JPS63158792A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
- Publication number
- JPS63158792A JPS63158792A JP61307031A JP30703186A JPS63158792A JP S63158792 A JPS63158792 A JP S63158792A JP 61307031 A JP61307031 A JP 61307031A JP 30703186 A JP30703186 A JP 30703186A JP S63158792 A JPS63158792 A JP S63158792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroluminescent device
- srs
- zns
- thin film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規な構成を有する電界発光素子に関する。
情報表示デバイスに対する要請の急速な拡大と高速化に
より各種発光デバイスなかんずくカラー化された平面発
光表示デバイスに対する要求が強まっている。かかる表
示デバイスのうち、もっとも期待されているのはｍ、−
ＶＩまたは■ゎ−Ｖ■化合物半導体を活性材料とした薄
膜電界発光素子（ＥＬ）である。現在の段階ではＭｕを
ドープしたｌａｓ薄膜を利用することによってオレンジ
色発光のデバイスは実用の段階に到達しているが、カラ
ー表示のために必要な赤色、緑色および青色発光のデバ
イスは輝度が不充分であるなどの理由から実用の段階に
距離がある状況である。
より各種発光デバイスなかんずくカラー化された平面発
光表示デバイスに対する要求が強まっている。かかる表
示デバイスのうち、もっとも期待されているのはｍ、−
ＶＩまたは■ゎ−Ｖ■化合物半導体を活性材料とした薄
膜電界発光素子（ＥＬ）である。現在の段階ではＭｕを
ドープしたｌａｓ薄膜を利用することによってオレンジ
色発光のデバイスは実用の段階に到達しているが、カラ
ー表示のために必要な赤色、緑色および青色発光のデバ
イスは輝度が不充分であるなどの理由から実用の段階に
距離がある状況である。
周知のように、ＥＬにおいては高電界によって増倍され
かつ加速された電子が薄膜半導体中の発光中心を衝突励
起し、発光に到らしめるもので、かかる効果を有効に生
起せしめるためには、半導体が同時に良好な電気的特性
すなわち層抵抗・高増倍特性を有するとともに、良好な
発光特性を有することが必要である。しかるにカラー化
のためには、希土類原子（ＲＥ）を活性剤として使用す
るのが有利であることが知られており、最近ＣａＳある
いはＳｒＳ等のＨ，−ＶＩ化合物半導体にＲＥを含有さ
せた薄膜ＥＬにおいて発光輝度特性の向上が報告されて
いる。しかし現状で得られている輝度は実用上十分なも
のといえないのは前述の通りである。この原因はＳｒＳ
などＨ，−ＶＩ化合物半導体の電気的特性がＺｎＳなど
と比較して不十分であることによることが見出された。
かつ加速された電子が薄膜半導体中の発光中心を衝突励
起し、発光に到らしめるもので、かかる効果を有効に生
起せしめるためには、半導体が同時に良好な電気的特性
すなわち層抵抗・高増倍特性を有するとともに、良好な
発光特性を有することが必要である。しかるにカラー化
のためには、希土類原子（ＲＥ）を活性剤として使用す
るのが有利であることが知られており、最近ＣａＳある
いはＳｒＳ等のＨ，−ＶＩ化合物半導体にＲＥを含有さ
せた薄膜ＥＬにおいて発光輝度特性の向上が報告されて
いる。しかし現状で得られている輝度は実用上十分なも
のといえないのは前述の通りである。この原因はＳｒＳ
などＨ，−ＶＩ化合物半導体の電気的特性がＺｎＳなど
と比較して不十分であることによることが見出された。
本発明の目的は、上記の知見にもとすき高輝度でカラー
表示が可能でしかも製作容易な薄膜電界発光素子を提供
することである。
表示が可能でしかも製作容易な薄膜電界発光素子を提供
することである。
本発明は、■ゎ−ＶＩおよび１．−ＶＩ化合物半導体を
主要な活性材料とし、交流または直流電界の印加の下で
可視発光を生ぜしめる電界発光素子において、活性領域
をほぼ同一の厚さのＺｎＳ結晶層と３備あるいは２価の
希土類イオンを含有したＳｒＳまたはＣａＳ結晶層とを
交互に積層した構造としたことを特徴とする。
主要な活性材料とし、交流または直流電界の印加の下で
可視発光を生ぜしめる電界発光素子において、活性領域
をほぼ同一の厚さのＺｎＳ結晶層と３備あるいは２価の
希土類イオンを含有したＳｒＳまたはＣａＳ結晶層とを
交互に積層した構造としたことを特徴とする。
本発明は、電気的特性において優れているＺｎＳと発光
特性において優れているＳｒＳあるいはＣａＳのＩｌ、
−Ｖｌ化合物半導体の両者を機能的に一体化せしめるこ
とにより、電子増倍作用はＺｏＳ結晶中で行われ、Ｓｒ
Ｓ結晶中に注入された高速に加速された電子がＲＥ原子
の励起作用を行なうことにより、ＥＬデバイス輝度の格
段の向上を可能としたものである。
特性において優れているＳｒＳあるいはＣａＳのＩｌ、
−Ｖｌ化合物半導体の両者を機能的に一体化せしめるこ
とにより、電子増倍作用はＺｏＳ結晶中で行われ、Ｓｒ
Ｓ結晶中に注入された高速に加速された電子がＲＥ原子
の励起作用を行なうことにより、ＥＬデバイス輝度の格
段の向上を可能としたものである。
本発明の主要な特徴ならびに利点を一層明らかにするた
め、以下１実施例について説明を行う。
め、以下１実施例について説明を行う。
第１図に示す如く、透明電極１を有する透明ガラス基板
２上に、たとえばＹ２Ｏ３の絶縁薄膜６を形成し、その
上に厚さ１００人の高純度のＺｎＳｎＳ上厚さ１００人
のＲＥ原子、代表的には１％量のＥｕをドープしたＳｒ
Ｓ膜４を周知の分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法
）あるいは気相エピタキシャル成長法（ＶＰＥ法）によ
って周期的に約１０層程度積層せしめた後、絶縁薄膜６
を形成し、最後にｈｅよりなる背面電極５を形成する。
２上に、たとえばＹ２Ｏ３の絶縁薄膜６を形成し、その
上に厚さ１００人の高純度のＺｎＳｎＳ上厚さ１００人
のＲＥ原子、代表的には１％量のＥｕをドープしたＳｒ
Ｓ膜４を周知の分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法
）あるいは気相エピタキシャル成長法（ＶＰＥ法）によ
って周期的に約１０層程度積層せしめた後、絶縁薄膜６
を形成し、最後にｈｅよりなる背面電極５を形成する。
この際最も外側の層はＺｎＳとするのが防湿のためから
有利である。絶縁薄膜６の挿入は実用に十分な耐圧をあ
たえるためであり、必ずしも設けなくてもよい。
有利である。絶縁薄膜６の挿入は実用に十分な耐圧をあ
たえるためであり、必ずしも設けなくてもよい。
かかる方法によって製作されたＥＬデバイスは単層のＺ
ｎＳまたはＳｒＳから形成されたデバイスと比較して少
なくとも２倍以上の電気・光変換効率を有する。
ｎＳまたはＳｒＳから形成されたデバイスと比較して少
なくとも２倍以上の電気・光変換効率を有する。
同様にして他のＲＥ原子、たとえばＳｏｂ、Ｔｂ、Ｃｅ
。
。
ＴｍをＳｒＳ結晶中に混入することによって、赤色。
緑色あるいは青色発光のＥＬデバイスを得ることができ
る。はぼ同様な効果はＳｒＳのかわりにＣａＳなど他の
ｍ、−ＶＩを材料として使用した場合にも実現される。
る。はぼ同様な効果はＳｒＳのかわりにＣａＳなど他の
ｍ、−ＶＩを材料として使用した場合にも実現される。
かかる構造をとる際の利点は、積層数の多い方が有利で
あり、効果をもたらすためには最小限３層（ＺｎＳ層）
は必要である。また、各層の厚さが厚い場合は明確な積
層効果が得られず、更に全体の厚さを一定とした場合に
は積層数が少なくなる問題があり、各層の厚さは１００
０Å以下にすることが好ましい。また、本発明において
はＺｎＳ層にも不純物が含有さ″れていてもよい。この
場合はＺｎＳ層及びＩｌ、−ＶＩ化合物半導体層からの
発光の混色が得られる。
あり、効果をもたらすためには最小限３層（ＺｎＳ層）
は必要である。また、各層の厚さが厚い場合は明確な積
層効果が得られず、更に全体の厚さを一定とした場合に
は積層数が少なくなる問題があり、各層の厚さは１００
０Å以下にすることが好ましい。また、本発明において
はＺｎＳ層にも不純物が含有さ″れていてもよい。この
場合はＺｎＳ層及びＩｌ、−ＶＩ化合物半導体層からの
発光の混色が得られる。
このようにして形成された本発明によるＥＬデバイスに
より電気・光変換効率の改善が可能となり固体デバイス
によるカラー・ディスプレイが実現可能となる。
より電気・光変換効率の改善が可能となり固体デバイス
によるカラー・ディスプレイが実現可能となる。
第１図は本発明の一実施例の電界発光素子の構造を示す
模式的断面図である。 １・・・透明電極、２・・・透明ガラス基板、３・・・
２ｎＳ膜、４・・・ＲＥを含有するＳｒＳ膜、５・・・
背面電極、６・・・ｖ２０３絶縁薄膜。
模式的断面図である。 １・・・透明電極、２・・・透明ガラス基板、３・・・
２ｎＳ膜、４・・・ＲＥを含有するＳｒＳ膜、５・・・
背面電極、６・・・ｖ２０３絶縁薄膜。
Claims (1)
- IIｂ−Ｖ I およびIIａ−Ｖ I 化合物半導体を主要な
活性材料とし、交流または直流電界の印加の下で可視発
光を生ぜしめる電界発光素子において、活性領域をほぼ
同一の厚さのＺｎＳ結晶層と３備あるいは２価の希土類
イオンを含有したＳｒＳまたはＣａＳ結晶層とを交互に
積層した多層構造を有する電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61307031A JPS63158792A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61307031A JPS63158792A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63158792A true JPS63158792A (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=17964200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61307031A Pending JPS63158792A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63158792A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451495A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH04229989A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-08-19 | Planar Internatl Oy Ltd | エレクトロルミネセントディスプレイコンポーネントのけい光体層 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267298A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-26 | 富士通株式会社 | エレクトロルミネセンス素子 |
| JPS6274986A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-06 | Ricoh Co Ltd | 白色エレクトロルミネツセンス素子 |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP61307031A patent/JPS63158792A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267298A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-26 | 富士通株式会社 | エレクトロルミネセンス素子 |
| JPS6274986A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-06 | Ricoh Co Ltd | 白色エレクトロルミネツセンス素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451495A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH04229989A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-08-19 | Planar Internatl Oy Ltd | エレクトロルミネセントディスプレイコンポーネントのけい光体層 |
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