JPS63176164A - 駆動装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は駆動装置に関する。より詳細には、ドツトプリ
ンターやドツト表示装置等において記録素子や表示素子
を駆動するための駆動装置ｄに関する。

（従来の技術） サーマルプリンター、静電プリンター、ドツトインパク
トプリンター、光プリンター等のドツトプリンターでは
、発熱体や針電極、あるいはＬＥＤ等、ドツト画像を記
録するための記録エレメントをアレイ配列した記録素子
が用いられる。またドツト表示装置では、ドツト像を表
示する発光素子、例えばＬＥＤ等の表示エレメントをア
レイ配列した表示素子が用いられる。

記録エレメントや表示エレメントは、その個々がダイオ
ードやトランジスタ等の駆動素子で駆・助される。この
ため、記録素子や表示素子における、各記録エレメント
、表示エレメントは、それぞれが、対応する駆動素子に
接続されねばならない。

記録エレメントや表示エレメントの、駆動素子との接続
は、従来、ボンディングワイヤー等で、個別的に行なわ
れており、このため接続が面倒となり、記録装置、表示
装置の組み立てコストの低減化を図るのが困難であった
。

（発明が解決しようとする問題点） 従って、本発明が解決しようとする問題点は、記録エレ
メントや表示エレメントと駆動素子との接続の困難性を
解消することであり、本発明は、上記接続を極めて簡単
化しうる新規な駆動装置の提供を目的とする。

（問題点を解決するための手段） 以下、本発明を説明する。本明細書においては。

３種の駆動装置が提案される。

本発明の上記３種の駆動装置は、支持基板に複数の駆動
素子を支持基板と一体不可分に配列形成し、かつ、そ４
駆動素子の入力端子を一方の面に、出力端子を他方の面
に、それぞれ配列形成したことをもって、その基本的特
徴としている。すなわち、駆動素子は支持基板に一体的
に配列形成され、各駆動素子の出力端子、入力端子は基
板の表裏にふり分けられている。

支持基板としては、電気絶縁性のものを用いることもで
きるし、半導体基板を用いることもできる。半導体基板
を支持基板とする場合は、支持基板自体を駆動素子の構
造の一部として利用することができる。

３種の駆動装置のうち、第１のものは上記基本的特徴を
もってその特徴としている。

第２のものは、支持基板に駆動素子とともに受光素子が
複数個配列形成される。この受光素子は、駆動素子に並
設的に形成してもよいし、駆動素子上に積設してもよい
。各受光素子と各駆動素子の入力端部は１対１に接続さ
れる。

第３のものは、駆動素子の各出力端部に発光体を配設し
たことをもって、その特徴としている。

（作　　用） 本発明の駆動装置は、上記の如く、駆動素子と支持基板
が一体であり、各駆動素子の入、出力端子が支持基板表
裏にふりわけられ、出方端子が支持基板の片面に配列形
成されるので、この出力端子の配列ピッチを例えば、記
録素子の記録エレメントの接続端子のピッチと同じにす
ることにより、基板と記録素子とを単に接合するのみで
、駆動素子と各エレメントの接続を極めて簡単化できる
。

また、第３種の駆動装置のように上記出力端子上に直接
発光体を形成することにより、接続なしで、表示素子を
実視することも可能となる。

また、第２種の駆動装置では、第１種の装置の有する接
続の容易性に加え、受光素子の受光信号に応じた出力を
出力端子から出力することができる。

（実施例） 以下、図面を参照しながら具体的な実施例に即して説明
する。まず、第１種の駆動装置の例から説明する。

第１図は、支持基板１０として、ｎ型半導体のシリコン
基板を用いた実施例を示している。第１図の左右方向は
、駆動装置の長手方向、図面に直交する方向が幅方向で
あり、駆動素子は、上記長手方向へ配列形成さ九たバイ
ポーラ型のトランジスタである。破線で囲んだ部分が、
ひとつのｇ動素子を示す。

支持基板１０に関し、第１図の上方の面を便宜的に表面
と呼び、下方の面を裏面と呼ぶことにする。

基板１０の裏面例には、基板をなすシリコン結晶（第２
図（１）、（■））をアルカリエツチング等の異方性エ
ツチングすることで得られる、第２図（ＩＩ）の如き断
面形状の溝が基板長手方向に所定ピッチで形成されてい
る。溝の形状は、第２図（ＩＶ）の如きものでもよい。

第１図にもどると、支持基板１０の裏面に形成さ九た各
部の側面部と底面部とは、絶縁ｇ５ｔで被覆され、さら
に溝内部は、ポリイミド、多結晶シリコン等の充填物７
０により充填されている。さらに、各部の底部すなわち
最奥部と、支持基板１０の表面との近接部にはＰ領域６
０が設けられ、支持基板１０の表面には絶縁膜５０が形
成されている。

溝部、Ｐ型頭域６０、絶縁膜５０．５１は、各駆動素子
間相互の電気的な分離を確実にするためのものであり、
絶縁膜５０、充填物７０は、駆動装置の機成的強度を向
上させるために設けられている・Ｐ型頭域６０、絶縁膜
５１、充填物７０は必要に応じて設ければ良く、これら
なしですますこともできる。

支持基板１０の裏面側には、０１領域４０が、リン等拡
散により形成され、この日“領域４０にはこれに接続し
て金属等による導電電極４１が形成されている。

この導電電極４１は、駆動素子たるバイポーラトランジ
スタコレクタ一端子であり、駆動素子の出力端子である
。従って支持基板１０の裏面側には、駆動素子の出力端
子が、基板長手方向へ一定のピッチで配列形成されてい
ることになる。

さて、支持基板１０の表面側にまた、Ｐ領域２０が、各
駆動素子あたり１個、ボロン等の拡散により形成され、
さらに、各駆動素子あたり３個のｎｒ領域３０が、リン
等の拡散により形成されている。Ｐ領域２０はバイポー
ラトランジスタのベースであり、ｎｒ頌域３０は、エミ
ッターである。なお、ｎ１領域３０は必らずしも３個で
なくともよい。

この、ベース、エミッターの形成された部分では、酸化
シリコン等による絶縁膜５０の開口部により、金属等に
よる導電電極Ｈ，３１がそれぞれベース、エミッターに
接続される。

かくして、支持基板１０の表面側には駆動素子の入力端
子が、一定ピツチで配列形成されていることになる。ベ
ース、エミッター、コレクターは、１つの駆動素子たる
バイポーラパワートランジスターを構成する。

従って、上記出力端子を記録素子や表示素子に接続させ
、表面側の入力側から入力信号を印加すれば、所望のド
ツト記録、ドツト表示を行うことができる。

なお、第１図の図面に直交する方向、すなわち幅方向の
手前側ないしは奥側に、駆動素子群を制御するための回
路を、支持基板１０と不可分に形成することができる。

また、第１図の実施例では駆動素子は、１列のアレイ状
に配列されているが、駆動素子を２次元アレイ状に配列
できることはいうまでもない。また、上記実施例で各ｎ
または、Ｐ領域の、ｎ＋Ｐを入れかえれば、出力端子に
あられれる出力電圧の極性を逆にすることができる。

第３図に示す実施例は、第２種の駆動装置、すなわち光
電変換素子を一体化した例を示している。

第３図において、図面に直交する方向が、駆動装置の長
手方向であり、駆動素子及び、受光素子としてのフォト
ダイオードは、この長手方向へ配列形成される。フォト
ダイオード列は２列あり、その１列は、レファレンス光
用、１列が、信号光用である。従って、駆動装置の長手
方向には、駆動素子列と、２列のフォトダイオード列が
、互いに平行に設けられている訳である。

さて、第３図において、符号１０Ａをもって示す支持基
板は、ｎ型の半導体板であって駆動素子の形成されてい
る部分（第１図左方）とフォトダイオード列の形成され
ている部分（第１図右方）とは、長手方向にわたる溝で
へだてられ、この溝部分には、充填物７０Ａが充填され
ている。充填物７０Ａは、強度増大用であって、構成上
はなしですませることもできる。符号５０Ａ、　５１Ａ
は絶縁膜を示すが。

絶縁膜５１Ａの方は、必要に応じで設けるようにしても
よい。

符号４５はＰ１領域を示す。このＰ＋領域は、出力電流
を増すために、必要に応じた設けらたものである。符号
４１Ａは、金属電極を示す。この金属電極４１Ａは、出
力端子であって駆動′ＪＡ置装手方向へ所定のピッチで
配列される。

第１図の実施例と同様に、出力端子のある側の面を駆動
装置の裏面側と呼ぶことにする。

さて、表面側において、符号２５，９０．９５はＰ領域
を示し、符号３５．１００．１０５は、訂領域を示す。

また、符号８０は、多結晶シリコンによりにより形成さ
れたゲート電極を示す。

符号２６は、ｎ領域３５とＰ領域２５とに接続された金
属電極を示す。

この実施例において、駆動素子はパワー１１０５ＦＥＴ
であり、特に、Ｐ１領域４５を有することによって。

バイポーラ動作を兼ねた伝導度変調型ＭＯ５ＦＥＴ　（
ＩＧＢＴ）となっている。

このパワーＭＯ５ＦＥＴにおいて、金属電極２６はソー
スであり、金属電極４１Ａ（出力端子）はドレインであ
る。

また、第３図において、符号９１は、Ｐ領域９０とｎ＋
領域１００とに接続された電極で図の如く、ゲート電極
８０と配線により電気的に接続されている。

また、符号９６はＰ領域９５に接続された電極を示す。

電極９６は、金Ｒ電極２６と配線により電気的に接続さ
れている。さらに、符号１０６をもって示す電極は、ｎ
１領域１０５に接続されている。

ｎ？領域１０５は１．レファレンス光受光用フォトダイ
オードの受光部をなし、Ｐ領域９５は、信号光受光用の
フォトダイオードの受光部をなしている。

駆動素子であるパワーＭＯ５ＦＥＴとレファレンス光受
光用のフォトダイオードとは、ひとつずつ１対１に組合
せられて組をなし、このような組が、駆動装置の長手方
向すなわち第３図の図面に直交する方向へ所定のピッチ
で配列形成されている。各組において、駆動素子と２つ
のフォトトランジスターとは配線にて電気的に接続され
ているが、各組は互いに電気的に独立している。各組を
電気的に分離する方法は、例えば、第１図に即した説明
で説明した、溝、Ｐ領域６０、絶縁膜５１等である。

第４図（１）に、上記駆動素子と２つのフォトダイオー
ドとの組合せによる１組の等価回路を示す。

図中、符号４−１．４−２．４−３は、それぞれソース
、ゲート、ドレインを示し、第３図の金属電極２６、ゲ
ート電極８０、ドレイン電極たる出力端子４１Ａにそれ
ぞれ対応する。また、符号４−４．４５は、それぞれレ
ファレンス光、信号光用のフォトダイオードを示す。

ソース・ドレイン間に流れるソースドレイン電流は、信
号光量とレファレンス光量との関係によって第４図（ｎ
）の如くに変化する すなわち、信号光の光量がレファレンス光量（フォトダ
イオード４−４．４−５の特性の相異ないし、光波長め
相異で、各フォトダイオードの出力の差があるときは、
出力比に相当する係数をレファレンス光量に掛けた光量
）より少ないときは、ゲート４−２に電圧が印加されて
、ソース・ドレイン間は導通状態となり、接続された負
加に電流が流れる。しかるに、信号光量がレファレンス
光量を越えようとすると、ゲート４−２に加わる電圧は
急峻に略Ｏとなって、電流を遮断する。

従って、信号光量とレファレンス光量の大小関係に従っ
て、駆動素子の出力端子から２値化された信号を得るこ
とができる。

なお、信号光とレファレンス光の入射するフォトダイオ
ードを交換すると、ソースドレイン電流は、第４図（Ｉ
ＩＩ）に示す如きものとなる。

第５図には、第３図に示す、読取機能を備えた駆動装置
を用いた記録装置の１例を要部のみ略示している。

図中、符号２００は、第３図の駆動装置を示す。

原稿０は、ランプ２１５により照明されつつ、矢印方向
へ搬送される。原稿Ｏの照明された部分からの光は、集
束性光伝送体アレイやルーフミラーレンズアレイのよう
な等倍結像素子アレイ２１０（図面に直交する方向がア
レイ配列方向である）により、駆動装置２００の信号光
用のフォトダイオード列２０１（図面に直交する方向が
駆動装置２００の長手方向である）に原稿像を結像する
。

一方、レファレンス光用のフォトダイオード列２０２に
は、レファレンス光用の光源２２０によりレファレンス
光が照射される。

原稿０の濃淡に応じた信号光の光量によりレファレンス
光のレベルより小さい信号光量を受光したフォトダイオ
ードに接続した駆動素子は、オンの状態となり、上記レ
ベルより大なる信号光量を受光したフォトダイオードに
接続した駆動素子はオフの状態となる。

さて、符号２５０は、サーマルヘッドを示す。サーマル
ヘッド２５０の発熱体アレイの接続端子は。

駆動装ａ　２００における出力端子すなわちドレイン電
極の配列ピッチと同ピツチとなっている。サーマルヘッ
ド２５０は、駆動素子の出力端子と発熱体アレイの接続
端子を合致させて、駆動装置２００の駆動素子配列部２
０３にハンダ等で接着固装されている。

従って、駆動装置２００において任意の駆動素子が、オ
ンとなると、この駆動素子の出力端子に接続した発熱体
が発熱する。

感熱記録紙Ｓは、サーマルヘッド２５０に接触しつつ矢
印方向へ移動する。この移動速さは、原稿０の移動速さ
に等しい。従って、感熱記録紙Ｓには、サーマルヘッド
２５０により原稿情報に応じた画碌が書込み記録される
ことになる。

なお、等倍結像素子アレイ２１０、ランプ２１５、光源
２２０．駆動装置２００、サーマルヘッド２５０を一体
とし、静止させた原稿、感熱記録紙に対して移動させて
記録を行うこともできるし、上記一体としたものと原稿
、感熱記録紙３者の相体的な移動によって記録を行って
もよい。

また、レファレンス光の光量を調整することで、レファ
レンス光受光用のフォトダイオード列の入射光量を変化
させると、駆動素子のオン・オフの閾値レベルが変化す
るので、これを利用して、記録画像の濃度を調整できる
。

またフォトダイオード列２０１．２０２にそれぞれレフ
ァレンス光、信号光を入射させるようにすると、駆動素
子のオン・オフ状態が上記の説明におけるのと反転する
ので（第４図（Ｉｆｆ）参照）、これを旬月して１Ｍ稿
画像のネガ・ポジ反転画像を記録画像として記録するこ
とができる。

また、感熱記録紙を用いるかわりに、熱転写方式の感熱
記録紙を用いてもよい。

さらに、記録素子としてサーマルヘッド２５０に替えて
静電記録用スタイラスや発光素子アレイ等を駆動装置に
装着して、静電記録方式や電子写真方式の記録を行うこ
とができる。

第３図の駆動装置では、拡散によるＰ　−Ｎ接合からな
るフォトダイオードアレイを受光素子アレイとして用い
ているが、受光素子アレイを構成する受光素子に光導電
層を用いることもできる。この光導電層は、支持基板上
に、例えば、水素含有非晶質シリコン（ａ−５ｉｎ）等
を積層して形成できる。このような場合の実施例を第６
図に示す。

なお、繁雑を避けるため、混同の虞れがないと思われる
ものについては、第３図におけると同一の符号を用いた
。

図中、符号１０５Ａ、９５Ａはそれぞれレファレンス光
、信号光を受光するための受光素子であり、具体的には
ａ−５ｉＨの薄層であり、このような受光素子が駆動装
置長手方向ヘアレイ配列されている。

受光素子９５Ａには電極９６Ａが接続されて動作電圧Ｖ
ｓａが印加されるようになっている。

受光素子９５Ａと１０５Ａとは、ゲート電極８０と配線
によって電気的に接続された電極９１Ａで互いに接続さ
れ、さらに受光素子１０５Ａは、ソース電極である金＠
電極２６Ａと接続されている。

従って、この例の場合、受光素子２個と駆動素子との組
合せのひとつの組に対応する等価回路は、第７図（１）
の如きものとなる。この第７図ＣＩ）においても、符号
４−１．４−２．４−３は、第４図におけると同じく、
駆動素子であるパワーＭＯ５ＦＥＴのソース、ゲート、
ドレインを示す。

また、符号４−６．４−７は、光導電層による受光素子
１０５Ａ、　９５Ａをそれぞれ光導電素子として示した
ものである。

この場合、ソース・ドレイン電流ＩＤＳは、信号光量と
ともに、第７図（ＩＩ）の曲線７−１の如くに変化する
。これは、ゲート電圧Ｖ、が、同図の曲線７−２の如く
に変化することによる。このようにソース・ドレイン電
流が、信号光量に応じてゆるやかに変化するため、第６
図の駆動装置を第５図のような態様で用いると、中間調
の再現も可能である。前述の第３図の駆動装置の場合は
信号光量がレファレンス光量を閾値として２値化される
ため、中間調を再現することはできてよい。

なお、第１図に示すようなバイポーラ型の駆動素子に、
第３図、第６図のような受光素子アレイを組合せること
ができることはいうまでもない。

また、レファレンス用の受光素子アレイと、信号光用の
受光素子アレイは、これを、基板の片面ずつに別個に設
けると、リファレンス光と信号光の干渉を防止できない
。

第８図に示す実施例は、より簡単な構成で駆動素子と受
光素子との一体化を図っている。

駆動素子部分については、第３図、第６図の例と略同じ
なので、同じ部分については、第３図。

第６図におけると同一の符号を用いた。駆動素子は、パ
ワーＭＯ５ＦＥＴである。

駆動素子の形成された支持基板たる半導体基板１０Ａの
、駆動素子上に重ねて（符号２６Ｂは駆動素子のソース
電極としての金属電極を示す）さらに絶縁層１５０を設
け、必要に応じて平担化したのち、その上にＰＩＮ構造
のフォトダイオードアレイを形成する。第８図には、１
個のＰＩＮ構造フォトダイオードが示されている。符号
１５１は、金属電極、符号１５２はＰ層、符号１５３は
１層、符号１５４はｎ層、符号１５５は透明導電膜、符
号１５６は金ｉｓ極を示す。

駆動素子と、ＰｉＮフォトダイオードとの組合せにおけ
る１組の等価回路を、第９図（Ｉ）に示す。

符号９−１，９−２．９−３は駆動素子におけるソース
、ゲート、ドレインをそれぞれ示し、符号９−４は負荷
を符号９−５はＰＩＮフォトダイオードを１．符号９−
６は、駆動素子たるＭＯＳＦＥＴの実際の形状から寄生
的に生ずる容量を示している。ゲート電極は、この容量
９−６を介して接地されている。

二二で、第９図（ＩＩ）に示すように、ＶａＢを短時間
のパルス状に電圧を高くし、低くすると、ゲート９−２
の電圧Ｖｔ、は、ＶＢａとともに上昇するが、Ｖａｎが
立下ったのちは、信号光の光量に従って信号光の光量が
大きいときは１曲ｖ４１のように直ちにＯに減衰し、信
号光の光量が小さいときは１曲線ＶＧ２のように減衰し
、信号光がないときは、曲線Ｖ６．のようにＶｓｅの立
上ったときのレベルを略維持する。従って、信号光が明
のとき、駆動素子はオフとなり、暗のときオンとなる。

この状態はＶｅａの１次のパルスまで持続する。

一方、電圧Ｖは第９図（ＩＩ）の下方に示すように。

Ｖａｎと返転した電圧波形をとればＶａａと反転した電
圧波形をとればＶＯＢのハイレベル時に信号光量光量に
、無関係に、トランジスタに電流が流れるのを防ぐこと
ができる。ただし、負荷９−４がサーマルヘッドの発熱
体のようにＶｅａのハイレベルが充分短く、その発熱が
無視しうるような量である場合は、破線で示すように、
ＶＣＩはコンスタントな印加電圧とすることもできる。

上述の如き周期の繰返しにより周期ごとの信号光量の多
少に応じてトランジスタに流れる電流を減増することが
でき、出力端子４１Ａに接続された記録素子による記録
あるいは、表示素子による表示を行うことができる。

なお、上記積装されたＰＩＮフォトダイオードの接続を
上記と反転することにより（第９図（■））（ＩＶ）に
示すように、信号光量に応じて電圧Ｖを、ＶＱ４（信号
光量が大きい）、ＶＱ　ｓ　（信号光量中くらい）、Ｖ
４．（信号光量０）のように増減できる。

第１０図に示す例は、第１種の駆動装置で支持基板１０
Ｂが、電気絶縁性の基板である実施例を示している。支
持基板１０Ｂの、第１θ図で上方の面を表面側と呼ぶこ
とにすると、この表面側には、薄膜あるいは厚膜のトラ
ンジスタをＳ層することができる。

第１０図で、支持基板１０Ｂにはセラミック基板を用い
ている。図中、符号１６０はチャンネル半導体層を示す
。このチャンネル半導体層は、例えばａ−Ｓｉ：）Ｉあ
るいは、レーザーアニール法等により再結晶化させた結
晶薄膜のシリコンで形成される。

符号１６１は絶縁膜、符号１６２はゲート電極としての
金層電極、符号１６３はソース電極、符号１６４はゲー
トを示す６また符号１６５はｎ領域を示す。全体はＦＥ
Ｔを構成する。

駆動素子としてのＦＥＴは、支持基板１（ＩＢ上にその
長手方向に所定ピッチで配列形成されている。

支持基板１０Ｂの裏面には出力端子となる電極１７０が
所定ピッチで基板長手方向へ形成され、駆動素子たる各
ＦＥＴのソース電極１６３と電極１７０とが、支持基板
１０Ｂに穿設された小孔を通じて接続されている。

この例のように、支持基板として電気絶縁性のものを用
いると、半導体基板を用いる場合と異なり、形成される
駆動素子のアレイの大きさに制限がないので駆動装置の
長尺化大面積化が可能となる。

また、再結晶化シリコンを用いると、耐圧等が良く半導
体基板を用いたときと同等な性能が得られる。

長尺化、大面積化が可能となることから、サーマルヘッ
ド、静電記録用スタイラス、発光ダイオードアレイ、液
晶シャッターアレイ、蛍光管アレイ等の記ｋＩｃ素子や
、液晶、エレクトロルミネセント、プラズマ、蛍光管５
発光ダイオード、エレクトロクロミンク等を用いる表示
素子のパネル化に用いることにより、記録素子、表示素
子の低コスト化が可能となる。

特に、クロストークの問題で、単純なｘ−Ｙマトリクス
電極による時分割駆動の困難な、電気泳動ディスプレイ
や、エレクトロクロミックディスプレイにおいては、表
示エレメントの１個１個に、１対１で対応して駆動素子
を設けろるので、アクティヴマトリクス駆動が可能とな
る。

第１１図は、第３種の駆動装置の例であって、蛍光管表
示アレイに利用した例を示す。図中、符号３００は駆動
装置を示す。この駆動装置３００の、電気絶縁性の基板
１０Ｂ表面例には、駆動素子３１０が一定ピッチで２次
元アレイ状に設けられ、裏面例に設けられた出力端子と
しての電極３２０と基板に穿れた小孔を通じて接続され
ている。出力端子としての電極３２０には、発光用の蛍
光体層３３０が設けられ、陰極ワイヤー４００と対向し
ているつ 今、陰極ワイヤー４００に通電すると、同ワイヤー３０
からは熱電子が放出される。

この状態で、駆動素子３１０のひとつがオン状態になる
と、この駆動素子の出力端子に出力電圧があられれるの
で、この電圧を正極性としておくと、熱電子は当該出力
端子に引かれて、当該出力端子に積層された蛍光体層に
当たり、これを発光させる。

駆動素子の配列は、上述の如く２次元アレイ状であるが
、１次元アレイ状としても良い。また。

同一基板上に、駆動素子制御のための、制御電子回路を
設けることもできるし、あるいは、受光素子アレイを設
けて、その個々の受光素子と、個々の駆動素子を接続し
てもよい。この場合、信号光受光用の受光素子を赤外光
もしくは紫外光に対し十分な感度のある材料もしくは構
造とすることにより、不可視光情報を可視化して表示す
る装置を実現できる。なお、第１図、第３図、第６図、
第８図の駆動装置の出力端子に発光体を設けてもよい。

（効　　果） 以上、本発明によれば、新規な駆動装置を提供できる。

この駆動装置は、上述の如くに構成されているので、駆
動装置と記録素子１表示素子との接続が極めて簡単化さ
れ、記録装置や表示装置の組立コストを低減化できる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、第１種の駆動装置を説明するための
図、第３図および第４図は第２の駆動装置の１実施例を
説明するための図、第Ｓ図は第３図に示す駆動装置を使
用した記録装置の１例を示す図、第６図および第７図は
、第２種の駆動装置の別実施例を説明するための図、第
８図および第９図は、第２種の駆動装置の他の実施例を
説明するための図、第１０図は、第１種の駆動装置の他
の実施例を説明するための図、第１Ｉ図は、第３種の駆
動装置の１実施例を説明するための図である。 １０・・・支持基板としての半導体基板、４１・・・出
力端子。 第　イ　図 第２図 （ＩＩＩ）　　　　　　　（Ｗ） Ｍ９図 第５図 第０図 Ｌ−７７Ｌンス光　　　　　　　　　イ吉４シ尤％７図 第δ図 第の図 （Ｉ）　　　　　　　　　　　　　　（ｎ）。 第（０図 ｖ６Ｉ。 第（（図 ｖｖ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、支持基板に、複数の駆動素子を上記支持基板と一体
   不可分に配列形成し、かつ各駆動素子の入力端子を上記
   支持基板の一方の面に、出力端子を他方の面に、それぞ
   れ配列形成したことを特徴とする、駆動装置。 ２、支持基板に、複数の駆動素子と複数の受光素子とを
   、上記支持基板と一体不可分に配列形成し、上記駆動素
   子の各入力端子を上記支持基板の一方の面に、出力端子
   を他方の面にそれぞれ配列形成し、かつ、上記受光素子
   と上記入力端子とを１対１に接続したことを特徴とする
   駆動装置。 ３、支持基板に、複数の駆動素子を上記支持基板と一体
   不可分に配列形成し、かつ各駆動素子の入力端子を上記
   支持基板の一方の面に、出力端子を他方の面に、それぞ
   れ配列形成し、かつ上記出力端子の個々に発光体を配設
   したことを特徴とする、駆動装置。