JPS63178574A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS63178574A JPS63178574A JP902987A JP902987A JPS63178574A JP S63178574 A JPS63178574 A JP S63178574A JP 902987 A JP902987 A JP 902987A JP 902987 A JP902987 A JP 902987A JP S63178574 A JPS63178574 A JP S63178574A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は電流狭窄効果と光導波効果を有するＩｎＧａＡ
ｌＰ系半導体レーザ装置に係わり、特に有機金属を用い
た化学気層成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と略す）による半
導体レーザ装置の製造方法に関する。
ｌＰ系半導体レーザ装置に係わり、特に有機金属を用い
た化学気層成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と略す）による半
導体レーザ装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、ＭＯＣＶＤ法の結晶成長技術の向上に伴い、Ｈｅ
−Ｎｏレーザと同程度の発振波長が得られるＩｎＧａ
ＡｌＰ化合物半導体を使用した半導体レーザが作られる
ようになってきている（ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥ
ＶＩＣＥＳ １９８５年１１月号）、。
−Ｎｏレーザと同程度の発振波長が得られるＩｎＧａ
ＡｌＰ化合物半導体を使用した半導体レーザが作られる
ようになってきている（ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥ
ＶＩＣＥＳ １９８５年１１月号）、。
ところで、これらの半導体レーザを、近年注目されてい
るところのビデオディスクやレーザプリンターの光源と
して使用する場合、解決しなければならない問題があっ
た。すなわち、光の損失とむだな再結合を最小とするた
め、特定領域に光エネルギー及び注入電流を閉じ込める
構造に加え。
るところのビデオディスクやレーザプリンターの光源と
して使用する場合、解決しなければならない問題があっ
た。すなわち、光の損失とむだな再結合を最小とするた
め、特定領域に光エネルギー及び注入電流を閉じ込める
構造に加え。
１ｕｍオーダの微少スポットに絞り込む必要があるため
半導体レーザの活性層に平行方向の光の閉じ込める。す
なわち横モードの制御が必要であった。
半導体レーザの活性層に平行方向の光の閉じ込める。す
なわち横モードの制御が必要であった。
そこで、本発明者等は、これらの条件を満たすレーザ構
造として、リッジ埋め込み型のレーザを作製し基本横モ
ード発振することを確認した〔第３３回応用物理学関係
連合講演会講演予稿集４Ｐｋ −ｋ−１４Ｐ−１７３）
。
造として、リッジ埋め込み型のレーザを作製し基本横モ
ード発振することを確認した〔第３３回応用物理学関係
連合講演会講演予稿集４Ｐｋ −ｋ−１４Ｐ−１７３）
。
まず、このリッジ埋め込み型のレーザの概略断面を図１
ｄに示し、その構造及び製法について図２ａｂｃｄをも
ちいて簡単に説明する。このリッジ埋め込み型のレーザ
は、ｎ−ＧａＡｓ半導体基板ω上にｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ一層■及びｎ−ＩｎＧａＰバッファ一層■、ｎ−Ｉｎ
ＧａＡｌＰクラッド層に）、ＩｎＧａＰ活性層０、ｐ−
ＩｎＧａＡｌＰクラッド層０、ｐ−ＧａＡｓオーミック
コンタクト層■を順次形成したのち、５ｉｎ２■をマス
クにｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層をＳＨエツチ
ング液（硫酸８＋過酸化水素水１＋水１の混合液）によ
りエツチングしストライプ状のメサを形成し、次いでこ
れをマスクに熱硫酸を用いた選択エツチングによりｐ−
ＩｎＧａＡｌＰクラッドの途中までエツチングし、厚さ
ｈだけｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層を残し、ｐ−Ｇａ
Ａｓオーミックコンタクト層を含むストライプ状のメサ
０を形成する１次いで、５ｉｎｓ ＠を選択成長用マス
クとして減圧ＭＯＣＶＤ法を用いた選択成長（応用物理
学会結晶工学分科会、第２回結晶工学シンポジウム講演
集ｐＨ（１９８５））によりＳｉｎ、マスクのある部分
を除きｎ−ＧａＡｓ（１０）で埋め込む０次にＳｉＯ□
マスクを除去後ｐ型ｌ！極（１１）及びｎ型電極（１２
）を形成して完成する。ところで、この構造のレーザは
図２ｂに示したストライプ状のメサの幅及びｐ（ｎＧａ
ＡＩＰクラッド層の厚さｈによって特性は大きく変化し
てしまうため、このメサの幅及び厚さｈを精度良く制御
することは、プロセス上重要なこととなっている。また
選択成長の際ｎ−ＧａＡｓ層を結晶性良く成長させるこ
とはｎ−ＧａＡｓＮを通って流れる無効電流を抑えスト
ライプ状のメサ部のみに電流を効率良く流す為にも、ま
たマウントした際に表面からの熱を効率良く逃がす為に
も重要なこととなっている。ところが従来の製法ではｐ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層の厚さｈの制御はエツチン
グの時間で行っていたためにその制御は非常に困難であ
った。厚さｈの制御を時間で行なう場合ウェハーの場所
によっては既に所望の厚みｈが得られているにもかかわ
らず他の場所ではまだ所望の厚みに達していないことが
あった。またｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層をエツチン
グしたのちこれを減圧ＭＯＣＶＤ法を用いた選択埋め込
み成長でｎ−ＧａＡｓで埋め込む訳であるが、この時Ｉ
ｎＧａＡｌＰすなわちＡ１を含む層であるため酸化が起
こり、その上のｎ−ＧａＡｓ（１０）の成長がうまくい
かないという問題があった。
ｄに示し、その構造及び製法について図２ａｂｃｄをも
ちいて簡単に説明する。このリッジ埋め込み型のレーザ
は、ｎ−ＧａＡｓ半導体基板ω上にｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ一層■及びｎ−ＩｎＧａＰバッファ一層■、ｎ−Ｉｎ
ＧａＡｌＰクラッド層に）、ＩｎＧａＰ活性層０、ｐ−
ＩｎＧａＡｌＰクラッド層０、ｐ−ＧａＡｓオーミック
コンタクト層■を順次形成したのち、５ｉｎ２■をマス
クにｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層をＳＨエツチ
ング液（硫酸８＋過酸化水素水１＋水１の混合液）によ
りエツチングしストライプ状のメサを形成し、次いでこ
れをマスクに熱硫酸を用いた選択エツチングによりｐ−
ＩｎＧａＡｌＰクラッドの途中までエツチングし、厚さ
ｈだけｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層を残し、ｐ−Ｇａ
Ａｓオーミックコンタクト層を含むストライプ状のメサ
０を形成する１次いで、５ｉｎｓ ＠を選択成長用マス
クとして減圧ＭＯＣＶＤ法を用いた選択成長（応用物理
学会結晶工学分科会、第２回結晶工学シンポジウム講演
集ｐＨ（１９８５））によりＳｉｎ、マスクのある部分
を除きｎ−ＧａＡｓ（１０）で埋め込む０次にＳｉＯ□
マスクを除去後ｐ型ｌ！極（１１）及びｎ型電極（１２
）を形成して完成する。ところで、この構造のレーザは
図２ｂに示したストライプ状のメサの幅及びｐ（ｎＧａ
ＡＩＰクラッド層の厚さｈによって特性は大きく変化し
てしまうため、このメサの幅及び厚さｈを精度良く制御
することは、プロセス上重要なこととなっている。また
選択成長の際ｎ−ＧａＡｓ層を結晶性良く成長させるこ
とはｎ−ＧａＡｓＮを通って流れる無効電流を抑えスト
ライプ状のメサ部のみに電流を効率良く流す為にも、ま
たマウントした際に表面からの熱を効率良く逃がす為に
も重要なこととなっている。ところが従来の製法ではｐ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層の厚さｈの制御はエツチン
グの時間で行っていたためにその制御は非常に困難であ
った。厚さｈの制御を時間で行なう場合ウェハーの場所
によっては既に所望の厚みｈが得られているにもかかわ
らず他の場所ではまだ所望の厚みに達していないことが
あった。またｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層をエツチン
グしたのちこれを減圧ＭＯＣＶＤ法を用いた選択埋め込
み成長でｎ−ＧａＡｓで埋め込む訳であるが、この時Ｉ
ｎＧａＡｌＰすなわちＡ１を含む層であるため酸化が起
こり、その上のｎ−ＧａＡｓ（１０）の成長がうまくい
かないという問題があった。
（発明が解決しようとする問題点）
以上、述べたようにストライプ幅及びｈを精度良く作製
することが必要であり、かつエツチング後のりッジ両側
の結晶表面上に良好なｎ−ＧａＡｓ層を形成することが
必要であった。
することが必要であり、かつエツチング後のりッジ両側
の結晶表面上に良好なｎ−ＧａＡｓ層を形成することが
必要であった。
本発明は、これらの問題についてなされたものでストラ
イプ幅及びｈを精度良く、作製することが可能であり、
かつエツチング後の表面に良好なｎ−ＧａＡｓ層を形成
することが可能である優れた半導体レーザの製造方法を
提供するものである。
イプ幅及びｈを精度良く、作製することが可能であり、
かつエツチング後の表面に良好なｎ−ＧａＡｓ層を形成
することが可能である優れた半導体レーザの製造方法を
提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
上記したストライプ幅及びｈを精度良くエツチングする
手段として予めリッジを形成するＰ−ＩｎＧａＡｌＰク
ラッド層の中間にＩｎＧａＰ層を設けＩｎＧａＡｌｐと
ＩｎＧａＰの選択エツチング液である熱硫酸でエツチン
グする。
手段として予めリッジを形成するＰ−ＩｎＧａＡｌＰク
ラッド層の中間にＩｎＧａＰ層を設けＩｎＧａＡｌｐと
ＩｎＧａＰの選択エツチング液である熱硫酸でエツチン
グする。
（作 用）
ｐ−ＩｎＧａＡ１ｐクラッド層の中間にＩｎＧａＰ層を
設けることにより所望のストライプ幅及びｈを得ること
ができ、かつ結晶性の良好な再成長結晶を得ることがで
きる。
設けることにより所望のストライプ幅及びｈを得ること
ができ、かつ結晶性の良好な再成長結晶を得ることがで
きる。
（実 施 例）
本発明による実施例を図１ａｂｃｄを用いて以下具体的
に説明する。
に説明する。
第１図（ｄ）は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ
装置の概略構造を第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ
） 、 （ｄ）は上記レーザの製造工程を示す図である
。まず第１Ｉ！！（ａ）に示すようにｎ−ＧａＡｓ半導
体基板■上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ一層■及びｎ−Ｉ
ｎＧａＰバッファ一層■、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド
層に）、ＩｎＧａＰ活性層０、第一のｐ−ＩｎＧａＡｌ
Ｐクラッド層（１３）を成長後１次いでエツチングスト
ッパー及び成長容易層としてｐ−ＩｎＧａｐ（１４）を
約０．０１．、次いで所望の値すなわちｈだけ第二のｐ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層（１５）を、ｐ−ＧａＡｓ
オ−ミックコンタクト層０を順次形成した、次いでＳｉ
Ｏ□■をマスクにｐ−にａＡｓオーミックコンタクト層
をＳＨエツチング液（硫酸８＋過酸化水素水１＋水１の
混合液）によりエツチングし、ストライプ状のメサを形
成する、次いでＩｎＧａＰ及びＧａＡｓとＩｎＧａＡＬ
Ｐとの選択性に優れた熱硫酸を用いてエツチングストッ
パー及び成長容易層としてのｐ−ＩｎＧａＰ層に達する
までエツチングを行いストライプ状のメサを形成した。
装置の概略構造を第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ
） 、 （ｄ）は上記レーザの製造工程を示す図である
。まず第１Ｉ！！（ａ）に示すようにｎ−ＧａＡｓ半導
体基板■上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ一層■及びｎ−Ｉ
ｎＧａＰバッファ一層■、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド
層に）、ＩｎＧａＰ活性層０、第一のｐ−ＩｎＧａＡｌ
Ｐクラッド層（１３）を成長後１次いでエツチングスト
ッパー及び成長容易層としてｐ−ＩｎＧａｐ（１４）を
約０．０１．、次いで所望の値すなわちｈだけ第二のｐ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層（１５）を、ｐ−ＧａＡｓ
オ−ミックコンタクト層０を順次形成した、次いでＳｉ
Ｏ□■をマスクにｐ−にａＡｓオーミックコンタクト層
をＳＨエツチング液（硫酸８＋過酸化水素水１＋水１の
混合液）によりエツチングし、ストライプ状のメサを形
成する、次いでＩｎＧａＰ及びＧａＡｓとＩｎＧａＡＬ
Ｐとの選択性に優れた熱硫酸を用いてエツチングストッ
パー及び成長容易層としてのｐ−ＩｎＧａＰ層に達する
までエツチングを行いストライプ状のメサを形成した。
この時、熱硫酸はＩｎＧａＰをエツチングしないためＩ
ｎＧａＰ層がウェハー全体に渡って露出するまでエツチ
ングを行うことができ所望のｈを得ることができた。次
いで、このＳｉｎ、を選択成長用マスクとして減圧ＭＯ
ＣＶＤ法を用いた選択成長により５ｉｎ２マスクのある
部分を除きｎ−ＧａＡｓ（１０）で埋め込む。この時Ｉ
ｎＧａＰはＩｎＧａＡｌＰと異なりＡ１を含まないため
エツチング後大気に曝しても表面の酸化が少なくその上
に再成長をおこなっも問題がなく、この実施例でもその
表面がＩｎＧａＡｌＰである場合に比較して格段に結晶
性の改善が見られた。次に５ｉｎ２マスクを除去したの
ちｐ型電極（１１）及びｎ型電極（１２）を形成して完
成した。
ｎＧａＰ層がウェハー全体に渡って露出するまでエツチ
ングを行うことができ所望のｈを得ることができた。次
いで、このＳｉｎ、を選択成長用マスクとして減圧ＭＯ
ＣＶＤ法を用いた選択成長により５ｉｎ２マスクのある
部分を除きｎ−ＧａＡｓ（１０）で埋め込む。この時Ｉ
ｎＧａＰはＩｎＧａＡｌＰと異なりＡ１を含まないため
エツチング後大気に曝しても表面の酸化が少なくその上
に再成長をおこなっも問題がなく、この実施例でもその
表面がＩｎＧａＡｌＰである場合に比較して格段に結晶
性の改善が見られた。次に５ｉｎ２マスクを除去したの
ちｐ型電極（１１）及びｎ型電極（１２）を形成して完
成した。
本実施例によればエツチングによるｈの均一性は格段に
向上しまた再成長後の表面状態及び結晶性が格段に向上
し特性の向上が見られた。また、エツチングストッパー
及び成長容易層としてのＰ−ＩｎＧａＰ層は約０．０１
ｍ と薄くて良いためリッジ部にガイドされる光のモー
ドには何等影響することはなかった。
向上しまた再成長後の表面状態及び結晶性が格段に向上
し特性の向上が見られた。また、エツチングストッパー
及び成長容易層としてのＰ−ＩｎＧａＰ層は約０．０１
ｍ と薄くて良いためリッジ部にガイドされる光のモー
ドには何等影響することはなかった。
以上のように本発明によればｈの均一性は格段に向上し
また再成長後の表面状態及び結晶性が格段に向上し特性
の向上が見られる。
また再成長後の表面状態及び結晶性が格段に向上し特性
の向上が見られる。
第１図は本発明によりリッジ埋め込み型レーザの構造及
び製造方法を示す図、第２図は従来例を示す図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ｎ−ＧａＡｓバッファ一層 ３・・・ｎ（ｎＧａＰバッファ一層 ４・・・ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層５・・・ＩｎＧ
ａＰ活性層 ６−ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 ７・・・ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層８・・・
Ｓｕｎ、マスク ９・・・ストライプ状メサ（リッジ） １０−ｎ−ＧａＡｓ １１− ｐ型電極１
２・・・ｎ型電極 １３・・・第１のＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４・・・
ストッパー及び成長容易層としてのＩｎＧａＰ層１５・
・・第２のストッパー及び成長容易層としてのＩｎＧａ
Ｐ層 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第１図
び製造方法を示す図、第２図は従来例を示す図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・ｎ−ＧａＡｓバッファ一層 ３・・・ｎ（ｎＧａＰバッファ一層 ４・・・ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層５・・・ＩｎＧ
ａＰ活性層 ６−ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 ７・・・ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層８・・・
Ｓｕｎ、マスク ９・・・ストライプ状メサ（リッジ） １０−ｎ−ＧａＡｓ １１− ｐ型電極１
２・・・ｎ型電極 １３・・・第１のＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４・・・
ストッパー及び成長容易層としてのＩｎＧａＰ層１５・
・・第２のストッパー及び成長容易層としてのＩｎＧａ
Ｐ層 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第１図
Claims (1)
- 第一導電型半導体基板上に、第一導電型のＩｎＧａＡｌ
Ｐクラッド層、活性層、第二導電型のＩｎＧａＡｌＰは
ＩｎＡｌＰクラッド層、オーミックコンタクト層を順次
形成後、前記第二導電型のＩｎＧａＡｌＰ又はＩｎＡｌ
Ｐクラッド層の途中まで選択エッチングを行い、凸状の
ストライプを形成し、次いで凸状のストライプ部を除き
電流阻止層を形成してなる半導体レーザ装置の製造方法
に於て、該クラッド層の凸部の形成には熱硫酸を用いる
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62009029A JP2525788B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62009029A JP2525788B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63178574A true JPS63178574A (ja) | 1988-07-22 |
| JP2525788B2 JP2525788B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=11709227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62009029A Expired - Fee Related JP2525788B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525788B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168690A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レーザ装置及び化合物半導体結晶の成長方法 |
| JPH03209894A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH06296062A (ja) * | 1988-09-29 | 1994-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レ−ザ装置 |
| US5411915A (en) * | 1988-09-29 | 1995-05-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a single crystal layers |
| JP2008226875A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、光ディスク装置 |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62009029A patent/JP2525788B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168690A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レーザ装置及び化合物半導体結晶の成長方法 |
| JPH06296062A (ja) * | 1988-09-29 | 1994-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レ−ザ装置 |
| US5411915A (en) * | 1988-09-29 | 1995-05-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a single crystal layers |
| US5619519A (en) * | 1988-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPH03209894A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2008226875A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、光ディスク装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2525788B2 (ja) | 1996-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |