JPS6316443A - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報の記録特性、耐食性と共に磁性膜間の交
換結合が改善された光磁気メモリ用媒体に関する。

〔従来の技術〕

希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気メモリは、
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭５７−７８６５２号）。従来の
交換結合二層膜では、記録層にはＴｂ−Ｆｅ、　　Ｄｙ
−Ｆｅ、読み出し層にはＧｄ−Ｆｅ　％Ｇｄ−ＦｅＪ：
ｏなどが用いられていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

光磁気メモリでは、レーザー光の熱作用を利用して情報
を記録するので、その磁性膜のキュリー温度が低いほど
記録感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記録
感度を決めるものは記録層のキュリー温度であるので、
記録層のキュリー温度を下げれば記録感度が高くなる。

しかし、記録情報の安定性や光磁気メモリ用ドライブ装
置の機内温度（〉５０℃）などから考えると、記録層の
キュリー温度は１００℃程度が望ましい。この点から考
えると、従来記録層として用いられていたＴｂ−Ｆｅは
キュリ〒温度が約１３０℃とやや高く、Ｄｙ−Ｆｅは約
７０℃とやや低く、実用的には最適なキュリー温度であ
るとはいえない。

さらに、光磁気メモリの実用化においては、その磁性膜
の耐食性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄
族非晶質合金薄膜では、鉄族元素としてＧｏを多量に含
むほど耐食性が改善されることがわかっている。交換結
合二層磁性膜では、その読み出し層にはＧｄ−Ｆｅ−Ｇ
ｏを用いることができ、Ｇｏの濃度を高くして、読み出
し特性の改善とともに耐食性の改善を行なうことができ
る。しかし、その記録層にはＴｂ−ＦｅやＤｙ−Ｆｅが
用いられていて、これにＧｏを添加すると少量でもキュ
リー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くなる欠点があ
った。

本発明は、上記従来の欠点を改良するためになされたも
のであり、その目的は記録層としてＴｂ−Ｄｙ−Ｆｅを
用い、読み出し層にＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏを用いて、記録層
を読み出し層ではさんで、記録特性、耐食性と共に交換
結合を改善した光磁気メモリ用媒体を提供することにあ
る。

（問題点を解決するための手段〕 上記目的達成可能な本発明は室温において高い保磁力と
低いキュリー温度を有する記録層を、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層ではさんだ交換結合を
した三層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体
であって、前記記録層がＴｂ−Ｄｙ−Ｆｅであり、前記
読み出し層かＧｄ−Ｆｅ−Ｇ。

であることを特徴とする光磁気メモリ用媒体である。

以下に、従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の違いに
ついて詳しく説明する。

まず、両媒体の記録層のキュリー点の差異について述べ
る。従来の媒体の記録層としては、Ｔｂ−Ｆｅ、　Ｄｙ
−Ｆｅなどが使用されていたが、前述したようにＴｂ−
Ｆｅはキュリー温度が約１３０℃とやや高く、　Ｄｙ−
Ｆｅは約７０℃とやや低い。そこで、（Ｔｂ＋−ｘＤｙ
ｘ）−Ｆｅ　　（０≦×≦１）で示される磁性膜を種々
作製したところ、そのキュリー温度ＴｃとＤｙの原子数
比Ｘとの間にはほぼ Ｔｃ　＝　　１３０（１−ｘ）＋７０ｘ　　（℃）とい
う関係が得られた。したがって、ｘ　＝　０．５とすれ
ばキュリー温度は約１００℃となり、Ｔｂ−Ｆｅよりも
キュリー温度が砥く、Ｄｙ−Ｆｅよりも温度安定性に優
れた磁性膜が得られる。この知見に基づきＴｂ、Ｄｙ及
びＦｅを含む磁性膜を本発明の光磁気メモリ用媒体の記
録層として用いたのである。

キュリー温度の最適値は使用するレーザーのパワー、光
学系の構成、媒体の構成、ディスクの回転数、ディスク
の直径などによって例えば９０．１１０℃のように　１
００℃から多少ずれることもあるが、その場合にも、そ
のキュリー点となるようにＸの値を適宜選べばよい。ま
た、本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層のキュリー点
を、従来の媒体の記録層が示すキュリー点と同じような
値にすることもできる。しかし、一般的には媒体の記録
感度が高は九ば、使用するレーザーのパワーが小さくて
すみ、光学系も簡単となるので安価となり、また、外乱
による記録パワーの変動に対しても安定に記録されるの
で信頼性が高くなる。したがって、記録感度はなるべく
高くなるようにキュリー点は低くするのが望ましいが、
温度に対する安定性から考えるとキュリー温度は高いほ
うが良いので設定すべきキュリー点は９０〜１２０℃が
好ましい。

次に従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層の耐
食性の差異について述べる。希土類−鉄族非晶質合金薄
膜から成る磁性膜の腐食過程には、膜中に存在する遊離
酸素が主に希土類元素と結合し酸化されたり、磁性膜と
保護膜の界面を通して酸素や水分が膜中に拡散し酸化さ
れることなどが考えられる。このうちの前者に関しては
、スパッタリングにおけるターゲットや蒸着における蒸
発源の中の酸素濃度を減らしたり、真空装置の残留ガス
圧、Ａｒガス中の不純物を減らすことによりかなり改善
される。一方、後者については、緻密で酸素を含まない
保護膜によってかなり抑えられるものの、磁性膜そのも
のの耐食性の改善が望まれる。特に、基板にプラスチッ
クを用いる場合には、基板にある程度の吸水性があり、
保護膜だけでなく磁性膜の耐食性の改善が特に望まれる
。

交換結合二層磁性膜では、その読み出し層はキュリー点
が高くてよいのでＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏを用いることができ
、Ｃｏの濃度を高くして耐食性の改善を行なうことがで
きる。しかし、従来の媒体の記録層にはＴｂ−ＦｅやＤ
ｙ−Ｆｅが用いられていて、これにＧｏを添加すると少
量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くな
る欠点があった。

本発明では、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅの記録層を、耐食性の良
い読み出し層の　Ｇｄ−Ｆｅ−Ｇｏではさむことによっ
て、磁性層と保護層の界面からの腐食に対して改善を行
なったものである。

また、交換結合二層磁性膜では、磁性膜間の交換結合の
大きさが媒体の特性を大きく左右するが、交換結合の大
きさは作製時の到達真空圧の違いによってかなり変動す
る。これは、磁性膜を作製してから次の磁性膜を作製す
るまでの間に界面に吸着した残留ガスの影響であり、こ
の影響は耐食性を改善することによってかなり改善され
る。

したがって、耐食性の改善された記録層を用いた本発明
の光磁気メモリ用媒体は、単に媒体の経時変化の改善の
みならず、交換結合の向上にも効果がある。

本発明の光磁気メモリ媒体は磁性膜を上記のように構成
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に、光を有
効に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保
護機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望
に応じて任意に配設されてよい。

〔実施例〕

実施例１ 通常のスパッタリング法を用いて、従来例と本発明の、
　１３０ｍｍφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製
し、記録感度の実験を行った。従来例において磁性膜は
Ｇｄ−Ｆｅ−にｏ　（Ｇｄ　：　Ｆｅ　：　Ｃｏ＝　＋
８　：　６２　：２０、膜厚５００人）の読み出し層と
、　Ｔｂ−Ｆｅ　（Ｔｂ　：Ｆｅ＝　２２　：　７８、
膜厚５００人）の記録層との二層膜とし、本発明におけ
るものの磁性膜は、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｇ。

（Ｇｄ：　Ｆｅ：　（：ｏ＝＋８：　６２：　２０、膜
厚３００人）の読み出し層で、（Ｔｂ＋−ｘＤｙｘ）−
Ｆｅ　（ｘ＝　０．５　、膜厚４００人）の記録層をは
さんだ三層膜とした。基板にはポリカーボネートを用い
た。

回転数１８００ｒｐｍで、従来例の媒体の記録には０レ
ーザーパワー４　、９＋ｎＷ、バイアス磁界２０００ｅ
が必要であったが、本発明のものはレーザーパワー４．
２　ｍＷ、バイアス磁界２０００ｅで記録が可能であり
記録特性が改善された。

また、１規定のＮａ（：１水溶液を用いた耐食性の試験
では、従来例では１５分間浸した後には、目視でかなり
のピンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピ
ンホールの発生は見られなかった。

交換結合の測定は、誤差をかなり含むので正確な値とし
ては求められなかったが、本発明の方が従来例より約１
．５倍はど向上するという傾向があった。

（発明の効果） 以上説明したように、記録層にＴｂ−Ｄｙ−Ｆｅを用い
、読み出し層にＧｄ−Ｆｅ−（：ｏを用いて、記録層を
読み出し層ではさんだ本発明の光磁気メモリ用媒体によ
り、記録特性、耐食性と共に交換結合が改善された。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）室温において高い保磁力と低いキュリー温度を有す
   る記録層を、低い保磁力と高いキュリー温度を有する読
   み出し層ではさんだ交換結合をした三層構造の磁性膜を
   有して成る光磁気メモリ用媒体であって、前記記録層が
   Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅであり、前記読み出し層がＧｄ−Ｆｅ
   −Ｃｏであることを特徴とする光磁気メモリ用媒体。