JPS63164013A - 磁気抵抗型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS63164013A JPS63164013A JP61312188A JP31218886A JPS63164013A JP S63164013 A JPS63164013 A JP S63164013A JP 61312188 A JP61312188 A JP 61312188A JP 31218886 A JP31218886 A JP 31218886A JP S63164013 A JPS63164013 A JP S63164013A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/398—Specially shaped layers
- G11B5/3987—Specially shaped layers with provision for closing the magnetic flux during operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜微細加工技術を駆使して、狭トラツク、狭
ギャップさらにはマルチトラック化を実現できる磁気抵
抗型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
ギャップさらにはマルチトラック化を実現できる磁気抵
抗型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
最近、磁気記録装置において、トラック密度の向上に伴
うトラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化など
から、再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼
ぶ）′ｆｆ：使った磁気抵抗型薄膜ヘッド（以後ＭＲヘ
ッドと呼ぶ）が広く使用されている。代表的構造を第３
図に示す。第３図においてフェライトなどの磁性基板１
ｏ上にＡｄ。
うトラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化など
から、再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼
ぶ）′ｆｆ：使った磁気抵抗型薄膜ヘッド（以後ＭＲヘ
ッドと呼ぶ）が広く使用されている。代表的構造を第３
図に示す。第３図においてフェライトなどの磁性基板１
ｏ上にＡｄ。
Ａｕ、Ｃｕ などのバイアス導体１１が配置される。
バイアス導体１１上には５ｉ０２ などの絶縁膜を介し
てパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）やＮ１−Ｇｏ金合金ど
で構成されるＭＲＥ１２が形成される。ＭＲＥ１２の形
状は短冊状であり、成膜方法としては磁場中蒸着法など
が使われ、そのトラック幅方向が磁化容易軸となるよう
に一軸磁気異方性を訪超せしめている。１３はフロント
ヨーク、１４はバックヨークでパーマロイ、センダスト
、アモルファス合金膜などの高透磁率を有する軟磁性膜
で形成される。フロントヨーク１３とバックヨーク１４
とによってＭＲＥ１２のほぼ中央上部に相互に分離され
たウィンド１６を形成する。ＭＲＫ１２の両端子にはＭ
ＲＩＣ：１２にセンス電流を流すリード端子１６．１７
が設けられる。以上の構成はいわゆるヨーク型ＭＲヘッ
ドと呼ばれるもので、磁気テープ１８に近接し、上記磁
気テープ１８に記録されている情報を読み出すものであ
る。
てパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）やＮ１−Ｇｏ金合金ど
で構成されるＭＲＥ１２が形成される。ＭＲＥ１２の形
状は短冊状であり、成膜方法としては磁場中蒸着法など
が使われ、そのトラック幅方向が磁化容易軸となるよう
に一軸磁気異方性を訪超せしめている。１３はフロント
ヨーク、１４はバックヨークでパーマロイ、センダスト
、アモルファス合金膜などの高透磁率を有する軟磁性膜
で形成される。フロントヨーク１３とバックヨーク１４
とによってＭＲＥ１２のほぼ中央上部に相互に分離され
たウィンド１６を形成する。ＭＲＫ１２の両端子にはＭ
ＲＩＣ：１２にセンス電流を流すリード端子１６．１７
が設けられる。以上の構成はいわゆるヨーク型ＭＲヘッ
ドと呼ばれるもので、磁気テープ１８に近接し、上記磁
気テープ１８に記録されている情報を読み出すものであ
る。
ＭＲＥ１２の動作は以下の通りである。即ち磁気テープ
１８からの信号磁束はフロントヨーク１３を通ってＭＲ
Ｅ１２に導かれ、ＭＲＥ１２の磁化を回転させ、これに
従ってＭＲＥ１２の抵抗が変化する。この時、ＭＲＥ１
２にリード端子１６．１７を通じてセンス電流Ｉｓを流
しておくとＭＲ１Ｃ１２の抵抗変化は電圧変化に変換さ
れ検知される。
１８からの信号磁束はフロントヨーク１３を通ってＭＲ
Ｅ１２に導かれ、ＭＲＥ１２の磁化を回転させ、これに
従ってＭＲＥ１２の抵抗が変化する。この時、ＭＲＥ１
２にリード端子１６．１７を通じてセンス電流Ｉｓを流
しておくとＭＲ１Ｃ１２の抵抗変化は電圧変化に変換さ
れ検知される。
一般にＭＲＥ１２の抵抗変化ΔＲは、センス電流工、の
向きと、ＭＲＥ１２の磁化の向きとが成す角度を０、最
大抵抗変化をΔＲｍａｘとした時ΔＲ−ΔＲｃｏｓＯ・
・・・・・（１）ｍ＆ｘ で表わせる。またＭＲＥ１２内の信号磁束” ｓ ｉ
ｇ。
向きと、ＭＲＥ１２の磁化の向きとが成す角度を０、最
大抵抗変化をΔＲｍａｘとした時ΔＲ−ΔＲｃｏｓＯ・
・・・・・（１）ｍ＆ｘ で表わせる。またＭＲＥ１２内の信号磁束” ｓ ｉ
ｇ。
ＭＲＥ１２の飽和磁束密度をＢｓとした時、近似的に
ｓｉｎθ”Ｂｓ１ｇ／Ｂｓ −−（２
）が成立し、（１）式、（２）式より ΔＲ＝ΔＲｍａｘ （’ （Ｂｓ１ｇ／ Ｂｓ ）
）が導かれる。即ち理論的にはＭＲＥ１２の抵抗変化
ΔＲは第４図のような抵抗変化を示す。ＭＲＥ１２の抵
抗変化による出力を高度化及び直線応答化する目的で、
磁気平衡点を第４図Ｂの位置にする必要がある。このた
めバイアス導体１１に直流バイアス電流が流され、これ
によって生じる磁界ヲハイアス磁界としている。
）が成立し、（１）式、（２）式より ΔＲ＝ΔＲｍａｘ （’ （Ｂｓ１ｇ／ Ｂｓ ）
）が導かれる。即ち理論的にはＭＲＥ１２の抵抗変化
ΔＲは第４図のような抵抗変化を示す。ＭＲＥ１２の抵
抗変化による出力を高度化及び直線応答化する目的で、
磁気平衡点を第４図Ｂの位置にする必要がある。このた
めバイアス導体１１に直流バイアス電流が流され、これ
によって生じる磁界ヲハイアス磁界としている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、高密度記録を実現する上で、トラック幅
を小さくしてトラック密度の増大を図ることが考えられ
る。この時ＭＲＥが微小パターン化されると不連続な磁
壁移動に起因するパルクツ・ウゼンノイズが生じ、再生
出力の品質劣化を招くと言う問題があった。即ち、消磁
状態のＭＲＩＣは多数の磁区を有しており、第６図はそ
の長手方向に磁化容易軸を有する短冊状のＭＲＩＣの磁
区構造の一例を示すものである。この例では、磁化容易
軸方向に互いに反平行の磁化を有する２つの主磁区２０
．２１と還流磁区と呼ばれる２つの磁区２２．２３ｉ有
し、ＭＲＫ全体としての磁化を有していない構造となっ
ている。この結果、磁気テープからの信号磁界がＭＲＩ
Ｃに作用すると、上記磁区が変則的な移動によるパルク
ツ・ウゼンノイズを発生する。この様子を第６図に示す
。同図において、Ｎ、〜Ｎ４はパルクツ・ウゼンノイズ
が発生している個所である。このバルクハウゼンノイズ
は広い周波数領域にわたるノイズ分布を有し、再生信号
のＳ／Ｎｉ劣化せしめる大きな要因となっていた。
を小さくしてトラック密度の増大を図ることが考えられ
る。この時ＭＲＥが微小パターン化されると不連続な磁
壁移動に起因するパルクツ・ウゼンノイズが生じ、再生
出力の品質劣化を招くと言う問題があった。即ち、消磁
状態のＭＲＩＣは多数の磁区を有しており、第６図はそ
の長手方向に磁化容易軸を有する短冊状のＭＲＩＣの磁
区構造の一例を示すものである。この例では、磁化容易
軸方向に互いに反平行の磁化を有する２つの主磁区２０
．２１と還流磁区と呼ばれる２つの磁区２２．２３ｉ有
し、ＭＲＫ全体としての磁化を有していない構造となっ
ている。この結果、磁気テープからの信号磁界がＭＲＩ
Ｃに作用すると、上記磁区が変則的な移動によるパルク
ツ・ウゼンノイズを発生する。この様子を第６図に示す
。同図において、Ｎ、〜Ｎ４はパルクツ・ウゼンノイズ
が発生している個所である。このバルクハウゼンノイズ
は広い周波数領域にわたるノイズ分布を有し、再生信号
のＳ／Ｎｉ劣化せしめる大きな要因となっていた。
本発明は、前記バルクハウゼンノイズの発生を除去し、
低ノイズ化を図ったＭＲヘッドを提供するものである。
低ノイズ化を図ったＭＲヘッドを提供するものである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のＭＲヘッドは、閉磁
路構造に極めて近い間隙Ｇを有するＭＲＥを形成し、さ
らに上記ＭＲＩＣにバイアス磁界を印加するためのバイ
アス導体形状をほぼ上記ＭＲＥ形状に近いものとし、Ｍ
ＲＫが完全にバイアス導体上に配置された構成となって
いる。
路構造に極めて近い間隙Ｇを有するＭＲＥを形成し、さ
らに上記ＭＲＩＣにバイアス磁界を印加するためのバイ
アス導体形状をほぼ上記ＭＲＥ形状に近いものとし、Ｍ
ＲＫが完全にバイアス導体上に配置された構成となって
いる。
作用
この構成によって本発明のＭＲＥ及びバイアス導体との
組合わせにより、バルクハウゼンノイズを大幅に低減す
ることができる。即ち、ＭＲＥはその長手方向の両端距
離が間隙Ｇを有する極めて閉磁路に近い構造であること
から、外部磁界が作用しない時、消磁状態では４つの磁
区にそれぞれ磁化を有し、ＭＲＥの４ケ所のコーナ部の
みに９００磁壁を発生する。この９０°磁壁は極めて安
定で外部磁界Ｈ６エがある所定の方向から印加されても
Ｈ６Ｘが磁気テープ上の信号磁界程度であれば移動する
ことはない。従って不連続な磁壁移動に起因するパルク
ツ・ウゼンノイズを除去することが可能である。
組合わせにより、バルクハウゼンノイズを大幅に低減す
ることができる。即ち、ＭＲＥはその長手方向の両端距
離が間隙Ｇを有する極めて閉磁路に近い構造であること
から、外部磁界が作用しない時、消磁状態では４つの磁
区にそれぞれ磁化を有し、ＭＲＥの４ケ所のコーナ部の
みに９００磁壁を発生する。この９０°磁壁は極めて安
定で外部磁界Ｈ６エがある所定の方向から印加されても
Ｈ６Ｘが磁気テープ上の信号磁界程度であれば移動する
ことはない。従って不連続な磁壁移動に起因するパルク
ツ・ウゼンノイズを除去することが可能である。
次にバイアス導体の形状作用について述べる。
ＭＲＩＣは例えばＮｉ−Ｆｅ合金から成る厚さ３００人
〜５００人の薄膜で形成され磁壁発生には、ＭＲＥの下
地表面の平滑性に極めて影響される。
〜５００人の薄膜で形成され磁壁発生には、ＭＲＥの下
地表面の平滑性に極めて影響される。
特にＭＲＥの下地に微細な段差や凹凸が存在すると、そ
の個所の上位面に位置するＭＲＥ内には複雑な磁壁が生
じることとなる。一般にＭＲヘッドではバイアス磁界用
のバイアス導体を絶縁膜をはさんでＭＲＫの下部面に形
成する必要がある。この時、ＭＲＥを下部面に投影した
時その一部がバイアス導体からはみ出すと、ＭＲＩＣの
はみ出し部には段差が発生する。本発明のバイアス導体
は、ＭＲＥＩ完全に包み込む形状で、はぼＭＲＥと相似
形状とし、ＭＲＫのはみ出しを防いでいる。
の個所の上位面に位置するＭＲＥ内には複雑な磁壁が生
じることとなる。一般にＭＲヘッドではバイアス磁界用
のバイアス導体を絶縁膜をはさんでＭＲＫの下部面に形
成する必要がある。この時、ＭＲＥを下部面に投影した
時その一部がバイアス導体からはみ出すと、ＭＲＩＣの
はみ出し部には段差が発生する。本発明のバイアス導体
は、ＭＲＥＩ完全に包み込む形状で、はぼＭＲＥと相似
形状とし、ＭＲＫのはみ出しを防いでいる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド
を示すものである。第１図において、強磁性フェライト
基板５０上の全面に、５ｉ０２などの絶縁膜６１が付着
されている。この絶縁膜５１上にリード端子５２ 、ｓ
３ｉ有するバイアス導体６４がバターニングされている
。バイアス導体５４の主要構成はリード端子部を除いて
直線部５５と、それぞれの一端を間隙ｇをへたてたＬ字
部５６．５７とから成っている。バイアス導体５４上に
絶縁膜（図示せず）を介してＭＲ１！：５Ｂが間隙Ｇｉ
有する極めて閉磁路に近い構造で形成されている。この
ＭＲＫ６８はバイアス導体５４上にはみ出すことなく直
線部５９と５字部６０゜６１を形成するようにパターニ
ングされている。
を示すものである。第１図において、強磁性フェライト
基板５０上の全面に、５ｉ０２などの絶縁膜６１が付着
されている。この絶縁膜５１上にリード端子５２ 、ｓ
３ｉ有するバイアス導体６４がバターニングされている
。バイアス導体５４の主要構成はリード端子部を除いて
直線部５５と、それぞれの一端を間隙ｇをへたてたＬ字
部５６．５７とから成っている。バイアス導体５４上に
絶縁膜（図示せず）を介してＭＲ１！：５Ｂが間隙Ｇｉ
有する極めて閉磁路に近い構造で形成されている。この
ＭＲＫ６８はバイアス導体５４上にはみ出すことなく直
線部５９と５字部６０゜６１を形成するようにパターニ
ングされている。
６２．６３はＭＲＥ５８へセンス電流を流すリード端子
である。ＭＲＫ５Ｂの形成手法は従来の短冊状のものと
同様に磁場中蒸着法音用い、材料はＮｉ−Ｆｅ合金であ
る。ＭＲ］１Ｃ５８の直線部５９は上記磁場中蒸着によ
り、磁化容易軸６４の方向がトラック幅方向と一致する
様に制御される。ＭＲＥｓｓの直線部５９の上部に絶縁
膜（図示せず）をはさんで、フロントヨーク６５とバッ
クヨーク６６のそれぞれの一端がＭＲＫ５８の直線部６
９にオーバーラツプする如く形成される。上記ヨーク材
には高透磁率を有する軟磁性膜としてパーマロイ、セン
ダスト、アモルファス合金膜なトカ使用される。トラッ
ク幅Ｔｗはフロントヨーク６５のバターニング時に設定
される０この後、パッジベージジン膜としての５１０２
膜やム１２０３膜或いはＳｉＯ膜（図示せず）が形成さ
れ、磁気テープとの摺動面が所定の形状に加工、ラッピ
ングされ、いわゆるヨーク型ＭＲヘッドが完成する。
である。ＭＲＫ５Ｂの形成手法は従来の短冊状のものと
同様に磁場中蒸着法音用い、材料はＮｉ−Ｆｅ合金であ
る。ＭＲ］１Ｃ５８の直線部５９は上記磁場中蒸着によ
り、磁化容易軸６４の方向がトラック幅方向と一致する
様に制御される。ＭＲＥｓｓの直線部５９の上部に絶縁
膜（図示せず）をはさんで、フロントヨーク６５とバッ
クヨーク６６のそれぞれの一端がＭＲＫ５８の直線部６
９にオーバーラツプする如く形成される。上記ヨーク材
には高透磁率を有する軟磁性膜としてパーマロイ、セン
ダスト、アモルファス合金膜なトカ使用される。トラッ
ク幅Ｔｗはフロントヨーク６５のバターニング時に設定
される０この後、パッジベージジン膜としての５１０２
膜やム１２０３膜或いはＳｉＯ膜（図示せず）が形成さ
れ、磁気テープとの摺動面が所定の形状に加工、ラッピ
ングされ、いわゆるヨーク型ＭＲヘッドが完成する。
以上の様に構成されたＭＲヘッドにおいて、磁気テープ
からの信号磁束はフロントヨーク６６→ＭＲＥ５８の直
線部５９→バツクヨーク６６→基板５０の経路で流れる
０この経路の中で、信号磁束がＭＲＦ、５８の直線部５
９’ｊｌｉ：横切ることで、ＭＲＥｓｓの抵抗変化を発
生させ、磁気テープに書き込まれた情報が検知される０
この時バイアス導体には、バイアス電流、ＭＲＩＣ：５
８にはセンス電流が加えられていることは言うまでもな
い０ＭＲＫ５８内でのセンス電流は、リード端子６２゜
６３により加えられるが、間隙（、（ｉ７有することが
らＭＲＩＣ：５Ｂの直線部５９のみに流れる。すなわち
ＭＲＩＣ６８の動作領域は直線部６９のみである。
からの信号磁束はフロントヨーク６６→ＭＲＥ５８の直
線部５９→バツクヨーク６６→基板５０の経路で流れる
０この経路の中で、信号磁束がＭＲＦ、５８の直線部５
９’ｊｌｉ：横切ることで、ＭＲＥｓｓの抵抗変化を発
生させ、磁気テープに書き込まれた情報が検知される０
この時バイアス導体には、バイアス電流、ＭＲＩＣ：５
８にはセンス電流が加えられていることは言うまでもな
い０ＭＲＫ５８内でのセンス電流は、リード端子６２゜
６３により加えられるが、間隙（、（ｉ７有することが
らＭＲＩＣ：５Ｂの直線部５９のみに流れる。すなわち
ＭＲＩＣ６８の動作領域は直線部６９のみである。
ＭＲＫ５Ｂの下部面には絶縁膜をはさんでバイアス導体
５４が設置されている。リード端子５２゜６３により直
流のバイアス電流を流すことで、ＭＲＥ６Ｂへのバイア
ス磁界を発生せしめ、ＭＲＥｓｓの直線部６９の感度と
直線性の向上を図っている。この時バイアス電流はバイ
アス導体５４の間隙ｇの存在により直線部５５のみに流
れ、５字部６６．５７には流れない。このバイアス導体
５４の形状により、ＭＲＫ５Ｂの下地は平坦化される。
５４が設置されている。リード端子５２゜６３により直
流のバイアス電流を流すことで、ＭＲＥ６Ｂへのバイア
ス磁界を発生せしめ、ＭＲＥｓｓの直線部６９の感度と
直線性の向上を図っている。この時バイアス電流はバイ
アス導体５４の間隙ｇの存在により直線部５５のみに流
れ、５字部６６．５７には流れない。このバイアス導体
５４の形状により、ＭＲＫ５Ｂの下地は平坦化される。
さらにＭＲＫ５Ｂがバイアス導体６４の形状寸法からは
み出すことがなければ、ＭＲＥｓｓには段差や凹凸が発
生せず、第２図に示したような安定な磁壁構造となる。
み出すことがなければ、ＭＲＥｓｓには段差や凹凸が発
生せず、第２図に示したような安定な磁壁構造となる。
以上の構造により、ＭＲＫ５８の直線部６９には磁壁を
有していないから、パルクツ・ウゼンノイズは除去され
良好な再生信号が得られる。またバイアス導体５４及び
ＭＲＥ５８にはそれぞれ閉回路に近い形状となっている
が、その回路の一部に間隙ｇｒｃｚｋ有している。この
結果バイアス電流。
有していないから、パルクツ・ウゼンノイズは除去され
良好な再生信号が得られる。またバイアス導体５４及び
ＭＲＥ５８にはそれぞれ閉回路に近い形状となっている
が、その回路の一部に間隙ｇｒｃｚｋ有している。この
結果バイアス電流。
センス電流は、５字部６０．６１には流れず、直線部５
９のみに流れ、ＭＲＥ５Ｂの直線部５９における実効的
動作領域の抵抗変化効率とバイアス効率を高めることが
できる。
９のみに流れ、ＭＲＥ５Ｂの直線部５９における実効的
動作領域の抵抗変化効率とバイアス効率を高めることが
できる。
なお本実施例は１トラツク構成で説明したが、複数トラ
スフ構造においても同様な効果が得られる０ 発明の効果 本発明は、閉磁路に極めて近い微小間隙を有するＭＲＥ
と、この形状を投影した状態において上記ＭＲＥをはみ
出すことなく、その下部面にバイアス導体を配置するこ
とにより、ＭＲＥ内の動作領域に磁壁の発生を防ぐこと
ができる。従って磁気テープから信号磁界が加わっても
、ＭＲＥ内の不連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズが発生せず、高Ｓ／Ｈの再生信号が得られる。
スフ構造においても同様な効果が得られる０ 発明の効果 本発明は、閉磁路に極めて近い微小間隙を有するＭＲＥ
と、この形状を投影した状態において上記ＭＲＥをはみ
出すことなく、その下部面にバイアス導体を配置するこ
とにより、ＭＲＥ内の動作領域に磁壁の発生を防ぐこと
ができる。従って磁気テープから信号磁界が加わっても
、ＭＲＥ内の不連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズが発生せず、高Ｓ／Ｈの再生信号が得られる。
第１図は本発明の一実施例における磁気抵抗型薄膜磁気
ヘッドの斜視図、第２図はＭＲＴ！−とバイアス導体の
形状とＭＲＥ内の消磁時の磁壁及び磁化状態の概要を示
す平面図、第３図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図、第４図はＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示
す理論特性図、第６図は従来の短冊状ＭＲＫの消磁時の
磁化状態の一例を示す平面図、第６図はパルクツ・ウゼ
ンノイズを発生する微小パターンＭＲＥの磁界強度と抵
抗変化を示す特性図である。 ６０・・・・・・基板、５４・・・・・・バイアス導体
、５８・・・・・・磁気抵抗素子、５５．６９・・・・
・・直線部、６６゜５７．８０．６１・・・・・・Ｌ字
部、６２．６３・・・・・・リード７４４子、６５−フ
ロントヨーク、６６・・・・・・バックヨーク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名５θ
−基板 乞−゛バイアス譚ネト ６５°°−フロントヨーク 第４図 第５図 ２：／ ２θ
ヘッドの斜視図、第２図はＭＲＴ！−とバイアス導体の
形状とＭＲＥ内の消磁時の磁壁及び磁化状態の概要を示
す平面図、第３図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図、第４図はＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示
す理論特性図、第６図は従来の短冊状ＭＲＫの消磁時の
磁化状態の一例を示す平面図、第６図はパルクツ・ウゼ
ンノイズを発生する微小パターンＭＲＥの磁界強度と抵
抗変化を示す特性図である。 ６０・・・・・・基板、５４・・・・・・バイアス導体
、５８・・・・・・磁気抵抗素子、５５．６９・・・・
・・直線部、６６゜５７．８０．６１・・・・・・Ｌ字
部、６２．６３・・・・・・リード７４４子、６５−フ
ロントヨーク、６６・・・・・・バックヨーク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名５θ
−基板 乞−゛バイアス譚ネト ６５°°−フロントヨーク 第４図 第５図 ２：／ ２θ
Claims (2)
- （１）基板上に強磁性金属材料から成る磁気抵抗素子と
前記磁気抵抗素子にセンス電流を流す一対のリード端子
と、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス導体とを具備し、磁気記録媒体からの信号磁束を前記
磁気抵抗素子の抵抗変化として検知するための磁気ヘッ
ドであって、前記磁気抵抗素子はその長手方向の両端が
微小間隙Ｇを有する極めて閉磁路に近い形状となし、か
つ絶縁膜を挾んで前記バイアス導体上に設置されている
ことを特徴とする磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。 - （２）磁気抵抗素子の微小間隙部の下面に位置するバイ
アス導体路に微小間隙ｇ（≦Ｇ）を有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗型薄膜磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312188A JPS63164013A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312188A JPS63164013A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164013A true JPS63164013A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18026275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312188A Pending JPS63164013A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0505041A3 (en) * | 1991-03-20 | 1993-09-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic sensor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196417A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312188A patent/JPS63164013A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196417A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0505041A3 (en) * | 1991-03-20 | 1993-09-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic sensor |
| US5351027A (en) * | 1991-03-20 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic sensor |
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