコン転送
電極２が除か扛で形成される複数のフォトダイオード６
と、このフォトダイオード列毎に設けられる垂直転送Ｃ
ＣＤ４とが、転送ゲート５を介して配置された構成から
成っている。
（発明が解決しようとする問題点）
処で、上記転送方式のイメージセンサを高密度化すると
、これに伴って、フォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ間
の実効長りも短かくなる。すなわち、転送ゲートを形成
するＭＯＳ）ランジスタの長さが実質的に短かくなり、
例えば２〜１μｍとなってゲート機能が低下する。この
ため、フォトダイオードで形成された信号電荷は電荷蓄
積期間においても垂直転送ＣＯＤに洩れ易くなったり、
或いは過剰電荷がオーツセーフ０−ドレイルに吸収され
る前に垂直転送ＣＯＤに流れ込んで、ブルーミングやス
メア−を生じる。
、これに伴って、フォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ間
の実効長りも短かくなる。すなわち、転送ゲートを形成
するＭＯＳ）ランジスタの長さが実質的に短かくなり、
例えば２〜１μｍとなってゲート機能が低下する。この
ため、フォトダイオードで形成された信号電荷は電荷蓄
積期間においても垂直転送ＣＯＤに洩れ易くなったり、
或いは過剰電荷がオーツセーフ０−ドレイルに吸収され
る前に垂直転送ＣＯＤに流れ込んで、ブルーミングやス
メア−を生じる。
本発明の目的は、上記事情に基づいてなされたもので、
高密度化によってもブルーミングやスメア−が発生しに
くいインターライン転送方式のイメージセンサを提供す
ることにある。
高密度化によってもブルーミングやスメア−が発生しに
くいインターライン転送方式のイメージセンサを提供す
ることにある。
すなわち、本発明の上記目的は、光電変換部に縦形また
は横形オーツセーフロードレインによるブルーミング抑
圧手段が設けられたインターラインＣＣＤ形のイメージ
センサにおいて、光電変換部と垂直転送ＣＣＤ間の転送
ゲートが垂直ＭＯＳトランジスタにより形成されること
を特徴とするイメージセンサにより達成される。
は横形オーツセーフロードレインによるブルーミング抑
圧手段が設けられたインターラインＣＣＤ形のイメージ
センサにおいて、光電変換部と垂直転送ＣＣＤ間の転送
ゲートが垂直ＭＯＳトランジスタにより形成されること
を特徴とするイメージセンサにより達成される。
（作用）
垂直ＭＯ８トランジスタ（以下、７ＭＯ８と略称する。
）は、素子の高集積化を可能にすると同時に実効的チャ
坏ル長を長く形成できる。
坏ル長を長く形成できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は、本発明によるイメージセンサの１セルの水平
方向断面図である。
方向断面図である。
図において、ｎ−型半導体基板１０の表面にｐウェル１
１を介して光電変換部１２、転送ゲート１６および垂直
転送ＣＣＤ１４が形成されている。
１を介して光電変換部１２、転送ゲート１６および垂直
転送ＣＣＤ１４が形成されている。
光電変換部１２を形成するフォトダイオードは、ｐＡ接
合により設けられてｈ型基板との間でｎ＋ｐｎ構造を形
成しており、寸り、フォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ
１４のｐウェル１１は不純物濃度と深さが異っており、
フォトダイオード下に縦型オー・々−フロードレイン（
ＶＯＤ）を設けている。
合により設けられてｈ型基板との間でｎ＋ｐｎ構造を形
成しており、寸り、フォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ
１４のｐウェル１１は不純物濃度と深さが異っており、
フォトダイオード下に縦型オー・々−フロードレイン（
ＶＯＤ）を設けている。
転送ゲート１６は、７ＭＯ８によって形成されている。
すなわち、基板表面に７字形の溝を作り、その傾斜面に
沿ってＭＯＳ トラン・ノスタが形成されている。従っ
て、溝の深さにより実効チャネル長が決定されるため、
高集積化されてもフォトダイオードからの洩れ電流が阻
止できる。特にフォトダイオードに過大な光が入射した
際にも転送ゲートが好適に作用して過剰電荷をＶＯＤに
吸収させる。
沿ってＭＯＳ トラン・ノスタが形成されている。従っ
て、溝の深さにより実効チャネル長が決定されるため、
高集積化されてもフォトダイオードからの洩れ電流が阻
止できる。特にフォトダイオードに過大な光が入射した
際にも転送ゲートが好適に作用して過剰電荷をＶＯＤに
吸収させる。
なお垂直方向のフォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ１４
とからなる画素列はチャネルストップ１５により分離さ
れている。
とからなる画素列はチャネルストップ１５により分離さ
れている。
このようなイメージセンサは以下のプロセスにより製造
される。
される。
すなわち、通常のプロセスに基づいてシリコン基板の表
面に不純物をイオン注入により導入して、ｎ＋のフォト
ダイオードおよびｎ−の垂直転送ＣＯＤを形成する。次
に、フォトダイオードおよび垂直転送ＣＯＤ領域をマス
キングし、転送ゲート領域の基板表面に異方性エツチン
グ（Ｒ工Ｅ）を行い、■形のｖｔｈを制御するチャネル
・ドープを行う。更に、ポリシリコンをデポジション後
パターニングを行ってポリシリコンゲートを形成する。
面に不純物をイオン注入により導入して、ｎ＋のフォト
ダイオードおよびｎ−の垂直転送ＣＯＤを形成する。次
に、フォトダイオードおよび垂直転送ＣＯＤ領域をマス
キングし、転送ゲート領域の基板表面に異方性エツチン
グ（Ｒ工Ｅ）を行い、■形のｖｔｈを制御するチャネル
・ドープを行う。更に、ポリシリコンをデポジション後
パターニングを行ってポリシリコンゲートを形成する。
その後は通常のプロセスに基づいて全面に酸化膜を形成
する。
する。
なお、溝の深さは通常１〜５μｍに形成される。
（発明の効果）
以上記載したとおり、本発明によるインターラインＣＣ
Ｄ形イメージセンサによれば、転送ゲートがＶＭＯ８に
よって形成されているため、素子が高画素化されても短
チヤネル効果によるフォトダイオードからの洩れ電流が
制限され、ブルーミングやスメア−の発生が防止できる
。
Ｄ形イメージセンサによれば、転送ゲートがＶＭＯ８に
よって形成されているため、素子が高画素化されても短
チヤネル効果によるフォトダイオードからの洩れ電流が
制限され、ブルーミングやスメア−の発生が防止できる
。
第１図は、本発明の１実施例による１セルの水平方向断
面図、第２図は従来のインターラインＣＯＤイメージセ
ンサを説明する平面図である。 １０・・・・・・ｎ−型半導体基板、１２・・・・・・
光電変換部、１６・・・・・・転送ゲート、１４・・・
・・・垂直転送ＣＣＤ、１５・・・・・・チャネル・ス
トップ。
面図、第２図は従来のインターラインＣＯＤイメージセ
ンサを説明する平面図である。 １０・・・・・・ｎ−型半導体基板、１２・・・・・・
光電変換部、１６・・・・・・転送ゲート、１４・・・
・・・垂直転送ＣＣＤ、１５・・・・・・チャネル・ス
トップ。
Claims (1)
- 光電変換部に縦形または横形オーバーフロードレインに
よるブルーミング抑圧手段が設けられたインターライン
ＣＣＤのイメージセンサにおいて、光電変換部と垂直転
送ＣＣＤ間の転送ゲートが垂直ＭＯＳトランジスタによ
り形成されることを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301691A JPS63155759A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301691A JPS63155759A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155759A true JPS63155759A (ja) | 1988-06-28 |
Family
ID=17899983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61301691A Pending JPS63155759A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63155759A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083173A (en) * | 1986-11-28 | 1992-01-21 | Matsushita Electronics Corporation | Charge coupled device for a solid state image pick-up device |
| KR19990061335A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 윤종용 | 전하 결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| WO1999048152A1 (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-23 | Photon Vision Systems, Llc | Photo receptor comprising a trench capacitor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179380A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像素子 |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61301691A patent/JPS63155759A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179380A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083173A (en) * | 1986-11-28 | 1992-01-21 | Matsushita Electronics Corporation | Charge coupled device for a solid state image pick-up device |
| KR19990061335A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 윤종용 | 전하 결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| WO1999048152A1 (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-23 | Photon Vision Systems, Llc | Photo receptor comprising a trench capacitor |
| US6194770B1 (en) | 1998-03-16 | 2001-02-27 | Photon Vision Systems Llc | Photo receptor with reduced noise |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0173542B1 (en) | A solid-state image sensor | |
| JPS5819080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR980012585A (ko) | 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
| US4975777A (en) | Charge-coupled imager with dual gate anti-blooming structure | |
| US6551910B2 (en) | Method of manufacturing solid-state image pickup device | |
| EP0059547B1 (en) | Clock controlled anti-blooming for virtual phase ccd's | |
| US6403994B1 (en) | Solid-state imaging device and method of fabricating the same | |
| JPH10173162A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3252804B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH0424870B2 (ja) | ||
| JPS63155759A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| EP0499275B1 (en) | Solid state imager | |
| JP2573582B2 (ja) | 固体撮像子の製造方法 | |
| JPS6223156A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP3247163B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH0425714B2 (ja) | ||
| JPS63312669A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH02278874A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| US5699114A (en) | CCD apparatus for preventing a smear phenomenon | |
| JP3745251B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPS60244068A (ja) | 埋込みチヤネル電荷結合素子 | |
| JP2576813B2 (ja) | 縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法 | |
| JPH0424871B2 (ja) | ||
| JPH03289173A (ja) | 電荷移送型固体撮像素子 | |
| JPH0774336A (ja) | 固体撮像素子 |