JPH03248501A - グレーズ抵抗材料 - Google Patents
グレーズ抵抗材料Info
- Publication number
- JPH03248501A JPH03248501A JP2046224A JP4622490A JPH03248501A JP H03248501 A JPH03248501 A JP H03248501A JP 2046224 A JP2046224 A JP 2046224A JP 4622490 A JP4622490 A JP 4622490A JP H03248501 A JPH03248501 A JP H03248501A
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- JP
- Japan
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- resistor
- metal
- borate glass
- wiring conductors
- glass
- Prior art date
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- Pending
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、非酸化性雰囲気中での焼成で実用可能な抵抗
体を形成するためのグレーズ抵抗材料に関するものであ
る。このグレーズ抵抗材料を使用すれば、Ｃｕ配線導体
等の卑金属配線導体と厚膜抵抗体とを同一のセラミック
基板上に形成することができる。
体を形成するためのグレーズ抵抗材料に関するものであ
る。このグレーズ抵抗材料を使用すれば、Ｃｕ配線導体
等の卑金属配線導体と厚膜抵抗体とを同一のセラミック
基板上に形成することができる。
従来の技術
従来、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、配線導体にＡｇ
、ＡｇＰｄ、ＡｇＰｔ等のＡｇ系の貴金属導体ペースト
を、抵抗体にＲｕｂ：系抵抗ペーストをそれぞれ用い、
空気中焼成方法により回路を形成していた（例えば、「
厚膜ＩＣ技術」日本マイクロエレクトロニクス協会編、
工業調査会刊行 第２６頁〜第３４頁）。
、ＡｇＰｄ、ＡｇＰｔ等のＡｇ系の貴金属導体ペースト
を、抵抗体にＲｕｂ：系抵抗ペーストをそれぞれ用い、
空気中焼成方法により回路を形成していた（例えば、「
厚膜ＩＣ技術」日本マイクロエレクトロニクス協会編、
工業調査会刊行 第２６頁〜第３４頁）。
近年、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、高密度回路、高
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来のＡｇ系配線導体では、マイグレイジョン、回路イン
ピーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすこと
ができない。そこで、Ｃｕ配線導体を用いた厚膜ノ１イ
ブリッドＩＣが有望視されているが、Ｃｕ配線導体は空
気中で焼成すると酸化するため、Ｃｕ配線導体に用いる
抵抗体は非酸化性雰囲気中で焼成して形成しなければな
らない。しかし、前述のＲｕｂ２系抵抗ペーストではＲ
ｕＯ２の還元反応のため実用可能な抵抗体を形成できな
い。
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来のＡｇ系配線導体では、マイグレイジョン、回路イン
ピーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすこと
ができない。そこで、Ｃｕ配線導体を用いた厚膜ノ１イ
ブリッドＩＣが有望視されているが、Ｃｕ配線導体は空
気中で焼成すると酸化するため、Ｃｕ配線導体に用いる
抵抗体は非酸化性雰囲気中で焼成して形成しなければな
らない。しかし、前述のＲｕｂ２系抵抗ペーストではＲ
ｕＯ２の還元反応のため実用可能な抵抗体を形成できな
い。
このようなＲｕｂ：系抵抗ペーストに代わって、非酸化
性雰囲気中の焼成で還元反応を起こさない珪化物−ガラ
ス系のグレーズ抵抗材料が考案されている（特開昭５６
−１５３７０２号公報）。
性雰囲気中の焼成で還元反応を起こさない珪化物−ガラ
ス系のグレーズ抵抗材料が考案されている（特開昭５６
−１５３７０２号公報）。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記抵抗材料からなる抵抗体では、珪化物とガ
ラスの漏れ性がＲｕ ０２ とガラスの漏れ性よりも悪
いため、微細な導電ネットワークを形成できず、過負荷
試験等の電気的特性が弱く、実用上大きな不安を残して
いる。
ラスの漏れ性がＲｕ ０２ とガラスの漏れ性よりも悪
いため、微細な導電ネットワークを形成できず、過負荷
試験等の電気的特性が弱く、実用上大きな不安を残して
いる。
本発明は、上記課題を解決するもので、’ Ｃｕ配線導
体等の卑金属配線導体に用いることができる、非酸化性
雰囲気中の焼成で高性能な抵抗体を形成できるグレーズ
抵抗材料を提供することにある。
体等の卑金属配線導体に用いることができる、非酸化性
雰囲気中の焼成で高性能な抵抗体を形成できるグレーズ
抵抗材料を提供することにある。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明のグレーズ抵抗材料
は、金属珪化物とｒＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の酸化物、お
よび５ｉｎ２含有量が３重量％以下のホウ酸塩ガラスで
構成されるものである。
は、金属珪化物とｒＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の酸化物、お
よび５ｉｎ２含有量が３重量％以下のホウ酸塩ガラスで
構成されるものである。
作用
本発明のグレーズ抵抗材料では、焼成時に、ホウ酸塩ガ
ラス中のＢ２Ｏ３が、ｒＶａ、Ｖａ、ＶＩａの族の酸化
物と金属珪化物およびＳｉと化学反応を起こし、ＩＶａ
、Ｖａ、ＶＩａ族の金属硼化物を生成する。これらの金
属硼化物は耐候性が高く、しかも化学反応により生成さ
れるため抵抗体中に微細な導電ネットワークを形成する
。このため、焼成後の抵抗体は過負荷試験等の電気的特
性に優れ、かつ耐候性の高いものになっている。
ラス中のＢ２Ｏ３が、ｒＶａ、Ｖａ、ＶＩａの族の酸化
物と金属珪化物およびＳｉと化学反応を起こし、ＩＶａ
、Ｖａ、ＶＩａ族の金属硼化物を生成する。これらの金
属硼化物は耐候性が高く、しかも化学反応により生成さ
れるため抵抗体中に微細な導電ネットワークを形成する
。このため、焼成後の抵抗体は過負荷試験等の電気的特
性に優れ、かつ耐候性の高いものになっている。
尚、上記の化学反応の際にはＳｉＯ：＋ も生成される
ため、ガラス中のＳｉＯ３量が３重量％以上になると反
応が抑制され、良好な抵抗体が得られない。
ため、ガラス中のＳｉＯ３量が３重量％以上になると反
応が抑制され、良好な抵抗体が得られない。
実施例
次に本発明の実施例に係るグレーズ抵抗材料について述
べる。
べる。
（実施例１）
ガラス組成が、Ｂ２Ｏ３、Ｂａｄ、Ａｊ！２Ｃ）＋ 。
ＭｇＯ，ＣａＯからなるガラス粉を用意し、このガラス
粉と金属珪化物粉、ｒＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の酸化物粉
をビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かし
たもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペー
ストの無機組成中の金属珪化物の含有量、ｒＶａ、Ｖａ
、ＶＩａ族の酸化物の含有量は第１表上に示す通りであ
る。この抵抗ペーストを、Ｃｕ厚膜電極を形成した９６
％アルミナ基板上に３００メツシユのステンレススクリ
ーンを用いて印刷し、１２０℃の温度で乾燥させてから
、窒素ガスパージされ、トップ温度９００℃に加熱した
トンネル炉を通して焼成し、抵抗体を形成した。この抵
抗体の２５℃における面積抵抗値と、２５℃と１２５℃
の温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に示す。負荷
寿命試験（１５０ｍＷ／ ｍｍ ２の負荷電力を、周囲
温度７０℃で、１．５時間ＯＮ、０．５時間ＯＦＦの１
０００時間印加）、耐湿試験（周囲温度８５℃、相対湿
度８５％で１０００時間放置する）、熱衝撃試験（周囲
温度６５℃で３０分間放置、周囲温度１２５℃で３０分
間放置を１０００時間繰り返す）での抵抗値変化率はい
ずれも±１％以内であった。
粉と金属珪化物粉、ｒＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の酸化物粉
をビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かし
たもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペー
ストの無機組成中の金属珪化物の含有量、ｒＶａ、Ｖａ
、ＶＩａ族の酸化物の含有量は第１表上に示す通りであ
る。この抵抗ペーストを、Ｃｕ厚膜電極を形成した９６
％アルミナ基板上に３００メツシユのステンレススクリ
ーンを用いて印刷し、１２０℃の温度で乾燥させてから
、窒素ガスパージされ、トップ温度９００℃に加熱した
トンネル炉を通して焼成し、抵抗体を形成した。この抵
抗体の２５℃における面積抵抗値と、２５℃と１２５℃
の温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に示す。負荷
寿命試験（１５０ｍＷ／ ｍｍ ２の負荷電力を、周囲
温度７０℃で、１．５時間ＯＮ、０．５時間ＯＦＦの１
０００時間印加）、耐湿試験（周囲温度８５℃、相対湿
度８５％で１０００時間放置する）、熱衝撃試験（周囲
温度６５℃で３０分間放置、周囲温度１２５℃で３０分
間放置を１０００時間繰り返す）での抵抗値変化率はい
ずれも±１％以内であった。
第 １ 表
（実施例２）
実施例１と同様のガラス粉と金属珪化物物、ｒＶａ、Ｖ
ａ、ＶＩａ族の酸化物粉、Ｓｉ粉をビークル（アクリル
系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵
抗ペーストとした。この抵抗ペーストの無機組成中の金
属珪化物とｒＶａ、Ｖａ。
ａ、ＶＩａ族の酸化物粉、Ｓｉ粉をビークル（アクリル
系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵
抗ペーストとした。この抵抗ペーストの無機組成中の金
属珪化物とｒＶａ、Ｖａ。
ＶＩａ族の酸化物の含有量、およびＳｉの含有量は第２
表に示す通りである。この抵抗ペーストを実施例１と同
様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。
表に示す通りである。この抵抗ペーストを実施例１と同
様にして、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。
この抵抗体の２５℃における面積抵抗値と、２５℃と１
２５℃温度間で測定した抵抗温度係数を第２表に示す。
２５℃温度間で測定した抵抗温度係数を第２表に示す。
負荷寿命試験、耐湿試験、熱衝撃試験は実施例１と同様
に行い、抵抗値変化率いずれも±１％以内であった。
に行い、抵抗値変化率いずれも±１％以内であった。
（以 下 余 白 ）
第
表
上記実施例が示すように、本発明に係るグレーズ抵抗材
料により、優れた特性を有する厚膜抵抗体を得ることが
できる。
料により、優れた特性を有する厚膜抵抗体を得ることが
できる。
発明の効果
上述から明らかなように本発明に係るグレーズ抵抗材料
は、非酸化性雰囲気中の焼成により実用可能な抵抗体を
形成することが可能であるため、Ｃｕ等の卑金属配線導
体と共に回路を形成することができる。従って、本発明
はＣｕ配線厚膜ハイブリッドＩＣを実現し、厚膜ハイブ
リッドＩＣの高密度化、高速ディジタル化に寄与する。
は、非酸化性雰囲気中の焼成により実用可能な抵抗体を
形成することが可能であるため、Ｃｕ等の卑金属配線導
体と共に回路を形成することができる。従って、本発明
はＣｕ配線厚膜ハイブリッドＩＣを実現し、厚膜ハイブ
リッドＩＣの高密度化、高速ディジタル化に寄与する。
Claims (5)
- （１）金属珪化物とIVａ，Ｖａ，VIａ族の酸化物、およ
びホウ酸塩ガラスからなり、前記ホウ酸塩ガラスのＳｉ
Ｏ＿２含有量が３重量％以下であることを特徴とするグ
レーズ抵抗材料。 - （２）金属珪化物とIVａ，Ｖａ，VIａ族の酸化物、Ｓｉ
およびＳｉＯ＿２の低次酸化物とホウ酸塩ガラスからな
り、前記ホウ酸塩ガラスのＳｉＯ＿２含有量が３重量％
以下であることを特徴とするグレーズ抵抗材料。 - （３）金属珪化物がＴｉＳｉ＿２である請求項１または
２記載のグレーズ抵抗材料。 - （４）請求項１または２記載のグレーズ抵抗材料を有機
媒体中に分散させることからなる抵抗ペースト。 - （５）基板上に、請求項４記載の抵抗ペーストを印刷，
焼成して抵抗体を形成した混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046224A JPH03248501A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | グレーズ抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046224A JPH03248501A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | グレーズ抵抗材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248501A true JPH03248501A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12741145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2046224A Pending JPH03248501A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | グレーズ抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248501A (ja) |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2046224A patent/JPH03248501A/ja active Pending
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