JPS63161431A - 液晶シヤツタ装置 - Google Patents
液晶シヤツタ装置Info
- Publication number
- JPS63161431A JPS63161431A JP30782986A JP30782986A JPS63161431A JP S63161431 A JPS63161431 A JP S63161431A JP 30782986 A JP30782986 A JP 30782986A JP 30782986 A JP30782986 A JP 30782986A JP S63161431 A JPS63161431 A JP S63161431A
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- JP
- Japan
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- shutter
- ferroelectric liquid
- electric field
- ferroelectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、液晶シャッタ装置に関する。
[従来技術]
近年、いわゆるオフィスオートメーションの普及によっ
て、事務を行なう環境に各種の情報処理装置が導入され
てきている。かかる環境下において用いられる装置には
、騒音や振動等、その環境に悪影響を及ぼす要素を極力
抑制することが要求されている。
て、事務を行なう環境に各種の情報処理装置が導入され
てきている。かかる環境下において用いられる装置には
、騒音や振動等、その環境に悪影響を及ぼす要素を極力
抑制することが要求されている。
ところで、日本語ワードプロセッサ等で作成した文書を
ハードコピーとして記録出力するプリンタとしては、従
前からドツトインパクト型のプリンタが広く用いられて
いるが、このようなドツトインパクト型プリンタは印字
音および振動が大きく、とくに、高速な機械はどこの傾
向が強く、周囲の仕事の妨げともなることもしばしばあ
った。
ハードコピーとして記録出力するプリンタとしては、従
前からドツトインパクト型のプリンタが広く用いられて
いるが、このようなドツトインパクト型プリンタは印字
音および振動が大きく、とくに、高速な機械はどこの傾
向が強く、周囲の仕事の妨げともなることもしばしばあ
った。
そこで、このような不都合を解消するものとして、電子
写真プロセスを用いて画像を形成する、例えばレーザビ
ームプリンタ、液晶シャッタプリンタあるいはLEDプ
リンタ等の非インパクト型のプリンタが実用されている
。
写真プロセスを用いて画像を形成する、例えばレーザビ
ームプリンタ、液晶シャッタプリンタあるいはLEDプ
リンタ等の非インパクト型のプリンタが実用されている
。
このプリンタは、上述したドツトインパクト型プリンタ
と異なり、画像を形成するさいに用紙を叩く箇所がない
ので印字音が非常に小さく、また、基本的に1ペ一ジ単
位に画像を記録するページプリンタであるので高速な記
録が可能である。
と異なり、画像を形成するさいに用紙を叩く箇所がない
ので印字音が非常に小さく、また、基本的に1ペ一ジ単
位に画像を記録するページプリンタであるので高速な記
録が可能である。
ところで、このようなページプリンタのうち、レーザビ
ームプリンタは光書き込み系にポリゴンミラー等の高精
度な光学系を必要とするので非常にコストが大きい。ま
た、LEDプリンタでは、光書き込み系に用いられるL
ED (発光ダイオード)の発光特性のバラツキにより
、安定した記録画像を得ることが困難である。
ームプリンタは光書き込み系にポリゴンミラー等の高精
度な光学系を必要とするので非常にコストが大きい。ま
た、LEDプリンタでは、光書き込み系に用いられるL
ED (発光ダイオード)の発光特性のバラツキにより
、安定した記録画像を得ることが困難である。
一方、液晶シャッタプリンタで光書き込み系に用いられ
る液晶シャッタは、光学系を構成する光源、液晶シャッ
タおよび結像素子を一体化でき。
る液晶シャッタは、光学系を構成する光源、液晶シャッ
タおよび結像素子を一体化でき。
光学系を簡単にかつ小型に構成できるので安価な装置を
実現することができる。
実現することができる。
このような液晶シャッタプリンタの記録速度は、当然の
ことながら液晶シャッタのオンオフ特性に依存する。
ことながら液晶シャッタのオンオフ特性に依存する。
これまで液晶シャッタに用いられていたTN(ツィステ
ッド・ネマチック)型の液晶では、いわゆる二周波駆動
した場合でもオンオフ時の立ち上がりおよび立ち下がり
に要する時間が0.5ミリ秒程度と比較的遅く、したが
って、レーザビームプリンタ等と比較するとあまり記録
速度を上げることができなかった。また、TN型の液晶
は交流駆動を必要としていたので、駆動回路が比較的複
雑であった。
ッド・ネマチック)型の液晶では、いわゆる二周波駆動
した場合でもオンオフ時の立ち上がりおよび立ち下がり
に要する時間が0.5ミリ秒程度と比較的遅く、したが
って、レーザビームプリンタ等と比較するとあまり記録
速度を上げることができなかった。また、TN型の液晶
は交流駆動を必要としていたので、駆動回路が比較的複
雑であった。
これに対し、強誘電性液晶はTN型の液晶よりも2桁以
上応答時間が短く、また、直流駆動が可能なので、この
強誘電性液晶を用いることにより高速でかつ周辺回路が
簡単な液晶シャッタを実現することができる。
上応答時間が短く、また、直流駆動が可能なので、この
強誘電性液晶を用いることにより高速でかつ周辺回路が
簡単な液晶シャッタを実現することができる。
この強誘電性液晶は、その厚みを液晶分子の螺旋ピッチ
よりも小さくすることでメモリ効果を実現できる(竹添
秀男、福田敦夫、久世栄−「強誘電性液晶高速表示装置
」工業化学筒31巻筒10号P22−p25参照)。
よりも小さくすることでメモリ効果を実現できる(竹添
秀男、福田敦夫、久世栄−「強誘電性液晶高速表示装置
」工業化学筒31巻筒10号P22−p25参照)。
したがって、第7図(a)〜(d)に示すように、液晶
シャッタの各マイクロシャッタを構成しているセグメン
ト電極に+■8のパルス信号を印加して当該マイクロシ
ャッタの部分の強誘電性液晶に正の電界を印加すると、
強誘電性液晶の分子が一方向に揃って当該マイクロシャ
ッタが光オンし、そのセグメント電極に−Voのパルス
信号を印加して逆極性の電界を印加すると、強誘電性液
晶の分子が異なる方向に揃って当該マイクロシャッタが
光オフする。なおこれらのパルス信号のパルス幅は、強
誘電性液晶が光オンオフに充分に応答できる時間に設定
されている。
シャッタの各マイクロシャッタを構成しているセグメン
ト電極に+■8のパルス信号を印加して当該マイクロシ
ャッタの部分の強誘電性液晶に正の電界を印加すると、
強誘電性液晶の分子が一方向に揃って当該マイクロシャ
ッタが光オンし、そのセグメント電極に−Voのパルス
信号を印加して逆極性の電界を印加すると、強誘電性液
晶の分子が異なる方向に揃って当該マイクロシャッタが
光オフする。なおこれらのパルス信号のパルス幅は、強
誘電性液晶が光オンオフに充分に応答できる時間に設定
されている。
また、このようにメモリ機能を有していることから強誘
電性液晶を時分割で駆動することができ、したがって、
素子数が非常に多くなる平面表示装置等の表示装置にも
適用することができる。
電性液晶を時分割で駆動することができ、したがって、
素子数が非常に多くなる平面表示装置等の表示装置にも
適用することができる。
しかしながら、従来、このような強誘電性液晶は、その
構造上大量生産が困難なので製造コストが大きいという
不都合を生じていた6 [目的コ 本発明は、上述した従来技術の不都合を解消するために
なされたものであり、製造コストを低減でき、かつ、メ
モリ性を実現できる強誘電性液晶を用いた液晶シャッタ
装置を目的とする。
構造上大量生産が困難なので製造コストが大きいという
不都合を生じていた6 [目的コ 本発明は、上述した従来技術の不都合を解消するために
なされたものであり、製造コストを低減でき、かつ、メ
モリ性を実現できる強誘電性液晶を用いた液晶シャッタ
装置を目的とする。
[構成]
本発明は、液晶板の液晶組成物として強誘電性液晶を用
い、その強誘電性液晶の分子配向を配向膜(絶縁膜)に
よって実現することで、液晶板を大量生産できるように
している。また、このような構造の強誘電性液晶にメモ
リ性を持たせるために、少なくとも立下り端が傾斜をも
つパルス信号を印加して液晶シャッタをオンオフしてい
る。
い、その強誘電性液晶の分子配向を配向膜(絶縁膜)に
よって実現することで、液晶板を大量生産できるように
している。また、このような構造の強誘電性液晶にメモ
リ性を持たせるために、少なくとも立下り端が傾斜をも
つパルス信号を印加して液晶シャッタをオンオフしてい
る。
以下、添付図面を参照しながら1本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は1本発明の一実施例にかかる液晶シャッタプリ
ンタを示している。
ンタを示している。
同図において、感光体1は帯電チャージャ2によってそ
の表面が均一に帯電され、光学系3によって記録画像に
対応した光像が露光されてその表面に記録画像に対応し
た静電潜像が形成される。この静電潜像は、現像器4に
よってトナー現像され。
の表面が均一に帯電され、光学系3によって記録画像に
対応した光像が露光されてその表面に記録画像に対応し
た静電潜像が形成される。この静電潜像は、現像器4に
よってトナー現像され。
さらにこれによって感光体Iの表面に形成されたトナー
像は、図示しない給紙系によって搬送された記録用紙に
転写チャージャ5によって転写される。
像は、図示しない給紙系によって搬送された記録用紙に
転写チャージャ5によって転写される。
そして、記録用紙に転写されたトナー像は定着器6によ
って熱定着され、これによって、記録画像が記録用紙に
形成される。
って熱定着され、これによって、記録画像が記録用紙に
形成される。
また、感光体1上の残留トナーおよび残留電荷は、クリ
ーナ7によって除去される。
ーナ7によって除去される。
光学系3の一例を第2図に示す。
同図において、光学系3は、光源11、光源11の光を
反射する反射板12、クロスニコルの偏光軸をもつ偏光
板13.マイクロシャッタアレイを形成する透明電極が
付設された透明基板に強誘電性液晶を封入して形成した
液晶板14、偏光板14と直交する偏光軸をもつ偏光板
15.および、集束性ファイバアレイ等の等倍線形結像
素子16からなる。
反射する反射板12、クロスニコルの偏光軸をもつ偏光
板13.マイクロシャッタアレイを形成する透明電極が
付設された透明基板に強誘電性液晶を封入して形成した
液晶板14、偏光板14と直交する偏光軸をもつ偏光板
15.および、集束性ファイバアレイ等の等倍線形結像
素子16からなる。
液晶板14の一例を第3図(a) 、 (b)に示す。
液晶板14は、所定間隔をおいて配設された2枚のガラ
ス基板等からなる透明基板21,22.透明基板21下
側の面にマイクロシャッタの形成間隔で多数付設され、
マイクロシャッタよりも若干大きい幅寸法に設定されて
いるストリップ状の透明電極材料からなるセグメント電
極23.透明基板22の上側の面に少なくともマイクロ
シャッタアレイが形成される領域よりも広い領域全体に
付設された帯状の透明電極材料からなるコモン電極24
、マイクロシャッタアレイを形成するアパーチャAPの
部分を残して他のコモン電極24の付設部分からのモレ
光を遮光するための光マスク25、セグメント電極23
の下面に積層された高抵抗の透明な材質からなる絶縁層
26、光マスク25の上面に積層された高抵抗の透明な
材質からなる絶縁層27、絶縁層26と透明基板21と
の間に封入された強誘電性液晶28から構成されている
。
ス基板等からなる透明基板21,22.透明基板21下
側の面にマイクロシャッタの形成間隔で多数付設され、
マイクロシャッタよりも若干大きい幅寸法に設定されて
いるストリップ状の透明電極材料からなるセグメント電
極23.透明基板22の上側の面に少なくともマイクロ
シャッタアレイが形成される領域よりも広い領域全体に
付設された帯状の透明電極材料からなるコモン電極24
、マイクロシャッタアレイを形成するアパーチャAPの
部分を残して他のコモン電極24の付設部分からのモレ
光を遮光するための光マスク25、セグメント電極23
の下面に積層された高抵抗の透明な材質からなる絶縁層
26、光マスク25の上面に積層された高抵抗の透明な
材質からなる絶縁層27、絶縁層26と透明基板21と
の間に封入された強誘電性液晶28から構成されている
。
この場合、記録密度を向上するために、マイクロシャッ
タは所定間隔で千鳥状に2列に配列されている。またこ
こでは、マイクロシャッタの配列全体をマイクロシャッ
タアレイと称している。またこの場合、TN型の液晶と
同様に、絶縁層26.27が強誘電性液晶27の液晶分
子を初期配向する配向膜を構成しており、その材質は、
例えばポリイミド等である。なお、初期配向は、配向膜
の表面を擦ること(ラビング)によって実現できる。
タは所定間隔で千鳥状に2列に配列されている。またこ
こでは、マイクロシャッタの配列全体をマイクロシャッ
タアレイと称している。またこの場合、TN型の液晶と
同様に、絶縁層26.27が強誘電性液晶27の液晶分
子を初期配向する配向膜を構成しており、その材質は、
例えばポリイミド等である。なお、初期配向は、配向膜
の表面を擦ること(ラビング)によって実現できる。
また、強誘電性液晶28を封入する厚さは、液晶組成物
の強誘電性が強くあられすために、10μm以下にする
ことが望ましい。
の強誘電性が強くあられすために、10μm以下にする
ことが望ましい。
この液晶板14に形成されているマイクロシャッタ(以
下液晶シャッタという)の動作原理を次に説明する。
下液晶シャッタという)の動作原理を次に説明する。
すなわち、ここで上述した液晶シャッタの等価回路を考
えると、第4図に示すように、液晶層をあられす抵抗R
0とコンデンサC0の並列回路と、絶縁層26および絶
縁層27をあられす抵抗R,とコンデンサC1どの直列
回路としてあられされる。
えると、第4図に示すように、液晶層をあられす抵抗R
0とコンデンサC0の並列回路と、絶縁層26および絶
縁層27をあられす抵抗R,とコンデンサC1どの直列
回路としてあられされる。
この等価回路にステップ的な電圧■を印加すると、その
ときに液晶層に印加される電界E(1)は、次式のよう
に得られる。
ときに液晶層に印加される電界E(1)は、次式のよう
に得られる。
ただし、
τS=ρ鵬ρ・ε0(ε嘗d・+2ε、d、)/(2ρ
−鵬+ρ・d・)二二で、εeは液晶層の比誘電率、ρ
。は液晶層の抵抗率、d、は液晶層の厚さをそれぞれあ
られす。
−鵬+ρ・d・)二二で、εeは液晶層の比誘電率、ρ
。は液晶層の抵抗率、d、は液晶層の厚さをそれぞれあ
られす。
また、ε1は絶縁層26.27の比誘電率、ρ1は絶縁
層26.27の抵抗率、dゆは絶縁層26.27の厚さ
をそれぞれあられす。また、ε。真空の誘電率である。
層26.27の抵抗率、dゆは絶縁層26.27の厚さ
をそれぞれあられす。また、ε。真空の誘電率である。
したがって、ステップ電圧を印加したときに液晶層に印
加される電界は、絶縁層26.27の厚さd。
加される電界は、絶縁層26.27の厚さd。
に応じて第5図に示すように変化する。なお、以下の説
明においては、厚さd、が約500人の一般的な配向膜
を用いた場合について説明する。その場合、液晶層にお
ける電界は、第5図の曲線LLのように変化(減衰)す
る。
明においては、厚さd、が約500人の一般的な配向膜
を用いた場合について説明する。その場合、液晶層にお
ける電界は、第5図の曲線LLのように変化(減衰)す
る。
さて、このように電界減衰を生じる液晶板14に、第6
図(a)に示すような駆動パルスを印加すると、その駆
動パルス幅が十分に長いものであれば、液晶層に印加さ
れる電界は、同図(b)のようにその駆動パルス波形の
微分波形のように変化し、このときの電界の波高値およ
び実効的な印加時間が強誘電性液晶28の分子配向が切
り換るに充分な値をもてば、その駆動パルスの立上り端
で、同図(C)に示すように、液晶シャッタが光オンす
る。そして、強誘電性液晶28のメモリ性により、その
光オン状態が維持される。
図(a)に示すような駆動パルスを印加すると、その駆
動パルス幅が十分に長いものであれば、液晶層に印加さ
れる電界は、同図(b)のようにその駆動パルス波形の
微分波形のように変化し、このときの電界の波高値およ
び実効的な印加時間が強誘電性液晶28の分子配向が切
り換るに充分な値をもてば、その駆動パルスの立上り端
で、同図(C)に示すように、液晶シャッタが光オンす
る。そして、強誘電性液晶28のメモリ性により、その
光オン状態が維持される。
また、印加されている駆動パルスの立下り端で逆方向に
変化する電界が液晶層に印加されると、強誘電性液晶2
8の分子配向が反対方向に切り換るので、光オンした液
晶シャッタが光オフする。そして、その光オフ状態が維
持される。
変化する電界が液晶層に印加されると、強誘電性液晶2
8の分子配向が反対方向に切り換るので、光オンした液
晶シャッタが光オフする。そして、その光オフ状態が維
持される。
このように、パルス幅が充分に大きい駆動パルスを印加
すると、配向膜(絶縁層26.27)を用いて初期配向
させた強誘電性液晶28にメモリ性をもたせることがで
きる。
すると、配向膜(絶縁層26.27)を用いて初期配向
させた強誘電性液晶28にメモリ性をもたせることがで
きる。
ところで、液晶板14を時分割駆動するときには、液晶
板14に構成されている液晶マイクロシャッタを複数の
組に分割して、おのおのの組単位に駆動パルスを印加す
るので、上述のように、直流的な駆動パルスを印加した
場合には、時分割駆動を実現できない。
板14に構成されている液晶マイクロシャッタを複数の
組に分割して、おのおのの組単位に駆動パルスを印加す
るので、上述のように、直流的な駆動パルスを印加した
場合には、時分割駆動を実現できない。
時分割駆動゛を実現するためには、第7図(a)に示す
ように、短いパルス幅の駆動パルスを用いる必要がある
。
ように、短いパルス幅の駆動パルスを用いる必要がある
。
しかしながら、本発明者の実験によれば、このようにパ
ルス幅の短い駆動パルスを印加したときには、同図(b
)のように、液晶板14の光オンオフ状態が駆動パルス
の立上り端と立下り端で切り換ることが観察され、液晶
板14のメモリ性が発現されない。
ルス幅の短い駆動パルスを印加したときには、同図(b
)のように、液晶板14の光オンオフ状態が駆動パルス
の立上り端と立下り端で切り換ることが観察され、液晶
板14のメモリ性が発現されない。
かかる現象は、次のようなことが理由であると考えられ
る。
る。
すなわち、第8図(a)のように、パルス幅が短く、ス
テップ的に立上り立ち下がる電圧を液晶板14に印加し
たとき、まず、その電圧の立上り端では、上述のように
液晶層内の電界が微分波形的に変化するので(同図(b
)参照)液晶シャッタが光オンする(同図(c)参照)
。
テップ的に立上り立ち下がる電圧を液晶板14に印加し
たとき、まず、その電圧の立上り端では、上述のように
液晶層内の電界が微分波形的に変化するので(同図(b
)参照)液晶シャッタが光オンする(同図(c)参照)
。
ここで、液晶層内の電界は、印加電圧が一定になってい
る間は徐々に減衰していくが、電界の大きさがOになる
前、すなわち、液晶層にメモリ性が発現される前に、印
加電圧がステップ的に立ち下がるので、その立下り端に
応じて逆方向の電界が生じる。
る間は徐々に減衰していくが、電界の大きさがOになる
前、すなわち、液晶層にメモリ性が発現される前に、印
加電圧がステップ的に立ち下がるので、その立下り端に
応じて逆方向の電界が生じる。
このとき、その逆方向の電界のエネルギー(第8図(b
)の斜線部分の面積)が、光オフするために充分に大き
ければ、その時点で液晶シャッタが光オフする。
)の斜線部分の面積)が、光オフするために充分に大き
ければ、その時点で液晶シャッタが光オフする。
このように、パルス幅が短く、かつ、立上り端および立
下り端がステップ的に変化する電圧が印加されたときに
は、液晶板14にメモリ性があられれる前に、光オフに
充分なエネルギーの逆極性の電界が印加されるので、光
オンの状態を維持できなくなる。また、光オフするとき
の場合についても、同様である。
下り端がステップ的に変化する電圧が印加されたときに
は、液晶板14にメモリ性があられれる前に、光オフに
充分なエネルギーの逆極性の電界が印加されるので、光
オンの状態を維持できなくなる。また、光オフするとき
の場合についても、同様である。
すなわち、このような電圧を印加したときに液晶シャッ
タの光オンが維持しないのは、その電圧の立下り端で逆
方向に大きな電界が印加されることが原因と考えること
ができる。
タの光オンが維持しないのは、その電圧の立下り端で逆
方向に大きな電界が印加されることが原因と考えること
ができる。
したがって、電圧の立下り端で印加される逆方向の電界
のエネルギーがあまり大きくなければ。
のエネルギーがあまり大きくなければ。
第8図(C)に一点鎖線で示すように液晶シャッタが完
全に光オフ状態にならず、その電界のエネルギーをさら
に小さくすると、同図に二点鎖線で示すように光オン状
態が維持されると考えられる。
全に光オフ状態にならず、その電界のエネルギーをさら
に小さくすると、同図に二点鎖線で示すように光オン状
態が維持されると考えられる。
さて、印加電圧の立下り端で液晶層に印加される電界の
エネルギーを小さくするには、次のようにすればよい。
エネルギーを小さくするには、次のようにすればよい。
すなわち、液晶層に印加される電界が印加電圧の微分波
形になっていることから、第9図(a)に示すように、
立下り端が傾斜をもって変化するような波形の電圧を印
加すると、同図(b)に示すように、その立下り端が原
因して液晶層内に発生する電界がOよりも小さくなるこ
とがない。
形になっていることから、第9図(a)に示すように、
立下り端が傾斜をもって変化するような波形の電圧を印
加すると、同図(b)に示すように、その立下り端が原
因して液晶層内に発生する電界がOよりも小さくなるこ
とがない。
したがって、このような波形の電圧を印加したときには
、それが除去された状態でも光オン/オフが維持される
ので(第9図(C)参照)、強誘電性液晶28のメモリ
性を発現することができる。
、それが除去された状態でも光オン/オフが維持される
ので(第9図(C)参照)、強誘電性液晶28のメモリ
性を発現することができる。
このような原理に基づいて、発明者が行なった実験によ
れば、第10図(a)に示すように立上り端がステップ
的に変化し、かつ、立下り端が傾斜をもって変化するよ
うな駆動パルス信号を液晶板14に印加したところ、同
図(b)に示すように、液晶板14がその駆動パルス信
号の立下り端では光オン/オフ状態を変化せず、液晶板
14にメモリ性をもたせることができることを確認した
。
れば、第10図(a)に示すように立上り端がステップ
的に変化し、かつ、立下り端が傾斜をもって変化するよ
うな駆動パルス信号を液晶板14に印加したところ、同
図(b)に示すように、液晶板14がその駆動パルス信
号の立下り端では光オン/オフ状態を変化せず、液晶板
14にメモリ性をもたせることができることを確認した
。
また、このように立下り端が傾斜をもつ駆動パルスは、
例えば、第11図に示すように、簡単な積分回路等によ
って形成することができる。なお、この回路では、駆動
パルスの立上り端もなまるが、その立上り端による電界
エネルギーが強誘電性液晶28の分子配向状態を切り換
えることができる程度に大きければ、問題はない。
例えば、第11図に示すように、簡単な積分回路等によ
って形成することができる。なお、この回路では、駆動
パルスの立上り端もなまるが、その立上り端による電界
エネルギーが強誘電性液晶28の分子配向状態を切り換
えることができる程度に大きければ、問題はない。
以上説明したように、配向膜によってTN型の液晶と同
様の方式で初期配向した強誘電性液晶28を使用した液
晶板14、すなわち、大量生産に適した液晶板14にメ
モリ性をもたせることができるので、液晶シャッタを時
分割駆動することができ、液晶板14を駆動するための
駆動回路の構成を簡単にす゛ ることかできる、したが
って、強誘電性液晶を用いて高速動作が可能な液晶マイ
クロシャッタアレイや液晶表示装置を、TN型の液晶を
用いた装置波に安価に実現することができる。
様の方式で初期配向した強誘電性液晶28を使用した液
晶板14、すなわち、大量生産に適した液晶板14にメ
モリ性をもたせることができるので、液晶シャッタを時
分割駆動することができ、液晶板14を駆動するための
駆動回路の構成を簡単にす゛ ることかできる、したが
って、強誘電性液晶を用いて高速動作が可能な液晶マイ
クロシャッタアレイや液晶表示装置を、TN型の液晶を
用いた装置波に安価に実現することができる。
なお、上述した実施例では、液晶板において、光マスク
をコモン電極側に配設しているが、セグメント電極側に
設けてもよい。
をコモン電極側に配設しているが、セグメント電極側に
設けてもよい。
また、セグメント電極およびコモン電極を構成する透明
電極材料としては、ITO膜等を用いることができる。
電極材料としては、ITO膜等を用いることができる。
また光マスクの材料としては金属を用いることができ、
エツチング、蒸着、あるいは、メッキ等によって形成さ
れる。
エツチング、蒸着、あるいは、メッキ等によって形成さ
れる。
さらに、上述した実施例における液晶シャッタの光オン
オフの態様は、強誘電性液晶の配向特性および偏光板の
変更特性等によって逆転させることもできる。
オフの態様は、強誘電性液晶の配向特性および偏光板の
変更特性等によって逆転させることもできる。
[効果コ
以上説明したように、本発明によれば、液晶板の液晶組
成物として強誘電性液晶を用い、その強誘電性液晶の分
子配向を配向膜(絶縁膜)によって実現することで、液
晶板を大量生産できるようにしている。また、このよう
な構造の強誘電性液晶にメモリ性を持たせるために、少
なくとも立下り端が傾斜をもつパルス信号を印加して液
晶シャッタをオンオフしている。その結果、製造コスト
を低減でき、メモリ性を実現でき、さらには、高速動作
が可能なる強誘電性液晶を用いた液晶シャッタ装置を実
現できるという利点を得る。
成物として強誘電性液晶を用い、その強誘電性液晶の分
子配向を配向膜(絶縁膜)によって実現することで、液
晶板を大量生産できるようにしている。また、このよう
な構造の強誘電性液晶にメモリ性を持たせるために、少
なくとも立下り端が傾斜をもつパルス信号を印加して液
晶シャッタをオンオフしている。その結果、製造コスト
を低減でき、メモリ性を実現でき、さらには、高速動作
が可能なる強誘電性液晶を用いた液晶シャッタ装置を実
現できるという利点を得る。
第1図は本発明の一実施例にかかる液晶シャッタプリン
タの概略構成図、第2図は光学系の一例を示した概略構
成図、第3図(a)は液晶板の断面図、同図(b)は液
晶板の平面図、第4図は液晶シャッタの等価回路図、第
5図は配向膜(絶縁層)の厚さと電界減衰の関係を示し
たグラフ図、第6図は液晶シャッタの動作例を説明する
ための波形図、第7図は駆動実験の一例を示す波形図、
第8図は液晶駆動の解析結果を説明するための波形図、
第9図はメモリ性をもたせるための駆動例を示す波形図
、第10図は駆動実験の他の例を示す波形図、第11図
は駆動パルスを形成するための波形整形回路の一例を示
す回路図、第12図は従来の駆動例を示す波形図である
。 14・・・液晶板、21.22・・・透明基板、23・
・・セグメント電極、24・・・コモン電極、25・・
・光マスク、26.27・・・絶縁層、28・・・強誘
電性液晶。 第1図 第2図 (b) 第4図 第6図 第7図 第8図 1) 、Ω
タの概略構成図、第2図は光学系の一例を示した概略構
成図、第3図(a)は液晶板の断面図、同図(b)は液
晶板の平面図、第4図は液晶シャッタの等価回路図、第
5図は配向膜(絶縁層)の厚さと電界減衰の関係を示し
たグラフ図、第6図は液晶シャッタの動作例を説明する
ための波形図、第7図は駆動実験の一例を示す波形図、
第8図は液晶駆動の解析結果を説明するための波形図、
第9図はメモリ性をもたせるための駆動例を示す波形図
、第10図は駆動実験の他の例を示す波形図、第11図
は駆動パルスを形成するための波形整形回路の一例を示
す回路図、第12図は従来の駆動例を示す波形図である
。 14・・・液晶板、21.22・・・透明基板、23・
・・セグメント電極、24・・・コモン電極、25・・
・光マスク、26.27・・・絶縁層、28・・・強誘
電性液晶。 第1図 第2図 (b) 第4図 第6図 第7図 第8図 1) 、Ω
Claims (1)
- 所定の間隔をおいて配置した一対の透明基板と、この透
明基板の対向する面に付設されてマイクロシャッタアレ
イを構成する一対の透明電極と、これらの透明電極間に
封入された強誘電性液晶と、少なくとも一方の上記透明
電極と上記強誘電性液晶の間に上記強誘電性液晶を配向
するために配設された絶縁膜と、上記透明基板の外側に
配設された一対の偏光板から液晶シャッタを構成し、こ
の液晶シャッタのうちオンオフ状態を反転するマイクロ
シャッタに対応した上記一対の透明電極に少なくとも立
下り端が傾斜をもつ駆動パルスを印加することを特徴と
する液晶シャッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30782986A JPS63161431A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 液晶シヤツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30782986A JPS63161431A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 液晶シヤツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63161431A true JPS63161431A (ja) | 1988-07-05 |
Family
ID=17973706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30782986A Pending JPS63161431A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 液晶シヤツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63161431A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61163324A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Canon Inc | 液晶セルの駆動方法 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP30782986A patent/JPS63161431A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61163324A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Canon Inc | 液晶セルの駆動方法 |
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