JPS63164277A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS63164277A JPS63164277A JP61126024A JP12602486A JPS63164277A JP S63164277 A JPS63164277 A JP S63164277A JP 61126024 A JP61126024 A JP 61126024A JP 12602486 A JP12602486 A JP 12602486A JP S63164277 A JPS63164277 A JP S63164277A
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- JP
- Japan
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- electrode
- amorphous
- layer
- solar cells
- screen printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は同一基板上に複数個の太陽電池を形成し、かつ
スクリーン印刷による第２電極により冨１電極との間を
電気的に直列接続する太陽電池の製造方法に関するもの
である。
スクリーン印刷による第２電極により冨１電極との間を
電気的に直列接続する太陽電池の製造方法に関するもの
である。
従来の技術
同一基板上に複数個の太陽電池を形成する方法は、従来
からレーザー加工法、ホトエツチング法、メタルマスク
法などを用いてなされている。ホトエツチング法やメタ
ルマスク法ではレジスト塗付、露光、現象、エツチング
など多くの工程を必要とすること、マスクの保守に手間
がかがること及び被加工物とメタルマスク又はレジスト
が直接接触して被加工物を損傷させるなど太陽電池の製
造工程上不利な点が多い。一方レーザー加工法はマスク
レス方式により直接被加工物を加工できるために工程も
簡単になる。またスクリーン印刷法によ。
からレーザー加工法、ホトエツチング法、メタルマスク
法などを用いてなされている。ホトエツチング法やメタ
ルマスク法ではレジスト塗付、露光、現象、エツチング
など多くの工程を必要とすること、マスクの保守に手間
がかがること及び被加工物とメタルマスク又はレジスト
が直接接触して被加工物を損傷させるなど太陽電池の製
造工程上不利な点が多い。一方レーザー加工法はマスク
レス方式により直接被加工物を加工できるために工程も
簡単になる。またスクリーン印刷法によ。
る電極の形成法もホトエツチング法のようなエツチング
工程がないことから、工程上簡単な方法である。
工程がないことから、工程上簡単な方法である。
従来太陽電池の形成方法としては、上記のようなレーザ
ー加工法、ホトエツチング法、メタルマスク法などで行
なわれていた。
ー加工法、ホトエツチング法、メタルマスク法などで行
なわれていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしレーザー加工法で第１電極、非晶質ＳＬ層、第２
電極を順次加工する工程で、特に非晶質Ｓｉ上に形成し
た第２電甑の膜厚が５０００人程度である場合には、こ
の第２電極にレーザーを照射して溶融し、蒸発除去する
場合に第２電極の熱容量と熱伝導率が大きいために蒸発
除去する第２電極周辺の非晶質Ｓ１層が高温になり、結
晶化して伝導率が高くなり、レーザー照射した付近で太
陽電池の漏れ電流の増大を生じ、その結果として太陽電
池の変換効率を低下させるという問題点があった。本発
明はこのような問題点を解決するもので、第２電極をス
クリーン印刷により形成するものである。
電極を順次加工する工程で、特に非晶質Ｓｉ上に形成し
た第２電甑の膜厚が５０００人程度である場合には、こ
の第２電極にレーザーを照射して溶融し、蒸発除去する
場合に第２電極の熱容量と熱伝導率が大きいために蒸発
除去する第２電極周辺の非晶質Ｓ１層が高温になり、結
晶化して伝導率が高くなり、レーザー照射した付近で太
陽電池の漏れ電流の増大を生じ、その結果として太陽電
池の変換効率を低下させるという問題点があった。本発
明はこのような問題点を解決するもので、第２電極をス
クリーン印刷により形成するものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は第１電極と非晶質
Ｓ土層の独立分離をそれぞれレーザー照射で行ない、第
２電極の形成をスクリーン印刷により行なったものであ
る。
Ｓ土層の独立分離をそれぞれレーザー照射で行ない、第
２電極の形成をスクリーン印刷により行なったものであ
る。
作用
このような構成により形成した太陽電池は、非晶質Ｓｉ
層の結晶化に伴う高伝導率化の防止による漏れ電流の増
大を低下させ、太陽電池の変換効率特性を向上させるも
のである。
層の結晶化に伴う高伝導率化の防止による漏れ電流の増
大を低下させ、太陽電池の変換効率特性を向上させるも
のである。
実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
図中２Ｌ ％ ８は本発明の製造方法における工程順序
毎の太陽電池の構造断面図である。同図において、ガラ
ス等の透光性絶縁基板１上に第１電極となる透光性導電
膜２を膜厚１０００人稈度で形成する。その形成方法は
酸化インジウムを電子ビーム蒸着法やスパッタ蒸着法で
蒸着すればよく、形成後にこの第１電極２をＹＡＧレー
ザーで部分的に除去し、除去部分６を形成して複数個の
透光性導電膜２に分離する。次に非晶質Ｓ１層３をプラ
、（マＣＶＤ法でシラン（ＳｉＨ４）、ジボラ：／（Ｂ
２Ｈ６）。
毎の太陽電池の構造断面図である。同図において、ガラ
ス等の透光性絶縁基板１上に第１電極となる透光性導電
膜２を膜厚１０００人稈度で形成する。その形成方法は
酸化インジウムを電子ビーム蒸着法やスパッタ蒸着法で
蒸着すればよく、形成後にこの第１電極２をＹＡＧレー
ザーで部分的に除去し、除去部分６を形成して複数個の
透光性導電膜２に分離する。次に非晶質Ｓ１層３をプラ
、（マＣＶＤ法でシラン（ＳｉＨ４）、ジボラ：／（Ｂ
２Ｈ６）。
ホスフィン（ＰＨ，）の各ガスの単体又はこれらの混合
ガスを分解堆積して膜厚約５０００人に形成する。非晶
質Ｓｉ層層形形成後ＹＡＧレーザ一部分的に除去して除
去部分７を形成し複数個の非晶質Ｓ１層３に分離する。
ガスを分解堆積して膜厚約５０００人に形成する。非晶
質Ｓｉ層層形形成後ＹＡＧレーザ一部分的に除去して除
去部分７を形成し複数個の非晶質Ｓ１層３に分離する。
この時にＹＡＧレーザーで照射されたＳｌはＳｉの熱伝
導率が低いので、周辺部に熱は広がらない。次に第２電
極４をスクリーン印刷で形成する。第２電極４の素材と
して五ｇ。
導率が低いので、周辺部に熱は広がらない。次に第２電
極４をスクリーン印刷で形成する。第２電極４の素材と
して五ｇ。
Ｎｉ ノ粉末又はＣ粉末をバインダーでペースト状にし
て印刷形成する。印刷膜厚は約２０μである。
て印刷形成する。印刷膜厚は約２０μである。
第２電極４の形成時に、各々分離した太陽電池の第１電
極２と隣接する太陽電池の第２電極４の間において、第
２電極４の延長部分６と直列接続できるようにパターン
形成する。このように第１電極２．非晶質Ｓｉ層３はＹ
ＡＧレーザーで分離独立させ、第２電極４はスクリーン
印刷で形成することで、同一基板上で複数個の太陽電池
を製作かつ直列接続できるものである。
極２と隣接する太陽電池の第２電極４の間において、第
２電極４の延長部分６と直列接続できるようにパターン
形成する。このように第１電極２．非晶質Ｓｉ層３はＹ
ＡＧレーザーで分離独立させ、第２電極４はスクリーン
印刷で形成することで、同一基板上で複数個の太陽電池
を製作かつ直列接続できるものである。
発明の効果
本発明では上記に記載したようにレーザー加工法とスク
リーン印刷法によるハイブリッド形成方法で、従来より
も簡単な１稈でかつ変換効率を低下させないで非晶質Ｓ
ｉ太陽電池が形成できる。
リーン印刷法によるハイブリッド形成方法で、従来より
も簡単な１稈でかつ変換効率を低下させないで非晶質Ｓ
ｉ太陽電池が形成できる。
図は本発明の製造方法による太陽電池の工程順序毎の構
造断面図である。 １・・・・・・透光性絶縁基板、２・・・・・・第１電
極、３・・・・・・非晶質Ｓｉ層、４・・・・・・第２
電罹、６・・・・・・第２電極４の延長接続部分、６・
・・・・・ＹＡＧレーザーでの第１電極の除去部分、ア
・・・・・・ＹＡＧレーザーでの非晶質Ｓｉ層の除去部
分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名３・
−杆晶賀δ３竜 畔・・・琴２曵礒 Ｓ・−−−４祷表ｇ分 ”−７４ＧＬ−デーと１本１吃罹４にΣ坪分””
” １ｒ：、５４３ｔｈ ９手続補正書（
方式） 昭和６３手ヌ月ｌ、？ａ
造断面図である。 １・・・・・・透光性絶縁基板、２・・・・・・第１電
極、３・・・・・・非晶質Ｓｉ層、４・・・・・・第２
電罹、６・・・・・・第２電極４の延長接続部分、６・
・・・・・ＹＡＧレーザーでの第１電極の除去部分、ア
・・・・・・ＹＡＧレーザーでの非晶質Ｓｉ層の除去部
分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名３・
−杆晶賀δ３竜 畔・・・琴２曵礒 Ｓ・−−−４祷表ｇ分 ”−７４ＧＬ−デーと１本１吃罹４にΣ坪分””
” １ｒ：、５４３ｔｈ ９手続補正書（
方式） 昭和６３手ヌ月ｌ、？ａ
Claims (1)
- 透光性絶縁基板上に、第１電極、非晶質Ｓｉ層、第２電
極からなる複数個の非晶質Ｓｉ太陽電池を独立分離して
並列形成し、これら複数個の太陽電池を電気的に直列接
続する工程において、第１電極、非晶質Ｓｉ層の独立分
離はそれぞれレーザーにより、又第２電極の形成はスク
リーン印刷で行なうことによりこの第２電極と隣接する
太陽電池の第１電極が直列接続するように第２電極を形
成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126024A JPS63164277A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126024A JPS63164277A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164277A true JPS63164277A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=14924815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61126024A Pending JPS63164277A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164277A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177663A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Lg Display Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| KR101000380B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-12-13 | 한국철강 주식회사 | 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법 |
| KR101000383B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-12-13 | 한국철강 주식회사 | 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61126024A patent/JPS63164277A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101000380B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-12-13 | 한국철강 주식회사 | 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법 |
| KR101000383B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-12-13 | 한국철강 주식회사 | 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법 |
| JP2010177663A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Lg Display Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US8361826B2 (en) | 2009-01-30 | 2013-01-29 | Lg Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film solar cell |
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