JPS6315771A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPS6315771A JPS6315771A JP61158734A JP15873486A JPS6315771A JP S6315771 A JPS6315771 A JP S6315771A JP 61158734 A JP61158734 A JP 61158734A JP 15873486 A JP15873486 A JP 15873486A JP S6315771 A JPS6315771 A JP S6315771A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electron beam
- substrate
- thin plate
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/4476—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using cathode ray or electron beam tubes
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、光照射によって画像形成を行う記録装置等に
使用される発光素子に関し、特に、固体電子ビーム発生
装置を利用した発光素子に関する。
使用される発光素子に関し、特に、固体電子ビーム発生
装置を利用した発光素子に関する。
［開示の概要］
本明細書及び図面は、光照射により画像形成を行う記録
装置等に使用される発光素子において、電極基板と光透
過性の薄板とを対向させ、それらの間隙がほぼ真空にな
るように封止し、その空間に面する薄板上に配設された
蛍光体を複数の電子ビーム源・からの電子ビームで励起
することにより、所望の波長の光が選択的に微細なピッ
チで得られ、記録装置等の光源として優れた解像力を発
揮するコンパクトな１次元発光素子の技術を開示するも
のである。
装置等に使用される発光素子において、電極基板と光透
過性の薄板とを対向させ、それらの間隙がほぼ真空にな
るように封止し、その空間に面する薄板上に配設された
蛍光体を複数の電子ビーム源・からの電子ビームで励起
することにより、所望の波長の光が選択的に微細なピッ
チで得られ、記録装置等の光源として優れた解像力を発
揮するコンパクトな１次元発光素子の技術を開示するも
のである。
［従来の技術］
従来、記録方法としては、銀塩写真、電子写真、静電記
録、感熱記録などが実用化されていて、特に、電子写真
法はその信頼性、高速性、高画質の利点により広範囲に
利用されている。
録、感熱記録などが実用化されていて、特に、電子写真
法はその信頼性、高速性、高画質の利点により広範囲に
利用されている。
電子写真法の潜像形成方法としては、光導電性の感光体
に暗所でコロナ帯電器を用いて均一帯電させ、その工程
が終了した後、光源から原稿画像を照射し、その反射画
像を均一帯電した感光体に投影して、光照射された個所
が光導電性となって感光体の表面電荷が逃げ、光！１（
ｉ射されなかった個所のみが感光体上の静電荷像として
得られる方法が一般的であった・ ［発明が解決しようとする問題点］ 上記の方法は、電子写真複写機には広く用いられている
が、通常は、原稿画像を感光体の表面に光照射するため
の光源や光学系などが大型化し、装置全体の容積が増す
という難点がある。また、プリンタなどのように、外部
からの信号に応じて画像を出力する場合にも、Ｌ記の方
法は不適当である。そこで、これらの問題に対処するた
めに、例えば液晶シャッターアレイやＬＥＤアレイなど
の光ヘッドが考案されているが、これらは小型化に適し
ているとしても、得られる光の波長に限度があるため、
記録装置に使用した場合、感光体や現像剤に制限を生じ
てしまう。例えば液晶シャッターアレイでは、光源はラ
ンプ状のものが使用され、透過性は液晶分子の特性によ
って決定されることとなり、例えば紫外領域の波長では
液晶分子の劣化が起こり、紫外光は安定して取り出せな
い。ＬＥＤアレイでは、得られる波長がＬＥＤ物質の構
造から決定してしまい、所望の波長が得られるとは限ら
ず、その他に駆動電圧が高い等の欠点もある。
に暗所でコロナ帯電器を用いて均一帯電させ、その工程
が終了した後、光源から原稿画像を照射し、その反射画
像を均一帯電した感光体に投影して、光照射された個所
が光導電性となって感光体の表面電荷が逃げ、光！１（
ｉ射されなかった個所のみが感光体上の静電荷像として
得られる方法が一般的であった・ ［発明が解決しようとする問題点］ 上記の方法は、電子写真複写機には広く用いられている
が、通常は、原稿画像を感光体の表面に光照射するため
の光源や光学系などが大型化し、装置全体の容積が増す
という難点がある。また、プリンタなどのように、外部
からの信号に応じて画像を出力する場合にも、Ｌ記の方
法は不適当である。そこで、これらの問題に対処するた
めに、例えば液晶シャッターアレイやＬＥＤアレイなど
の光ヘッドが考案されているが、これらは小型化に適し
ているとしても、得られる光の波長に限度があるため、
記録装置に使用した場合、感光体や現像剤に制限を生じ
てしまう。例えば液晶シャッターアレイでは、光源はラ
ンプ状のものが使用され、透過性は液晶分子の特性によ
って決定されることとなり、例えば紫外領域の波長では
液晶分子の劣化が起こり、紫外光は安定して取り出せな
い。ＬＥＤアレイでは、得られる波長がＬＥＤ物質の構
造から決定してしまい、所望の波長が得られるとは限ら
ず、その他に駆動電圧が高い等の欠点もある。
未発ＩＪＪは、このような問題点に鑑みてなされたもの
で、小型で簡単な装置で所望の波長の光が選択的に得ら
れる超高精細な発光素子を提供することを目的とする。
で、小型で簡単な装置で所望の波長の光が選択的に得ら
れる超高精細な発光素子を提供することを目的とする。
Ｅ問題点を解決するための手段］
本発明における発光素子は、複数個の電子ビーム源の配
列された基板と、その基板上に配設された電極と、前記
基板に対向し、所定の間隔で配設された光透過性の薄板
と、その薄板と前記基板との間隙に封止・形成されるほ
ぼ真空の空間に対する薄板面に配設され、電子ビームに
より励起されて記録媒体の感光波長に対応する波長の光
を発する蛍光体とで成る発光装置であって、前記電子ビ
ーム源と前記電極との間に所定の電圧を印加し、その電
子ビーム源から放出された電子ビームにより励起された
蛍光体が発光することを特徴とし、複数個の電子ビーム
源をそれぞれ独立に制御することにより蛍光体から選択
的に光を取り出すことを好適とするものである。
列された基板と、その基板上に配設された電極と、前記
基板に対向し、所定の間隔で配設された光透過性の薄板
と、その薄板と前記基板との間隙に封止・形成されるほ
ぼ真空の空間に対する薄板面に配設され、電子ビームに
より励起されて記録媒体の感光波長に対応する波長の光
を発する蛍光体とで成る発光装置であって、前記電子ビ
ーム源と前記電極との間に所定の電圧を印加し、その電
子ビーム源から放出された電子ビームにより励起された
蛍光体が発光することを特徴とし、複数個の電子ビーム
源をそれぞれ独立に制御することにより蛍光体から選択
的に光を取り出すことを好適とするものである。
本発明に使用される電子ビーム源は、特公昭５４−３０
２７４号、特開昭５４−１１１２７２４３（ＵＳＰ ４
２５９８７Ｂ）、特開昭５ｆｉ−１５５２９号−（ＵＳ
Ｐ ４３０３９３０） 、特開昭５７−３８５２８号等
の各公報に開示されている固体電子ビーム発生装置であ
って、その詳細は実施例で後記する。
２７４号、特開昭５４−１１１２７２４３（ＵＳＰ ４
２５９８７Ｂ）、特開昭５ｆｉ−１５５２９号−（ＵＳ
Ｐ ４３０３９３０） 、特開昭５７−３８５２８号等
の各公報に開示されている固体電子ビーム発生装置であ
って、その詳細は実施例で後記する。
また蛍光体としては、従来公知の電子ビーム用蛍光体が
使用され、特に、照射の対象となる波光媒体の感光波長
に対応する波長光を発する蛍光体が塗布もしくは蒸着さ
れる。例えばＫＣＩＩ： ＴＲ。
使用され、特に、照射の対象となる波光媒体の感光波長
に対応する波長光を発する蛍光体が塗布もしくは蒸着さ
れる。例えばＫＣＩＩ： ＴＲ。
ＺｎＦ２： Ｍｎなどのハロゲン化物系、Ｇａｓ： Ｂ
ｉ、 （Ｃａ。
ｉ、 （Ｃａ。
５ｒ）Ｓ： Ｂｉ、 Ｃｅ、 ＳｒＳ： ５ｎ３Ｃｅ、
５ｒ（Ｓ、 Ｓｅ）： Ｓｍ、 Ｃｅなどの硫化カル
シウム系、ＺｎＯ： Ｚｎ、βＺｎＳ： Ａｇ。
５ｒ（Ｓ、 Ｓｅ）： Ｓｍ、 Ｃｅなどの硫化カル
シウム系、ＺｎＯ： Ｚｎ、βＺｎＳ： Ａｇ。
βＺｎＳ： Ｃｕ、 （ＺｎＣｄ）Ｓ： Ａｇ、 （Ｚ
ｎ、 Ｃｄ）Ｓ： Ｃｕ、 ＺｎＳ：Ｃｕ、 Ｆｅ（Ｇ
ｏ）、 ＺｎＳ： Ｍｎ、 ＺｎＳ： Ｐｂ、 ＺｎＳ
： Ｐ、 ＺｎＳ：Ａｓ、 ＺｎＳ： Ａｕ、 Ａｇ、
Ａｉ’などの硫化亜鉛系、βＣａＳｉＯ３：Ｐｂ、
ａ ＣａＳｉＯ３： Ｐｂ、 ＣａＳｉＯ３： Ｐｂ、
Ｍｎ。
ｎ、 Ｃｄ）Ｓ： Ｃｕ、 ＺｎＳ：Ｃｕ、 Ｆｅ（Ｇ
ｏ）、 ＺｎＳ： Ｍｎ、 ＺｎＳ： Ｐｂ、 ＺｎＳ
： Ｐ、 ＺｎＳ：Ａｓ、 ＺｎＳ： Ａｕ、 Ａｇ、
Ａｉ’などの硫化亜鉛系、βＣａＳｉＯ３：Ｐｂ、
ａ ＣａＳｉＯ３： Ｐｂ、 ＣａＳｉＯ３： Ｐｂ、
Ｍｎ。
ＢａＳｉ２Ｏ５： Ｐｂ、 Ｂａｄ： ＰｂＯ： ５ｉ
０２． Ｚｒ＋２ＳｉＯｎ： Ｍｎ。
０２． Ｚｒ＋２ＳｉＯｎ： Ｍｎ。
（Ｚｎ、 Ｂｅ）２Ｓｉ０４ ：口、 Ｂａｎ、 ２Ｚ
ｎＯ，２Ｓｉ０２： Ｍｎ。
ｎＯ，２Ｓｉ０２： Ｍｎ。
Ｃｄ５１０３： Ｍｎ、 Ｃａｂ、 ＭｇＯ，２Ｓｉ０
２： Ｔｉ、 （１−２）ＭｇＯ。
２： Ｔｉ、 （１−２）ＭｇＯ。
ＭｇＦ２．５ｉ０２： ＴｉＭｎなどの珪酸塩系、Ｃａ
３（ＰＯ４）２ ：Ｃｅ、 Ｇａ３（ＰＯｎ）２： Ｃ
ｅ、 Ｍｎ、 Ｃａ３（ＰＯｎ）２： Ｔｌ！＊Ｃａ２
Ｐ２０）：Ｉ）ｙ、 Ｃａ、３（ＰＯｎ）２． ＧａＦ
２： Ｓｂ、 ３Ｃａ３（ＰＯ４）２ＣａＦ２： Ｓｂ
、 Ｍｎ、βＺｎ３（ＰＯ４）２： Ｍｎ、 ８Ｍｇ０
． Ａｇ２Ｏ３：Ｍｎ、 ４Ｍｇ０． ＧｅＯ２： Ｍ
ｎ、 Ｇｄ＋Ｂ２Ｏ５： Ｍｎ、 ＢａＳ鉤トＰｂなど
のリン酸塩系、ＣａＷＯ＋、 ＭｇＷＯ４等のタングス
テン酸塩系などが用いられる。
３（ＰＯ４）２ ：Ｃｅ、 Ｇａ３（ＰＯｎ）２： Ｃ
ｅ、 Ｍｎ、 Ｃａ３（ＰＯｎ）２： Ｔｌ！＊Ｃａ２
Ｐ２０）：Ｉ）ｙ、 Ｃａ、３（ＰＯｎ）２． ＧａＦ
２： Ｓｂ、 ３Ｃａ３（ＰＯ４）２ＣａＦ２： Ｓｂ
、 Ｍｎ、βＺｎ３（ＰＯ４）２： Ｍｎ、 ８Ｍｇ０
． Ａｇ２Ｏ３：Ｍｎ、 ４Ｍｇ０． ＧｅＯ２： Ｍ
ｎ、 Ｇｄ＋Ｂ２Ｏ５： Ｍｎ、 ＢａＳ鉤トＰｂなど
のリン酸塩系、ＣａＷＯ＋、 ＭｇＷＯ４等のタングス
テン酸塩系などが用いられる。
［作 用］
本発明においては、電極基板と光透過性の薄板とを対向
させ、その薄板上に」−記の如き蛍光体を配設し、電極
基板に配設された複数の電子ビーム源から前記蛍光体に
電子−ビームを段用することにより、真空に近い環境で
ｆｌ？光休を体起して発光させ、その光を薄板を透過さ
せて取り出すもので、電子ビーム源が高密１■に配置さ
れることと、蛍光体が感光媒体の感光波長に対応して選
択されることで、所望の波長の光を微細なピッチで得る
ものである。
させ、その薄板上に」−記の如き蛍光体を配設し、電極
基板に配設された複数の電子ビーム源から前記蛍光体に
電子−ビームを段用することにより、真空に近い環境で
ｆｌ？光休を体起して発光させ、その光を薄板を透過さ
せて取り出すもので、電子ビーム源が高密１■に配置さ
れることと、蛍光体が感光媒体の感光波長に対応して選
択されることで、所望の波長の光を微細なピッチで得る
ものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面と共に詳細に説明する。
第１図は、本発明による発光素子の頂面に相当する固体
電子ビーム発生装置の一例を示す平面図で、第２図は発
光素子のＸ方向による縦断面図、ｆｆ１３図はＹ方向に
よる縦断面図である。これらの各図において、発光素子
は、基板ｌと光透過性の薄板２とをスペーサ等（図示せ
ず）により所定の間隔で対向させ、その間隙空間がほぼ
真空になるように封止し、その空間に面する薄板２］−
に蛍光体３を配設して構成される。本実施例で、基板ｌ
はｎ型シリコンが使用され、各電極と電子ビーム源が形
成される。ＥＸＩ、 ＥＸ２． ＥＸ３・・・はＸ方向
の選択を行う電極であり、それらは接点領域を介して、
高ドープｎ影領域ＨＤＩ、 ＨＯ２，１（Ｄ３・・・と
それぞれ接続されている。またＥＹはＹ方向の電極で、
やはり接点領域を介して高ドープｐ形通路ｐＰに接続さ
れていて、前記電極ＥＸＩ、 ＥＸ２． ＥＸ３・・・
と電極ＥＹとでマトリクスを構成している。基板ｌ上に
は、絶縁層ＩＬを介して引き出し電極ＰＥが設けられ、
電子ビーム［ＥＢｌ、 ＨＯ２，ＨＯ３・・・を形成し
ている。
電子ビーム発生装置の一例を示す平面図で、第２図は発
光素子のＸ方向による縦断面図、ｆｆ１３図はＹ方向に
よる縦断面図である。これらの各図において、発光素子
は、基板ｌと光透過性の薄板２とをスペーサ等（図示せ
ず）により所定の間隔で対向させ、その間隙空間がほぼ
真空になるように封止し、その空間に面する薄板２］−
に蛍光体３を配設して構成される。本実施例で、基板ｌ
はｎ型シリコンが使用され、各電極と電子ビーム源が形
成される。ＥＸＩ、 ＥＸ２． ＥＸ３・・・はＸ方向
の選択を行う電極であり、それらは接点領域を介して、
高ドープｎ影領域ＨＤＩ、 ＨＯ２，１（Ｄ３・・・と
それぞれ接続されている。またＥＹはＹ方向の電極で、
やはり接点領域を介して高ドープｐ形通路ｐＰに接続さ
れていて、前記電極ＥＸＩ、 ＥＸ２． ＥＸ３・・・
と電極ＥＹとでマトリクスを構成している。基板ｌ上に
は、絶縁層ＩＬを介して引き出し電極ＰＥが設けられ、
電子ビーム［ＥＢｌ、 ＨＯ２，ＨＯ３・・・を形成し
ている。
薄板２」二には、電極ＰＥに対応する位置に加速電極Ａ
Ｅが配設され、電子ビーム源ＥＢＩ、 ＨＯ２，ＨＯ３
・・・に対応する部位に蛍光体３が層状に配設されてい
る。
Ｅが配設され、電子ビーム源ＥＢＩ、 ＨＯ２，ＨＯ３
・・・に対応する部位に蛍光体３が層状に配設されてい
る。
基板ｌと薄板２とのｆｌｌＪの空間は、電子を所望のエ
ネルギーまで加速するために、真空にする必要があるが
、通常は１０−５〜１０１ｔａｒｒ程度の圧力を望まし
いとし、このような圧力を維持できるように、基板ｌと
薄板２との間隙を密封する。
ネルギーまで加速するために、真空にする必要があるが
、通常は１０−５〜１０１ｔａｒｒ程度の圧力を望まし
いとし、このような圧力を維持できるように、基板ｌと
薄板２との間隙を密封する。
上記のような構成において、電極ＥＸＩ、 ＥＸ２゜Ｅ
Ｘ３・・・と電極ＥＹとにアバランシェ増幅作用がｐ−
ｎ接合部で生じるような電圧を印加し、同曲に引き出し
電極ＰＥにある大きさの電圧を与えることにより、電子
ビーム源ＥＢＩ、 ＨＯ２，ＨＯ３・・・から電子が放
出される。この時電極ＥＸＩ、 ＥＸ２． ＥＸ３・・
・を適当に選択することにより所望の電子ビーム源から
電子を放出させることができる。尚、電子放出のメカニ
ズムについては、前記各公報に詳細に記述されている。
Ｘ３・・・と電極ＥＹとにアバランシェ増幅作用がｐ−
ｎ接合部で生じるような電圧を印加し、同曲に引き出し
電極ＰＥにある大きさの電圧を与えることにより、電子
ビーム源ＥＢＩ、 ＨＯ２，ＨＯ３・・・から電子が放
出される。この時電極ＥＸＩ、 ＥＸ２． ＥＸ３・・
・を適当に選択することにより所望の電子ビーム源から
電子を放出させることができる。尚、電子放出のメカニ
ズムについては、前記各公報に詳細に記述されている。
次いで、加速型Ｊ４ｉＡＥに所定の電圧を印加しておく
ことにより電子ビーム源から放出された電子は所望のエ
ネルギーまで加速され、蛍光体に衝突し、発光させる。
ことにより電子ビーム源から放出された電子は所望のエ
ネルギーまで加速され、蛍光体に衝突し、発光させる。
この発光素子を前述の記録装置に応用する際には、発光
素子を感光媒体に対向して配置することにより、感光媒
体の所望の照射部位を選択的に光照射することができ、
実施例では１０終鵬ピツチで１次元に電子ビーム源が配
列された素子を用いて、はぼ１０川■ピツチの高精細な
光照射を行うことができた。
素子を感光媒体に対向して配置することにより、感光媒
体の所望の照射部位を選択的に光照射することができ、
実施例では１０終鵬ピツチで１次元に電子ビーム源が配
列された素子を用いて、はぼ１０川■ピツチの高精細な
光照射を行うことができた。
感光媒体としては、公知の電ｒ写真用感光体、例えば有
機光導電感光体、アモルファスシリコン感光体、セレン
感光体、ＣｄＳ感光体などが使用でき、それぞれの感光
波長に対応させて発光素子内部の感光体を選択するよう
にすればよい。
機光導電感光体、アモルファスシリコン感光体、セレン
感光体、ＣｄＳ感光体などが使用でき、それぞれの感光
波長に対応させて発光素子内部の感光体を選択するよう
にすればよい。
また、直接記録媒体としては、ジアゾ記録紙を用いて、
蛍光体として紫外波長が得られるものを用いれば、ジア
ゾ記録紙上に微細な画像が記録できる。
蛍光体として紫外波長が得られるものを用いれば、ジア
ゾ記録紙上に微細な画像が記録できる。
本実施例では、電子ビーム源としてｐ−ｎ接合のアバラ
ンシェ増幅作用を利用するものを使用したが、この場合
、電子放出機構は決定的な要素ではない。従って、□別
な電子ビーム源として公知のＰＮ−接合に順方向バイア
スをかけ、て電子放出を得るも、のや、電界放出型等の
固体電子ビーム源を用いたものでも同様な幼果を奏する
こ・とができる。
ンシェ増幅作用を利用するものを使用したが、この場合
、電子放出機構は決定的な要素ではない。従って、□別
な電子ビーム源として公知のＰＮ−接合に順方向バイア
スをかけ、て電子放出を得るも、のや、電界放出型等の
固体電子ビーム源を用いたものでも同様な幼果を奏する
こ・とができる。
また、本実施例中では、電子ビーム源が１次元アレイ状
に配列されたものについて説明したが、２次元に配ｔさ
れた電子ビーム源をブロック分割し、ブロック単位で制
御することにより、同様の発光素子を得ることも可能で
ある。
に配列されたものについて説明したが、２次元に配ｔさ
れた電子ビーム源をブロック分割し、ブロック単位で制
御することにより、同様の発光素子を得ることも可能で
ある。
更にまた、これらの発光素子は感光媒体の全長にわたる
長さの長尺素子を得ることもできるが、短い素子を副走
査方向にメカニカルに移動させて同様な効果を得てもよ
い。
長さの長尺素子を得ることもできるが、短い素子を副走
査方向にメカニカルに移動させて同様な効果を得てもよ
い。
また、複数の異なった波長領域の光に感光し、それぞれ
異なった光に発光する感光部材と、」―記の異なった波
長領域に対応させた複数の本発明の発光素子を組み合わ
せることで、カラーのハードコピーを得ることも＋＋（
能になった。
異なった光に発光する感光部材と、」―記の異なった波
長領域に対応させた複数の本発明の発光素子を組み合わ
せることで、カラーのハードコピーを得ることも＋＋（
能になった。
更にまた、それらの発光素子内部の蛍光体層を複数の異
なる発光を示ずスＩ・ライブ状の蛍光体で塗り分けるこ
とで、ｒａｔ−素ｒでも複数の波長の光を得られる発光
素子を得ることができる。
なる発光を示ずスＩ・ライブ状の蛍光体で塗り分けるこ
とで、ｒａｔ−素ｒでも複数の波長の光を得られる発光
素子を得ることができる。
［発明の効果］
以」二説明したように、本発明によれば、所望の波長の
光が選釈的に微細なピッチで得られ、記録装置の潜像形
成の光源として充分な解像力を発揮することができ、コ
ンパクトで超高精細な発光素子とすることができる。
光が選釈的に微細なピッチで得られ、記録装置の潜像形
成の光源として充分な解像力を発揮することができ、コ
ンパクトで超高精細な発光素子とすることができる。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図及び第３図
はその縦断面図である。 ｌ：基板、 ２：薄板、 ３：蛍光体、 ＥＢ：電子ビーム源、 ＥＸ：Ｘ電極、 ＥＹ：Ｙ電極、 ＡＥ：加速電極、 ＰＥ：引き出し電極、 ＰＰ：高ドープｐ形通路、 ＩＬ：絶縁層、 ＨＤ：高ドープｎ影領域。
はその縦断面図である。 ｌ：基板、 ２：薄板、 ３：蛍光体、 ＥＢ：電子ビーム源、 ＥＸ：Ｘ電極、 ＥＹ：Ｙ電極、 ＡＥ：加速電極、 ＰＥ：引き出し電極、 ＰＰ：高ドープｐ形通路、 ＩＬ：絶縁層、 ＨＤ：高ドープｎ影領域。
Claims (2)
- （１）複数個の電子ビーム源の配列された基板と、その
基板上に配設された電極と、前記基板に対向し、所定の
間隔で配設された光透過性の薄板と、その薄板と前記基
板との間隙に封止・形成されるほぼ真空の空間に対する
薄板面に配設され、電子ビームにより励起されて記録媒
体の感光波長に対応する波長の光を発する蛍光体とで成
る発光素子であって、前記電子ビーム源と前記電極との
間に所定の電圧を印加し、その電子ビーム源から放出さ
れた電子ビームにより励起された蛍光体が発光すること
を特徴とする発光素子。 - （２）複数個の電子ビーム源をそれぞれ独立に制御する
ことにより蛍光体から選択的に光を取り出すことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158734A JPS6315771A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158734A JPS6315771A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315771A true JPS6315771A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15678164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61158734A Pending JPS6315771A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315771A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615529A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-14 | Philips Nv | Semiconductor device and method of fabricating same |
| JPS59210459A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Ricoh Co Ltd | 光書込装置 |
| JPS60240035A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-28 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 制御グリツド構造体及びこれを用いた真空蛍光式プリント装置 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP61158734A patent/JPS6315771A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615529A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-14 | Philips Nv | Semiconductor device and method of fabricating same |
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