JPS6317773B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6317773B2 JPS6317773B2 JP56009569A JP956981A JPS6317773B2 JP S6317773 B2 JPS6317773 B2 JP S6317773B2 JP 56009569 A JP56009569 A JP 56009569A JP 956981 A JP956981 A JP 956981A JP S6317773 B2 JPS6317773 B2 JP S6317773B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- solution
- bapb
- hcl
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化物超伝導体BaPb1-xBixO3（0.05
ｘ0.3）のようにBaとPbを同時に含む酸化物薄
膜のパターン形成法に関するものである。
ｘ0.3）のようにBaとPbを同時に含む酸化物薄
膜のパターン形成法に関するものである。
Baを含む酸化物ではチタン酸バリウムBaTiO3
が有名で、エツチング液としてHClとHFの混合
液、HNO3とHFの混合液またはHCl、HNO3、
HFの混合液または濃リン酸（H3PO4）などが用
いられており、Pbを含んだ酸化物ではジルコ
ン・チタン酸鉛（Pb（ZrTi）O3）が有名でエツ
チング液としてHFの水溶液が用いられている。
が有名で、エツチング液としてHClとHFの混合
液、HNO3とHFの混合液またはHCl、HNO3、
HFの混合液または濃リン酸（H3PO4）などが用
いられており、Pbを含んだ酸化物ではジルコ
ン・チタン酸鉛（Pb（ZrTi）O3）が有名でエツ
チング液としてHFの水溶液が用いられている。
ところが超伝導酸化物であるBaPb1-xBixO3の
ようにBaとPbを同時に含む酸化物では適当なエ
ツチング液がない。
ようにBaとPbを同時に含む酸化物では適当なエ
ツチング液がない。
BaPb1-xBixO3薄膜はHCl水溶液でエツチされ
るが、その際BaCl2が溶出した後に、HClと反応
して生じたPbCl2が水に溶けないため薄膜端面に
残り、薄膜パターンの寸法精度が出ない。
るが、その際BaCl2が溶出した後に、HClと反応
して生じたPbCl2が水に溶けないため薄膜端面に
残り、薄膜パターンの寸法精度が出ない。
Pb（NO3）2は水溶性であるが、BaPb1-xBixO3
はHNO3の水溶液には殆んど溶けない。
はHNO3の水溶液には殆んど溶けない。
本発明はBaとPbを同時に含む複合酸化物の薄
膜に関して、不溶物を端面に残すことなく高い寸
法精度でエツチングしてパターンを形成する方法
を提供しようとするものである。
膜に関して、不溶物を端面に残すことなく高い寸
法精度でエツチングしてパターンを形成する方法
を提供しようとするものである。
BaCl2、Ba（ClO4）2の25℃における水に対する
溶解度は夫々27.1および約75である。ただし、こ
こで溶解度としては飽和溶液100ｇに含まれる
BaCl2、Ba（ClO4）2の重量であらわしている。
溶解度は夫々27.1および約75である。ただし、こ
こで溶解度としては飽和溶液100ｇに含まれる
BaCl2、Ba（ClO4）2の重量であらわしている。
Pbの化合物でBaCl2、Ba（ClO4）2と同程度の水
に対する溶解度を示すものは「化学便覧」（基礎
編）（丸善発行）によると25℃でPb（NO3）2が
37.73、Pb（ClO4）2・3H2Oが81.5、Pb（SO3NH2）2
が710（但し、飽和溶液１中に含まれる溶質の質
量数）、PbSiF6が68.97（100ｇ中の質量数）などで
ある。
に対する溶解度を示すものは「化学便覧」（基礎
編）（丸善発行）によると25℃でPb（NO3）2が
37.73、Pb（ClO4）2・3H2Oが81.5、Pb（SO3NH2）2
が710（但し、飽和溶液１中に含まれる溶質の質
量数）、PbSiF6が68.97（100ｇ中の質量数）などで
ある。
このうち後の二者の塩をつくる適当な水溶液は
複雑で適当でない。またPbはHNO3に容易に溶
けてPb（NO3）2となるが、Pbの酸化物はHNO3溶
液には殆んど溶けない。
複雑で適当でない。またPbはHNO3に容易に溶
けてPb（NO3）2となるが、Pbの酸化物はHNO3溶
液には殆んど溶けない。
従つて、BaとPbを共通に溶解するものとして
HClO4が考えられる。しかしHClO4の水溶液の
みではBaPb1-xBixO3が溶解する速度は極めて小
さい。そこでHClをHClO4に適量加えることで薄
膜パターンの側面が白濁することなくエツチでき
ることを発見した。
HClO4が考えられる。しかしHClO4の水溶液の
みではBaPb1-xBixO3が溶解する速度は極めて小
さい。そこでHClをHClO4に適量加えることで薄
膜パターンの側面が白濁することなくエツチでき
ることを発見した。
実施例 １
濃塩酸HCl（37重量％、12規定）を容積で水に
２％迄薄めたHCl水溶液を作る。BaPb0.75Bi0.35
O3の厚さ5000Åの薄膜の上にポジのレジストを
塗布し、回路パターンを描いたマスクを通して
光、電子線あるいはＸ線により露光し、現像して
不要部のレジストを除いた。このようにレジスト
でパターンを形成した後、基板を上記のHCl水溶
液に数秒間浸してエツチングを行ない、その後レ
ジストをアセトンで除去した。
２％迄薄めたHCl水溶液を作る。BaPb0.75Bi0.35
O3の厚さ5000Åの薄膜の上にポジのレジストを
塗布し、回路パターンを描いたマスクを通して
光、電子線あるいはＸ線により露光し、現像して
不要部のレジストを除いた。このようにレジスト
でパターンを形成した後、基板を上記のHCl水溶
液に数秒間浸してエツチングを行ない、その後レ
ジストをアセトンで除去した。
BaPb0.75Bi0.25O3薄膜のパターンは線幅50μｍで
あつたが、側面に沿つて幅約0.1μｍの白い高抵抗
層が残つた。
あつたが、側面に沿つて幅約0.1μｍの白い高抵抗
層が残つた。
実施例 ２
HClO4（60.0〜62.0％溶液）を水に加え、容積
で50％にうすめ、HCl（35.0〜37.0％溶液）を容積
で１％加えた溶液を用い、上記と同じような
BaPb0.75Bi0.25O3薄膜のパターンを形成した。約
７秒間エツチングしたところ薄膜側面が白濁する
こともなく、エツチ面は基板にほぼ垂直であつ
た。又15秒以上では膜の上面が下面よりも細くな
り、断面が台形となる。なおHClO4を水に対し
て容積比で20〜60％加え、これに対してHClを１
〜0.3％（容積比）を加えた溶液でエツチングを
行うのが好ましい。なおHClO4の容積が20〜60
％を超えると、膜の側面が白濁するのが認められ
る。さらにHClが１％を超えるとエツチング速度
が非常に速くなり、操作が困難となる。又0.3％
未満のときは膜の側面が白濁するのが認められ
る。
で50％にうすめ、HCl（35.0〜37.0％溶液）を容積
で１％加えた溶液を用い、上記と同じような
BaPb0.75Bi0.25O3薄膜のパターンを形成した。約
７秒間エツチングしたところ薄膜側面が白濁する
こともなく、エツチ面は基板にほぼ垂直であつ
た。又15秒以上では膜の上面が下面よりも細くな
り、断面が台形となる。なおHClO4を水に対し
て容積比で20〜60％加え、これに対してHClを１
〜0.3％（容積比）を加えた溶液でエツチングを
行うのが好ましい。なおHClO4の容積が20〜60
％を超えると、膜の側面が白濁するのが認められ
る。さらにHClが１％を超えるとエツチング速度
が非常に速くなり、操作が困難となる。又0.3％
未満のときは膜の側面が白濁するのが認められ
る。
叙上のように本発明のエツチング液により薄膜
の配線側面に白い高抵抗層を生ずることなく
BaPb1-xBixO3のパターンを形成できる効果を有
する。
の配線側面に白い高抵抗層を生ずることなく
BaPb1-xBixO3のパターンを形成できる効果を有
する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ HClO4（60.0〜62.0％溶液）を水に対して容
積比で20〜60％加え、この溶液に対してHCl
（35.0〜37.0％溶液）を容積比で１〜0.3％加えた
溶液により、BaとPbを同時に含む酸化物薄膜を
エツチングすることを特徴とする酸化物薄膜パタ
ーン形成法。 ２ 基板上にBaPb1-xBixO3薄膜を形成し、その
上にボジ形レジストを塗布し、回路パターンを描
いたマスクを通して露光し、現像した後BaPb1-x
BixO3薄膜の不要部分を前記のエツチング液を用
いて除去することによる特許請求の範囲第１項記
載の酸化物薄膜パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56009569A JPS57123826A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Method for forming oxide thin film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56009569A JPS57123826A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Method for forming oxide thin film pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57123826A JPS57123826A (en) | 1982-08-02 |
| JPS6317773B2 true JPS6317773B2 (ja) | 1988-04-15 |
Family
ID=11723923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56009569A Granted JPS57123826A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Method for forming oxide thin film pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57123826A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947783A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導体パタ−ン形成法 |
| US5646095A (en) * | 1991-06-18 | 1997-07-08 | International Business Machines Corporation | Selective insulation etching for fabricating superconductor microcircuits |
| JP4902159B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2012-03-21 | 日本板硝子株式会社 | セラミックス焼結体及びガラスの分離回収方法 |
| US8409401B2 (en) | 2005-09-12 | 2013-04-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Separating method for dark ceramics sintered body |
-
1981
- 1981-01-27 JP JP56009569A patent/JPS57123826A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57123826A (en) | 1982-08-02 |
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