JPS63178501A - グレ−ズ抵抗材料 - Google Patents
グレ−ズ抵抗材料Info
- Publication number
- JPS63178501A JPS63178501A JP62010582A JP1058287A JPS63178501A JP S63178501 A JPS63178501 A JP S63178501A JP 62010582 A JP62010582 A JP 62010582A JP 1058287 A JP1058287 A JP 1058287A JP S63178501 A JPS63178501 A JP S63178501A
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- Japan
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- glaze
- resistance material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、非酸化性雰囲気中での焼成で厚膜抵抗体を形
成するためのグレーズ抵抗材料に関するものである。こ
のグレーズ抵抗材料を使用すれば、Ｃｕ配線導体等の卑
金属配線導体と厚膜抵抗体とを同一のセラミック基板上
に形成することができる０ 従来の技術 従来、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、配線導体に人ｇ
、ムｇＰｄ 、ムｇｅｔ等のＡｇ系の貴金属を、抵抗体
にＲｕＯ２を用いた空気中焼成システムで回路を形成し
ていた。
成するためのグレーズ抵抗材料に関するものである。こ
のグレーズ抵抗材料を使用すれば、Ｃｕ配線導体等の卑
金属配線導体と厚膜抵抗体とを同一のセラミック基板上
に形成することができる０ 従来の技術 従来、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、配線導体に人ｇ
、ムｇＰｄ 、ムｇｅｔ等のＡｇ系の貴金属を、抵抗体
にＲｕＯ２を用いた空気中焼成システムで回路を形成し
ていた。
発明が解決しようとする問題点
最近、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、高密度回路、高
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来のＡｇ系配線導体では、マイグレーション、回路イン
ピーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすこと
ができない。そこで、Ｃｕ配線導体を用いた厚膜ハイブ
リッドＩＣが有望視されているが、Ｃｕ配線導体と組合
せる抵抗体は非酸化性雰囲気で焼成しなければならず、
この条件を満たし、実用可能な特性を持つグレーズ抵抗
材料は、まだ開発されていない。
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来のＡｇ系配線導体では、マイグレーション、回路イン
ピーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすこと
ができない。そこで、Ｃｕ配線導体を用いた厚膜ハイブ
リッドＩＣが有望視されているが、Ｃｕ配線導体と組合
せる抵抗体は非酸化性雰囲気で焼成しなければならず、
この条件を満たし、実用可能な特性を持つグレーズ抵抗
材料は、まだ開発されていない。
従って、本発明の目的は、Ｃｕ配線導体と組合せること
ができる非酸化性雰囲気で焼成可能なグレーズ抵抗材料
を提供することにある。
ができる非酸化性雰囲気で焼成可能なグレーズ抵抗材料
を提供することにある。
問題点を解決するだめの手段
上記目的を達成するだめの本発明のグレーズ抵抗材料は
、珪化チタンが１０．０〜５０．０重畳バーセント、三
酸化モリブデン、三酸化タングステン。
、珪化チタンが１０．０〜５０．０重畳バーセント、三
酸化モリブデン、三酸化タングステン。
五酸化ニオブ、五酸化タンタルの内の少なくとも１種の
金属酸化物が１．０〜２０．０重畳バーセント、ガラス
が３０．０〜８９．０重畳バーセントからなる。
金属酸化物が１．０〜２０．０重畳バーセント、ガラス
が３０．０〜８９．０重畳バーセントからなる。
作用
上記組成のグレーズ抵抗材料と樹脂バインダーを溶剤に
溶かしたビークルとで抵抗ペーストを作り、これをセラ
ミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気で８６０〜９５
０’Ｃで焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗体を
得ることが出来る。従って、Ｃｕ等の卑金属を用いて配
線導体を形成しているセラミック基板上に厚膜抵抗体を
形成することが出来る。
溶かしたビークルとで抵抗ペーストを作り、これをセラ
ミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気で８６０〜９５
０’Ｃで焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗体を
得ることが出来る。従って、Ｃｕ等の卑金属を用いて配
線導体を形成しているセラミック基板上に厚膜抵抗体を
形成することが出来る。
実施例
（実施例１）
次に、本発明の実施例に係るグレーズ抵抗材料について
述べる０ガラスとしては、ホウ酸（Ｈ，ＢＯ，）５１．
３重量バー・七ｙｌ、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）３４
．２重畳バーセント、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ２）
６．０重畳バーセント、二酸化珪素（Ｓｉｎ２） ３．
４重畳バーセント、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）２．ｅ
重量パーセント、炭酸カルシウム（ＣλＣｏ３） ２．
ｆ４量パーセントを配合し、アルミナルツボ中、１００
０℃で２ｏ分間溶融し、この溶融液を水中に投入して急
冷、これをアルミナ乳鉢で１００μｍ程度に粉砕し、更
に、メタノールと共にアルミナポットに入れ、アルミナ
ボールで７２時間粉砕、粒径５μｍ程度のガラス粉砕と
したものを用いるＯ上記ガラスと、ＴｉＳｉ□と、Ｔ２
Ｌ２ｏ５とを第１表に示す割合で配合したものをビーク
ル（ブチルメタアクリレートをターピネオールに溶かし
たもの）と混練し、抵抗ベースとした。この抵抗ペース
トを、Ｃｕ厚膜導体を電極とした９５％アルミナ基板上
に２６０メツシユのスクリーンを用いて印刷し、１２０
℃の温度で乾燥させてから、窒素ガスパージし、最高温
度９ｏｏ℃に加熱したトンネル炉を通して焼成し、抵抗
体とした。２５℃における面積抵抗値、２６℃と１２６
℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に示す。負
荷寿命特性（１ｒｓ ｏ ｍＷ、ｉｄの負荷電力を、周
囲温度７０℃で、１．５時間印加、０．５時間除去をく
り返し、１０００時間経過した時の抵抗値変化率で評価
）、耐湿特性（周囲温度８６℃、相対湿度８５％中で１
０００時間経過した時の抵抗値変化率で評価）、熱衝撃
特性（周囲温度−６６℃中で３０分間放置、周囲温度１
２５℃中で３０分間放置をくシ返し、１０ｏ。
述べる０ガラスとしては、ホウ酸（Ｈ，ＢＯ，）５１．
３重量バー・七ｙｌ、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）３４
．２重畳バーセント、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ２）
６．０重畳バーセント、二酸化珪素（Ｓｉｎ２） ３．
４重畳バーセント、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）２．ｅ
重量パーセント、炭酸カルシウム（ＣλＣｏ３） ２．
ｆ４量パーセントを配合し、アルミナルツボ中、１００
０℃で２ｏ分間溶融し、この溶融液を水中に投入して急
冷、これをアルミナ乳鉢で１００μｍ程度に粉砕し、更
に、メタノールと共にアルミナポットに入れ、アルミナ
ボールで７２時間粉砕、粒径５μｍ程度のガラス粉砕と
したものを用いるＯ上記ガラスと、ＴｉＳｉ□と、Ｔ２
Ｌ２ｏ５とを第１表に示す割合で配合したものをビーク
ル（ブチルメタアクリレートをターピネオールに溶かし
たもの）と混練し、抵抗ベースとした。この抵抗ペース
トを、Ｃｕ厚膜導体を電極とした９５％アルミナ基板上
に２６０メツシユのスクリーンを用いて印刷し、１２０
℃の温度で乾燥させてから、窒素ガスパージし、最高温
度９ｏｏ℃に加熱したトンネル炉を通して焼成し、抵抗
体とした。２５℃における面積抵抗値、２６℃と１２６
℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に示す。負
荷寿命特性（１ｒｓ ｏ ｍＷ、ｉｄの負荷電力を、周
囲温度７０℃で、１．５時間印加、０．５時間除去をく
り返し、１０００時間経過した時の抵抗値変化率で評価
）、耐湿特性（周囲温度８６℃、相対湿度８５％中で１
０００時間経過した時の抵抗値変化率で評価）、熱衝撃
特性（周囲温度−６６℃中で３０分間放置、周囲温度１
２５℃中で３０分間放置をくシ返し、１０ｏ。
時間経過した時の抵抗値変化率で評価）は、いずれも抵
抗値変化率が±１％以内であった。
抗値変化率が±１％以内であった。
（実施例２）
実施例１で示したものと同じガラスと、ＴｉＳｉ２と、
Ｎｂ２Ｏ５とを第２表に示す割合で配合したものを、ビ
ークル（ブチルメタアクリレートをターピネオールに溶
かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗
ペーストを実施例１と同様にして、Ｃｕ厚膜導体を電極
とした９５％アルミナ基板上に印刷、窒素焼成し、抵抗
体とした。
Ｎｂ２Ｏ５とを第２表に示す割合で配合したものを、ビ
ークル（ブチルメタアクリレートをターピネオールに溶
かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗
ペーストを実施例１と同様にして、Ｃｕ厚膜導体を電極
とした９５％アルミナ基板上に印刷、窒素焼成し、抵抗
体とした。
２６℃における面積抵抗値、２６℃と１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第２表に示す。
で測定した抵抗温度係数を第２表に示す。
負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様
に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であった
。
に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であった
。
（実施例３）
実施例１で示したものと同じガラスと、ＴｉＳｉ２と、
Ｍｏｏ、とを第３表に示す割合で配合したものを、ビー
クル（ブチルメタアクリレートをターピネオールに溶か
したもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペ
ーストを実施例１と同様にして、Ｃｕ厚膜導体を電極と
した９５％アルミナ基板上に印刷、窒素焼成し、抵抗体
とした。２６℃における面積抵抗値、２６℃と１２５℃
の温度間で測定した抵抗温度係数を第３表に示す。負荷
寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測
定し、抵抗値変化率はいずれも±１９４以内であった０ （実施例４） 実施例１で示したものと同じガラスと、ＴｉＳｉ２と、
Ｔａ２０５． ＷＯ，とを第４表に示す割合で配合した
ものを、ビークル（ブチルメタアクリレートをターピネ
オールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした
。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、Ｃｕ厚膜
導体を電極とした９５％アルミナ基板上に印刷、窒素焼
成し、抵抗体とした。２５℃における面積抵抗値、２５
℃と１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第４表
に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例
１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内
であった。
Ｍｏｏ、とを第３表に示す割合で配合したものを、ビー
クル（ブチルメタアクリレートをターピネオールに溶か
したもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペ
ーストを実施例１と同様にして、Ｃｕ厚膜導体を電極と
した９５％アルミナ基板上に印刷、窒素焼成し、抵抗体
とした。２６℃における面積抵抗値、２６℃と１２５℃
の温度間で測定した抵抗温度係数を第３表に示す。負荷
寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測
定し、抵抗値変化率はいずれも±１９４以内であった０ （実施例４） 実施例１で示したものと同じガラスと、ＴｉＳｉ２と、
Ｔａ２０５． ＷＯ，とを第４表に示す割合で配合した
ものを、ビークル（ブチルメタアクリレートをターピネ
オールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした
。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、Ｃｕ厚膜
導体を電極とした９５％アルミナ基板上に印刷、窒素焼
成し、抵抗体とした。２５℃における面積抵抗値、２５
℃と１２６℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第４表
に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例
１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内
であった。
（以下余白）
発明の効果
上述から明らかなように本発明に係わるグレーズ抵抗材
料は、非酸化性雰囲気で焼成可能であるので、（ｕ等の
卑金属配線導体と共に焼成することが出来る。従って、
本発明はＣｕ配線厚膜ハイブリッドＩＣを実現し、厚膜
ハイブリッドＩＣの高密度化、高速ディジタル化に寄与
する。
料は、非酸化性雰囲気で焼成可能であるので、（ｕ等の
卑金属配線導体と共に焼成することが出来る。従って、
本発明はＣｕ配線厚膜ハイブリッドＩＣを実現し、厚膜
ハイブリッドＩＣの高密度化、高速ディジタル化に寄与
する。
Claims (3)
- （１）珪化チタンが１０．０〜６０．０重量パーセント
、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、五酸化ニオ
ブ、五酸化タンタルの内の少なくとも１種の金属酸化物
が１．０〜２０．０重量パーセント、ガラスが３０．０
〜８９．０重量パーセントからなるグレーズ抵抗材料。 - （２）珪化チタンは、ＴｉＳｉ＿２が９５重量パーセン
ト以上である特許請求の範囲第１項記載のグレーズ抵抗
材料。 - （３）ガラスは、非酸化性雰囲気で焼成する際に金属化
されにくい金属酸化物からなるものであり、軟化点が６
００〜８００℃の範囲のものである特許請求の範囲第１
項記載のグレーズ抵抗材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62010582A JP2532429B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | グレ−ズ抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62010582A JP2532429B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | グレ−ズ抵抗材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63178501A true JPS63178501A (ja) | 1988-07-22 |
| JP2532429B2 JP2532429B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=11754241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62010582A Expired - Fee Related JP2532429B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | グレ−ズ抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532429B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120397A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-08 | Trw Inc | Resistive material and resistor which is manufactured from the material |
| JPS5669802A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Graded resistance material |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62010582A patent/JP2532429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120397A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-08 | Trw Inc | Resistive material and resistor which is manufactured from the material |
| JPS5669802A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Graded resistance material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2532429B2 (ja) | 1996-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |