JPS6315988B2 - - Google Patents
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- JPS6315988B2 JPS6315988B2 JP58034640A JP3464083A JPS6315988B2 JP S6315988 B2 JPS6315988 B2 JP S6315988B2 JP 58034640 A JP58034640 A JP 58034640A JP 3464083 A JP3464083 A JP 3464083A JP S6315988 B2 JPS6315988 B2 JP S6315988B2
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- Japan
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- titanium carbide
- molybdenum
- coated
- intermediate layer
- coating
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0635—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高温熱安定性に優れた炭化チタン被覆
材料に関する。
材料に関する。
我国を始め欧米で建設中のトカマク型核融合炉
臨界試験装置では、黒鉛またはモリブデン上に炭
化チタンを被覆した材料が第一壁要素材として使
用されようとしている。
臨界試験装置では、黒鉛またはモリブデン上に炭
化チタンを被覆した材料が第一壁要素材として使
用されようとしている。
黒鉛を基材にした炭化チタン被覆材は、高温で
の熱安定性には優れるが、熱除去の点で問題があ
る。この点、高温下で高熱伝導度を有するモリブ
デンなどの高融点金属基材を使つた炭化チタン被
覆材は、受熱能力が大きく核融合炉材料として大
いに期待される。しかしながら、例えばモリブデ
ンの炭化チタン被覆材では、モリブデン基材と炭
化チタンが高温反応を起すことおよびモリブデン
基材上の炭化チタン蒸着膜は欠陥構造を伴ない易
く、Ti−Ｃの結合性が劣り、高温被覆材料とし
ては、著しく信頼性に欠けている。
の熱安定性には優れるが、熱除去の点で問題があ
る。この点、高温下で高熱伝導度を有するモリブ
デンなどの高融点金属基材を使つた炭化チタン被
覆材は、受熱能力が大きく核融合炉材料として大
いに期待される。しかしながら、例えばモリブデ
ンの炭化チタン被覆材では、モリブデン基材と炭
化チタンが高温反応を起すことおよびモリブデン
基材上の炭化チタン蒸着膜は欠陥構造を伴ない易
く、Ti−Ｃの結合性が劣り、高温被覆材料とし
ては、著しく信頼性に欠けている。
本発明の目的は、これらの欠点を除くため基材
側の材質の選択、被膜の積層化により、高温熱安
定性が黒鉛基材なみで且つ冷却性能にすぐれた高
融点金属基材の炭化チタン被覆材料を提供するに
ある。
側の材質の選択、被膜の積層化により、高温熱安
定性が黒鉛基材なみで且つ冷却性能にすぐれた高
融点金属基材の炭化チタン被覆材料を提供するに
ある。
本発明の要旨は、モリブデン、ニオブなどの融
点が2000℃以上の高融金属材料の表面にタングス
テン又は炭化ほう素の中間層を設け、その上に炭
化チタンを被覆したものからなる高温熱安定性に
優れた炭化チタン被覆材料にある。なお、必要に
応じ、前記中間層の上に更にカーボンまたは黒鉛
の中間層を設けてもよい。
点が2000℃以上の高融金属材料の表面にタングス
テン又は炭化ほう素の中間層を設け、その上に炭
化チタンを被覆したものからなる高温熱安定性に
優れた炭化チタン被覆材料にある。なお、必要に
応じ、前記中間層の上に更にカーボンまたは黒鉛
の中間層を設けてもよい。
これを詳述すると、基材としては、タングステ
ン中間層または炭化ほう素中間層を設けたモリブ
デン、ニオブなどの融点が2000℃以上の高融点金
属を使用する。高融点金属材料上にタングステン
中間層または炭化ほう素中間層を設ける方法は、
蒸着法、クラツド法など通常の被覆または接合方
法でよいが、密着性の良い層を設けることが肝要
である。タングステンは、その炭化物（W2C）
の生成自由エネルギーが炭化チタンのそれより大
きい。従つて、炭化チタンに接する基材側の材料
として使用すれば、炭化チタンと反応して炭化チ
タン中の炭素原子を反応消費し自身は炭化タング
ステンになるような基材−被膜間の相互反応によ
る劣化が高温で生じない。この様な特長を有する
高融点金属は、タングステンをおいて他にない。
また炭化ほう素は高温で炭化チタンと反応して界
面にほう化チタンと炭素が生成するが、ほう化チ
タン及び炭素は炭化チタンに劣らず高温熱安定性
に優れる物質故に、チタンが遊離揮発して炭化チ
タン膜が消失するような劣化は生じない。
ン中間層または炭化ほう素中間層を設けたモリブ
デン、ニオブなどの融点が2000℃以上の高融点金
属を使用する。高融点金属材料上にタングステン
中間層または炭化ほう素中間層を設ける方法は、
蒸着法、クラツド法など通常の被覆または接合方
法でよいが、密着性の良い層を設けることが肝要
である。タングステンは、その炭化物（W2C）
の生成自由エネルギーが炭化チタンのそれより大
きい。従つて、炭化チタンに接する基材側の材料
として使用すれば、炭化チタンと反応して炭化チ
タン中の炭素原子を反応消費し自身は炭化タング
ステンになるような基材−被膜間の相互反応によ
る劣化が高温で生じない。この様な特長を有する
高融点金属は、タングステンをおいて他にない。
また炭化ほう素は高温で炭化チタンと反応して界
面にほう化チタンと炭素が生成するが、ほう化チ
タン及び炭素は炭化チタンに劣らず高温熱安定性
に優れる物質故に、チタンが遊離揮発して炭化チ
タン膜が消失するような劣化は生じない。
次に、該基材上に直接または更にカーボン、黒
鉛のいずれかの中間層を積層した後に炭化チタン
を被覆する。カーボンまたは黒鉛の中間層を設け
る理由は、これらの層が高温下で炭化チタン被覆
層に炭素原子を供給する炭素源層として期待でき
るためである。拡散供給された炭素原子は、炭化
チタン層の欠陥構造を修復し、Ti−Ｃの結合力
を強め炭化チタン被膜を高温まで安定化する。
鉛のいずれかの中間層を積層した後に炭化チタン
を被覆する。カーボンまたは黒鉛の中間層を設け
る理由は、これらの層が高温下で炭化チタン被覆
層に炭素原子を供給する炭素源層として期待でき
るためである。拡散供給された炭素原子は、炭化
チタン層の欠陥構造を修復し、Ti−Ｃの結合力
を強め炭化チタン被膜を高温まで安定化する。
カーボン、黒鉛、炭化ホウ素および炭化チタン
の積層被覆法は、化学蒸着法、イオンプレーテイ
ング、スパツタリングなどの物理蒸着法によるこ
とが好ましい。特に炭化チタンの被覆過程では、
蒸着条件を厳密に制御し、構造欠陥を極力抑えた
成膜とすることが大切である。
の積層被覆法は、化学蒸着法、イオンプレーテイ
ング、スパツタリングなどの物理蒸着法によるこ
とが好ましい。特に炭化チタンの被覆過程では、
蒸着条件を厳密に制御し、構造欠陥を極力抑えた
成膜とすることが大切である。
本発明による高温熱安定性に優れた炭化チタン
被覆材料を、５×10-6トール、2000℃の高真空、
高温下に曝した結果、従来のモリブデンに直接被
覆した炭化チタン被覆材では、著しい蒸発減少と
表面状態の変化および界面の反応層生成による劣
化が伴うのに対し、炭化チタン被膜の再結晶は認
められるものの重量減少、拡散劣化ともに顕著に
抑制され、高温熱安定性に極めて優れていること
が確認された。
被覆材料を、５×10-6トール、2000℃の高真空、
高温下に曝した結果、従来のモリブデンに直接被
覆した炭化チタン被覆材では、著しい蒸発減少と
表面状態の変化および界面の反応層生成による劣
化が伴うのに対し、炭化チタン被膜の再結晶は認
められるものの重量減少、拡散劣化ともに顕著に
抑制され、高温熱安定性に極めて優れていること
が確認された。
本発明の高融点金属の炭化チタン被覆材料は、
核融合炉臨界試験装置の第一壁材料としてはもと
より、炉心プラズマ温度が一段と高くなる“次期
装置”で高温強度、冷却性能の面から、第一壁材
料として有効であると考えられる。また、真空機
器とりわけ高温に曝される電子ビーム銃周辺材
料、宇宙工学材料などの高真空、高温下で使用す
る耐熱、耐磨耗材料としても使用可能である。
核融合炉臨界試験装置の第一壁材料としてはもと
より、炉心プラズマ温度が一段と高くなる“次期
装置”で高温強度、冷却性能の面から、第一壁材
料として有効であると考えられる。また、真空機
器とりわけ高温に曝される電子ビーム銃周辺材
料、宇宙工学材料などの高真空、高温下で使用す
る耐熱、耐磨耗材料としても使用可能である。
以上のように優れた材料性能を有している。
実施例 １
予めタングステン層を設けたモリブデン基材上
に炭化チタン層を積層した被覆材料。
に炭化チタン層を積層した被覆材料。
モリブデン材にマグネトロン・スパツタリング
法によりタングステン層を５〜20μｍの厚さに被
覆した。該基材をイオンプレーテイング装置内に
とり付けた。装置内を十分に排気し、超高純度ア
ルゴンガスを約10-2トールまで入れ、基材下方に
設けた高周波コイルを介して電力約200Wを投入
しグロー放電を誘起させた。一方基材に約−
0.6KVのバイアス電圧を印加し、イオン化したア
ルゴンを基材表面に衝撃し、スパツタさせて表面
を清浄にした。しかる後、イオンプレーテイング
装置内を10-6トール台に排気後、電子ビーム約
1KWで水冷ルツボ中のチタンを溶融蒸発させる
と同時にアセチレンガスを導入し、全反応圧力を
５×10-4〜１×10-3トールに保つた。ルツボ近傍
に設けた補助電極に直流＋90Vを印加して放電を
誘起させると同時に、基材直下に設けたシヤツタ
ーを開き蒸着を開始し、その際基材は700℃に加
熱し且つ200Vの負のバイアス電圧を印加してお
いた。蒸着時間は１時間で10〜15μｍの炭化チタ
ン被覆層を得た。その結果を第１図および第２図
に基いて説明する。
法によりタングステン層を５〜20μｍの厚さに被
覆した。該基材をイオンプレーテイング装置内に
とり付けた。装置内を十分に排気し、超高純度ア
ルゴンガスを約10-2トールまで入れ、基材下方に
設けた高周波コイルを介して電力約200Wを投入
しグロー放電を誘起させた。一方基材に約−
0.6KVのバイアス電圧を印加し、イオン化したア
ルゴンを基材表面に衝撃し、スパツタさせて表面
を清浄にした。しかる後、イオンプレーテイング
装置内を10-6トール台に排気後、電子ビーム約
1KWで水冷ルツボ中のチタンを溶融蒸発させる
と同時にアセチレンガスを導入し、全反応圧力を
５×10-4〜１×10-3トールに保つた。ルツボ近傍
に設けた補助電極に直流＋90Vを印加して放電を
誘起させると同時に、基材直下に設けたシヤツタ
ーを開き蒸着を開始し、その際基材は700℃に加
熱し且つ200Vの負のバイアス電圧を印加してお
いた。蒸着時間は１時間で10〜15μｍの炭化チタ
ン被覆層を得た。その結果を第１図および第２図
に基いて説明する。
第１図の２はモリブデン基材上に炭化チタンを
直接被覆した従来の材料であるが、５×10-6トー
ルの真空下で加熱試験温度1600℃から炭化チタン
被膜の厚みが急激に減少する。これに対し、１の
タングステン中間層を設けた基板上の炭化チタン
被膜は2000℃まで殆んど膜厚に変化が生じない。
直接被覆した従来の材料であるが、５×10-6トー
ルの真空下で加熱試験温度1600℃から炭化チタン
被膜の厚みが急激に減少する。これに対し、１の
タングステン中間層を設けた基板上の炭化チタン
被膜は2000℃まで殆んど膜厚に変化が生じない。
被覆材断面のＸ線マイクロアナライザー分析の
結果、２では被膜と基材界面にモリブデン炭化物
が生成していくと同時にチタンが揮発損耗するに
対し、１ではタングステン層が界面反応の有効な
障壁となり炭化チタン層が安定に存在し得ること
が確認された。
結果、２では被膜と基材界面にモリブデン炭化物
が生成していくと同時にチタンが揮発損耗するに
対し、１ではタングステン層が界面反応の有効な
障壁となり炭化チタン層が安定に存在し得ること
が確認された。
また第２図のａはモリブデン上に炭化チタンを
被覆した直後の表面の顕微鏡写真である。ｂは同
被覆材を５×10-6トール中で2000℃に30分加熱試
験した後の表面状態を示す。
被覆した直後の表面の顕微鏡写真である。ｂは同
被覆材を５×10-6トール中で2000℃に30分加熱試
験した後の表面状態を示す。
一方ｃはタングステン中間層を被覆したモリブ
デン基材上に炭化チタンを積層した材料のｂと同
一試験後の表面状態を示す。炭化チタンの再結晶
による粒界が現われてくるが、従来材ｂと比較し
て炭化チタン被膜の安定性が顕著に改善されてい
ることがわかる。
デン基材上に炭化チタンを積層した材料のｂと同
一試験後の表面状態を示す。炭化チタンの再結晶
による粒界が現われてくるが、従来材ｂと比較し
て炭化チタン被膜の安定性が顕著に改善されてい
ることがわかる。
実施例 ２
予めタングステン層を設けたモリブデン上に更
に炭素膜を付与しその後炭化チタンを積層被覆し
た材料。
に炭素膜を付与しその後炭化チタンを積層被覆し
た材料。
実施例１で述べた予めタングステン中間層を設
けたモリブデン材をイオンプレーテイング装置に
とり付けた。アセチレンガスを導入し全反応圧力
２×10-2トール中で高周波電力200Wを投入し、
グロー放電を誘起させた。基材は約900℃に加熱
保持し、プラズマ化学反応により基材上に高密着
性の炭素膜が得られた。この際、モリブデン材に
直接炭素膜を付与した場合は、高温試験でモリブ
デン−炭素膜界面から著しい剥離が生じるため好
ましくない。しかる後、前述したと同様のイオン
プレーテイング法および実施条件により、炭化チ
タンを積層被覆する。その結果を第３図に基いて
説明する。第３図１−ａ，１−ｂはニオブ基材に
直接炭化チタンを被覆した場合の2000℃高温試験
前(a)，後(b)の表面状態を示し、また２−ａ，２−
ｂは当該被覆材の場合の2000℃高温試験前(a)、後
(b)の表面状態を示す。２−ｂでは、結晶粒が明瞭
に認められ炭化チタン被膜が高温安定化している
ことが認められるのに対し、１−ｂでは顕著なエ
ロージヨンが認められる。また、試験前後の重量
変化の測定からニオブに直接炭化チタンを被覆し
たものは、2000℃の加熱試験で−0.3mg／cm2・
minの蒸発があつたのに対し、当該被覆材は−
0.05mg／cm2・minの小さい蒸発量に抑えられた。
また、モリブデンに直接炭化チタンを被覆したも
のの蒸発量は−0.15mg／cm2・minとやはり大きい
値を示した。
けたモリブデン材をイオンプレーテイング装置に
とり付けた。アセチレンガスを導入し全反応圧力
２×10-2トール中で高周波電力200Wを投入し、
グロー放電を誘起させた。基材は約900℃に加熱
保持し、プラズマ化学反応により基材上に高密着
性の炭素膜が得られた。この際、モリブデン材に
直接炭素膜を付与した場合は、高温試験でモリブ
デン−炭素膜界面から著しい剥離が生じるため好
ましくない。しかる後、前述したと同様のイオン
プレーテイング法および実施条件により、炭化チ
タンを積層被覆する。その結果を第３図に基いて
説明する。第３図１−ａ，１−ｂはニオブ基材に
直接炭化チタンを被覆した場合の2000℃高温試験
前(a)，後(b)の表面状態を示し、また２−ａ，２−
ｂは当該被覆材の場合の2000℃高温試験前(a)、後
(b)の表面状態を示す。２−ｂでは、結晶粒が明瞭
に認められ炭化チタン被膜が高温安定化している
ことが認められるのに対し、１−ｂでは顕著なエ
ロージヨンが認められる。また、試験前後の重量
変化の測定からニオブに直接炭化チタンを被覆し
たものは、2000℃の加熱試験で−0.3mg／cm2・
minの蒸発があつたのに対し、当該被覆材は−
0.05mg／cm2・minの小さい蒸発量に抑えられた。
また、モリブデンに直接炭化チタンを被覆したも
のの蒸発量は−0.15mg／cm2・minとやはり大きい
値を示した。
実施例 ３
タングステン中間層を設けたモリブデン基板上
に炭化チタン層を被覆した材料、 実施例１で述べたと同様の方法で、タングステ
ン中間層を5μｍ施した後、炭化チタンを20μｍ被
覆した。
に炭化チタン層を被覆した材料、 実施例１で述べたと同様の方法で、タングステ
ン中間層を5μｍ施した後、炭化チタンを20μｍ被
覆した。
その結果を第４図に基いて説明する。
第４図２−ａ，２−ｂは中間層なしで炭化チタ
ンを被覆したモリブデン材の電子ビームによる熱
衝撃試験結果である。
ンを被覆したモリブデン材の電子ビームによる熱
衝撃試験結果である。
２−ａは1.5KW／cm2、照射時間0.8秒、２−ｂ
は1.5KW／cm2、照射時間1.0秒の試験結果である。
いずれも表面に溶融損傷が生じた。一方１−ａ，
１−ｂは当該被覆材のそれぜれ、1.5KW／cm2、
照射時間0.8秒及び1.0秒照射の試験結果である。
0.8秒までの照射では表面損傷は全く生じない。
1.0秒照射では溶融が始まるが、２−ｂに比較し
て溶融面積が非常に小さく抑えられ、局所的に
3000℃を超すような熱衝撃に対しても当該被覆材
は熱安定性が優れていることが確認できた。
は1.5KW／cm2、照射時間1.0秒の試験結果である。
いずれも表面に溶融損傷が生じた。一方１−ａ，
１−ｂは当該被覆材のそれぜれ、1.5KW／cm2、
照射時間0.8秒及び1.0秒照射の試験結果である。
0.8秒までの照射では表面損傷は全く生じない。
1.0秒照射では溶融が始まるが、２−ｂに比較し
て溶融面積が非常に小さく抑えられ、局所的に
3000℃を超すような熱衝撃に対しても当該被覆材
は熱安定性が優れていることが確認できた。
第１図は炭化チタン被覆材料の加熱試験温度と
炭化チタン膜厚との関係図、第２図はモリブデン
基材を使用した場合における加熱試験前後の被膜
表面の顕微鏡写真で、ａ：モリブデン基材上に直
接炭化チタンを被覆した材料表面、ｂ：ａ被覆材
料の加熱試験後の被膜表面、ｃ：タングステン中
間層を施したモリブデン基材に炭化チタンを被覆
した材料の加熱試験後の被膜表面、第３図はニオ
ブ及びモリブデン基材を使用した場合における加
熱試験前後の被覆表面の顕微鏡写真で、１はニオ
ブ上に直接炭化チタンを被覆した材料で、１−ａ
は加熱前、１−ｂは加熱後を示す。２はタングス
テン中間層を設けたモリブデン基材に更に炭素膜
を積層した後、炭化チタンを被覆した材料で、２
−ａは加熱前、２−ｂは加熱後を示す。第４図は
材料の電子ビーム熱衝撃試験後の表面写真で１は
タングステン中間層を設けたモリブデン基材に炭
化チタンを被覆した材料を示し、１−ａは
1.5KW／cm2で0.8秒、１−ｂは１秒照射後を示す。
２はモリブデン上に直接炭化チタンを被覆した材
料を示し、２−ａは1.5KW／cm2で0.8秒、２−ｂ
は１秒照射後を示す。
炭化チタン膜厚との関係図、第２図はモリブデン
基材を使用した場合における加熱試験前後の被膜
表面の顕微鏡写真で、ａ：モリブデン基材上に直
接炭化チタンを被覆した材料表面、ｂ：ａ被覆材
料の加熱試験後の被膜表面、ｃ：タングステン中
間層を施したモリブデン基材に炭化チタンを被覆
した材料の加熱試験後の被膜表面、第３図はニオ
ブ及びモリブデン基材を使用した場合における加
熱試験前後の被覆表面の顕微鏡写真で、１はニオ
ブ上に直接炭化チタンを被覆した材料で、１−ａ
は加熱前、１−ｂは加熱後を示す。２はタングス
テン中間層を設けたモリブデン基材に更に炭素膜
を積層した後、炭化チタンを被覆した材料で、２
−ａは加熱前、２−ｂは加熱後を示す。第４図は
材料の電子ビーム熱衝撃試験後の表面写真で１は
タングステン中間層を設けたモリブデン基材に炭
化チタンを被覆した材料を示し、１−ａは
1.5KW／cm2で0.8秒、１−ｂは１秒照射後を示す。
２はモリブデン上に直接炭化チタンを被覆した材
料を示し、２−ａは1.5KW／cm2で0.8秒、２−ｂ
は１秒照射後を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ モリブデン、ニオブなどの融点が2000℃以上
の高融点金属材料の表面に、タングステンまたは
炭化ほう素の中間層を設け、その上に炭化チタン
を被覆したものからなる高温熱安定性に優れた炭
化チタン被覆材料。 ２ モリブデン、ニオブなどの融点が2000℃以上
の高融点金属材料の表面にタングステンまたは炭
化ほう素の中間層とカーボンまたは黒鉛の中間層
を設け、その上に炭化チタンを被覆したものから
なる高温安定性に優れた炭化チタン被覆材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034640A JPS59162272A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 高温熱安定性に優れた炭化チタン被覆材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034640A JPS59162272A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 高温熱安定性に優れた炭化チタン被覆材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162272A JPS59162272A (ja) | 1984-09-13 |
| JPS6315988B2 true JPS6315988B2 (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=12420018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58034640A Granted JPS59162272A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 高温熱安定性に優れた炭化チタン被覆材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162272A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666591U (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-20 | 宏 伊勢田 | 留具付きハンガー |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105303B2 (ja) * | 1985-02-25 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 薄膜形成方法 |
| CN103820761B (zh) * | 2014-02-12 | 2016-08-10 | 西安金唐材料应用科技有限公司 | 一种金属碳化物镀层的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221278A (en) * | 1975-08-12 | 1977-02-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Heater for vacuum evaporation having resistance against corrosion |
-
1983
- 1983-03-04 JP JP58034640A patent/JPS59162272A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666591U (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-20 | 宏 伊勢田 | 留具付きハンガー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59162272A (ja) | 1984-09-13 |
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