JPS6317629B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6317629B2 JPS6317629B2 JP53094949A JP9494978A JPS6317629B2 JP S6317629 B2 JPS6317629 B2 JP S6317629B2 JP 53094949 A JP53094949 A JP 53094949A JP 9494978 A JP9494978 A JP 9494978A JP S6317629 B2 JPS6317629 B2 JP S6317629B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor layer
- heat generating
- heat
- generating resistor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 206010016275 Fear Diseases 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に蓄熱用層を介して発熱用抵
抗体層が形成されている構成を有する熱ヘツドの
改良に関する。
抗体層が形成されている構成を有する熱ヘツドの
改良に関する。
このような熱ヘツドは、その発熱用抵抗体層
を、それへの通電によつて発熱させ、その熱を感
熱紙にこれが発色反応を呈するように与えること
によつて、感熱紙上で、その発色よる記録を得る
のに適用される。
を、それへの通電によつて発熱させ、その熱を感
熱紙にこれが発色反応を呈するように与えること
によつて、感熱紙上で、その発色よる記録を得る
のに適用される。
従来の熱ヘツドは、それが印刷用熱ヘツドに適
用されている場合、第１図に示すように、基板１
上に蓄熱用層２を介して発熱用抵抗体層３が形成
され、一方、この発熱用抵抗体層３に一対の電極
４及び５が所要の間隔を保つてオーミツクに付さ
れ、また、発熱用抵抗体層３上に、電極４及び５
をそれ等の一部を除いて覆つて保護用層６が付さ
れ、そして、発熱用抵抗体層３に電極４及び５を
介して通電させることによつて、その発熱用抵抗
体層３を、その電極４及び５間の領域において発
熱させ、その熱を、保護用層６を介して、それに
相対的に摺接する感熱紙７に与えるようになされ
た構成を有するのを普通とする。
用されている場合、第１図に示すように、基板１
上に蓄熱用層２を介して発熱用抵抗体層３が形成
され、一方、この発熱用抵抗体層３に一対の電極
４及び５が所要の間隔を保つてオーミツクに付さ
れ、また、発熱用抵抗体層３上に、電極４及び５
をそれ等の一部を除いて覆つて保護用層６が付さ
れ、そして、発熱用抵抗体層３に電極４及び５を
介して通電させることによつて、その発熱用抵抗
体層３を、その電極４及び５間の領域において発
熱させ、その熱を、保護用層６を介して、それに
相対的に摺接する感熱紙７に与えるようになされ
た構成を有するのを普通とする。
また、このような印刷用熱ヘツドにおいて、従
来は、発熱用抵抗体層３が、それ自身が連続的に
または間欠的に例えば300℃〜500℃の所要の高温
度で発熱することによつて得られる熱によつて、
抵抗値が所期値から変化することが回避されるよ
うに、また、発熱用抵抗体層３自身が所期の発熱
特性を有するものとして容易に形成されるよう
に、例えばスパツタリングによつて形成された窒
素タンタル、蒸着によつて形成されたニクロム、
または酸化ルテニウム焼結体を以つて形成されて
いるのを普通とする。
来は、発熱用抵抗体層３が、それ自身が連続的に
または間欠的に例えば300℃〜500℃の所要の高温
度で発熱することによつて得られる熱によつて、
抵抗値が所期値から変化することが回避されるよ
うに、また、発熱用抵抗体層３自身が所期の発熱
特性を有するものとして容易に形成されるよう
に、例えばスパツタリングによつて形成された窒
素タンタル、蒸着によつて形成されたニクロム、
または酸化ルテニウム焼結体を以つて形成されて
いるのを普通とする。
ところで、第１図に示す従来の熱ヘツドの場
合、その発熱用抵抗体層３は、上述したように、
それ自身が連続的にまたは間欠的に例えば300℃
〜500℃の所要の高温度で発熱することによつて
得られる熱によつて、抵抗値が所期値から変化す
ることが回避されるように、また、発熱用抵抗体
層３自身が所期の発熱特性を有するものとして容
易に形成されるように、例えばスパツタリングに
よつて形成された窒化タンタル、蒸着によつて形
成されたニクロム、または酸化ルテニウム焼結体
を以つて形成されているのを普通とする。
合、その発熱用抵抗体層３は、上述したように、
それ自身が連続的にまたは間欠的に例えば300℃
〜500℃の所要の高温度で発熱することによつて
得られる熱によつて、抵抗値が所期値から変化す
ることが回避されるように、また、発熱用抵抗体
層３自身が所期の発熱特性を有するものとして容
易に形成されるように、例えばスパツタリングに
よつて形成された窒化タンタル、蒸着によつて形
成されたニクロム、または酸化ルテニウム焼結体
を以つて形成されているのを普通とする。
しかしながら、発熱用抵抗体層３がスパツタリ
ングによつて窒化タンタルを以つて形成されてい
る場合、一般に、スパツタリングによつて窒化タ
ンタルでなる層を所要の厚さに、均質に、形成す
るのに多くの困難を伴うことから、発熱用抵抗体
層３を所期の抵抗値を有するものとして形成する
のに困難を伴い、このため、発熱用抵抗体層３を
所期の発熱特性を有するものとして形成するに困
難を伴うものであつた。
ングによつて窒化タンタルを以つて形成されてい
る場合、一般に、スパツタリングによつて窒化タ
ンタルでなる層を所要の厚さに、均質に、形成す
るのに多くの困難を伴うことから、発熱用抵抗体
層３を所期の抵抗値を有するものとして形成する
のに困難を伴い、このため、発熱用抵抗体層３を
所期の発熱特性を有するものとして形成するに困
難を伴うものであつた。
また、発熱用抵抗体層３への通電によつてそれ
が発熱した場合に、その表面が酸化し、このた
め、発熱用抵抗体層３の抵抗値が所期のそれから
変化し、その結果、発熱用抵抗体層３が所期の発
熱特性から変化したものになるおそれを有するも
のであつた。
が発熱した場合に、その表面が酸化し、このた
め、発熱用抵抗体層３の抵抗値が所期のそれから
変化し、その結果、発熱用抵抗体層３が所期の発
熱特性から変化したものになるおそれを有するも
のであつた。
また、発熱用抵抗体層３が蒸着によつてニクロ
ムを以つて形成されている場合、一般に、ニクロ
ムはその比抵抗が比較的低いことから、発熱用抵
抗体層３の厚さが極めて薄くならざるを得ず、こ
のため、発熱用抵抗体層３を所期の抵抗値を有す
るものとして、従つて、所期の発熱特性を有する
ものとして形成するに困難を伴うものであつた。
ムを以つて形成されている場合、一般に、ニクロ
ムはその比抵抗が比較的低いことから、発熱用抵
抗体層３の厚さが極めて薄くならざるを得ず、こ
のため、発熱用抵抗体層３を所期の抵抗値を有す
るものとして、従つて、所期の発熱特性を有する
ものとして形成するに困難を伴うものであつた。
さらに、発熱用抵抗体層３が酸化ルテニウム焼
結体を以つて形成されている場合、一般に、酸化
ルテニウム焼結体を微細な形状に精度良く形成す
るのに多くの困難を伴うことから、発熱用抵抗体
層３を所期の抵抗値を有するものとして、従つ
て、所期の発熱特性を有するものとして、しか
も、広い面積を占めることなしに形成するのに困
難を伴うものであつた。
結体を以つて形成されている場合、一般に、酸化
ルテニウム焼結体を微細な形状に精度良く形成す
るのに多くの困難を伴うことから、発熱用抵抗体
層３を所期の抵抗値を有するものとして、従つ
て、所期の発熱特性を有するものとして、しか
も、広い面積を占めることなしに形成するのに困
難を伴うものであつた。
また、発熱用抵抗体層３は、それが窒素タンタ
ル、ニクロム及び酸化ルテニウムの何れを以つて
形成されている場合でも、負の抵抗温度係数を有
しているのを普通とし、このため、発熱抵抗体層
３の使用により、それが発熱し、そして、その温
度が高くなれば、それに応じて発熱抵抗体層３の
抵抗値が大きく低下し、このため、発熱抵抗体３
の駆動回路に過電流を流し、よつて、駆動回路を
破損に導く、というおそれを有していた。
ル、ニクロム及び酸化ルテニウムの何れを以つて
形成されている場合でも、負の抵抗温度係数を有
しているのを普通とし、このため、発熱抵抗体層
３の使用により、それが発熱し、そして、その温
度が高くなれば、それに応じて発熱抵抗体層３の
抵抗値が大きく低下し、このため、発熱抵抗体３
の駆動回路に過電流を流し、よつて、駆動回路を
破損に導く、というおそれを有していた。
このように、従来の熱ヘツドにおいては、その
発熱用抵抗体層３が、それ自身が連続的にまたは
間欠的に高温度で発熱することによつて得られる
熱によつて、抵抗値が所期値より変化することが
回避されるように、また、発熱用抵抗体層３自身
が所期の発熱特性を有するものとして容易に形成
されるように形成されているとしても、上述した
ように、発熱抵抗体層３を所期の抵抗値を有する
ものとして、従つて、所期の発熱特性を有するも
のとして、しかも、広い面積を占めることなしに
形成するのに困難を伴うものであつたり、発熱用
抵抗体層３自身の発熱に基く発熱用抵抗体層３の
表面の酸化によつて、発熱用抵抗体層３の抵抗値
が所期のそれから変化するおそれを有するもので
あつたり、従つて、発熱特性が所期のそれより変
化するおそれを有するものであつたり、発熱抵抗
体層３の駆動回路に過電流を流し、その駆動回路
を破損に導くおそれを有するものであつたりする
欠点を有していた。
発熱用抵抗体層３が、それ自身が連続的にまたは
間欠的に高温度で発熱することによつて得られる
熱によつて、抵抗値が所期値より変化することが
回避されるように、また、発熱用抵抗体層３自身
が所期の発熱特性を有するものとして容易に形成
されるように形成されているとしても、上述した
ように、発熱抵抗体層３を所期の抵抗値を有する
ものとして、従つて、所期の発熱特性を有するも
のとして、しかも、広い面積を占めることなしに
形成するのに困難を伴うものであつたり、発熱用
抵抗体層３自身の発熱に基く発熱用抵抗体層３の
表面の酸化によつて、発熱用抵抗体層３の抵抗値
が所期のそれから変化するおそれを有するもので
あつたり、従つて、発熱特性が所期のそれより変
化するおそれを有するものであつたり、発熱抵抗
体層３の駆動回路に過電流を流し、その駆動回路
を破損に導くおそれを有するものであつたりする
欠点を有していた。
よつて、本発明は、上述した熱ヘツドを基礎と
するが、上述した欠点乃至おそれを有効に回避し
得る新規な熱ヘツドを提案せんとするもので、以
下、本発明の実施例を詳述する所から明らかとな
るであろう。
するが、上述した欠点乃至おそれを有効に回避し
得る新規な熱ヘツドを提案せんとするもので、以
下、本発明の実施例を詳述する所から明らかとな
るであろう。
第２図は、本発明による熱ヘツドを印刷用熱ヘ
ツドに適用した場合の、その印刷用熱ヘツドの一
例を示す。
ツドに適用した場合の、その印刷用熱ヘツドの一
例を示す。
第２図において、第１図との対応部分には同一
符号を付し詳細説明を省略する。
符号を付し詳細説明を省略する。
第２図に示す本発明による印刷用熱ヘツドの一
例は、次の事項を除いて、第１図で上述した従来
の熱ヘツドと同様の構成を有する。
例は、次の事項を除いて、第１図で上述した従来
の熱ヘツドと同様の構成を有する。
すなわち、発熱用抵抗体層３が、多結晶シリコ
ンを以つて形成され且つ少くとも燐を、導電性を
与える不純物として、５×10-1Ω・cm以下の比抵
抗が得られるのに十分なだけ導入している発熱用
抵抗体層１３に置換されている。
ンを以つて形成され且つ少くとも燐を、導電性を
与える不純物として、５×10-1Ω・cm以下の比抵
抗が得られるのに十分なだけ導入している発熱用
抵抗体層１３に置換されている。
この場合、発熱用抵抗体層１３は、その上に付
された電極４及び５間でみて、所期の抵抗値が得
られるように、所要の厚さに形成されている。
された電極４及び５間でみて、所期の抵抗値が得
られるように、所要の厚さに形成されている。
以上が、本発明による熱ヘツドを印刷用熱ヘツ
ドに適用した場合の、その印刷用熱ヘツドの一例
である。
ドに適用した場合の、その印刷用熱ヘツドの一例
である。
このような構成を有する本発明による熱ヘツド
によれば、それが、第１図で上述した印刷用熱ヘ
ツドの構成において、その発熱用抵抗体層３が、
多結晶シリコンを以つて形成され且つ少くとも燐
を、導電性を与える不純物として、５×10-1Ω・
cm以下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入し
ている発熱用抵抗体層１３に置換されていること
を除いて、第１図で上述した印刷用熱ヘツドと同
様の構成を有するので、第１図の場合と同様に、
発熱用抵抗体層１３が電極４及び５を介して通電
されれば、発熱用抵抗体層１３の電極４及び５間
の領域が発熱し、その熱を、保護用層６を介し
て、これに相対的に摺接する感熱紙７に与えるこ
とができ、従つて、印刷用熱ヘツドとしての機能
が得られることは明らかである。
によれば、それが、第１図で上述した印刷用熱ヘ
ツドの構成において、その発熱用抵抗体層３が、
多結晶シリコンを以つて形成され且つ少くとも燐
を、導電性を与える不純物として、５×10-1Ω・
cm以下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入し
ている発熱用抵抗体層１３に置換されていること
を除いて、第１図で上述した印刷用熱ヘツドと同
様の構成を有するので、第１図の場合と同様に、
発熱用抵抗体層１３が電極４及び５を介して通電
されれば、発熱用抵抗体層１３の電極４及び５間
の領域が発熱し、その熱を、保護用層６を介し
て、これに相対的に摺接する感熱紙７に与えるこ
とができ、従つて、印刷用熱ヘツドとしての機能
が得られることは明らかである。
しかしながら、本発明による熱ヘツドによれ
ば、発熱用抵抗体層１３が、多結晶シリコンを以
つて形成され且つ少くとも燐を５×10-1Ω・cm以
下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入してい
るいるので、その発熱用抵抗体層１３を、第１図
で上述した困難を伴うことなしに、容易に形成し
得るとともに、発熱用抵抗体層１３の抵抗値、従
つて、発熱特性が、発熱用抵抗体層１３自身の発
熱に基き所期のそれから変化するおそれを有しな
い。
ば、発熱用抵抗体層１３が、多結晶シリコンを以
つて形成され且つ少くとも燐を５×10-1Ω・cm以
下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入してい
るいるので、その発熱用抵抗体層１３を、第１図
で上述した困難を伴うことなしに、容易に形成し
得るとともに、発熱用抵抗体層１３の抵抗値、従
つて、発熱特性が、発熱用抵抗体層１３自身の発
熱に基き所期のそれから変化するおそれを有しな
い。
すなわち、発熱用抵抗体層１３が多結晶シリコ
ンを以つて形成されているので、その発熱用抵抗
体層１３を、スパツタリング法、CVD法、蒸着
法などによつて、所要の厚さ及び形状に、容易に
形成し得る。
ンを以つて形成されているので、その発熱用抵抗
体層１３を、スパツタリング法、CVD法、蒸着
法などによつて、所要の厚さ及び形状に、容易に
形成し得る。
例えば、発熱用抵抗体層１３をCVD法によつ
て形成するものとして、通常の気相成長装置を用
い、そして、その気相成長装置内に、発熱用抵抗
体層１３、電極４及び５及び保護用層６が存せ
ず、蓄熱用層２のみをその上に形成している状態
の基板１を配し、そして、その基板１の温度を
700℃〜1000℃にした状態で、気相成長装置内に
水素またはヘリウムでなるキヤリアガスを用いて
シランSiH4を供給し、そのシランSiH4を装置内
で熱分解させる場合、シランSiH4の供給量（モ
ル／分）に対する多結晶シリコンの形成（成長）
速度（μm／分）の関係が、第３図に示すように、
直線性を有するので（ただし、基板１の温度が
900℃である場合）、発熱用抵抗体層１３を、所要
の精密な厚さに、しかも短時間で、容易に形成す
ることができる。
て形成するものとして、通常の気相成長装置を用
い、そして、その気相成長装置内に、発熱用抵抗
体層１３、電極４及び５及び保護用層６が存せ
ず、蓄熱用層２のみをその上に形成している状態
の基板１を配し、そして、その基板１の温度を
700℃〜1000℃にした状態で、気相成長装置内に
水素またはヘリウムでなるキヤリアガスを用いて
シランSiH4を供給し、そのシランSiH4を装置内
で熱分解させる場合、シランSiH4の供給量（モ
ル／分）に対する多結晶シリコンの形成（成長）
速度（μm／分）の関係が、第３図に示すように、
直線性を有するので（ただし、基板１の温度が
900℃である場合）、発熱用抵抗体層１３を、所要
の精密な厚さに、しかも短時間で、容易に形成す
ることができる。
ちなみに、蓄熱用層２が長石82％、SiO212.5
％、CaCO32.9％、カオリン2.6％の成分からなる
1000℃以上の軟化点を有する高融点グレーズガラ
スを以つて形成されている場合、基板１の温度を
900℃としたところ、発熱用抵抗体層１３を、２
％以下の誤差を以つて、数100Å〜数μmの範囲の
所要の厚さに、10〜15分程度の短かい時間で形成
することができた。
％、CaCO32.9％、カオリン2.6％の成分からなる
1000℃以上の軟化点を有する高融点グレーズガラ
スを以つて形成されている場合、基板１の温度を
900℃としたところ、発熱用抵抗体層１３を、２
％以下の誤差を以つて、数100Å〜数μmの範囲の
所要の厚さに、10〜15分程度の短かい時間で形成
することができた。
また、発熱用抵抗体層１３を、上述したよう
に、通常の気相成長装置を用いてCVD法によつ
て形成する場合に、気相成長装置内に、シラン
SiH4とともに、導電性を与える不純物としての
燐になる成分を、キヤリアガスを用いて気相成長
装置内に供給させるようにすれば、その供給量を
制御することによつて、気相成長装置内での不純
物としての燐の成分の量を、容易に制御し得、従
つて、発熱用抵抗体層１３に導入される、導電性
を与える不純物としての燐の導入量を、容易に制
御し得、よつて、発熱用抵抗体層１３を、５×
10-1Ω・cm以下の比抵抗を有するものとして、従
つて、正の抵抗温度係数を有し且つ所期の抵抗値
を有するものとして、容易に形成することができ
る。
に、通常の気相成長装置を用いてCVD法によつ
て形成する場合に、気相成長装置内に、シラン
SiH4とともに、導電性を与える不純物としての
燐になる成分を、キヤリアガスを用いて気相成長
装置内に供給させるようにすれば、その供給量を
制御することによつて、気相成長装置内での不純
物としての燐の成分の量を、容易に制御し得、従
つて、発熱用抵抗体層１３に導入される、導電性
を与える不純物としての燐の導入量を、容易に制
御し得、よつて、発熱用抵抗体層１３を、５×
10-1Ω・cm以下の比抵抗を有するものとして、従
つて、正の抵抗温度係数を有し且つ所期の抵抗値
を有するものとして、容易に形成することができ
る。
ちなみに、ホスフインPH3を、燐になる成分と
して、気相成長装置内に供給した場合、そのホス
フインPH3の供給量（モル／分）に対する多結晶
シリコンの比抵抗（Ω・cm）の関係が、第４図に
示すように得られたことから、発熱用抵抗体層１
３を、５×10-1Ω・cm以下の比抵抗を有するもの
として、容易に形成することができた。
して、気相成長装置内に供給した場合、そのホス
フインPH3の供給量（モル／分）に対する多結晶
シリコンの比抵抗（Ω・cm）の関係が、第４図に
示すように得られたことから、発熱用抵抗体層１
３を、５×10-1Ω・cm以下の比抵抗を有するもの
として、容易に形成することができた。
また、発熱用抵抗体層１３が、多結晶シリコン
を以つて形成され且つ少くとも燐を５×10-1Ω・
cm以下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入し
ているので、発熱用抵抗体層１３の抵抗値、従つ
て、発熱特性が、発熱用抵抗体層１３自身の発熱
に基き所期のそれから変化するおそれを有しな
い。
を以つて形成され且つ少くとも燐を５×10-1Ω・
cm以下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入し
ているので、発熱用抵抗体層１３の抵抗値、従つ
て、発熱特性が、発熱用抵抗体層１３自身の発熱
に基き所期のそれから変化するおそれを有しな
い。
ちなみに、基板１がアルミナを以つて700μmの
厚さに形成され、蓄熱用層２が、上述したよう
に、例えば長石82％、SiO212.5％、CaCO32.9％、
カオリン2.6％の成分からなる高融点グレーズガ
ラスを以つて形成され、発熱用抵抗体層１３が、
上述したように、CVD法によつて、多結晶シリ
コンを以つて形成され且つ燐を５×10-1Ω・cm以
下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入してい
るとともに、電極４及び５間でみて200Ωの抵抗
値を有するものとして形成され、電極４及び５が
真空蒸着法によつてタングステンを以つて厚さ
1.5μに形成され、保護用層６がCVD法によつて
燐・硼素化合物を以つて厚さ1.5〜2.0μに形成さ
れている場合において、発熱用抵抗体層１３の発
熱を間欠的に繰返して行なつた場合の、発熱用抵
抗体層１３の電極４及び５間でみた抵抗値の変化
率を、発熱用抵抗体層１３の発熱特性としてみた
とき、第５図に示すように、その間欠的な発熱を
108回、各回において感熱紙７上で約450℃の温度
が得られるように2m秒の通電を行うことによつ
て、行なつても、発熱用抵抗体層１３の抵抗値の
変化率が、このような発熱が行われなかつた場合
に対して、５％程度以下であつた。
厚さに形成され、蓄熱用層２が、上述したよう
に、例えば長石82％、SiO212.5％、CaCO32.9％、
カオリン2.6％の成分からなる高融点グレーズガ
ラスを以つて形成され、発熱用抵抗体層１３が、
上述したように、CVD法によつて、多結晶シリ
コンを以つて形成され且つ燐を５×10-1Ω・cm以
下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入してい
るとともに、電極４及び５間でみて200Ωの抵抗
値を有するものとして形成され、電極４及び５が
真空蒸着法によつてタングステンを以つて厚さ
1.5μに形成され、保護用層６がCVD法によつて
燐・硼素化合物を以つて厚さ1.5〜2.0μに形成さ
れている場合において、発熱用抵抗体層１３の発
熱を間欠的に繰返して行なつた場合の、発熱用抵
抗体層１３の電極４及び５間でみた抵抗値の変化
率を、発熱用抵抗体層１３の発熱特性としてみた
とき、第５図に示すように、その間欠的な発熱を
108回、各回において感熱紙７上で約450℃の温度
が得られるように2m秒の通電を行うことによつ
て、行なつても、発熱用抵抗体層１３の抵抗値の
変化率が、このような発熱が行われなかつた場合
に対して、５％程度以下であつた。
さらに、発熱用抵抗体層１３が多結晶シリコン
を以つて形成され且つ少くとも燐を５×10-1Ω・
cm以下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入し
ているので、300ppm／℃程度の正の温度係数を有
している。
を以つて形成され且つ少くとも燐を５×10-1Ω・
cm以下の比抵抗が得られるのに十分なだけ導入し
ているので、300ppm／℃程度の正の温度係数を有
している。
このため、発熱用抵抗体層１３が発熱し、そし
て、その温度が高くなつても、発熱用抵抗体層１
３自身の抵抗値が大きく低下せず、よつて、発熱
抵抗体層１３の駆動回路に過電流を流さず、従つ
て、その駆動回路を破損に導くおそれを有しな
い。
て、その温度が高くなつても、発熱用抵抗体層１
３自身の抵抗値が大きく低下せず、よつて、発熱
抵抗体層１３の駆動回路に過電流を流さず、従つ
て、その駆動回路を破損に導くおそれを有しな
い。
また、発熱用抵抗体層１３が、燐を、５×10-1
Ω・cm以下の比抵抗が得られるに十分なだけ導入
していれば、発熱用抵抗体層１３の厚さを同じ抵
抗値を得るのに、比較的薄くし得るので、発熱用
抵抗体層１３を、微細に、しかも熱歪の生じ難い
ものとして、容易に形成することができる。
Ω・cm以下の比抵抗が得られるに十分なだけ導入
していれば、発熱用抵抗体層１３の厚さを同じ抵
抗値を得るのに、比較的薄くし得るので、発熱用
抵抗体層１３を、微細に、しかも熱歪の生じ難い
ものとして、容易に形成することができる。
上述したように、本発明による熱ヘツドによれ
ば、発熱用抵抗体層１３を108回も間欠的に発
熱させても、抵抗値の変化が僅かであり、また
発熱用抵抗体層１３を、正の抵抗温度係数を有す
るものとして、微細なパターンに、高精度に、容
易に形成することができ、さらに、発熱用抵抗
体層１３を高温に発熱させても、それによつて発
熱用抵抗体層１３を破損に導くおそれがないとと
もに、発熱用抵抗体層の駆動回路に過電流が流れ
ず、よつて、駆動回路を破損に導びくおそれがな
い、などの特徴を有する。
ば、発熱用抵抗体層１３を108回も間欠的に発
熱させても、抵抗値の変化が僅かであり、また
発熱用抵抗体層１３を、正の抵抗温度係数を有す
るものとして、微細なパターンに、高精度に、容
易に形成することができ、さらに、発熱用抵抗
体層１３を高温に発熱させても、それによつて発
熱用抵抗体層１３を破損に導くおそれがないとと
もに、発熱用抵抗体層の駆動回路に過電流が流れ
ず、よつて、駆動回路を破損に導びくおそれがな
い、などの特徴を有する。
第１図は、従来の熱ヘツドの適用された印刷用
熱ヘツドを示す略線的断面図である。第２図は、
本発明による熱ヘツドの適用された印刷用熱ヘツ
ドの一例を示す略線的断面図である。第３図は、
発熱用抵抗体層を多結晶シリコンを以つて形成す
る場合のその説明に供するシランの供給量に対す
る多結晶シリコンの成長速度の関係を示す曲線図
である。第４図は、同様の説明に供するホスフイ
ンの供給量に対する多結晶シリコンの比抵抗の関
係を示す曲線図である。第５図は、その発熱特性
を示す曲線図である。 １……基板、２……蓄熱用層、３……発熱用抵
抗体層、４，５……電極、６……保護用層、７…
…感熱紙、１３……発熱用抵抗体層。
熱ヘツドを示す略線的断面図である。第２図は、
本発明による熱ヘツドの適用された印刷用熱ヘツ
ドの一例を示す略線的断面図である。第３図は、
発熱用抵抗体層を多結晶シリコンを以つて形成す
る場合のその説明に供するシランの供給量に対す
る多結晶シリコンの成長速度の関係を示す曲線図
である。第４図は、同様の説明に供するホスフイ
ンの供給量に対する多結晶シリコンの比抵抗の関
係を示す曲線図である。第５図は、その発熱特性
を示す曲線図である。 １……基板、２……蓄熱用層、３……発熱用抵
抗体層、４，５……電極、６……保護用層、７…
…感熱紙、１３……発熱用抵抗体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、蓄熱用層を介して、発熱用抵抗体
層が形成されている構成を有する熱ヘツドにおい
て、 上記発熱用抵抗体層が、多結晶シリコンを以つ
て形成され且つ少くとも燐を、導電性を与える不
純物として、５×10-1Ω・cm以下の比抵抗が得ら
れるのに十分なだけ導入していることを特徴とす
る熱ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9494978A JPS5521277A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9494978A JPS5521277A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Thermal head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5521277A JPS5521277A (en) | 1980-02-15 |
| JPS6317629B2 true JPS6317629B2 (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=14124184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9494978A Granted JPS5521277A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5521277A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59133079A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-31 | Hitachi Ltd | 感熱ヘツド |
-
1978
- 1978-08-02 JP JP9494978A patent/JPS5521277A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5521277A (en) | 1980-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6317629B2 (ja) | ||
| JPS6317628B2 (ja) | ||
| JPS6317630B2 (ja) | ||
| CN114905862A (zh) | 薄膜热敏打印头用发热基板及其制作方法 | |
| JPH11216865A (ja) | サーマルインクジェットプリントヘッド及びその製造方法 | |
| JP2637162B2 (ja) | サーマルヘッド用発熱体およびその製造方法 | |
| JPH0144510B2 (ja) | ||
| JPH0612928Y2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS61167571A (ja) | 熱ヘツド | |
| JPS6357259A (ja) | サ−マルヘツド用発熱体 | |
| JP2545160B2 (ja) | 厚膜型サ―マルヘッド | |
| JPS58201679A (ja) | 熱ヘツド | |
| JPS62227763A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS6125550B2 (ja) | ||
| JP2932661B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPS6355901A (ja) | サ−マルヘツド用発熱体 | |
| JPS6314401A (ja) | サ−マルヘツド用発熱体 | |
| JPH01202457A (ja) | サーマルインクジェット用発熱素子 | |
| JP2005119092A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH069163B2 (ja) | 薄膜発熱抵抗体 | |
| JPS63159063A (ja) | 熱印刷ヘツド | |
| JPH0647292B2 (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPH0112676B2 (ja) | ||
| JPS62111767A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS63194960A (ja) | 非晶質性硬質炭素材料およびそれを用いた発熱抵抗装置 |