JPH03108141A - 高密度光ディスクの製造方法 - Google Patents
高密度光ディスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH03108141A JPH03108141A JP1244463A JP24446389A JPH03108141A JP H03108141 A JPH03108141 A JP H03108141A JP 1244463 A JP1244463 A JP 1244463A JP 24446389 A JP24446389 A JP 24446389A JP H03108141 A JPH03108141 A JP H03108141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser beam
- width
- opening
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度光ディスクの製造方法に関するもので
あり、特に高密度光ディスクのマスタリ〔発明の概要〕 本発明は、高密度光ディスクの製造方法において、基板
上にレーザ光に対して感光しない第１の層とレーザ光に
対して感光する第２の層を順次積層した基板に対し、先
ず、第２の層をレーザ光の強度分布と出力依存性を利用
して選択的に露光。
あり、特に高密度光ディスクのマスタリ〔発明の概要〕 本発明は、高密度光ディスクの製造方法において、基板
上にレーザ光に対して感光しない第１の層とレーザ光に
対して感光する第２の層を順次積層した基板に対し、先
ず、第２の層をレーザ光の強度分布と出力依存性を利用
して選択的に露光。
現像した後、該第２の層をマスクとして第１の層をエツ
チングすることにより、光学系によって決まるスポット
径以下の微細なビットを形成可能ならしめ記録密度の向
上を図ろうとするものである。
チングすることにより、光学系によって決まるスポット
径以下の微細なビットを形成可能ならしめ記録密度の向
上を図ろうとするものである。
一１ｔｆａに、光ディスクのマスクリングにおいてピッ
トを形成するには、ガラス基板上に設けられたレジスト
をレーザ光によって記録情報に応じて選択的に露光した
後、現像を行い露光された部分のレジストを除去する方
式が採られている。
トを形成するには、ガラス基板上に設けられたレジスト
をレーザ光によって記録情報に応じて選択的に露光した
後、現像を行い露光された部分のレジストを除去する方
式が採られている。
この手法によると、形成されるピット形状は、レジスト
表面に照射されるレーザ光のスポット径。
表面に照射されるレーザ光のスポット径。
レーザ光の強度分布、レジスト材料の感度特性によって
決まり、一般にレジストの底面（ガラス基板部）部が狭
くレジストの表面部が広くなった断面形状がいわゆる台
形状となる。
決まり、一般にレジストの底面（ガラス基板部）部が狭
くレジストの表面部が広くなった断面形状がいわゆる台
形状となる。
これは、レーザ光の強度分布が山なり状の正規分布をな
していることによるもので、強度分布のすその広がりが
ピント幅を広げる要因となっている。また、上記ピット
幅は、レーザ光の直径に略等しく対物レンズの開口数Ｎ
Ａ及びレーザ光の波長λによって決まる。これは、０．
８２ Ｘλ／ＮＡなる式で与えられ、マスクリングに一
般的に使用されているレーザの中で最も波長が短いもの
（λ＝４４２ｎｍ）を使用し、最も高いＮＡ （ＮＡ＝
０．９）で集光したとしてもスポット径は０．４μｍに
までしかならない、実際は、光学式ディスクの場合、再
生レーザ光のスポット径がそれほど小さ（なくおよそ１
．２μｍ程度なので０．５〜０．６μｍのピットの記録
を行っている。
していることによるもので、強度分布のすその広がりが
ピント幅を広げる要因となっている。また、上記ピット
幅は、レーザ光の直径に略等しく対物レンズの開口数Ｎ
Ａ及びレーザ光の波長λによって決まる。これは、０．
８２ Ｘλ／ＮＡなる式で与えられ、マスクリングに一
般的に使用されているレーザの中で最も波長が短いもの
（λ＝４４２ｎｍ）を使用し、最も高いＮＡ （ＮＡ＝
０．９）で集光したとしてもスポット径は０．４μｍに
までしかならない、実際は、光学式ディスクの場合、再
生レーザ光のスポット径がそれほど小さ（なくおよそ１
．２μｍ程度なので０．５〜０．６μｍのピットの記録
を行っている。
ところが近年においては、小型でしかも軽量な短波長レ
ーザ（λ−５３２ｎｍ）が開発され、当該短波長レーザ
を用いた光学系が実用化されると、記録側はｌ／４ミク
ロンオーダーの記録技術が必要となり、現在の光ディス
クの製造プロセスでは対応できなくなる。
ーザ（λ−５３２ｎｍ）が開発され、当該短波長レーザ
を用いた光学系が実用化されると、記録側はｌ／４ミク
ロンオーダーの記録技術が必要となり、現在の光ディス
クの製造プロセスでは対応できなくなる。
そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、光学系によって決まるスポット径以下の
微細なピントが形成でき、記録密度の向上が図れる高密
度光ディスクの製造方法を提供することを目的とするも
のである。
ものであって、光学系によって決まるスポット径以下の
微細なピントが形成でき、記録密度の向上が図れる高密
度光ディスクの製造方法を提供することを目的とするも
のである。
本発明の高密度光ディスクの製造方法は、上述の目的を
達成するために従業されたものであって、基板−ヒにレ
ーザ光に対して感光しない第１の層と、レーザ光に対し
て感光する第２の層を順次積層した後、上記第２の層を
開口部のレーザ光入射側端面における開口幅が第１の層
との境界部における開口幅より大となるように記録情報
に応じて選択的に露光、現像し、次いで上記第２の層を
マスクとして前記第１の層をエツチングすることを特徴
とするものである。
達成するために従業されたものであって、基板−ヒにレ
ーザ光に対して感光しない第１の層と、レーザ光に対し
て感光する第２の層を順次積層した後、上記第２の層を
開口部のレーザ光入射側端面における開口幅が第１の層
との境界部における開口幅より大となるように記録情報
に応じて選択的に露光、現像し、次いで上記第２の層を
マスクとして前記第１の層をエツチングすることを特徴
とするものである。
通常、レーザ光ｈνをガラス基板（１）上のレジスト層
（２）に集光させて照射すると、該レーザ光ｈνは第２
図（ａ）に示すような分布となり、またこのときのレー
ザ光ｈνの強度分布は、同図中−点鎖線で示すような山
なり状となる。このような条件で現像可能な状態に露光
される領域は、同図中破線で囲まれる領域、すなわち該
レーザ光ｈνの強度分布に応じた形となる。
（２）に集光させて照射すると、該レーザ光ｈνは第２
図（ａ）に示すような分布となり、またこのときのレー
ザ光ｈνの強度分布は、同図中−点鎖線で示すような山
なり状となる。このような条件で現像可能な状態に露光
される領域は、同図中破線で囲まれる領域、すなわち該
レーザ光ｈνの強度分布に応じた形となる。
従って、これを現像すると、第２図（ｂ）に示すように
、露光された部分に形成される開口部（２ａ）は、レー
ザ光入射側端面における開口幅ＷＺ＋がガラス基板（１
）との境界部における開口幅Ｗｔ１より大となされ、断
面形状がいわゆる台形状となる。
、露光された部分に形成される開口部（２ａ）は、レー
ザ光入射側端面における開口幅ＷＺ＋がガラス基板（１
）との境界部における開口幅Ｗｔ１より大となされ、断
面形状がいわゆる台形状となる。
そこで、このような強度分布特性を有するレーザ光の出
力を変化させれば、当該出力に応じた露光が行える。
力を変化させれば、当該出力に応じた露光が行える。
すなわち、第３図（ａ）に示すように、ガラス基板（３
）上に形成されたレジスト層（４）に図中左から右に行
くに従い次第に出力が小さくなるようにレーザ光ｈν、
ｈν１＋ｈＶ２＋ｈν、を照射する。
）上に形成されたレジスト層（４）に図中左から右に行
くに従い次第に出力が小さくなるようにレーザ光ｈν、
ｈν１＋ｈＶ２＋ｈν、を照射する。
なお、レーザ光ｈＶ＋＋ｈＬ’ｚ＋ｈＶｓ、ｈｕ４のス
ポット径は、いずれもレジスト層（４）表面で０．４μ
ｍとなるようにする。
ポット径は、いずれもレジスト層（４）表面で０．４μ
ｍとなるようにする。
次いで、露光されたレジスト層（４）を現像すると第３
図（ｂ）に示すように、一番強い出力で露光された部分
に形成される開口部（４ａ）は、レーザ光ｈν１の入射
側の端面における開口幅Ｗａ＋がガラス基板（３）との
境界部における開口幅Ｗａｔと略同じ幅（０，４μｍ）
となる。一方、レーザ光ｈν２ｈν、の出力を次第に弱
くして露光した部分〔第３１ｍ（ｂ）中真ん中の２箇所
〕に形成される開口部（４ｂ） 、 （４ｃ）において
は、レーザ光ｈν、、ｈｖ３の入射側の端面における開
口幅Ｗ ｂ Ｈ、Ｗ ｃ 、がガラス基板（３）との境
界部における開口幅Ｗ ｂ 、 、 Ｗ ｃ ｔに対し
て小さくなる。例えば、レーザ光ｈνｇ＋Ｆｌν。
図（ｂ）に示すように、一番強い出力で露光された部分
に形成される開口部（４ａ）は、レーザ光ｈν１の入射
側の端面における開口幅Ｗａ＋がガラス基板（３）との
境界部における開口幅Ｗａｔと略同じ幅（０，４μｍ）
となる。一方、レーザ光ｈν２ｈν、の出力を次第に弱
くして露光した部分〔第３１ｍ（ｂ）中真ん中の２箇所
〕に形成される開口部（４ｂ） 、 （４ｃ）において
は、レーザ光ｈν、、ｈｖ３の入射側の端面における開
口幅Ｗ ｂ Ｈ、Ｗ ｃ 、がガラス基板（３）との境
界部における開口幅Ｗ ｂ 、 、 Ｗ ｃ ｔに対し
て小さくなる。例えば、レーザ光ｈνｇ＋Ｆｌν。
の入射側の端面における開口幅Ｗｂ、、 Ｗ ｃ 、が
０、４μｍであるのに対して、ガラス基板（３）との境
界部における開口幅Ｗｂｚ＋ Ｗｃｚがそれぞれ０．２
μｍ、０．ｌＩｊｍとなる。一方、一番弱い出力で露光
した部分に形成される開口部（４ｄ）は、レーザ光ｈν
４による現像可能な状態の露光領域がガラス基板（３）
まで到達しないため、咳レーザ光ｈν４の入射側の端面
における開口幅 ｗｄ＋は０．４μｍとなるものの、ガ
ラス基４Ｆｉ（３） −１：には開口されない。
０、４μｍであるのに対して、ガラス基板（３）との境
界部における開口幅Ｗｂｚ＋ Ｗｃｚがそれぞれ０．２
μｍ、０．ｌＩｊｍとなる。一方、一番弱い出力で露光
した部分に形成される開口部（４ｄ）は、レーザ光ｈν
４による現像可能な状態の露光領域がガラス基板（３）
まで到達しないため、咳レーザ光ｈν４の入射側の端面
における開口幅 ｗｄ＋は０．４μｍとなるものの、ガ
ラス基４Ｆｉ（３） −１：には開口されない。
本発明においては、上記のようにレーザ光のスポット径
をレジスト層表面で一定にしても、当該レーザ光の出力
によっては形成される開口部の形状が異なったものとな
るとの特性を利用し、当該レーザ光の出力を第２の層が
現像されたときに形成される開口部のレーザ光入射側端
面における開口幅が第１の層との境界部における開口幅
より大となるようにして露光を行う。
をレジスト層表面で一定にしても、当該レーザ光の出力
によっては形成される開口部の形状が異なったものとな
るとの特性を利用し、当該レーザ光の出力を第２の層が
現像されたときに形成される開口部のレーザ光入射側端
面における開口幅が第１の層との境界部における開口幅
より大となるようにして露光を行う。
すなわち、本発明においては、ピットを形成するに際し
てレーザ光に対して感光しない第１の層と、レーザ光に
対して感光する第２の層を順次積層した基板を使用し、
これに先ず第２の層を開口部のレーザ光入射側端面にお
ける開口幅が第１の層との境界部における開口幅より大
となるように記録情報に応じて選択的に露光して現像す
る。
てレーザ光に対して感光しない第１の層と、レーザ光に
対して感光する第２の層を順次積層した基板を使用し、
これに先ず第２の層を開口部のレーザ光入射側端面にお
ける開口幅が第１の層との境界部における開口幅より大
となるように記録情報に応じて選択的に露光して現像す
る。
すると上記第２の層には、レーザ光入射側端面における
開口幅が第１の層との境界部における開口幅よりも大と
なされた７３７口部が形成される。
開口幅が第１の層との境界部における開口幅よりも大と
なされた７３７口部が形成される。
そして、残存した第２の層をマスクとして前記第１の層
をエツチングする。
をエツチングする。
すると上記第１の層には、前記開口部の当該筒１の層と
の境界部における開口幅に応じたピットが形成される。
の境界部における開口幅に応じたピットが形成される。
以下、本発明を適用した高密度光ディスクの製造方法の
具体的な実施例を図面を参照しながら説明する。
具体的な実施例を図面を参照しながら説明する。
高密度光ディスクを作製するには、先ず、第１図（ａ）
に示すように、表面を研磨したガラスよりなる基板（５
）上に膜厚６００〜９００人（再生波長のλ／４Ｎによ
って決まる厚み）程度のＣｒ１ｉを第１の層（６）とし
て形成する。
に示すように、表面を研磨したガラスよりなる基板（５
）上に膜厚６００〜９００人（再生波長のλ／４Ｎによ
って決まる厚み）程度のＣｒ１ｉを第１の層（６）とし
て形成する。
上記第１の層（６）は、ピットを形成するための層であ
るので、後工程で第２のＮ（７）を露光したときに当該
筒１の層（６）がレーザ光によって感光されないことが
必要であり、さらに上記第２の層（７）を現像したとき
にアセトン等のレジストを除去する溶媒に溶かされない
ことが必要となる。かかる要求を満足する材料としては
、Ｅ記したＣｒ層が好適である。なお、これは特に限定
されるものではなく上記の条件を満足する材料であれば
何でもよい。
るので、後工程で第２のＮ（７）を露光したときに当該
筒１の層（６）がレーザ光によって感光されないことが
必要であり、さらに上記第２の層（７）を現像したとき
にアセトン等のレジストを除去する溶媒に溶かされない
ことが必要となる。かかる要求を満足する材料としては
、Ｅ記したＣｒ層が好適である。なお、これは特に限定
されるものではなく上記の条件を満足する材料であれば
何でもよい。
次に、上記第１の層（６）上に膜厚５００〜１５００人
程度のポジ型程度ジスト層を第２の層（７）として形成
する。
程度のポジ型程度ジスト層を第２の層（７）として形成
する。
上記第２の層（７）は、前記第１のＮ（６）をエツチン
グする際にマスクとしての作用を果たすものであるから
、レーザ光に対して感光する材料が使用される。かかる
材料としては、例えば感光性レジストが好適である。
グする際にマスクとしての作用を果たすものであるから
、レーザ光に対して感光する材料が使用される。かかる
材料としては、例えば感光性レジストが好適である。
次に、第１図（ｂ）に示すように、上記第２の層（７）
を現像後の開口部（７ａ）のレーザ光入射側端面におけ
る開口幅Ｗ、が第１の層（６）との境界部における開口
幅Ｗｔより大となるようにレーザ光ｈνの出力を＃ｊ１
節して記録情報に応じて選択的に露光する。
を現像後の開口部（７ａ）のレーザ光入射側端面におけ
る開口幅Ｗ、が第１の層（６）との境界部における開口
幅Ｗｔより大となるようにレーザ光ｈνの出力を＃ｊ１
節して記録情報に応じて選択的に露光する。
なお、上記レーザ光ｈνは、第２の層（７）の表面でス
ポット径が０．４ ＩＩ ｍとなるようにした。
ポット径が０．４ ＩＩ ｍとなるようにした。
次に、上記第２の層（７）に形成された潜像を現像する
。
。
この結果、上記レーザ光ｈＶによって露光された部分に
は、レーザ光入射側端面における開口幅Ｗ１が第１の層
（６）との境界部における開口幅ｗｔより大となされた
開口部（７ａ）が、断面形状を台形状として形成される
。
は、レーザ光入射側端面における開口幅Ｗ１が第１の層
（６）との境界部における開口幅ｗｔより大となされた
開口部（７ａ）が、断面形状を台形状として形成される
。
なお本実施例では、上記開口部（７ａ）の第１の層（６
）との境界部における開口幅Ｗ２は０，４喘以下であっ
た。
）との境界部における開口幅Ｗ２は０，４喘以下であっ
た。
次に、現像されて残った第２の層（７ｂ）をマスクとし
て前記第１の層（６）をエツチングする。
て前記第１の層（６）をエツチングする。
この結果、上記第２の層（７）の開口部（７ａ）に対応
する位置には、第１図（ｄ）に示すように、当該開口部
（７ａ）の第１の層（６）との境界部における開口幅Ｗ
ｔに応じた幅、すなわち先の第２の層（７）の開口部（
７ａ）の前記第１の層（６）との境界部における開口幅
Ｗ２以下となされた開口幅Ｗ、を有した開口部（６ａ）
がピットとして形成される。
する位置には、第１図（ｄ）に示すように、当該開口部
（７ａ）の第１の層（６）との境界部における開口幅Ｗ
ｔに応じた幅、すなわち先の第２の層（７）の開口部（
７ａ）の前記第１の層（６）との境界部における開口幅
Ｗ２以下となされた開口幅Ｗ、を有した開口部（６ａ）
がピットとして形成される。
次いで、マスクとして残った第２の層（７ｂ）を除去す
れば、基板（５）上には先の第２の層（７）の開口部（
７ａ）の前記第１の層（６）との境界部における開口幅
Ｗ！より小さな開口幅Ｗ、を有する開口部（６ａ）が、
残存した第１の層（６ｂ）間に形成される。
れば、基板（５）上には先の第２の層（７）の開口部（
７ａ）の前記第１の層（６）との境界部における開口幅
Ｗ！より小さな開口幅Ｗ、を有する開口部（６ａ）が、
残存した第１の層（６ｂ）間に形成される。
なお本実施例では、上記開口部（６ａ）の第２の層（７
）側の端面における開口幅Ｗ、は、０．４ ｍ以下であ
った。
）側の端面における開口幅Ｗ、は、０．４ ｍ以下であ
った。
以下、通常の光ディスクの製造技術に準じてマスター、
スタンパ−等を作製して光ディスクを作製する。
スタンパ−等を作製して光ディスクを作製する。
例えば、に記基板（５）に対して第１図（ｅ）に示すよ
うに、後述のメツキ層（９）を剥離容易ならしめるため
に銀メツキを施しメツキ層（８）を形成し、さらにこの
上に無電解メツキを施してメツキ層（９）を形成する。
うに、後述のメツキ層（９）を剥離容易ならしめるため
に銀メツキを施しメツキ層（８）を形成し、さらにこの
上に無電解メツキを施してメツキ層（９）を形成する。
次に、第１図（ｆ）に示すように、上記メツキ層（９）
を上記基板（５）より剥離してメタルマスク（ｌＯ）を
作製する。なお、このとき上記金属層（８）も同時に剥
離する。
を上記基板（５）より剥離してメタルマスク（ｌＯ）を
作製する。なお、このとき上記金属層（８）も同時に剥
離する。
この結果、上記メタルマスク（１０）には、前記基板（
５）に形成されたピットが写し取られ、当該ピットに対
応した位置にそれぞれ凸部（１０ａ）が形成される。
５）に形成されたピットが写し取られ、当該ピットに対
応した位置にそれぞれ凸部（１０ａ）が形成される。
次いで、第１図（ｆ）に示すように、上記メタルマスク
（１０）によってマザー（１１）を作製する。
（１０）によってマザー（１１）を作製する。
この結果、上記マザー（ｌ］）には、上記メタルマスク
（１０）に形成された凸部（ＩＯａ）が写し取られ、当
該凸部（１０ａ）に応じた位置にそれぞれ凹状の溝（ｌ
ｌａ）が形成される。
（１０）に形成された凸部（ＩＯａ）が写し取られ、当
該凸部（１０ａ）に応じた位置にそれぞれ凹状の溝（ｌ
ｌａ）が形成される。
次に、第１図（ｇ）に示すように、上記マザー（１１）
によってスタンバ（１２）を作製する。
によってスタンバ（１２）を作製する。
この結果、上記スタンパ（１２）には、上記マザー（１
１）に形成された凹状の溝（ｌｌａ）が写し取られ、当
該凹状の溝（Ｉｌａ）に対応する位置にそれぞれ凸部（
１２ａ）が形成される。
１）に形成された凹状の溝（ｌｌａ）が写し取られ、当
該凹状の溝（Ｉｌａ）に対応する位置にそれぞれ凸部（
１２ａ）が形成される。
次いで、第１図（ｈ）に示すように、上記スタン。
パ（１２）を例えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹
脂等に押し付けてディスク基板（１３）を作製する。
脂等に押し付けてディスク基板（１３）を作製する。
この結果、上記ディスク基板（１３）には、上記スタン
バ（１２）に形成された凸部（１２ａ）に応じた凹状の
溝（１３ａ）がピットとして形成される。
バ（１２）に形成された凸部（１２ａ）に応じた凹状の
溝（１３ａ）がピットとして形成される。
次に、第１図（ｉ）に示すように、上記ディスク基板（
１３）のピット内を含めて例えばアルミニウム等の金属
膜（１４）を反射膜として形成する。
１３）のピット内を含めて例えばアルミニウム等の金属
膜（１４）を反射膜として形成する。
最後に、第１図（ｊ）に示すように、上記金属膜（１４
）上に樹脂等による保護膜層（１５）を形成し、高密度
光ディスクを完成する。
）上に樹脂等による保護膜層（１５）を形成し、高密度
光ディスクを完成する。
このように本実施例においては、基板とレジスト層の間
にＣｒＮを介在させ、現像後のレジスト層の開口部のレ
ーザ光入射側端面における開口幅がＣｒＮとの境界部に
おける開口幅より大となるようにレーザ光の出力を調節
して当該レジスト層を選択的に露光、現像させ、残った
レジスト層をマスクとしてＣｒＮをエツチングしている
ので、光学系によって決まるレーザ光のスポット径より
もさらに小さな幅を有するピットが得られる。
にＣｒＮを介在させ、現像後のレジスト層の開口部のレ
ーザ光入射側端面における開口幅がＣｒＮとの境界部に
おける開口幅より大となるようにレーザ光の出力を調節
して当該レジスト層を選択的に露光、現像させ、残った
レジスト層をマスクとしてＣｒＮをエツチングしている
ので、光学系によって決まるレーザ光のスポット径より
もさらに小さな幅を有するピットが得られる。
従って、本発明の方法によれば、従来のように光学系の
設定を変えてピットの幅を決める煩雑な作業をする手間
が省けるとともに、光学系の設定ミスによるピットの非
対称性やゆがみ等を防止できる。
設定を変えてピットの幅を決める煩雑な作業をする手間
が省けるとともに、光学系の設定ミスによるピットの非
対称性やゆがみ等を防止できる。
また、本発明の方法においては、レーザ光の強度分布特
性を利用して出力を適宜調整することで、簡単に露光中
リアルタイムにピットの幅を変えることができる。
性を利用して出力を適宜調整することで、簡単に露光中
リアルタイムにピットの幅を変えることができる。
〔発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明の方法におい
ては、ピットを作製する際に基板上にレーザ光に対して
感光しない層とレーザ光に対して感光する層を順次積層
した基板を使用し、これにレーザ光の強度分布特性と出
力依存性を利用して選択的に露光現像した後、レーザ光
に対して感光する層をマスクとしてレーザ光に対して感
光しない層をエツチングしているので、光学系によって
決まるスポット径より微細な幅のビットを作製すること
ができる。
ては、ピットを作製する際に基板上にレーザ光に対して
感光しない層とレーザ光に対して感光する層を順次積層
した基板を使用し、これにレーザ光の強度分布特性と出
力依存性を利用して選択的に露光現像した後、レーザ光
に対して感光する層をマスクとしてレーザ光に対して感
光しない層をエツチングしているので、光学系によって
決まるスポット径より微細な幅のビットを作製すること
ができる。
従って、本発明の方法によっ°ζ作製された光ディスク
においては、ピットの幅が小さくなることから高記録密
度が期待できる。
においては、ピットの幅が小さくなることから高記録密
度が期待できる。
また、本発明の方法によれば、光学系によってピットの
幅が決定されるのではないため、光学系の設定を変える
煩雑な作業をする必要がないばかりか、光学系の設定ミ
スによるビットの非対称性やその他のゆがみ等を防止す
ることができる。
幅が決定されるのではないため、光学系の設定を変える
煩雑な作業をする必要がないばかりか、光学系の設定ミ
スによるビットの非対称性やその他のゆがみ等を防止す
ることができる。
さらに、本発明の方法によれば、レーザ光の出力を変化
させることのみの簡単な作業で任意にピットの幅を変え
ることができるとともに、露光中リアルタイムにビット
の幅を変えることができる。
させることのみの簡単な作業で任意にピットの幅を変え
ることができるとともに、露光中リアルタイムにビット
の幅を変えることができる。
第１図（ａ）ないし第１図（１）は本発明方法を適用し
て高密度光ディスクを製造する工程をそれぞれ示す要部
拡大断面図であり、第１図（ａ）は第１の層及び第２の
層形成工程、第１図（ｂ）は第２の層の露光工程、第１
図（ｃ）は第２の層の現像工程、第１図（ｄ）は第１の
層のエツチング工程、第１図（ｅ）はメタルマスク形成
工程、第１図（ｆ）はマザー形成工程、第１図（ｇ）は
スタンバ形成工程、第１図０１）はディスク基板形成工
程、第１図（ｉ）は金属膜形成工程、第１図（ｊ）は保
護膜形成工程である。 第２ｒｙＪ（ａ）はレーザ光の強度分布特性を示す模式
図、第２図（ｈ）は露光、現像によりレジスト層に形成
される開口部の形杖を示す模式図である。 第３図（ａ）はレーザ光の出力を変化させて露光した状
態を示す基板の要部拡大断面図、第３図（ｂ）はレーザ
光によって露光、現像された基板の要部拡大断面図であ
る。 ５・・・基板 ６・・・第１の層 ７・・・第２の層
て高密度光ディスクを製造する工程をそれぞれ示す要部
拡大断面図であり、第１図（ａ）は第１の層及び第２の
層形成工程、第１図（ｂ）は第２の層の露光工程、第１
図（ｃ）は第２の層の現像工程、第１図（ｄ）は第１の
層のエツチング工程、第１図（ｅ）はメタルマスク形成
工程、第１図（ｆ）はマザー形成工程、第１図（ｇ）は
スタンバ形成工程、第１図０１）はディスク基板形成工
程、第１図（ｉ）は金属膜形成工程、第１図（ｊ）は保
護膜形成工程である。 第２ｒｙＪ（ａ）はレーザ光の強度分布特性を示す模式
図、第２図（ｈ）は露光、現像によりレジスト層に形成
される開口部の形杖を示す模式図である。 第３図（ａ）はレーザ光の出力を変化させて露光した状
態を示す基板の要部拡大断面図、第３図（ｂ）はレーザ
光によって露光、現像された基板の要部拡大断面図であ
る。 ５・・・基板 ６・・・第１の層 ７・・・第２の層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にレーザ光に対して感光しない第１の層と、レー
ザ光に対して感光する第２の層を順次積層した後、 上記第２の層を開口部のレーザ光入射側端面における開
口幅が第１の層との境界部における開口幅より大となる
ように記録情報に応じて選択的に露光、現像し、 次いで上記第２の層をマスクとして前記第１の層をエッ
チングすることを特徴とする高密度光ディスクの製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244463A JP2754785B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 高密度光ディスクの製造方法 |
| US07/583,204 US5238786A (en) | 1989-09-20 | 1990-09-17 | Method for manufacturing high recording density optical disk |
| DE69023586T DE69023586T2 (de) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums von hoher Dichte. |
| EP90118139A EP0418897B1 (en) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Manufacturing method of high density optical recording medium |
| AT90118139T ATE130457T1 (de) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Verfahren zur herstellung eines optischen aufzeichnungsmediums von hoher dichte. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244463A JP2754785B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 高密度光ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108141A true JPH03108141A (ja) | 1991-05-08 |
| JP2754785B2 JP2754785B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=17119021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1244463A Expired - Fee Related JP2754785B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 高密度光ディスクの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5238786A (ja) |
| EP (1) | EP0418897B1 (ja) |
| JP (1) | JP2754785B2 (ja) |
| AT (1) | ATE130457T1 (ja) |
| DE (1) | DE69023586T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5586109A (en) * | 1991-08-09 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| US6228562B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-08 | Nec Corporation | Method for manufacturing recording original disc for optical information recording media |
| WO2017047725A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 大日本印刷株式会社 | 情報記録媒体の作成方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2982328B2 (ja) * | 1991-01-23 | 1999-11-22 | ソニー株式会社 | 高密度光ディスクの作製方法 |
| US5783371A (en) * | 1994-07-29 | 1998-07-21 | Trustees Of Boston University | Process for manufacturing optical data storage disk stamper |
| US5503963A (en) * | 1994-07-29 | 1996-04-02 | The Trustees Of Boston University | Process for manufacturing optical data storage disk stamper |
| EP0712012A1 (en) * | 1994-11-09 | 1996-05-15 | International Business Machines Corporation | Authentication label and authenticating pattern incorporating diffracting structure and method of fabricating them |
| US5770120A (en) * | 1994-12-09 | 1998-06-23 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of manufacturing die and optical element performed by using the die |
| JP2955224B2 (ja) * | 1995-12-28 | 1999-10-04 | 花王株式会社 | 光ディスク用基板の製造方法 |
| US6207355B1 (en) * | 1996-06-21 | 2001-03-27 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for producing same |
| DE19653078A1 (de) * | 1996-12-19 | 1998-06-25 | Trace Optical | Leitstrukturen in optischen Speichermedien |
| JPH10289475A (ja) * | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Sony Corp | 露光装置 |
| JPH11250504A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sony Corp | 光記録媒体及びその製造方法 |
| JP2002510836A (ja) | 1998-04-06 | 2002-04-09 | イメイション・コーポレイション | データ記憶ディスク用リバース光マスタリング |
| JPH11296918A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 |
| JP2001076344A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Sony Corp | マスクパターン作成方法及び装置、並びに光ディスク製造方法 |
| JP2002222548A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Sony Corp | 光記録媒体、光記録媒体製造用原盤、光記録媒体製造用原盤の製造装置、光記録媒体製造用原盤の製造方法 |
| GB0204496D0 (en) * | 2002-02-26 | 2002-04-10 | Plasmon Ltd | Optical disc mastering |
| US20060110568A1 (en) * | 2004-11-23 | 2006-05-25 | Imation Corp. | Multi-layers optical data storage disk masters |
| US7427466B2 (en) | 2004-11-29 | 2008-09-23 | Imation Corp. | Anti-reflection optical data storage disk master |
| CN112992668B (zh) * | 2021-04-26 | 2021-08-06 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体结构的加工方法及半导体结构 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01317241A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Hitachi Ltd | 光デイスク原盤作製法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1509495A (en) * | 1976-04-08 | 1978-05-04 | Sony Corp | Record disc and method of producing the same |
| JPS56117341A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-14 | Toshiba Corp | Optical disk and its manufacture |
| EP0155000B1 (en) * | 1984-03-16 | 1991-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing optical memory element |
| JPH0648546B2 (ja) * | 1984-07-14 | 1994-06-22 | 日本ビクター株式会社 | 情報記録担体の製造法 |
| US4632898A (en) * | 1985-04-15 | 1986-12-30 | Eastman Kodak Company | Process for fabricating glass tooling |
| FR2590376A1 (fr) * | 1985-11-21 | 1987-05-22 | Dumant Jean Marc | Procede de masquage et masque utilise |
| US4729940A (en) * | 1986-05-16 | 1988-03-08 | Cbs Inc. | Method of manufacturing master for optical information carrier |
| JP2548186B2 (ja) * | 1987-04-13 | 1996-10-30 | パイオニア株式会社 | 案内溝付光デイスク |
| JPS6486344A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Victor Company Of Japan | Information recording carrier and production thereof |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1244463A patent/JP2754785B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-17 US US07/583,204 patent/US5238786A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-20 AT AT90118139T patent/ATE130457T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-09-20 DE DE69023586T patent/DE69023586T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-20 EP EP90118139A patent/EP0418897B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01317241A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Hitachi Ltd | 光デイスク原盤作製法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5586109A (en) * | 1991-08-09 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| US5676854A (en) * | 1991-08-09 | 1997-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| US6228562B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-08 | Nec Corporation | Method for manufacturing recording original disc for optical information recording media |
| WO2017047725A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 大日本印刷株式会社 | 情報記録媒体の作成方法 |
| JPWO2017047725A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-11-02 | 大日本印刷株式会社 | 情報記録媒体の作成方法 |
| JP2018022548A (ja) * | 2015-09-18 | 2018-02-08 | 大日本印刷株式会社 | 情報記録媒体の作成方法 |
| JP2018055761A (ja) * | 2015-09-18 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | 情報記録媒体の作成方法 |
| US10706885B2 (en) | 2015-09-18 | 2020-07-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for manufacturing information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0418897A3 (en) | 1992-07-15 |
| DE69023586D1 (de) | 1995-12-21 |
| DE69023586T2 (de) | 1996-07-04 |
| EP0418897B1 (en) | 1995-11-15 |
| ATE130457T1 (de) | 1995-12-15 |
| US5238786A (en) | 1993-08-24 |
| JP2754785B2 (ja) | 1998-05-20 |
| EP0418897A2 (en) | 1991-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03108141A (ja) | 高密度光ディスクの製造方法 | |
| EP0165804B1 (en) | Stamper for replicating high-density data recording disks and process for producing the same | |
| JP2723986B2 (ja) | 光ディスク原盤の作製方法 | |
| JP2934791B2 (ja) | 光データ記憶ディスクの製造方法 | |
| JPS60170045A (ja) | アドレス，案内溝付光デイスク製造方法 | |
| JPH04248145A (ja) | 高密度光ディスクの作製方法 | |
| US6127100A (en) | Method of manufacturing a stamper for use in optical information recording medium | |
| JPS58146040A (ja) | 光学式情報記録原盤 | |
| CA2221723C (en) | Optical card | |
| US6214528B1 (en) | Method of forming mother for use in optical disc | |
| JPS6034171B2 (ja) | 光学記録方式によるビデオデイスク原盤 | |
| JPH05120734A (ja) | 光デイスク及びその製造方法 | |
| KR100207701B1 (ko) | 광디스크 제조방법 | |
| JP2715863B2 (ja) | 光ディスク製造用スタンパの製造方法 | |
| JPH10149585A (ja) | 光ディスク及び光ディスク原盤の製造方法 | |
| JP2007133970A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0855370A (ja) | 光ディスク製造方法とスタンパーと金型及び光ディスク | |
| JPS63138541A (ja) | 光学的記録媒体の製造方法 | |
| JPH03291392A (ja) | 電鋳原版電鋳方法及び電鋳原版 | |
| JPH10302300A (ja) | 記録媒体原盤の製造方法、露光方法、記録及び／又は再生装置 | |
| JP2000113520A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JPH0963942A (ja) | 露光パターンの形成方法及び露光装置 | |
| JPH07105080B2 (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JPH0917043A (ja) | 情報記録媒体の製造方法 | |
| JP2001134988A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法、光ディスク原盤、スタンパー及び光ディスク用基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |