JPS631679B2 - - Google Patents
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- JPS631679B2 JPS631679B2 JP51069795A JP6979576A JPS631679B2 JP S631679 B2 JPS631679 B2 JP S631679B2 JP 51069795 A JP51069795 A JP 51069795A JP 6979576 A JP6979576 A JP 6979576A JP S631679 B2 JPS631679 B2 JP S631679B2
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- reflectance
- metal thin
- thin film
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ホトレジスト（感光性組成物）を基
板に塗布し、微細加工を行なう場合の感光性記録
媒体に関し、特に膜剥離しにくい感光性記録媒体
に関する。
板に塗布し、微細加工を行なう場合の感光性記録
媒体に関し、特に膜剥離しにくい感光性記録媒体
に関する。
従来、感光性記録媒体の構造体は、第１図に示
した構造をもつものが一般的であつた。同図にお
いて、１は基板、２はホトレジスト膜である。つ
まり、基板の表面を洗浄した後にホトレジストを
直接塗布した構造である。
した構造をもつものが一般的であつた。同図にお
いて、１は基板、２はホトレジスト膜である。つ
まり、基板の表面を洗浄した後にホトレジストを
直接塗布した構造である。
このような構造に微細加工を行なう場合、基板
とホトレジストの接着力が十分に保持されなくて
はならない。しかし、従来の感光性記録媒体で
は、この接着力が不十分なために、現像あるいは
水洗処理後にしばしばホトレジストの剥離を生ず
るという欠点がある。
とホトレジストの接着力が十分に保持されなくて
はならない。しかし、従来の感光性記録媒体で
は、この接着力が不十分なために、現像あるいは
水洗処理後にしばしばホトレジストの剥離を生ず
るという欠点がある。
本発明は、基板と、ホトレジストとの間の剥離
を防止するとともに、高精度の記録溝を形成でき
る光デイスク用感光性記録媒体を提供することを
目的とする。
を防止するとともに、高精度の記録溝を形成でき
る光デイスク用感光性記録媒体を提供することを
目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、透明基
板と、該透明基板上に直接積載された単一の金属
材料で構成された反射率が８％以下の金属薄膜
と、該金属薄膜上に直接積載されたホトレジスト
とからなることを特徴とした構成である。
板と、該透明基板上に直接積載された単一の金属
材料で構成された反射率が８％以下の金属薄膜
と、該金属薄膜上に直接積載されたホトレジスト
とからなることを特徴とした構成である。
以下発明を添付図面と参照して詳しく説明す
る。第２図は、本発明の一実施例である記録媒体
の断面図を示す。同図において、１は基板、２は
ホトレジスト、１１はアルミニウム、金、銀、
銅、クロム等からなる金属薄膜である。基板１が
ガラスのとき、ガラス基板と金属薄膜１１との間
の接着力はガラス基板上に直接ホトレジストを塗
布する場合に比較して大となる。さらに金属薄膜
１１とホトレジスト膜この接着力は強い。このこ
とは、ホトレジストに高密度な微細加工を行つて
も、現像、水洗処理中にホトレジスト膜の剥離が
おきないことを意味する。例えば、ビデオデイス
クの原板の作成においては、厚さ15mmのガラス基
板上に反射率８％以下のクロム膜、たとえば30Å
の薄膜を真空蒸着技術によつて形成し、その上に
厚さ0.2μｍのホトレジスト膜を形成する。ホトレ
ジストとしては、たとえばキノンジアジドとノボ
ラツク樹脂を含むポジ型ホトレジストAZ1350
（Shipley社）を用いた。現像液としては、AZデ
イベロツパーを用いた。そして1μｍ程度のスポ
ツトのレーザビームを照射して高密度なビデオ信
号を記録する。このような場合、現像および水洗
処理後にホトレジスト膜の剥離が全く生じなかつ
た。他のアルミニウム、金、銀、銅等の金属薄膜
も同様である。これらの金属薄膜のうち、クロム
膜が最もガラスとの接着性が強いため最も効果が
大きい。
る。第２図は、本発明の一実施例である記録媒体
の断面図を示す。同図において、１は基板、２は
ホトレジスト、１１はアルミニウム、金、銀、
銅、クロム等からなる金属薄膜である。基板１が
ガラスのとき、ガラス基板と金属薄膜１１との間
の接着力はガラス基板上に直接ホトレジストを塗
布する場合に比較して大となる。さらに金属薄膜
１１とホトレジスト膜この接着力は強い。このこ
とは、ホトレジストに高密度な微細加工を行つて
も、現像、水洗処理中にホトレジスト膜の剥離が
おきないことを意味する。例えば、ビデオデイス
クの原板の作成においては、厚さ15mmのガラス基
板上に反射率８％以下のクロム膜、たとえば30Å
の薄膜を真空蒸着技術によつて形成し、その上に
厚さ0.2μｍのホトレジスト膜を形成する。ホトレ
ジストとしては、たとえばキノンジアジドとノボ
ラツク樹脂を含むポジ型ホトレジストAZ1350
（Shipley社）を用いた。現像液としては、AZデ
イベロツパーを用いた。そして1μｍ程度のスポ
ツトのレーザビームを照射して高密度なビデオ信
号を記録する。このような場合、現像および水洗
処理後にホトレジスト膜の剥離が全く生じなかつ
た。他のアルミニウム、金、銀、銅等の金属薄膜
も同様である。これらの金属薄膜のうち、クロム
膜が最もガラスとの接着性が強いため最も効果が
大きい。
また、ホトレジスト膜の剥離の防止ができたた
めに、ドロツプアウトの減少に有益である。
めに、ドロツプアウトの減少に有益である。
しかし、反射率が８％以上の場合は、金属薄膜
からホトレジスト膜への反射光が強くなるため
に、記録溝とくに溝幅に悪影響を与える。本発明
の記録媒体に従来の記録媒体の露光、現像条件を
用いた場合には、金属薄膜１１の反射率によつて
は溝幅が目的の寸法より大きく加工されることが
ある。第３図に上記実施において、金属薄膜とし
てCrを用いた時の反射率と溝幅の関係を示す。
但し、金属薄膜がひじように薄い場合の反射率
は、ガラス基板だけと考えられるため、反射率は
４％（ガラス基板の反射率）からとなる。第３図
から反射率が８％以下では、目的の寸法の溝幅に
加工できるが、反射率が８％以上では目的とする
寸法の溝幅（たとえば0.8μ）より大きくなり、反
射率が増すにしたがつて大きくなる。とくに反射
率が31％の時は、反射率８％以下の時の２倍の溝
幅になる。
からホトレジスト膜への反射光が強くなるため
に、記録溝とくに溝幅に悪影響を与える。本発明
の記録媒体に従来の記録媒体の露光、現像条件を
用いた場合には、金属薄膜１１の反射率によつて
は溝幅が目的の寸法より大きく加工されることが
ある。第３図に上記実施において、金属薄膜とし
てCrを用いた時の反射率と溝幅の関係を示す。
但し、金属薄膜がひじように薄い場合の反射率
は、ガラス基板だけと考えられるため、反射率は
４％（ガラス基板の反射率）からとなる。第３図
から反射率が８％以下では、目的の寸法の溝幅に
加工できるが、反射率が８％以上では目的とする
寸法の溝幅（たとえば0.8μ）より大きくなり、反
射率が増すにしたがつて大きくなる。とくに反射
率が31％の時は、反射率８％以下の時の２倍の溝
幅になる。
すなわち、金属薄膜１１の反射率は８％以下と
する必要がある。
する必要がある。
以上述べた様に、本発明は、ビデオデイスク等
の光デイスクの作成における、レーザ光を用いて
高密度な記録をするホトレジスト処理において、
剥離の防止と、記録溝幅の寸法精度の高いホトレ
ジスト処理をすることができるという効果があ
る。更に、本発明は、光デイスク用感光性記録媒
体のレーザ光照射の際の光量を、透明基板を透過
した光を検出して知ることができるため、光量を
精度よく検知できるという効果がある。
の光デイスクの作成における、レーザ光を用いて
高密度な記録をするホトレジスト処理において、
剥離の防止と、記録溝幅の寸法精度の高いホトレ
ジスト処理をすることができるという効果があ
る。更に、本発明は、光デイスク用感光性記録媒
体のレーザ光照射の際の光量を、透明基板を透過
した光を検出して知ることができるため、光量を
精度よく検知できるという効果がある。
第１図は、従来例を示す図、第２図は本発明の
一実施例を示す図、第３図は反射率と溝幅との関
係を示す図である。 １は基板、２はホトレジスト、１１は金属薄膜
である。
一実施例を示す図、第３図は反射率と溝幅との関
係を示す図である。 １は基板、２はホトレジスト、１１は金属薄膜
である。
Claims (1)
- １ 透明基板と、該透明基板上に直接積載された
単一の金属材料で構成された反射率が８％以下の
金属薄膜と、該金属薄膜上に直接積載されたホト
レジストとからなることを特徴とする光デイスク
用感光性記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6979576A JPS52154403A (en) | 1976-06-16 | 1976-06-16 | Photoosensitive recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6979576A JPS52154403A (en) | 1976-06-16 | 1976-06-16 | Photoosensitive recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52154403A JPS52154403A (en) | 1977-12-22 |
| JPS631679B2 true JPS631679B2 (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=13413022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6979576A Granted JPS52154403A (en) | 1976-06-16 | 1976-06-16 | Photoosensitive recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52154403A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0253175U (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-17 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI228718B (en) * | 2001-11-05 | 2005-03-01 | Tdk Corp | Manufacturing method and device of mold plate for information medium |
| JPWO2003077239A1 (ja) | 2002-03-11 | 2005-07-07 | Tdk株式会社 | フォトレジスト原盤の加工方法、記録媒体用原盤の製造方法、記録媒体の製造方法、フォトレジスト原盤、記録媒体用原盤及び記録媒体 |
-
1976
- 1976-06-16 JP JP6979576A patent/JPS52154403A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0253175U (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52154403A (en) | 1977-12-22 |
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