JPS631736B2 - - Google Patents
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- JPS631736B2 JPS631736B2 JP55023948A JP2394880A JPS631736B2 JP S631736 B2 JPS631736 B2 JP S631736B2 JP 55023948 A JP55023948 A JP 55023948A JP 2394880 A JP2394880 A JP 2394880A JP S631736 B2 JPS631736 B2 JP S631736B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/30—Drying; Impregnating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
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- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/145—Organic dielectrics vapour deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、純粋な炭化水素及び分子式（CF2）o
を有する過フルオル化炭化水素がグロー放電室内
に吹込まれた過フルオル化炭化水素がその分子式
中のｎに関し２〜10の値を有する、特に電気コン
デンサを製造するための基材上に、グロー重合体
から成る誘電体層を製造する方法に関する。
を有する過フルオル化炭化水素がグロー放電室内
に吹込まれた過フルオル化炭化水素がその分子式
中のｎに関し２〜10の値を有する、特に電気コン
デンサを製造するための基材上に、グロー重合体
から成る誘電体層を製造する方法に関する。
この種の方法は西ドイツ特許出願公開第
2557899号公報から公知である。該公報に記載さ
れた方法では過フルオル化炭化水素の他に分子式
（CH2）oの純粋な炭化水素が反応室内に吹込まれ
る。
2557899号公報から公知である。該公報に記載さ
れた方法では過フルオル化炭化水素の他に分子式
（CH2）oの純粋な炭化水素が反応室内に吹込まれ
る。
本発明の目的は、この層の耐熱性を高めること
またそれにもかかわらずこの層を弾性かつ高絶縁
性に、また高速度で施し得ることにある。
またそれにもかかわらずこの層を弾性かつ高絶縁
性に、また高速度で施し得ることにある。
この目的は本発明によれば、純粋な炭化水素と
して分子式ＣｎH(2o-2)を有するジエンを反応室内
に吹込むことによつて達成される。
して分子式ＣｎH(2o-2)を有するジエンを反応室内
に吹込むことによつて達成される。
ジエンはグロー重合に際して独りでに形成され
る層を生じるが、この層はコンデンサ誘電体とし
て使用した場合、僅少な再生力を有するにすぎな
い。過フルオル化炭化水素もまた極く僅かな再生
力を有するにすぎないことから、これらはもはや
回復しない閃絡溶融物となるにすぎない。これに
対して本発明の両物質から成る混合物は良好な再
生能力及び350℃までの耐熱性を有する高弾性の
層を生じる。従つてこれらの層はポリイミドを耐
熱性にすると共に、水分吸収性が僅少で、これを
コンデンサ誘電体として使用した場合閃絡に際し
ても再生される。
る層を生じるが、この層はコンデンサ誘電体とし
て使用した場合、僅少な再生力を有するにすぎな
い。過フルオル化炭化水素もまた極く僅かな再生
力を有するにすぎないことから、これらはもはや
回復しない閃絡溶融物となるにすぎない。これに
対して本発明の両物質から成る混合物は良好な再
生能力及び350℃までの耐熱性を有する高弾性の
層を生じる。従つてこれらの層はポリイミドを耐
熱性にすると共に、水分吸収性が僅少で、これを
コンデンサ誘電体として使用した場合閃絡に際し
ても再生される。
この種の良好な層を生じる析出度は純粋な物質
の析出度の３〜４倍であり、毎分1μmよりも大き
い。
の析出度の３〜４倍であり、毎分1μmよりも大き
い。
高い析出度及び極めて柔軟な層は、分子式
C4H6の１，３―ブタジエンを吹込むことによつ
て得ることができる。分子式C5H8の１，３―ペ
ンタジエン又は分子式C5H8のメチルブタジエン
（１，３）（市販名イソプレン）を吹込んだ場合に
はこれよりも僅かに硬い層が生じる。
C4H6の１，３―ブタジエンを吹込むことによつ
て得ることができる。分子式C5H8の１，３―ペ
ンタジエン又は分子式C5H8のメチルブタジエン
（１，３）（市販名イソプレン）を吹込んだ場合に
はこれよりも僅かに硬い層が生じる。
硬い基材を使用する場合には、１，３―ヘキサ
ジエン、２，４―ヘキサジエン、２―メチルペン
タジエン（１，３）、２，３―ジメチルブタジエ
ン（１，３）の一種を吹込まれた僅かに硬質の層
も適している。これらの物質は共通の分子式
C6H10を有する。
ジエン、２，４―ヘキサジエン、２―メチルペン
タジエン（１，３）、２，３―ジメチルブタジエ
ン（１，３）の一種を吹込まれた僅かに硬質の層
も適している。これらの物質は共通の分子式
C6H10を有する。
脆性のほとんどない層を得るためには、分子式
C3H4のプロパジエンを吹込むことが好ましい。
プロパジエンはアレンであり、特殊な層構造、例
えば交叉結合度の高い平均鎖長を生じる。特にこ
のものは上記ガスとの混合ガスとして適してい
る。
C3H4のプロパジエンを吹込むことが好ましい。
プロパジエンはアレンであり、特殊な層構造、例
えば交叉結合度の高い平均鎖長を生じる。特にこ
のものは上記ガスとの混合ガスとして適してい
る。
前記の各物質は相対分子量≦82を有する。従つ
てこれらの物質は十分な大きさの蒸着度を有し、
装置内には十分量の新鮮なガスが確保される。
てこれらの物質は十分な大きさの蒸着度を有し、
装置内には十分量の新鮮なガスが確保される。
シクロアルカン又は分子式（CH2）oのアルケ
ン、例えばブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテ
ン、オクテン又は相応するシクロアルカンを約10
〜20容量％添加することによつて、析出速度は更
に高まり、電気的な再生力は一層改良される。
ン、例えばブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテ
ン、オクテン又は相応するシクロアルカンを約10
〜20容量％添加することによつて、析出速度は更
に高まり、電気的な再生力は一層改良される。
好ましい圧力範囲としては0.5〜約3mbarであ
り、この場合放電周波数は5MHzよりも大きく調
整する。
り、この場合放電周波数は5MHzよりも大きく調
整する。
こうして得られた層は電気的及び機械的特性を
損なわれることなく、例えば空気中で350℃で少
なくとも１時間放置することができる。
損なわれることなく、例えば空気中で350℃で少
なくとも１時間放置することができる。
200℃以上の温度で数時間熱処理を加えること
により、支持箔、グロー重合体層及びメタライジ
ング層間の付着力は更に著しく改良される。この
場合公知の合成樹脂箔を支持箔として使用するこ
とができる。
により、支持箔、グロー重合体層及びメタライジ
ング層間の付着力は更に著しく改良される。この
場合公知の合成樹脂箔を支持箔として使用するこ
とができる。
本発明方法で製造した層は350℃から室温の間
での温度衝撃に対しても亀裂を生じることなく耐
えることができる。これにより該層は温度負荷可
能な基礎材料として、また蒸着、CVD及びグロ
ー放電処理用の下地として使用可能である。柔軟
な箔に施す場合、これを連続法で被覆し、更に加
工することができる。
での温度衝撃に対しても亀裂を生じることなく耐
えることができる。これにより該層は温度負荷可
能な基礎材料として、また蒸着、CVD及びグロ
ー放電処理用の下地として使用可能である。柔軟
な箔に施す場合、これを連続法で被覆し、更に加
工することができる。
特に前記の方法で被覆した金属箔は、同様にグ
ロー放電によつて設けられた無定形シリコン用基
材として適している。無定形シリコンは好適には
200℃以上の温度で析出される。このため本発明
による重合体層は例えばポリイミドよりも一層適
している。それというのもこの層は残留剤を含ま
ず、湿気に対し敏感でないからである。この種の
無定形シリコン層は特に太陽電池用として使用さ
れる。
ロー放電によつて設けられた無定形シリコン用基
材として適している。無定形シリコンは好適には
200℃以上の温度で析出される。このため本発明
による重合体層は例えばポリイミドよりも一層適
している。それというのもこの層は残留剤を含ま
ず、湿気に対し敏感でないからである。この種の
無定形シリコン層は特に太陽電池用として使用さ
れる。
更に本発明による層は太陽光線コレクタ用吸収
材料として使用するのに有利である。従来太陽光
線コレクタ用吸収材料としては金属板上のカーボ
ン層が使用されていた。赤外線範囲（熱線）内の
反射光線が最少であると同時に高い吸収度を得る
ためには、吸収層の厚さを極めて均一にかつ薄く
する必要がある。例えば約0.5〜1μmにすべきで
ある。この要求はカーボン層では満されない。こ
れに対し本発明により提案されたグロー重合体層
では正確に規定された層厚が生じるだけでなく、
適当な熱処理により種々の密度の吸収中心を製造
することができる。これにより熱エネルギーの利
用度を高めることができる。
材料として使用するのに有利である。従来太陽光
線コレクタ用吸収材料としては金属板上のカーボ
ン層が使用されていた。赤外線範囲（熱線）内の
反射光線が最少であると同時に高い吸収度を得る
ためには、吸収層の厚さを極めて均一にかつ薄く
する必要がある。例えば約0.5〜1μmにすべきで
ある。この要求はカーボン層では満されない。こ
れに対し本発明により提案されたグロー重合体層
では正確に規定された層厚が生じるだけでなく、
適当な熱処理により種々の密度の吸収中心を製造
することができる。これにより熱エネルギーの利
用度を高めることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 純粋な炭化水素及び分子式（CF2）oを有する
過フルオル化炭化水素がグロー放電室内に吹込ま
れまた過フルオル化炭化水素がその分子式中のｎ
に関し２〜10の値を有するようにした基材上にグ
ロー重合体から成る誘電体層を製造する方法にお
いて、純粋な炭化水素として分子式CoH(2o-2)を
有するジエンを反応室内に吹込むことを特徴とす
る基材上にグロー重合体から成る誘電体層を製造
する方法。 ２ 分子量≦82のジエンを吹込むことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 共役二重結合を有するジエンを反応室内に吹
込むことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載の方法。 ４ 分子式C4H6の１，３―ブタジエンを吹込む
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれかに記載の方法。 ５ 分子式C5H8の１，３―ペンタジエンを吹込
むことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第３項のいずれかに記載の方法。 ６ 分子式C5H8の２―メチルブタジエン（１，
３）を吹込むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第３項のいずれかに記載の方法。 ７ 共通分子式C6H10を有する１，３―ヘキサジ
エン、２，４―ヘキサジエン、２―メチルペンタ
ジエン（１，３）、２，３―ジメチルブタジエン
（１，３）の一種を吹込むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載
の方法。 ８ 前記物質の他に分子式（CH2）oのアルケンを
吹込むことを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第７項のいずれかに記載の方法。 ９ ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オ
クテン又は相応するシクロアルカンの一種を反応
室内に吹込むことを特徴とする特許請求の範囲第
８項記載の方法。 １０ ガス混合物におけるシクロアルカン又はア
ルケンの成分が約10〜20容量％であることを特徴
とする特許請求の範囲第８項又は第９項記載の方
法。 １１ 付加的な単量体ガスとしてプロパジエンを
吹込むことを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第１０項のいずれかに記載の方法。 １２ 放電装置内でのグロー重合中圧力を約0.5
〜3mbarに、また印加電圧の周波数を5MHz以上
に調整することを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第１１項のいずれかに記載の方法。 １３ グロー重合体層をその製造後200℃を越え
る温度で数時間熱処理することを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第１２項のいずれかに記
載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2907775A DE2907775C2 (de) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Verfahren zur Herstellung von Dielektrikumsschichten durch Polymerisation von Gasen mittels Glimmentladung auf einem Substrat und deren Verwendung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55118621A JPS55118621A (en) | 1980-09-11 |
| JPS631736B2 true JPS631736B2 (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=6064096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2394880A Granted JPS55118621A (en) | 1979-02-28 | 1980-02-27 | Method of manufacturing dielectric layer of glow polumer on substrate |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55118621A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4374179A (en) * | 1980-12-18 | 1983-02-15 | Honeywell Inc. | Plasma polymerized ethane for interlayer dielectric |
| DE3531578A1 (de) * | 1985-09-04 | 1987-03-05 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von dielektrikumsschichten durch polymerisation von gasen |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3522226A (en) * | 1966-03-01 | 1970-07-28 | Gen Electric | Polymerized hexachlorobutadiene |
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| DE2105003C3 (de) * | 1971-02-03 | 1973-10-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Verfahren zum Überziehen von Kor pern mit isolierenden Stoffen |
| DE2302174C3 (de) * | 1973-01-17 | 1979-08-30 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Beschichten von Körpern, insbesondere von Folien für elektrische Kondensatoren im Durchlaufverfahren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE2557899C2 (de) * | 1975-12-22 | 1979-12-06 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung dünner Dielektrikumsschichten durch Polymerisation von Gasen |
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1979
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1980
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- 1980-02-27 GB GB8006648A patent/GB2045263B/en not_active Expired
- 1980-02-27 JP JP2394880A patent/JPS55118621A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3035141U (ja) * | 1996-08-27 | 1997-03-11 | 株式会社東京セロレーベル | 封 筒 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2045263B (en) | 1983-01-12 |
| DE2907775C2 (de) | 1983-03-10 |
| DE2907775A1 (de) | 1980-09-04 |
| FR2450499A1 (fr) | 1980-09-26 |
| JPS55118621A (en) | 1980-09-11 |
| FR2450499B1 (ja) | 1985-04-19 |
| GB2045263A (en) | 1980-10-29 |
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