JPS63181396A - 半導体の実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体の実装方法に関し、特に半導体分野で
利用さルるものである。

Ｃ＃来の技術１ １Ｑ　ＩＳ工等の半導体が塔載される回路プリント基板
において、その基板の上面に露呈し配置されている接続
端子に、回路素子を有した半導体のペレットから延び出
した各リードの先端部を溶接して接続する場会、従来は
半導体のペレットを基板上の搭載部に位置させ、上記ペ
レットの各リードの先端部を上記基板上の接続端子に重
ねて、溶接によって接続する工うにしてい７ｔａ 上記ペレツトは、打ち抜き形改時に、各リードが２段に
折り曲げられ折曲段部が形成さｒｔ、、基板上の接続端
子と密着出来るようになっている０しかし、上記ペレッ
トの各リードの厚みは、３０〜３５μｍ程度と薄い九め
、特に上記折曲段部が形成や折れ等が生じ烏＜、その九
め２液混曾型のエポキシ系接着剤や紫外線硬化型、ま友
は溶剤蒸発型の接着剤等を補強用接着剤として少なくと
も上記リードの折曲段部に塗布し、その硬化によって上
記変位や折れ等を防止するようにしてい７ｊａところが
上記２液混廿型のエポキシ系の補強用接着剤、は、硬化
前には低粘度であるｔめ、上記す−ドの必要部分以上に
塗布しても流れ出して基板上の必要部分以上に広がって
必要補強量を困難であるばかやではなく１手間と時間が
かかる。また。

半導体素子の高集積化、及び高速化が飛躍的に進み、素
子の発熱量が増大することにより１機能の低下などが生
じ、動作の長期間にわ几る保証がむずかしくなってきて
いる。その几め、フィンや各リードからの熱放散などが
考えられているが、熱膨張係数の差にょう熱応力発生や
補強用接着剤が熱放散を妨げるなどの問題があっ７ｔ。

〔発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は、上記の点において少なくとも上記半導
体の各リードの折曲段部を覆う絶縁性セラミックを用い
ることによって、上記欠点を解消し九半導体の実装方法
を提供することにある。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段および作用）本発明は、
上記目的を達成するために、上記半導体ペレットの上面
を露呈させる開孔有し、少なくとも同ペレットの各リー
ドの折曲段部を覆う大きさの絶縁性セラミックを回路基
板に半田を介して溶着し、上記半導体のリードの補強を
行ない熱放散性を向上きせること全特徴とする。

（実施例） 以下本発明を図示の実施例に基づいて説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す半導体装方法？説明す
る斜視図である０図において符号１１は回路プリント基
板であわ、この基板１１には内部に配線され友プリント
回路の接続端子１２及び絶縁性セラミック１３ヲ基板１
１と固定するための基板側パット１４が配置されている
０符号１５は工ｑ等の半導体であり１回路素子を形成し
之工Ｏペレット１６とこのペレット１６に基端部全接続
さ１１、会成樹脂等により封止された後、同ペレット１
６から延び出しｔ多数のリード１７で構成さｎて＾る。

上記り一ド１７は中程で２段に折り曲げられて折曲段部
１７ａが形成さｎており、その先端の下段部が上記基板
１１上の各接続端子１２に相対して重甘し、溶接さｆｉ
るようになりている。

絶癲性セラミック１３には、少なくとも上記工Ｃペレッ
ト１６の各リード１７の折曲段部１７ａ　を覆う開孔１
８を有し、その厚みは基板１１からペレット１６の上面
と同程度の厚さか望ましい。

次に、以上のように構成された本発明の半導体の実装方
法を説明する。すなわち第２図に示すように回路プリン
ト基板２１の各接続端子２２上に対応する半導体２５の
リード２７の先端部を重甘し。

次いで半導体２５のＩＯペレット２６の上面部分が上記
絶縁性セラミック２３の開孔２８内にはめ込まｎ９．基
板側パッド２４と固定バット２９ヲ重合させる０この状
態で加熱炉内を通過させる０すると、第３図に示すよう
に固定パッド３９が溶融し、基板側パット３４が溶着し
、上記リード３７の折曲段部２７ａとその近傍は強固に
補強され、上記リード３７と絶縁性セラミック３３の接
殖により熱放散性か向上する＠従って、上記し几従来の
この種の半導体の欠点は解消される・ 第４図は、上記第１．２図における絶縁性セラミック４
３を厚くシ、開孔４８を有しない場什であって、ペレッ
面４６Ｆ而２絶縁性セラミック４３との接触により、さ
らに熱欲散を向上するものである０薦５図は、第４図に
おける絶縁性セラミツク４３上面に金属フィン５０を取
っ付けることによねペレット５６の冷却効果を高めるも
のであって、なおかつペレット５６上面に直接、接着し
ｔ場合よ、りも熱応力が大幅に低減する。また、第６図
のように絶縁性セラミック６３に開孔６８ヲ有している
もので、ペレット６６上面と金属フィン６ｏが直接接触
するようにしてもよい◎このｆｌＪＩ会、ペレット６６
上面と金属フィン６０の間゛には、接着剤を使用しなく
ともよいことになる。

なお、上記絶縁性セラミックは工Ｃペレットの形状に応
じて、任意の円形、多角形にした方が望ましい。

〔発明の効果〕

以上説明し友ように１本発明によれば構造の簡単な絶縁
性セラミックを用いるだけで、工０リードフレームの補
強を簡単に出来るだけでなく、同時に放熱性にも優れ、
極めて信頼性の高い安定したものを供給する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体の実装方法の分
解斜視図、第２図および第３図は、上記第１図における
半導体の実装工程ｔ−ｙ７ｚす拡大断面図、第４図、第
５図および８ｇ６図は本発明に用いらｎる他の高放熱構
造を示す断面図である。 １１、１２．３１．４１．５１．６１・・・　回路プリ
ント基板（基板）　、　１２．２２．３２．４２．５２
．６２・・・接続端子、１３、２３．３３．４３．５３
．６３・・・絶縁性セラミック。 １４、２４．３４．４４．５４．６４・・・基板側パッ
ド、１５゜２５、３５．４５．５５．６５・・・半導体
、　１６．２６．３６．４６゜５６、６６・・・ＩＣペ
レット（ペレットｌ　、　　１７．２７゜３７．４７，
５７．６７・・・リード、　　１８．２８．３８・・・
開孔。 ２９、３９．４９．５９．６９・・・固定パッド、　　
５０．６０・・・金属フィン◎ 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　　　竹　花　喜久男 第　　１　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　回路素子を形成したペレットと、このペレットから延
   び出していて折曲段部を有し、先端部を基板上に露呈し
   た各接続端子に溶接する各リードとからなる半導体と、
   上記ペレットの上面を露出させる開孔と少なくとも上記
   各リードの折曲段部を覆う容量を有していて、上記ペレ
   ットの周囲の上記リード上に載置される絶縁性セラミッ
   クとからなり、前記各リードの折曲段部を覆って、前記
   半導体を前記結線性セラミックで固定することを特徴と
   する半導体の実装方法。