JPS63169721A - ３−５族或は２−６族化合物半導体のエピタキシヤル成長法 - Google Patents
３−５族或は２−６族化合物半導体のエピタキシヤル成長法Info
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- JPS63169721A JPS63169721A JP62001540A JP154087A JPS63169721A JP S63169721 A JPS63169721 A JP S63169721A JP 62001540 A JP62001540 A JP 62001540A JP 154087 A JP154087 A JP 154087A JP S63169721 A JPS63169721 A JP S63169721A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば半導体レーザ等の製造に適用されるＰ
形又はＮ形の不純物を含む■−■族或は■−■族化合物
半導体のエピタキシャル成長法に関する。
形又はＮ形の不純物を含む■−■族或は■−■族化合物
半導体のエピタキシャル成長法に関する。
本発明は、Ｐ形又はＮ形不純物を含む■−ｖ族或はＩＩ
−ＶＩｌ族化合物平棒体エピタキシャル成長法に際し、
その供給ガスにおける■−ｖ族或は■−ｖｉ族化合物半
導体を構成する元素のＶ／Ｉ比或はＶＩ／ＩＴ比を制御
することにより、化合物産導体中の自己補償欠陥を制御
するようにしたものである。
−ＶＩｌ族化合物平棒体エピタキシャル成長法に際し、
その供給ガスにおける■−ｖ族或は■−ｖｉ族化合物半
導体を構成する元素のＶ／Ｉ比或はＶＩ／ＩＴ比を制御
することにより、化合物産導体中の自己補償欠陥を制御
するようにしたものである。
従来よりｍ−ｖ族或はｒｒ−ｖｒ族化合物半導体等のエ
ピタキシャル成長にはＭＯＣ［ｌ （有機金属気相成長
）法が用いられている。例えばｍ−ｖ族化合物半導体に
よる半導体レーザをＭＯＣＶＤ法により作製する場合、
そのダブルへテロ構造におけるＰ形クラッド層とＮ形り
ラッド層の結晶成長は温度、Ｖ／ＩＩＩ比（供給ガスに
おける■族元素と■族元素のモル比）等の成長条件を同
一にして行なわれるのがほとんどである。ただ、例えば
ＡＩｘＧａｘ−に＾Ｓの＾ｉ組成比Ｘが増すに従い、ア
ンドープレベル（不純物カーボンの取込み最小のところ
）がＶ／ＩＩＩ比に依存するので、Ｖ１ｍ比を変える事
があるが、Ｐ形とＮ形でＶ／ｆｆｉ比を変えることはし
ていない。
ピタキシャル成長にはＭＯＣ［ｌ （有機金属気相成長
）法が用いられている。例えばｍ−ｖ族化合物半導体に
よる半導体レーザをＭＯＣＶＤ法により作製する場合、
そのダブルへテロ構造におけるＰ形クラッド層とＮ形り
ラッド層の結晶成長は温度、Ｖ／ＩＩＩ比（供給ガスに
おける■族元素と■族元素のモル比）等の成長条件を同
一にして行なわれるのがほとんどである。ただ、例えば
ＡＩｘＧａｘ−に＾Ｓの＾ｉ組成比Ｘが増すに従い、ア
ンドープレベル（不純物カーボンの取込み最小のところ
）がＶ／ＩＩＩ比に依存するので、Ｖ１ｍ比を変える事
があるが、Ｐ形とＮ形でＶ／ｆｆｉ比を変えることはし
ていない。
１ｌ−ＶＩ族化合物半導体の場合もその成長条件ＶＩ／
ＩＩ比については同様である。
ＩＩ比については同様である。
ところで、例えば￥導体レーザにおいては、その長寿命
化が望まれている。
化が望まれている。
一方、本発明者達は劣化した半導体レーザ素子の解析か
ら劣化原因になっていると考えられる欠陥の存在を見い
だした。そこで、ＡｌＧａＡｓ系崖導体レーザのクラッ
ド層に用いられるＰ−＾１０．４ ｇ （：ａｏ、ｓ
ｓ＾Ｓ及びＮ−＾１ｏ、４ｓ Ｇａｏ、５ｓ Ａｓの結
晶評価を行った結果、Ｖ１ｍ比、不純物ドーピング濃度
、Ａｌの組成比の変化に応じて増減する欠陥があること
が判り、それが自己補償欠陥（ＳＡ中心）である事が判
明した。即ちＺｎをドープしたＰ形りラッド層ではＺｎ
ｃｙ＊−（アクセプタ） −ＶＡｓ” （ヒ素空格子
点）というＳＡ中心によっており、ＳｅをドープしたＮ
形りラフト層では５ｅＡｓ” （ドナー）−Ｖ伽−（
ガリウム空格子点）というＳＡ中心になっている。Ｐ形
（Ｎ形）クラッド層中のＳＡ中心の生成のモデルを第４
図及び第５図に示す。結晶成長温度下（〜８００℃）で
は不純物原子Ｐ形（Ｚｎ：Ｕ族）、Ｎ形（Ｓｅ：ＶＩ族
）は、夫々イオン化してＺｎ−、Ｓｅ中になっている０
例えばＺｎドープのＰ形ＧａＡｓについて見れば、成長
面内の各原子の並び方としては第４図に示す様になって
いるのが望ましい、しかし、電気的中性を保つためにＺ
ｎ−の囲りに正の電荷をもったものが出来易い、そのた
めＶＡｇ” （ヒ素空格子点）が出来易くなり第５図
に示すような原子配列となっていることが結晶評価から
判明した。
ら劣化原因になっていると考えられる欠陥の存在を見い
だした。そこで、ＡｌＧａＡｓ系崖導体レーザのクラッ
ド層に用いられるＰ−＾１０．４ ｇ （：ａｏ、ｓ
ｓ＾Ｓ及びＮ−＾１ｏ、４ｓ Ｇａｏ、５ｓ Ａｓの結
晶評価を行った結果、Ｖ１ｍ比、不純物ドーピング濃度
、Ａｌの組成比の変化に応じて増減する欠陥があること
が判り、それが自己補償欠陥（ＳＡ中心）である事が判
明した。即ちＺｎをドープしたＰ形りラッド層ではＺｎ
ｃｙ＊−（アクセプタ） −ＶＡｓ” （ヒ素空格子
点）というＳＡ中心によっており、ＳｅをドープしたＮ
形りラフト層では５ｅＡｓ” （ドナー）−Ｖ伽−（
ガリウム空格子点）というＳＡ中心になっている。Ｐ形
（Ｎ形）クラッド層中のＳＡ中心の生成のモデルを第４
図及び第５図に示す。結晶成長温度下（〜８００℃）で
は不純物原子Ｐ形（Ｚｎ：Ｕ族）、Ｎ形（Ｓｅ：ＶＩ族
）は、夫々イオン化してＺｎ−、Ｓｅ中になっている０
例えばＺｎドープのＰ形ＧａＡｓについて見れば、成長
面内の各原子の並び方としては第４図に示す様になって
いるのが望ましい、しかし、電気的中性を保つためにＺ
ｎ−の囲りに正の電荷をもったものが出来易い、そのた
めＶＡｇ” （ヒ素空格子点）が出来易くなり第５図
に示すような原子配列となっていることが結晶評価から
判明した。
図示せざるも、ＳｅドープのＮ形ＧａＡｓについては電
気的中性を保つためにＳｅ中の囲りに負の電荷をもった
ＶＧａ″″ （ガリウム空格子点）が出来易くなる。
気的中性を保つためにＳｅ中の囲りに負の電荷をもった
ＶＧａ″″ （ガリウム空格子点）が出来易くなる。
従って半導体レーザの場合、結晶中に取り込まれるこの
ようなＳＡ中心を減らすことができれば長寿命化が可能
となる。
ようなＳＡ中心を減らすことができれば長寿命化が可能
となる。
本発明は、上述の点に鑑み、自己補償欠陥を抑制するこ
とができる■−ｖ族或はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のエ
ピタキシャル成長法を提供するものである。
とができる■−ｖ族或はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のエ
ピタキシャル成長法を提供するものである。
本発明は、Ｐ形又はＮ形の不純物を含む■−ｖ族或はＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体のエピタキシャル成鵬法におい
て、ｍ−ｖ族或は１−ｖｉ族化合物半導体を構成する元
素のｖｙｍ比或はＶＩ／Ｉｆ比を制御して、上記化合物
半導体中の自己補償欠陥を制御するようになす。
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体のエピタキシャル成鵬法におい
て、ｍ−ｖ族或は１−ｖｉ族化合物半導体を構成する元
素のｖｙｍ比或はＶＩ／Ｉｆ比を制御して、上記化合物
半導体中の自己補償欠陥を制御するようになす。
特に自己補償欠陥及び後述の他の未同定な欠陥を含めこ
れを小さく抑制したい半導体レーザ用ダブルへテロ構造
の結晶成長の場合には、Ｐ形りラッド層の成長時の■／
■比或はＶＩ／ＩＩ比をＮ形りラッド層の成長時のｖｙ
ｍ比或はＶＩ／ＩＩ比より必ず大きくしてけうを可とす
る。
れを小さく抑制したい半導体レーザ用ダブルへテロ構造
の結晶成長の場合には、Ｐ形りラッド層の成長時の■／
■比或はＶＩ／ＩＩ比をＮ形りラッド層の成長時のｖｙ
ｍ比或はＶＩ／ＩＩ比より必ず大きくしてけうを可とす
る。
エピタキシャル成長法としてはＭＯＣν０（有機金属気
相成長）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法を通用で
きる。
相成長）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法を通用で
きる。
エピタキシ中ル成長時のＶ／Ｉ比或はＶＩ／ＩＩ比の変
化に応じて、結晶成長された化合物半導体中の自己補償
欠陥は増減するので、ｖｙｍ比或はＶＩ／ＩＩ比を制御
することににり結晶成長された化合物半導体中の自己補
償欠陥は制御される。
化に応じて、結晶成長された化合物半導体中の自己補償
欠陥は増減するので、ｖｙｍ比或はＶＩ／ＩＩ比を制御
することににり結晶成長された化合物半導体中の自己補
償欠陥は制御される。
Ｐ形、Ｎ形化合物半導体層中のＳＡ中心はＶ／ｍ比較或
はＶＩ／ｎ比をｍ″ｙ！！ｉ化することにより般小に抑
制できる。例えばｍ−ｖ族化合物半導体の場合、前述の
例えばＰ形層のＳＡ巾心であるＺｎ−−ＶＡｇのみにつ
い°ζ考えれば、Ｖ１ｍ比が高いほど、このＺｎ−−Ｖ
Ａｇは減少するが、他の（同定されていない別の）欠陥
が増えてくるので、ＳＡ中心及び他の未同定の欠陥を含
めたこれらを最小にするには最適Ｖ１ｍ比が存在する。
はＶＩ／ｎ比をｍ″ｙ！！ｉ化することにより般小に抑
制できる。例えばｍ−ｖ族化合物半導体の場合、前述の
例えばＰ形層のＳＡ巾心であるＺｎ−−ＶＡｇのみにつ
い°ζ考えれば、Ｖ１ｍ比が高いほど、このＺｎ−−Ｖ
Ａｇは減少するが、他の（同定されていない別の）欠陥
が増えてくるので、ＳＡ中心及び他の未同定の欠陥を含
めたこれらを最小にするには最適Ｖ１ｍ比が存在する。
又、Ｎ形層のＳＡ中心であるＳｏ” −Ｖａａについて
考えれぽＶ／ｌ［［比を小さくすればＳｅ”−■ｅａは
減少するが、他の未同定の欠陥が増えてくるので同様に
これらを最小にするには最適Ｖ／ＩＩＩ比が存在する。
考えれぽＶ／ｌ［［比を小さくすればＳｅ”−■ｅａは
減少するが、他の未同定の欠陥が増えてくるので同様に
これらを最小にするには最適Ｖ／ＩＩＩ比が存在する。
これらの欠陥を最小にする最適Ｖ１ｍ比に関しては、Ｐ
形層のｎｉｓｖｉｍ比の方がＮ形層の液通Ｖ／ｍ比より
大きい、１ｌ−ＶＩ族化合物半導体のエピタキシャル成
長の場合も、同様に考えられる。
形層のｎｉｓｖｉｍ比の方がＮ形層の液通Ｖ／ｍ比より
大きい、１ｌ−ＶＩ族化合物半導体のエピタキシャル成
長の場合も、同様に考えられる。
従って、例えば半導体レーザ用ダブルへテロ構造の結晶
成長では、Ｐ形りラッド層の成長時のＶ／ｌ’［比或は
ＶＩ／ＩＩ比をＮ形クラッド層の成長時の■／ｒｆｉ比
或はＶＩ／ｎ比より必ず大きくして行えば、自己補償欠
陥を含めた未同定な欠陥が少ない良質のダブルへテロ構
造が成長する。
成長では、Ｐ形りラッド層の成長時のＶ／ｌ’［比或は
ＶＩ／ＩＩ比をＮ形クラッド層の成長時の■／ｒｆｉ比
或はＶＩ／ｎ比より必ず大きくして行えば、自己補償欠
陥を含めた未同定な欠陥が少ない良質のダブルへテロ構
造が成長する。
ＳＡ中心は例えばＡｌＧａＡｓ糸の場合、Ａ１組成比が
増加する程顕著に生じる。又、ＳＡ中心の発生は不純物
ドーピング濃度によっても変る。従って、上記Ｍ適ｖＺ
ｍ比はＡ１組成比、不純物ドーピング濃度に応じて変わ
り得る。
増加する程顕著に生じる。又、ＳＡ中心の発生は不純物
ドーピング濃度によっても変る。従って、上記Ｍ適ｖＺ
ｍ比はＡ１組成比、不純物ドーピング濃度に応じて変わ
り得る。
ＭＯＣＶＤ法によってＡｌＧａＡｓ糸の半導体レーザ用
ダブルへテロ構造の結晶成長の例について説明する。
ダブルへテロ構造の結晶成長の例について説明する。
第１図はＮ形クラッド層に相当する組成即ちＮ形不純物
濃度ｎ ｗ ５ Ｘ ＩＱ” ａｍ−”の例えば＾１ｏ
、４ｓ Ｇａ０．６ Ｓ＾Ｓの単層エピタキシャル成長
層における室温フォトルミネッセンス強度ＩＰＬのＶ／
ｍ比依存性を示す。また、第２図はＰ形りラッド層に相
当する組成即ちＰ形不純＃濃度り ” ５ Ｘ １０”
ｃｓ−’の例えば＾］ｏ、４ｓ Ｇａｏ、ｓｓ＾Ｓの
単層エピタキシャル成長層における室温フォトルミネッ
センス強度■ｙ’ｔ、のＶ／ＩＩＩ比依存性全依存性い
ずれも成長温度は８００℃である。
濃度ｎ ｗ ５ Ｘ ＩＱ” ａｍ−”の例えば＾１ｏ
、４ｓ Ｇａ０．６ Ｓ＾Ｓの単層エピタキシャル成長
層における室温フォトルミネッセンス強度ＩＰＬのＶ／
ｍ比依存性を示す。また、第２図はＰ形りラッド層に相
当する組成即ちＰ形不純＃濃度り ” ５ Ｘ １０”
ｃｓ−’の例えば＾］ｏ、４ｓ Ｇａｏ、ｓｓ＾Ｓの
単層エピタキシャル成長層における室温フォトルミネッ
センス強度■ｙ’ｔ、のＶ／ＩＩＩ比依存性全依存性い
ずれも成長温度は８００℃である。
第１図において、曲線（１）は室温フォトルミネッセン
ス強度、曲線（２）はＳＡ中心からの発光強度、曲線（
３）は他の未同定な欠陥からの発光強度である。
ス強度、曲線（２）はＳＡ中心からの発光強度、曲線（
３）は他の未同定な欠陥からの発光強度である。
第２図において、曲線（４）は室温フォトルミネッセン
ス強度、曲線（５）はＳＡ中心からの発光強度、曲線（
６）は伯の未同定な欠陥からの発光強度である。
ス強度、曲線（５）はＳＡ中心からの発光強度、曲線（
６）は伯の未同定な欠陥からの発光強度である。
室温フォトルミネッセンス強度は半導体結晶の質を評価
するものである。
するものである。
第１図及び第２図から室温フォトルミネッセンス強度の
Ｖ１ｍ比依存性がＳＡ中心、未同定Ｘ（欠陥からの発光
強度（低温フォトルミネッセンス測定による）のｖ／■
比依存性に関係していることが判る０曲線（１）及び（
４）のピークに対応するＶ／ＩＩ比が夫々のＮ形クラッ
ド層及びＰ形りラフト層を結晶成長させるときのＳＡ中
心及び未同定な欠陥が最小となる最ｍＶ／ＩＩＩ比とな
るものである。Ｐ形りラッドＪｄの最適Ｖ１ｍ比はＮ形
クラッド層の最適■／ＩＩＩ比より大きくなっている。
Ｖ１ｍ比依存性がＳＡ中心、未同定Ｘ（欠陥からの発光
強度（低温フォトルミネッセンス測定による）のｖ／■
比依存性に関係していることが判る０曲線（１）及び（
４）のピークに対応するＶ／ＩＩ比が夫々のＮ形クラッ
ド層及びＰ形りラフト層を結晶成長させるときのＳＡ中
心及び未同定な欠陥が最小となる最ｍＶ／ＩＩＩ比とな
るものである。Ｐ形りラッドＪｄの最適Ｖ１ｍ比はＮ形
クラッド層の最適■／ＩＩＩ比より大きくなっている。
図示の例ではＰ形りラ−／ Ｆ層の＠Ｈｖｙｍ比は１０
０近傍、Ｎ形クラッド層の最適Ｖ／Ｉｎ比は５０近傍で
ある。従って、半導体レーザの作製において、そのダブ
ルへテロ構造の結晶成長では各層共に液逍Ｖ／ｍ比で成
長することにより、Ｐ形及びＮ形クラッド層の欠陥数を
液小に抑えることができ良質の結晶が成長する。なお、
曲線（１）、（４）のピークより多少ずれた範囲に対応
する■／ｎＩ比で成長しても欠陥を抑制できるが、いず
れにしてもＰ形りラッド層のＶ１ｍ比はＮ形クラッド層
のＶ／ｍより必ず大きくなるようにする。よって長寿命
の半導体レーザを作製することができる。又、Ｐ形のＡ
ｌｘＧａｘ−ｘＡｓ糸を例にとった第３図の実線（７）
で示すように、ＳＡ中心はＡ１組成比Ｘが増す程顕著に
なる。そして、符鰺（８）で示すように同じＡ１組成比
においても、Ｖ／ＩＩＩが低いとＳＡ中心からの発光強
度が強くなる（Ｐ形であるため）、従って、最ＮＶ／Ｉ
ＩＩ比は４１組成比に応じて変わり得る。又、最適■／
■比は不純物ドーピング濃度によっても変わり得る。
０近傍、Ｎ形クラッド層の最適Ｖ／Ｉｎ比は５０近傍で
ある。従って、半導体レーザの作製において、そのダブ
ルへテロ構造の結晶成長では各層共に液逍Ｖ／ｍ比で成
長することにより、Ｐ形及びＮ形クラッド層の欠陥数を
液小に抑えることができ良質の結晶が成長する。なお、
曲線（１）、（４）のピークより多少ずれた範囲に対応
する■／ｎＩ比で成長しても欠陥を抑制できるが、いず
れにしてもＰ形りラッド層のＶ１ｍ比はＮ形クラッド層
のＶ／ｍより必ず大きくなるようにする。よって長寿命
の半導体レーザを作製することができる。又、Ｐ形のＡ
ｌｘＧａｘ−ｘＡｓ糸を例にとった第３図の実線（７）
で示すように、ＳＡ中心はＡ１組成比Ｘが増す程顕著に
なる。そして、符鰺（８）で示すように同じＡ１組成比
においても、Ｖ／ＩＩＩが低いとＳＡ中心からの発光強
度が強くなる（Ｐ形であるため）、従って、最ＮＶ／Ｉ
ＩＩ比は４１組成比に応じて変わり得る。又、最適■／
■比は不純物ドーピング濃度によっても変わり得る。
しかし、同じＡ１組成比、或は同じ不純物ドーピング濃
度について見ればＰ形とＮ形での最５！！ＶＺｍ比の関
係はＰ形のＶ／ＩＴＩ比の方がＮ形のＶ１ｍ比より必ず
小さくなる。
度について見ればＰ形とＮ形での最５！！ＶＺｍ比の関
係はＰ形のＶ／ＩＴＩ比の方がＮ形のＶ１ｍ比より必ず
小さくなる。
上例ではｎｉ −ｖ族化合物半導体の結晶成長について
述べたが、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の結晶成長につい
ても、■／■比の関係は上述のＶ１ｍ比の関係と’Ｅ４
４ｍし、Ｖｒ／ＩＦ比を制御することにより、同様にエ
ピタキシャル成長層中の自己補償欠陥、他の未同定な欠
陥を制御できる。また、上例ではダブルへテロ構造の半
導体レーザの結晶成長に通用したが、他の半導体素子の
結晶成長にも通用できる。また、自己補償欠陥を利用し
た発光デバイスの結晶成長にも通用でき、この場合には
自己補償欠陥数が多くなるようにＶ／ＩＩＩ比或はＶＩ
／ＩＩ比を選んで行えばよい。
述べたが、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の結晶成長につい
ても、■／■比の関係は上述のＶ１ｍ比の関係と’Ｅ４
４ｍし、Ｖｒ／ＩＦ比を制御することにより、同様にエ
ピタキシャル成長層中の自己補償欠陥、他の未同定な欠
陥を制御できる。また、上例ではダブルへテロ構造の半
導体レーザの結晶成長に通用したが、他の半導体素子の
結晶成長にも通用できる。また、自己補償欠陥を利用し
た発光デバイスの結晶成長にも通用でき、この場合には
自己補償欠陥数が多くなるようにＶ／ＩＩＩ比或はＶＩ
／ＩＩ比を選んで行えばよい。
本発明によれば、Ｐ形又はＮ形不純物を合む■−Ｖ族或
は■−■族化合物半導体のエピタキシャル成長において
、結晶成長時のＶ／Ｉｆｆ比或はＶｆ／ｆｆ比を制御す
ることにより、夫々Ｐ形半導体層又はＮ形半導体層中の
自己補償欠陥を制御することができる。
は■−■族化合物半導体のエピタキシャル成長において
、結晶成長時のＶ／Ｉｆｆ比或はＶｆ／ｆｆ比を制御す
ることにより、夫々Ｐ形半導体層又はＮ形半導体層中の
自己補償欠陥を制御することができる。
そして、例えば半導体レーザ用ダブルへテロ構造の結晶
成長に通用した場合には、Ｐ形りラッド層の結晶成長時
のＶ／［１比或は■／ＩＴ比がＮ形りランド層の結晶成
長時のそれより大となる関係で各層のＭｋ通条件（Ｖ／
ＩＩＩ比或はＶＦ／ＩＴ比）で成長することにより、自
己補償欠陥を含む未同定欠陥数を抑制できる。したがっ
て半導体レーザの長寿命化が可能となる。
成長に通用した場合には、Ｐ形りラッド層の結晶成長時
のＶ／［１比或は■／ＩＴ比がＮ形りランド層の結晶成
長時のそれより大となる関係で各層のＭｋ通条件（Ｖ／
ＩＩＩ比或はＶＦ／ＩＴ比）で成長することにより、自
己補償欠陥を含む未同定欠陥数を抑制できる。したがっ
て半導体レーザの長寿命化が可能となる。
第１図はＮ形りラッド層に相当する組成（＾１０．４
ｇＧａｏ、ｓ ｓ Ａｓ）の単層エピタキシャル成長層
における室温フォトルミネッセンス強度のＶ／ＩＩ比依
存性を示す特性図、第２図はＰ形りラッド層に相当する
組成（ＡＩｏ、４５ Ｇａｏｓ６ＡＮ＞のｆｆｉ層エピ
タキシャル成長層における室温フォトルミネッセンス強
度のＶ１ｍ比依存性を示す特性図、第４図及び第４図は
Ｐ形りラッド層中のＳ＾中心の生成モデルの説明図、第
３図はＰ−＾１ｘＧａｓ−ｘＡｓの＾１組成比ＸとＳＡ
中心の関係を示す特性図である。
ｇＧａｏ、ｓ ｓ Ａｓ）の単層エピタキシャル成長層
における室温フォトルミネッセンス強度のＶ／ＩＩ比依
存性を示す特性図、第２図はＰ形りラッド層に相当する
組成（ＡＩｏ、４５ Ｇａｏｓ６ＡＮ＞のｆｆｉ層エピ
タキシャル成長層における室温フォトルミネッセンス強
度のＶ１ｍ比依存性を示す特性図、第４図及び第４図は
Ｐ形りラッド層中のＳ＾中心の生成モデルの説明図、第
３図はＰ−＾１ｘＧａｓ−ｘＡｓの＾１組成比ＸとＳＡ
中心の関係を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｐ形又はＮ形の不純物を含むIII−Ｖ族或はII−VI族化
合物半導体のエピタキシャル成長法において、 上記III−Ｖ族或はII−VI族化合物半導体を構成する元
素のＶ／III比或はVI／II比をＰ形、Ｎ形で夫々独立に
（Ｐ＞Ｎ）制御することにより、上記化合物半導体中の
自己補償欠陥を制御することを特徴とするIII−Ｖ族或
はII−VI族化合物半導体のエピタキシャル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP154087A JP2625695B2 (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族或は▲ｉｉ▼−▲ｖｉ▼族化合物半導体のエピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP154087A JP2625695B2 (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族或は▲ｉｉ▼−▲ｖｉ▼族化合物半導体のエピタキシヤル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169721A true JPS63169721A (ja) | 1988-07-13 |
| JP2625695B2 JP2625695B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=11504356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP154087A Expired - Lifetime JP2625695B2 (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族或は▲ｉｉ▼−▲ｖｉ▼族化合物半導体のエピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625695B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0841707A3 (en) * | 1996-11-11 | 2000-05-03 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, its manufacturing method and optical recording and/or reproducing apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984622A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-16 | Nissan Motor Co Ltd | ドアの内張り構造 |
| JPS6038820U (ja) * | 1983-05-19 | 1985-03-18 | しげる工業株式会社 | ドアトリムの組付け構造 |
| JPS6112813U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-25 | 三菱自動車工業株式会社 | 車両のドア装置 |
-
1987
- 1987-01-07 JP JP154087A patent/JP2625695B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2625695B2 (ja) | 1997-07-02 |
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