JPS6318545A - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents
光磁気メモリ用媒体Info
- Publication number
- JPS6318545A JPS6318545A JP15972386A JP15972386A JPS6318545A JP S6318545 A JPS6318545 A JP S6318545A JP 15972386 A JP15972386 A JP 15972386A JP 15972386 A JP15972386 A JP 15972386A JP S6318545 A JPS6318545 A JP S6318545A
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- Japan
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- layer
- magneto
- recording
- optical memory
- memory medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、情報の記録特性、耐食性と共に磁性膜間の交
換結合が改善された光磁気メモリ用媒体に関する。
換結合が改善された光磁気メモリ用媒体に関する。
（従来の技術〕
希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気メモリは、
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭５７−７８６５２号）。従来の
交換結合二層膜では、記録層にはＴｂ−Ｆｅ、 Ｄｙ
−Ｆｅ、読み出し層にはＧｄ−Ｆｅ ％Ｇｄ−Ｆｅ−Ｇ
ｏなどが用いられティた。
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭５７−７８６５２号）。従来の
交換結合二層膜では、記録層にはＴｂ−Ｆｅ、 Ｄｙ
−Ｆｅ、読み出し層にはＧｄ−Ｆｅ ％Ｇｄ−Ｆｅ−Ｇ
ｏなどが用いられティた。
（発明が解決しようとする問題点）
光磁気メモリでは、レーザー光の熱作用を利用して情報
を記録するので、その磁性膜のキュリー温度が低いほど
記録感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記録
感度を決めるものは記録層のキュリー温度であるので、
記録層のキュリー温度を下げれば記録感度が高くなる。
を記録するので、その磁性膜のキュリー温度が低いほど
記録感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記録
感度を決めるものは記録層のキュリー温度であるので、
記録層のキュリー温度を下げれば記録感度が高くなる。
しかし、記録情報の安定性や光磁気メモリ用ドライブ装
置の機内温度（〉５０℃）などから考えると、記録層の
キュリー温度は１００℃程度が望ましい。この点から考
えると、従来記録層として用いられていたＴｂ−Ｆｅは
キュリー温度が約１３０℃とやや高く、Ｄｙ−Ｆｅは約
７０℃とやや低く、実用的には最適なキュリー温度であ
るとはいえない。
置の機内温度（〉５０℃）などから考えると、記録層の
キュリー温度は１００℃程度が望ましい。この点から考
えると、従来記録層として用いられていたＴｂ−Ｆｅは
キュリー温度が約１３０℃とやや高く、Ｄｙ−Ｆｅは約
７０℃とやや低く、実用的には最適なキュリー温度であ
るとはいえない。
さらに、光磁気メモリの実用化においては、その磁性膜
の耐食性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄
族非晶質合金薄膜では、鉄族元素としてＧｏを多量に含
むほど耐食性が改善されることがわかっている。交換結
合二層磁性膜では、その読み出し層にはＧｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏを用いることができ、Ｇｏの濃度を高くして、読み出
し特性の改善とともに耐食性の改善を行なうことができ
る。しかし、その記録層にはＴｂ−ＦｅやＤｙ−Ｆｅが
用いられていて、これにＣＯを添加すると少量でもキュ
リー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くなる欠点があ
った。
の耐食性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄
族非晶質合金薄膜では、鉄族元素としてＧｏを多量に含
むほど耐食性が改善されることがわかっている。交換結
合二層磁性膜では、その読み出し層にはＧｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏを用いることができ、Ｇｏの濃度を高くして、読み出
し特性の改善とともに耐食性の改善を行なうことができ
る。しかし、その記録層にはＴｂ−ＦｅやＤｙ−Ｆｅが
用いられていて、これにＣＯを添加すると少量でもキュ
リー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くなる欠点があ
った。
本発明は、上記従来の欠点を改良するためになされたも
のであり、その目的は記録層としてＲ−ＦｅＣｏ−Ｍ
（Ｒ＝Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｍ＝Ｃｒ、 Ａｌ）を用い、読
み出し層にＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏを用いて、記録特性、耐食
性と共に交換結合を改善した光磁気メモリ用媒体を提供
することにある。
のであり、その目的は記録層としてＲ−ＦｅＣｏ−Ｍ
（Ｒ＝Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｍ＝Ｃｒ、 Ａｌ）を用い、読
み出し層にＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏを用いて、記録特性、耐食
性と共に交換結合を改善した光磁気メモリ用媒体を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段〕
上記目的達成可能な本発明は室温において高い保磁力と
低いキュリー温度を有する記録層と、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層からなる交換結合をし
た二層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体に
おいて、前記記録層がＲ−ＦｅＣｏ−Ｍであり、前記読
み出し層がＧｄ−Ｆｅ−Ｇ。
低いキュリー温度を有する記録層と、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層からなる交換結合をし
た二層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体に
おいて、前記記録層がＲ−ＦｅＣｏ−Ｍであり、前記読
み出し層がＧｄ−Ｆｅ−Ｇ。
であることを特徴とする光磁気メモリ用媒体（ただし、
ＲはＴｂ及びＤｙから選ばれる１種または２種の元素で
あり、ＭはＣｒ及びＡｌから選ばれる１種の元素である
。）である。
ＲはＴｂ及びＤｙから選ばれる１種または２種の元素で
あり、ＭはＣｒ及びＡｌから選ばれる１種の元素である
。）である。
以下に、従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の違いに
ついて詳しく説明する。
ついて詳しく説明する。
まず、両媒体の記録層のキュリー点の差異について述べ
る。従来の媒体の記録層としては、Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｄｙ
−Ｆｅなどが使用されていたが、前述したようにＴｂ−
Ｆｅはキュリー温度が約１３０℃とやや高く、 Ｄｙ−
Ｆｅは約７０℃とやや低い。そこで、（（Ｔｂ＋−ｘ
ＤｙＸ ）−（Ｆｅ、、Ｃｏｙ ））＋−ｚＭｚ ［
０≦Ｘ≦１．０≦ｙ≦０．３． Ｏ≦２≦０．１（Ｃｒ
）、 Ｏ≦２≦０．２（Ａｌ）］で示される磁性膜を種
々作製したところ、そのキュリー温度ＴｃとＤｙの原子
数比ｘ、Ｇｏの原子数比ｙ、Ｍの原子数比２との間には
ほぼという関係が得られた。したがって、ｘ ＝ ０．
５、ｙ＝ｏ、＋ とするとＣｒではｚ ＝ ０．１２、
Ａ１では２＝０．２とすればキュリー温度は約１００℃
となり、Ｔｂ−Ｆｅよりもキュリー温度が低く、Ｄｙ−
Ｆｅよりも温度安定性に優れた磁性膜が得られる。この
知見に基づき、Ｒ，Ｆｅ、 Ｇｏ及びＭを含む磁性膜を
本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層として用いたので
ある。キュリー温度の最適値は使用するレーザーのパワ
ー、光学系の構成、媒体の構成、ディスクの回転数、デ
ィスクの直径などによって例えば９０、１１０℃のよう
に１００℃から多少ずれることもあるが、その場合にも
、そのキュリー点となるようにｘ、ｙ、ｚの値を適宜選
べばよい。また、本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層
のキュリー点を、従来の媒体の記録層が示すキュリー点
と同じような値にすることもできる。しかし、一般的に
は媒体の記録感度が高ければ、使用するレーザーのパワ
ーが小さくてすみ、光学系も簡単となるので安価となり
、また、外乱による記録パワーの変動に対しても安定に
記録されるので信頼性が高くなる。したがって、記録感
度はなるべく高くなるようにキュリー点は低くするのが
望ましいが、温度に対する安定性から考えるとキュリー
温度は高いほうが良いので設定すべきキュリー点は９０
〜１２０℃が好ましい。
る。従来の媒体の記録層としては、Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｄｙ
−Ｆｅなどが使用されていたが、前述したようにＴｂ−
Ｆｅはキュリー温度が約１３０℃とやや高く、 Ｄｙ−
Ｆｅは約７０℃とやや低い。そこで、（（Ｔｂ＋−ｘ
ＤｙＸ ）−（Ｆｅ、、Ｃｏｙ ））＋−ｚＭｚ ［
０≦Ｘ≦１．０≦ｙ≦０．３． Ｏ≦２≦０．１（Ｃｒ
）、 Ｏ≦２≦０．２（Ａｌ）］で示される磁性膜を種
々作製したところ、そのキュリー温度ＴｃとＤｙの原子
数比ｘ、Ｇｏの原子数比ｙ、Ｍの原子数比２との間には
ほぼという関係が得られた。したがって、ｘ ＝ ０．
５、ｙ＝ｏ、＋ とするとＣｒではｚ ＝ ０．１２、
Ａ１では２＝０．２とすればキュリー温度は約１００℃
となり、Ｔｂ−Ｆｅよりもキュリー温度が低く、Ｄｙ−
Ｆｅよりも温度安定性に優れた磁性膜が得られる。この
知見に基づき、Ｒ，Ｆｅ、 Ｇｏ及びＭを含む磁性膜を
本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層として用いたので
ある。キュリー温度の最適値は使用するレーザーのパワ
ー、光学系の構成、媒体の構成、ディスクの回転数、デ
ィスクの直径などによって例えば９０、１１０℃のよう
に１００℃から多少ずれることもあるが、その場合にも
、そのキュリー点となるようにｘ、ｙ、ｚの値を適宜選
べばよい。また、本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層
のキュリー点を、従来の媒体の記録層が示すキュリー点
と同じような値にすることもできる。しかし、一般的に
は媒体の記録感度が高ければ、使用するレーザーのパワ
ーが小さくてすみ、光学系も簡単となるので安価となり
、また、外乱による記録パワーの変動に対しても安定に
記録されるので信頼性が高くなる。したがって、記録感
度はなるべく高くなるようにキュリー点は低くするのが
望ましいが、温度に対する安定性から考えるとキュリー
温度は高いほうが良いので設定すべきキュリー点は９０
〜１２０℃が好ましい。
次に従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層の耐
食性の差異について述べる。希土類−鉄族非晶質合金薄
膜から成る磁性膜の腐食過程には、膜中に存在する遊離
酸素が主に希土類元素と結合し酸化されたり、磁性膜と
保護膜の界面を通して酸素や水分が膜中に拡散し酸化さ
れることなどが考えられる。このうちの前者に関しては
、スパッタリングにおけるターゲットや蒸着における蒸
発源の中の酸素濃度を減らしたり、真空装置の残留ガス
圧、Ａｒガス中の不純物を減らすことによりかなり改善
される。一方、後者については、緻密で酸素を含まない
保護膜によってかなり抑えられるものの、磁性膜そのも
のの耐食性の改善が望まれる。特に、基板にプラスチッ
クを用いる場合には、基板にある程度の吸水性があり、
保護膜だけでなく磁性膜の耐食性の改善が特に望まれる
。
食性の差異について述べる。希土類−鉄族非晶質合金薄
膜から成る磁性膜の腐食過程には、膜中に存在する遊離
酸素が主に希土類元素と結合し酸化されたり、磁性膜と
保護膜の界面を通して酸素や水分が膜中に拡散し酸化さ
れることなどが考えられる。このうちの前者に関しては
、スパッタリングにおけるターゲットや蒸着における蒸
発源の中の酸素濃度を減らしたり、真空装置の残留ガス
圧、Ａｒガス中の不純物を減らすことによりかなり改善
される。一方、後者については、緻密で酸素を含まない
保護膜によってかなり抑えられるものの、磁性膜そのも
のの耐食性の改善が望まれる。特に、基板にプラスチッ
クを用いる場合には、基板にある程度の吸水性があり、
保護膜だけでなく磁性膜の耐食性の改善が特に望まれる
。
交換結合二層磁性膜では、その読み出し層はキュリー点
が高くてよいのでＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏを用いることができ
、Ｃｏの濃度を高くして耐食性の改善を行なうことがで
きる。しかし、従来の媒体の記録層にはＴｂ−ＦｅやＤ
ｙ−Ｆｅが用いられていて、これにＧｏを添加すると少
量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くな
る欠点があった。
が高くてよいのでＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏを用いることができ
、Ｃｏの濃度を高くして耐食性の改善を行なうことがで
きる。しかし、従来の媒体の記録層にはＴｂ−ＦｅやＤ
ｙ−Ｆｅが用いられていて、これにＧｏを添加すると少
量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くな
る欠点があった。
本発明では、記録層にＣＯと共にＣｒやＡｌを添加する
ことによって、キュリー温度の上昇を抑え、記録感度を
下げずに耐食性を改善したものである。
ことによって、キュリー温度の上昇を抑え、記録感度を
下げずに耐食性を改善したものである。
また、交換結合二層磁性膜では、磁性膜間の交換結合の
大きさが媒体の特性を大きく左右するが、交換結合の大
きさは作製時の到達真空圧の違いによってかなり変動す
る。こわは、磁性膜を作製してから次の磁性膜を作製す
るまでの間に界面に吸着した残留ガスの影響であり、こ
の影響は耐食性を改善することによってかなり改善され
る。したがって、耐食性の改善された記録層を用いた本
発明の光磁気メモリ用媒体は、単に媒体の経時変化の改
善のみならず、交換結合の向上にも効果がある。
大きさが媒体の特性を大きく左右するが、交換結合の大
きさは作製時の到達真空圧の違いによってかなり変動す
る。こわは、磁性膜を作製してから次の磁性膜を作製す
るまでの間に界面に吸着した残留ガスの影響であり、こ
の影響は耐食性を改善することによってかなり改善され
る。したがって、耐食性の改善された記録層を用いた本
発明の光磁気メモリ用媒体は、単に媒体の経時変化の改
善のみならず、交換結合の向上にも効果がある。
本発明の光磁気メモリ媒体は磁性膜を上記のように構成
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に、光を有
効に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保
護機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望
に応じて任意に配設されてよい。
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に、光を有
効に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保
護機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望
に応じて任意に配設されてよい。
実施例１
通常のスパッタリング法を用いて、従来例と本発明の１
３０ｍｍφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、
記録感度の実験を行った。従来例における読み出し層は
Ｇｄ−Ｆｅ−Ｇｏ （Ｇｄ ： Ｆｅ ： Ｃｏ＝ １
８ ： ８２：２０、膜厚５００人）、記録層はＴｂ−
Ｆｅ （Ｔｂ ： Ｆｅ＝ ２２ ： ７８、膜厚５０
０人）とし、本発明における読み出し層はＧｄ−Ｆｅ−
Ｇｏ （Ｇｄ ： Ｆｅ ： Ｃｏ ＝ １８ ： ６
２ ： ２０、膜厚５００人）、記録層は（Ｔｂ−（Ｆ
ｅ＋、Ｃｏｙ ））＋−ｚＣｒｚ （ｙ ＝ ０．０５
、ｚ ＝ ０．１２、膜厚５００人）とした。基板には
ポリカーボネートを用いた。
３０ｍｍφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、
記録感度の実験を行った。従来例における読み出し層は
Ｇｄ−Ｆｅ−Ｇｏ （Ｇｄ ： Ｆｅ ： Ｃｏ＝ １
８ ： ８２：２０、膜厚５００人）、記録層はＴｂ−
Ｆｅ （Ｔｂ ： Ｆｅ＝ ２２ ： ７８、膜厚５０
０人）とし、本発明における読み出し層はＧｄ−Ｆｅ−
Ｇｏ （Ｇｄ ： Ｆｅ ： Ｃｏ ＝ １８ ： ６
２ ： ２０、膜厚５００人）、記録層は（Ｔｂ−（Ｆ
ｅ＋、Ｃｏｙ ））＋−ｚＣｒｚ （ｙ ＝ ０．０５
、ｚ ＝ ０．１２、膜厚５００人）とした。基板には
ポリカーボネートを用いた。
回転数１８００ｒｐｍで、従来例の媒体の記録にはレー
ザーパワー４ 、９ｍＷ、バイアス磁界２０００ｅが必
要であったが、本発明のものはレーザーパワー３．９ｍ
Ｊ、バイアス磁界２０００ｅで記録が可能であり記録特
性が改善された。
ザーパワー４ 、９ｍＷ、バイアス磁界２０００ｅが必
要であったが、本発明のものはレーザーパワー３．９ｍ
Ｊ、バイアス磁界２０００ｅで記録が可能であり記録特
性が改善された。
また、１規定のＮａＣ１水溶液を用いた耐食性の試験で
は、従来例では１５分間浸した後には、目視でかなりの
とンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピン
ホールの発生は見られなかった。
は、従来例では１５分間浸した後には、目視でかなりの
とンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピン
ホールの発生は見られなかった。
交換結合の測定は、誤差をかなり含むので正確な値とし
ては求められなかったが、本発明の方が従来例より約１
．５倍はど向上するという傾向があった。
ては求められなかったが、本発明の方が従来例より約１
．５倍はど向上するという傾向があった。
実施例２
通常のスパッタリング法を用いて、本発明の１３０ｍｍ
φのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録感度
の実験を行った。読み出し層はＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏ （Ｇ
ｄ ： Ｆｅ ： Ｃｏ＝ １８ ： ６２ ： ２０
、膜厚５００人）、記録層は（Ｄｙ−（Ｆｅ、−ｙ Ｃ
ｏｙ ））＋−ｚ Ａｌｚ （’ｉ！＝０．１ 、
ｚ＝０．１ 、膜厚５００人）とした。
φのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録感度
の実験を行った。読み出し層はＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏ （Ｇ
ｄ ： Ｆｅ ： Ｃｏ＝ １８ ： ６２ ： ２０
、膜厚５００人）、記録層は（Ｄｙ−（Ｆｅ、−ｙ Ｃ
ｏｙ ））＋−ｚ Ａｌｚ （’ｉ！＝０．１ 、
ｚ＝０．１ 、膜厚５００人）とした。
回転数１８００ｒｐｍで、レーザーパワー４．０ｍＷ、
バイアス磁界２０００ｅで記録が可能であり記録特性が
改善された。
バイアス磁界２０００ｅで記録が可能であり記録特性が
改善された。
また、１規定のＮａＣ１水溶液を用いた耐食性の試験で
は、目視でピンホールの発生は見られなかった。
は、目視でピンホールの発生は見られなかった。
実施例３
通常のスパッタリング法を用いて、本発明の１３０ｍｍ
φのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し記録感度の
実験を行った。読み出し層はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ（Ｇｄ：
Ｆｅ：Ｃｏ＝１８：６２：２０、膜厚５００人）、記録
層は（（Ｔｂ＋−ｘ Ｄｙｘ ）−（Ｆｅ、−ｙ ＣＯ
ｖ ））＋−ｚ Ａｌｚ（×・０．５ ｙ＝ｏ、ｌ 、
ｚ＝０．２ 、膜厚５００人）とした。
φのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し記録感度の
実験を行った。読み出し層はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ（Ｇｄ：
Ｆｅ：Ｃｏ＝１８：６２：２０、膜厚５００人）、記録
層は（（Ｔｂ＋−ｘ Ｄｙｘ ）−（Ｆｅ、−ｙ ＣＯ
ｖ ））＋−ｚ Ａｌｚ（×・０．５ ｙ＝ｏ、ｌ 、
ｚ＝０．２ 、膜厚５００人）とした。
回転数１８００ｒｐｍで、レーザーパワー４釦Ｗ、バイ
アス磁界２０００ｅで記録が可能であり記録特性が改善
された。
アス磁界２０００ｅで記録が可能であり記録特性が改善
された。
また、１規定のＮａＣ１水溶液を用いた耐食性の試験で
は、目視でピンホールの発生は見られなかった。
は、目視でピンホールの発生は見られなかった。
以上説明したように、記録層にＲ−ＦｅＣｏ−Ｍ （Ｒ
＝Ｔｂ及び／またはＤｙ、Ｍ＝ＣｒまたはＡｌ）を用い
、読み出し層にＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏを用いた本発明の光磁
気メモリ用媒体により、記録特性°、耐食性と共に交換
結合が改善された。
＝Ｔｂ及び／またはＤｙ、Ｍ＝ＣｒまたはＡｌ）を用い
、読み出し層にＧｄ−Ｆｅ−Ｇｏを用いた本発明の光磁
気メモリ用媒体により、記録特性°、耐食性と共に交換
結合が改善された。
Claims (1)
- １）室温において高い保磁力と低いキュリー温度を有す
る記録層と、低い保磁力と高いキュリー温度を有する読
み出し層からなる交換結合をした二層構造の磁性膜を有
して成る光磁気メモリ用媒体において、前記記録層がＲ
−ＦｅＣｏ−Ｍであり、前記読み出し層がＧｄ−Ｆｅ−
Ｃｏであることを特徴とする光磁気メモリ用媒体（ただ
し、ＲはＴｂ及びＤｙから選ばれる１種または２種の元
素であり、ＭはＣｒ及びＡｌから選ばれる１種の元素で
ある。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159723A JPH0677346B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159723A JPH0677346B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318545A true JPS6318545A (ja) | 1988-01-26 |
| JPH0677346B2 JPH0677346B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=15699870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61159723A Expired - Lifetime JPH0677346B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677346B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103756A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| WO1995010111A1 (en) * | 1993-10-06 | 1995-04-13 | Nikon Corporation | Optical disk recording device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177455A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP61159723A patent/JPH0677346B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177455A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 光磁気記録媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103756A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| WO1995010111A1 (en) * | 1993-10-06 | 1995-04-13 | Nikon Corporation | Optical disk recording device |
| US5682366A (en) * | 1993-10-06 | 1997-10-28 | Nikon Corporation | Optical disc recording apparatus with efficient data checking |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677346B2 (ja) | 1994-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |