JPH10284873A

JPH10284873A - 半導体集積回路装置およびｉｃカードならびにその製造に用いるリードフレーム

Info

Publication number: JPH10284873A
Application number: JP9086697A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Takahashi; 敏幸高橋
Original assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Systems Co Ltd
Priority date: 1997-04-04
Filing date: 1997-04-04
Publication date: 1998-10-23

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】パッケージ内に入り込む電磁波ノイズおよび
パッケージ内から外部に漏出する電磁波ノイズを低減す
る。【解決手段】封止体２と、この封止体２の内外に亘っ
て延在するリード３と、前記封止体内に配置される半導
体チップ８と、前記半導体チップ８の電極と前記リード
を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であ
って、前記封止体２の少なくとも上面または上面と下面
を前記リードのうちのグランドリードにグランド連結リ
ードを介して連なる電磁波遮蔽部５で被ってなる構成に
なっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
およびＩＣカードならびにその製造に用いるリードフレ
ームおよびフレキシブル配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩ等半導体集積回路装置の封
止（パッケージ）形態として、セラミックや金属、ガラ
ス等で封止する気密封止構造、主に樹脂で封止する非気
密封止構造がある。

【０００３】また、半導体集積回路装置の実装形態の違
いにより、リード挿入型、表面実装型があり、たとえ
ば、ＳＩＰ（Single Inline Package ），ＺＩＰ（Zigz
ag Inline Package ），ＰＧＡ（Pin Grrid Array ）等
は基板の挿入孔にリードを挿入するリード挿入型パッケ
ージであり、ＳＯＰ（Small Outline L-LeadedPackag
e），ＳＯＪ（Small Outline J-Leaded Package），Ｑ
ＦＰ（Quad FlatPackage），ＱＦＪ（Quad Flat J-Lead
ed Package），ＢＧＡ（Ball Grrid Array），ＨＧＡ
（Hall Grrid Array）は表面実装型パッケージである。

【０００４】また、ＰＧＡ，ＢＧＡはパッケージの下面
に複数列のピングリッドやボールグリッドを出す構造で
あり、ＨＧＡは基板を貫通するスルーホール状のグリッ
ドを有する構造である。

【０００５】また、半導体集積回路装置の製造におい
て、リードフレーム，配線基板，テープ配線等を使用す
るものがある。テープ配線を使用するものとして、ＴＣ
Ｐ（Tape Carrier Package）、テープＢＧＡが知られて
いる。

【０００６】一般的にキャンタイプの気密パッケージは
気密性や耐電磁波特性等に優れるが製造コストが高い。
樹脂封止型半導体集積回路装置は気密性はないが製造コ
ストが安く多用されている。

【０００７】これらのパッケージ技術については、日経
ＢＰ社発行「ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」1993
年5 月15日発行、Ｐ76〜Ｐ84に記載されている。また、
ＨＧＡについては同社「日経エレクトロニクス 1995.
4.24 号（No.634）」1995年4月24日発行、Ｐ20に記載さ
れている。

【０００８】一方、特願平6-110652号公報には、樹脂体
（封止体）内にノイズを遮蔽するシールド体を配した構
造が開示されている。前記シールド体はメッシュ状金属
板となる。このメッシュ状金属板は半導体チップを封止
する際同時にモールドされる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の樹脂封止型半導
体集積回路装置では、電磁波が封止体である樹脂を通り
抜けるため、電磁波ノイズが封止体内部の半導体チッ
プ，インナーリード，基板配線，ワイヤ（接続ワイヤ）
等に入り込み、偽信号等の電気信号ノイズとなって半導
体集積回路装置（ＩＣ）に誤作動等の悪影響を引き起こ
すことがあった。また、樹脂封止型半導体集積回路装置
において、封止体内に配線基板を組み込む構造では、電
磁波ノイズが前記配線基板の基板配線に入り込み、偽信
号等の電気信号ノイズとなってＩＣに誤作動等の悪影響
を引き起こすことがある。

【００１０】また、ＩＣの動作に伴うパッケージ内部の
半導体チップ，インナーリード，ワイヤ等から発生する
電磁波により外部の装置に誤作動等の悪影響を生じさせ
ることもあった。特に近年の使用者側のニーズと半導体
技術革新により、ＩＣがこれまでより低電圧化されるこ
とで信号電圧が低くなりＳ／Ｎ比が減少して従来では問
題なかった信号ノイズでも誤作動の原因になってくると
共に、ＩＣがこれまでより高速化（動作周波数のＵＰ）
や回路規模の大型化等の高性能化の結果、発生する電磁
波の強度及び量が増大する傾向にあり、これまで以上に
電磁波ノイズによる誤作動等が問題となってきた。

【００１１】電磁波ノイズ対策として高性能ＩＣはセラ
ミックや金属キャップを使用した気密封止を行うか、基
板実装時にグランドに接続した金属ケースや冷却用金属
フィンでＩＣパッケージを覆うことで対策してきた。し
かし、これらの方法ではコスト高となるため、高性能マ
イコンチップなどの高性能を要求されるＩＣや装置にし
か使用されなかった。

【００１２】また、封止体内にメッシュ状金属板を入れ
る構造では、メッシュ状金属板を封止体内に精度良く組
み込むことが難しい。

【００１３】本発明の目的は、電磁波を遮蔽することが
できる半導体集積回路装置およびＩＣカードならびにそ
の製造に用いるリードフレームおよびフレキシブル配線
基板を提供することにある。

【００１４】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
のとおりである。

【００１６】（１）封止体と、この封止体の内外に亘っ
て延在するリードと、前記封止体内に配置される半導体
チップと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気
的に接続する接続手段とを有する半導体集積回路装置で
あって、前記封止体の上面側または上面側と下面側を前
記リードのうちのグランドリードにグランド連結リード
を介して連なる導電体からなる電磁波遮蔽部で被ってな
る構造になっている。

【００１７】（２）前記手段（１）の構成において、前
記半導体チップは前記電磁波遮蔽部の一面に固定される
とともに、前記電磁波遮蔽部の一面には絶縁テープを介
してリードが固定され、前記電磁波遮蔽部の一面側に前
記封止体が設けられている構造になっている。

【００１８】（３）前記手段（１），（２）の構成にお
いて、前記電磁遮蔽部はその周縁部分が折れ曲がって側
面用電磁遮蔽部を形成し、この側面用電磁遮蔽部が前記
封止体の側面を被うようになっている。

【００１９】（４）前記手段（１）乃至（３）の構成に
おいて、前記封止体の同一面の前記電磁遮蔽板は領域を
分けた複数枚の電磁遮蔽部で構成されている。

【００２０】（５）前記（１）乃至（４）の構成におい
て、前記電磁遮蔽部は導電性または絶縁性の接着剤で前
記封止体に固定されている。

【００２１】（６）前記手段（１）乃至（３）の構成に
おいて、前記電磁遮蔽部の一縁に突片が設けられ、この
突片部分を前記封止体の反対面側にまで変形延在させて
前記電磁遮蔽板を前記封止体に固定する構造になってい
る。

【００２２】（７）前記手段（１）乃至（４）または
（６）の構成において、前記電磁遮蔽部は一部で屈曲し
て放熱部を構成している。

【００２３】（８）前記手段（１）乃至（３）の構成に
おいて、前記電磁波遮蔽部は前記グランド連結リードか
ら独立して設けられ、たとえば前記電磁波遮蔽部は塗布
硬化による層となるとともに、前記グランド連結リード
は前記電磁波遮蔽部に接続されている構造になってい
る。

【００２４】（９）封止体と、この封止体の内外に亘っ
て延在するリードと、前記封止体内に配置される半導体
チップと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気
的に接続する接続手段とを有する半導体集積回路装置で
あって、前記封止体の上面側または上面側と下面側に重
ねられる導電体からなる電磁波遮蔽部を有するととも
に、前記電磁波遮蔽部は実装基板のグランド配線に接続
されるグランドリードを有している構造になっている。

【００２５】（１０）表面に配線（リード）を有するフ
レキシブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に固
定されるとともに電極が前記配線に接続されてなる半導
体チップと、前記フレキシブル配線基板に設けられた外
部端子とを有する半導体集積回路装置であって、前記フ
レキシブル配線基板部分には、前記半導体チップ等に折
り返して重ねられる折返部が一つ以上形成され、前記折
返部の一面には配線を形成する導体層によって形成され
かつグランドリードに連結される電磁波遮蔽部が形成さ
れている構造になっている。

【００２６】（１１）前記手段（１０）の構成におい
て、前記フレキシブル配線基板は前記外部端子を目視で
きるような透明な絶縁性テープで形成されている。

【００２７】（１２）前記手段（１０），（１１）の構
成において、前記外部端子はスルーホールの内側および
縁に設けた配線によって形成され、前記スルーホールは
実装時溶けて吸い上がる半田を目視できる大きさになっ
ている。

【００２８】（１３）矩形板状の封止体と、この封止体
内に封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘
って延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記
リードを電気的に接続する接続手段とからなり、前記封
止体から突出して並ぶリードが外部端子となるＩＣカー
ドであって、前記封止体の上下面には導体からなる電磁
波遮蔽部が設けられているとともに前記電磁波遮蔽部は
前記封止体内部のグランドリードに接続されている。

【００２９】（１４）前記手段（１３）の構成におい
て、前記リード，グランドリード，電磁波遮蔽部等は一
枚の金属板をパターニングして形成されるとともに必要
部分が切断されて形成されている。

【００３０】（１５）前記手段（１３）の構成におい
て、前記リード，グランドリード，電磁波遮蔽部はフレ
キシブルな絶縁性テープの表面に形成されているととも
に、前記絶縁性テープは所定部分で折り返されている。

【００３１】（１６）矩形のリードフレーム枠と、前記
リードフレーム枠の内側から枠中央に向かって相互に平
行に延在する複数のリードと、前記リードを連結すると
ともにトランスファモールド時の樹脂の流出を防止する
ダムと、枠の中心に配置されかつ半導体チップが固定さ
れるダイパット部と、前記リードフレーム枠に固定され
前記ダイパット部を支持するタブ吊りリードとを有し、
前記ダムの内側の領域にパッケージが形成されるリード
フレームであって、前記枠の隅部分に形成され前記リー
ドのうちのグランドリードにグランド連結リードを介し
て連結されかつ前記グランド連結リードでの折り返しに
よって前記パッケージに重ねられる電磁波遮蔽部とを有
する構成になっている。

【００３２】（１７）矩形のリードフレーム枠と、前記
リードフレーム枠の内側から枠中央に向かって相互に平
行に延在する複数のリードと、前記リードを連結すると
ともにトランスファモールド時の樹脂の流出を防止する
ダムとを有し、前記リードフレーム枠の中心部分には半
導体チップが配置される空間領域が形成されるととも
に、前記ダムの内側の領域にパッケージが形成されるリ
ードフレームであって、前記枠の隅部分に形成され前記
リードのうちのグランドリードにグランド連結リードを
介して連結されかつ前記グランド連結リードでの折り返
しによって前記リードに絶縁性接合体を介して固定さ
れ、前記空間領域の底体を形成する電磁波遮蔽部と、前
記枠の隅部分に形成され前記リードのうちのグランドリ
ードにグランド連結リードを介して連結されかつ前記グ
ランド連結リードでの折り返しによって前記パッケージ
に重ねられる電磁波遮蔽部とを有する。

【００３３】（１８）表面に配線（リード）を有するフ
レキシブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に固
定されるとともに電極が前記配線に接続されてなる半導
体チップと、前記フレキシブル配線基板に設けられた外
部端子と、前記半導体チップ等に絶縁的に重ねられかつ
電磁シールドする電磁波遮蔽部を有する折返部を有する
半導体集積回路装置の製造に用いるフレキシブル配線基
板であって、前記フレキシブル配線基板部分には、前記
半導体チップ等に折り返して重ねられる折返部が一つ以
上形成され、前記折返部の一面には配線を形成する導体
層によって形成されかつグランドリードに連結される電
磁波遮蔽部が形成されている。

【００３４】（１９）矩形板状の封止体と、この封止体
内に封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘
って延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記
リードを電気的に接続する接続手段とを有し、前記封止
体から突出して並ぶリードが外部端子となり、前記封止
体の上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられて
いるとともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグラ
ンドリードに接続されてなるＩＣカードの製造に用いる
リードフレームであって、前記リード，グランドリー
ド，電磁波遮蔽部等は一枚の金属板をパターニングして
形成されている。

【００３５】（２０）矩形板状の封止体と、この封止体
内に封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘
って延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記
リードを電気的に接続する接続手段とを有し、前記封止
体から突出して並ぶリードが外部端子となり、前記封止
体の上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられて
いるとともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグラ
ンドリードに接続されてなるＩＣカードの製造に用いる
フレキシブル配線基板であって、前記リード，グランド
リード，電磁波遮蔽部等は一枚のフレキシブルな絶縁性
テープの表面に形成されている。

【００３６】前記（１）の手段によれば、封止体の上下
面はグランドリードに連結される電磁波遮蔽部で被われ
ていることから、電磁シールドされ、封止体の外からの
電磁波を遮蔽することができるとともに、封止体内の電
磁波を封止体外に放射させることがなくなり、半導体集
積回路装置の安定した動作が達成できる。

【００３７】前記（２）の手段によれば、前記半導体チ
ップは前記電磁波遮蔽部の一面に固定される構造になる
ことから封止体の厚さが薄くなり、半導体集積回路装置
の薄型化が達成できる。

【００３８】前記（３）の手段によれば、封止体側面は
前記側面用電磁遮蔽部で被われていることから、封止体
の側面方向の電磁波の遮蔽も可能となり、電磁波遮蔽効
果は一層効果的に行われることになる。

【００３９】前記（４）の手段によれば、同一面の前記
電磁遮蔽板は領域を分けた複数枚の電磁遮蔽部で構成さ
れていることから、リードフレームの小型化が図れる。

【００４０】前記（５）の手段によれば、組み立てが容
易になる。

【００４１】前記（６）の手段によれば、電磁波遮蔽部
の一縁の突片の折り曲げによって電磁波遮蔽部を簡単に
封止体に取り付けることができ、組立が容易になる。

【００４２】前記（７）の手段によれば、前記放熱部に
よって封止体内の半導体チップで発生した熱をグランド
連結リード，電磁波遮蔽部を介して外部に効率的に放散
することができ、半導体集積回路装置の安定動作が達成
できる。

【００４３】前記（８）の手段によれば、前記電磁波遮
蔽部は塗布硬化による層となることから製造が容易にな
る。

【００４４】前記（９）の手段によれば、封止体に単品
を取り付けることで容易に電磁シールド構造半導体集積
回路装置を製造することができる。

【００４５】前記（１０）の手段によれば、半導体集積
回路装置はフレキシブル配線基板によって形成され、か
つ半導体チップの表裏面はフレキシブル配線基板によっ
て形成された電磁波遮蔽部が絶縁的に重ねられる構造と
なることから、組立が容易になり、製造コストの低減が
達成できる。

【００４６】前記（１１）の手段によれば、前記フレキ
シブル配線基板は前記外部端子を目視できるような透明
な絶縁性テープで形成されていることから、実装時外部
端子を透明な絶縁性テープを通して目視できるため、実
装の信頼性を高めることができる。

【００４７】前記（１２）の手段によれば、前記外部端
子はスルーホールの内側および縁に設けた配線によって
形成され、スルーホールは実装時溶けて吸い上がる半田
を目視できる大きさになっているため、実装の信頼性を
高めることができる。

【００４８】前記（１３）の手段によれば、前記封止体
の上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられてい
るとともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグラン
ドリードに接続されていることから、ＩＣカードは電磁
シールド構造となり、安定した動作をするようになり、
性能が向上する。

【００４９】前記（１４）の手段によれば、前記リー
ド，グランドリード，電磁波遮蔽部等は一枚の金属板を
パターニングして形成されるとともに必要部分が切断さ
れて形成されていることから、組立が容易になり、ＩＣ
カードの製造コストの低減が達成できる。

【００５０】前記（１５）の手段によれば、前記リー
ド，グランドリード，電磁波遮蔽部はフレキシブルな絶
縁性テープの表面に形成されているとともに、前記絶縁
性テープは所定部分で折り返されていることから、組立
が容易になり、ＩＣカードの製造コストの低減が達成で
きる。

【００５１】前記（１６）の手段によれば、リードフレ
ームはパッケージに重ねられる電磁波遮蔽部を有してい
ることから、半導体集積回路装置の組立において、封止
後にパッケージに電磁波遮蔽部を折り返して重ねれば簡
単に電磁シールド構造半導体集積回路装置を製造するこ
とができる。

【００５２】前記（１７）の手段によれば、前記半導体
チップは前記電磁波遮蔽部の一面に固定される構造にな
ることから封止体の厚さが薄くなり、電磁シールド構造
半導体集積回路装置の薄型化が達成できる。

【００５３】前記（１８）の手段によれば、フレキシブ
ル配線基板はその表面にパッケージに重ねられる電磁波
遮蔽部を有していることから、半導体集積回路装置の組
立において、封止後にパッケージにフレキシブル配線基
板部分を折り返して電磁波遮蔽部をパッケージに重ねれ
ば簡単に電磁シールド構造半導体集積回路装置を製造す
ることができる。

【００５４】前記（１９）の手段によれば、リードフレ
ームはパッケージに重ねられる電磁波遮蔽部を有してい
ることから、ＩＣカードの組立において、封止後にパッ
ケージに電磁波遮蔽部を折り返して重ねれば簡単に電磁
シールド構造ＩＣカードを製造することができる。

【００５５】前記（２０）の手段によれば、フレキシブ
ル配線基板はその表面にパッケージに重ねられる電磁波
遮蔽部を有していることから、ＩＣカードの組立におい
て、封止後にパッケージにフレキシブル配線基板部分を
折り返して電磁波遮蔽部をパッケージに重ねれば簡単に
電磁シールド構造ＩＣカードを製造することができる。

【００５６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００５７】（実施形態１）本実施形態１では、表面実
装型であるＱＦＰ構造の半導体集積回路装置１に本発明
を適用した例について説明する。図１乃至図８は本実施
形態の半導体集積回路装置に係わる図である。

【００５８】本実施形態１の半導体集積回路装置１は、
図１乃至図３に示すように、外観的には樹脂で形成され
た封止体（パッケージ）２の４辺からリード３を突出さ
せた構造になっている。前記リード３はガルウィング型
となっている。

【００５９】また、前記パッケージ２の上下面、すなわ
ち実装面側となるパッケージ２の下面（実装面側）と上
方に露出したパッケージ２の上面（露出面側）に接着剤
４を介して電磁波遮蔽部５が固定されている。前記電磁
波遮蔽部５はパッケージ２の大きさよりも僅かに小さい
寸法になっている。前記電磁波遮蔽部５は、リード３の
うちのグランド連結リード６に連結している（図３参
照）。

【００６０】半導体集積回路装置１は、後述するが金属
製のリードフレームを使用して製造される。前記電磁波
遮蔽部５はリードフレームの隅部に形成される。そし
て、トランスファモールドによってパッケージ２を形成
した後、グランド連結リード６の途中部分で一方の電磁
波遮蔽部５を上側に反転させ、他方の電磁波遮蔽部５を
下側に反転させ、かつ接着剤４によってパッケージ２の
上面および下面に固定することによって図１に示す構造
の半導体集積回路装置１を製造することができる。

【００６１】半導体集積回路装置１の内部構造は、図１
に示すようにダイパット部７に半導体チップ８をペース
ト等による接着剤９で固定し、ワイヤ１０で半導体チッ
プ８の電極とリード３の内端部を接続した構造になって
いる。前記ダイパット部７，半導体チップ８，ワイヤ１
０およびリード３の内端部分が絶縁性の樹脂からなるパ
ッケージ２で封止されている。

【００６２】図４は電磁波遮蔽部５をパッケージ２に張
り付ける前の状態を示す。

【００６３】このような構造にすることで、図８に示す
ように、半導体集積回路装置１を実装基板１５に実装し
た場合、すなわち半導体集積回路装置１のリード３を実
装基板１５の表面の配線１６に図示しない半田を介して
固定した場合、パッケージ２の上下面方向から来る電磁
波を電磁波遮蔽部５で捕らえ、グランド連結リード６，
グランドリード１７を介して実装基板１５のグランド配
線２０に逃がすことができる。

【００６４】したがって、電磁波による半導体集積回路
装置１の偽信号等の発生が軽減し、誤作動を軽減させる
ことができる。

【００６５】つぎに、このような半導体集積回路装置１
の製造について図５乃至図７を用いて説明する。

【００６６】図５は本実施形態１の半導体集積回路装置
１の製造に用いるリードフレーム２２を示す平面図であ
る。リードフレーム２２は薄い金属板を精密プレスやエ
ッチングによってパターニングすることによって形成さ
れている。

【００６７】リードフレームの単位パターンは、矩形の
リードフレーム枠２３の内側から枠中央に向かって相互
に平行に延在する複数のリード３と、このリード３を連
結するとともにトランスファモールド時の樹脂の流出を
防止するダム２４と、枠の中心に配置されかつ半導体チ
ップ８が固定されるダイパット部７と、前記リードフレ
ーム枠２３に固定され前記ダイパット部７を支持するタ
ブ吊りリード２５と、二つの電磁波遮蔽部５とからなっ
ている。

【００６８】前記電磁波遮蔽部５はパッケージ２よりも
僅かに小さい矩形状となり、グランド連結リード６を介
してグランドリード１７に連結されている。また、前記
電磁波遮蔽部５も吊りリード２６で支持されている。

【００６９】本実施形態１のリードフレーム２２の特徴
は、電磁波遮蔽部５がグランド連結リード６を介してグ
ランドリード（グランドピン）１７につながっているこ
とで、これにより電磁波遮蔽部５に至った電磁波はグラ
ンド連結リード６を通ってグランドリード１７に逃がす
ことが可能になる。

【００７０】つぎに、図５に示すように、リードフレー
ム２２のダイパット部７に半導体チップ８をペーストか
らなる接着剤９で接着する。ペーストはキュアされて硬
化し半導体チップ８はダイパット部７に確実に固定され
る。半導体チップ８は接着剤に代えて接着テープなど他
の接合でもよい。

【００７１】つぎに、図５に示すように、半導体チップ
８の電極とリード３をワイヤ１０で接続することにより
リード３と半導体チップ８を電気的に接続する。この接
続手段としては、ワイヤ１０を使用せずに半田等のバン
プを使用してリード３と半導体チップ８の電極を接続す
る方法などが考えられる。

【００７２】つぎに、図６に示すように、常用のトラン
スファモールドによって前記ダム２４の内側のモールド
領域に絶縁性樹脂によってパッケージ２を形成する。パ
ッケージ２は半導体チップ８，ワイヤ１０，リード３の
内端側を被う。その後、ダム２４を切断除去する。図で
はパッケージ２部分をわかりやすくするためハッチング
で表した。

【００７３】つぎに、図示はしないが、リード３の間の
バリの部分を取り除き、リード３の表面に半田等のメッ
キを施す。この時、電磁波遮蔽部５等の金属部分でメッ
キを施したくない場合は前もってレジスト等でマスキン
グ処理をしておく。

【００７４】つぎに、図７に示すように、吊りリード２
６を切断した後、２枚の電磁波遮蔽部５をグランド連結
リード６部分で折り返し、一方をパッケージ２の上面に
図示しない接着剤を介して固定するとともに、他方をパ
ッケージ２の下面に図示しない接着剤を介して固定す
る。前記接着は接着剤を使用する以外に接着テープを使
用する方法や固定用の爪等を折り曲げて固定する方法等
が考えられる。尚この時点でインク等でマークを打刻し
てもよい。

【００７５】つぎに、図７に示すように、リード３をリ
ードフレーム枠２３から切断するとともに、ガルウィン
グ型に成形する。

【００７６】つぎに、タブ吊りリード２５をパッケージ
２の付け根部分で切断し、図１乃至図３に示すような半
導体集積回路装置１を製造する。

【００７７】つぎに、特性検査やマーク打刻等をして製
品として完成する。必要があれば電磁波遮蔽部５の表面
に絶縁物を塗布あるいは貼り付ける等することで実装時
に他の配線や電子部品等とのショートを防ぐことも可能
である。

【００７８】本実施形態１の半導体集積回路装置１は、
パッケージ２の上面と下面にグランドリード１７にグラ
ンド連結リード６を介して連なる電磁波遮蔽部５が張り
付けられていることから、半導体集積回路装置１に到達
する電磁波を電磁波遮蔽部５で捕らえ、グランド連結リ
ード６，グランドリード１７を介して実装基板１５のグ
ランド配線２０に逃がすことができる。

【００７９】したがって、電磁波による半導体集積回路
装置１の偽信号等の発生が軽減し、誤作動を軽減させる
ことができる。

【００８０】図９は本実施形態１の変形例であり、パッ
ケージ２内に複数の半導体チップを搭載したマルチチッ
プ構造である。パッケージ２内の半導体チップ８の上面
には他の半導体チップ１１が搭載されている。前記半導
体チップ８の上面には、図示しないが電極が形成され、
この電極にバンプ電極１２を介して前記半導体チップ１
１が固定されている。

【００８１】本発明においては、半導体チップは前記ダ
イパット部７上に複数あるいはダイパット部７の表裏面
に複数の半導体チップを搭載する構造であってもよい。

【００８２】（実施形態２）図１０乃至図１３は本実施
形態２に係わる図であり、図１０は半導体集積回路装置
の平面図、図１１は半導体集積回路装置の断面図、図１
２は半導体集積回路装置の製造に用いるリードフレー
ム、図１３はリードフレームの側面図である。

【００８３】この例では、リードフレーム２２におい
て、半導体チップを固定するダイパット部は形成されて
おらず、リードフレーム２２の枠中心部分は空間領域２
７となっている。しかし、電磁波遮蔽部５がリードフレ
ーム２２の下面側に折り返されるとともに、枠状の絶縁
テープ２８で前記空間領域２７を塞ぐようにリード３の
先端（内端）部分に固定されている。したがって、前記
枠状の絶縁テープ２８の内側の電磁波遮蔽部５部分に半
導体チップ８が接着剤９を介して固定されるようにな
る。

【００８４】半導体集積回路装置１の製造においては、
前記空間領域２７の底を形成する電磁波遮蔽部５上に接
着剤９で半導体チップ８を固定する。以後の製造工程は
前記実施形態１と同様であるのでその説明は省略する。

【００８５】このようなリードフレーム２２を使用する
ことによって、半導体チップ８の裏面側では、電磁波遮
蔽部５を封止体として使用できることから、モールドは
不要になり、樹脂が無くなった分薄型化が可能になると
ともに絶縁テープ２８を介して金属製の電磁波遮蔽部５
に半導体チップ８で発生した熱が伝わる構造となってい
ることから放熱性も増大する。

【００８６】（実施形態３）図１４および図１５は本実
施形態３による半導体集積回路装置１の実装状態を示す
図である。

【００８７】本実施形態３では、図１４および図１５に
示すように半導体集積回路装置１の上面、すなわち、実
装面とは反対になる露出面側にのみに電磁波遮蔽部５を
配置した構造になっている。

【００８８】パッケージ２の上方からの電磁波はパッケ
ージ２の上面の電磁波遮蔽部５で遮蔽する。そして、パ
ッケージ２の下面への電磁波は実装基板１５に設けたグ
ランド配線３０によって遮蔽する。

【００８９】すなわち、図１４では実装基板１５の表面
に設けた平面状のグランド配線３０で、図１５では実装
基板１５内のグランド配線３０の層で電磁波を遮ること
で半導体集積回路装置１の下面の電磁波遮蔽部が無くて
も同等の性能を有する。他にも下面からの電磁波を考慮
しなくてもよい場合はこのタイプの使用が可能である。

【００９０】（実施形態４）図１６は本実施形態４の半
導体集積回路装置を示す断面図である。

【００９１】この実施形態の半導体集積回路装置１は、
パッケージ２の側面方向からの電磁波を遮断すべく、前
記電磁波遮蔽部５はその周縁部分がさらに張り出しかつ
折れ曲がって側面用電磁遮蔽部３１を形成し、この側面
用電磁遮蔽部３１が前記パッケージ２の側面を被うよう
になっている。前記側面用電磁遮蔽部３１は導電性であ
ることから、側面用電磁遮蔽部３１の先端がリード３に
接触しない構造になっている。

【００９２】本実施形態４の半導体集積回路装置１は、
パッケージ２の上下面方向の電磁波ばかりでなく、パッ
ケージ２の側面からの電磁波の遮蔽が可能になり、電磁
シールドとしてはさらに高性能品となる。

【００９３】（実施形態５）図１７乃至図１９は本実施
形態５による半導体集積回路装置に係わる図であり、図
１７は半導体集積回路装置の断面図、図１８は電磁波遮
蔽部が開いた状態の半導体集積回路装置の平面図、図１
９は電磁波遮蔽部が開いた状態の半導体集積回路装置の
側面図である。

【００９４】本実施形態５の半導体集積回路装置１は、
リードフレームの一部で形成される電磁波遮蔽部５をプ
レス等で椀状に加工して側面用電磁遮蔽部３１を形成し
たものである。

【００９５】この場合、側面用電磁遮蔽部３１の先端は
リードに対面するリード対面部３２が形成されている。
この例では導電性のリード対面部３２をリード３に接触
させないようにするため、リード対面部３２は絶縁性の
接着剤４でリード３に接着させる必要がある。

【００９６】（実施形態６）図２０は本実施形態６によ
る半導体集積回路装置の斜視図であり、図２１は半導体
集積回路装置の正面図である。

【００９７】本実施形態６の半導体集積回路装置１は、
前記電磁波遮蔽部５をパッケージ２に接着剤で固定する
ことなく、前記電磁波遮蔽部５の一縁から突出させた突
片３３の変形による引っかけによって固定する構成にな
っている。

【００９８】この半導体集積回路装置１では、電磁波遮
蔽部５の一縁、すなわちグランド連結リード６の延長線
上の電磁波遮蔽部５の先端部分に細長の突片３３が設け
られている。グランド連結リード６を折り返してパッケ
ージ２の上下面に電磁波遮蔽部５を重ねる際、前記突片
３３を折り曲げてパッケージ２の裏側にまで延在させて
引っかけ、これによって電磁波遮蔽部５をパッケージ２
に固定するものである。

【００９９】この構成は、接着剤を使用しないことか
ら、作業が極めて容易になるとともに、接着剤の硬化処
理時間が不要となり、電磁波遮蔽部５の取り付けコスト
の低減が可能になる。

【０１００】また、この構成において、前記突片３３の
位置や数は前記実施形態に限定されるものではなく自由
に選択できる。

【０１０１】（実施形態７）図２２は本実施形態７の半
導体集積回路装置の平面図、図２３は半導体集積回路装
置において電磁波遮蔽部を開いた状態にした平面図であ
る。

【０１０２】本実施形態７の半導体集積回路装置１は、
パッケージ２の同一面を被う電磁波遮蔽部５を領域を分
けた複数枚の小領域用電磁波遮蔽部で構成する構成にな
っている。

【０１０３】すなわち、本実施形態７では、パッケージ
２の上面および下面を被う電磁波遮蔽部５は、それぞれ
２枚の小領域用電磁波遮蔽部３４で構成されている。前
記小領域用電磁波遮蔽部３４は、三角形状となり、２枚
の突片３３で四角形を形成してパッケージ２の上下面を
それぞれ被う。

【０１０４】前記各小領域用電磁波遮蔽部３４は、リー
ドフレームの４隅にそれぞれ配置される。また、前記小
領域用電磁波遮蔽部３４でパッケージ２の一面のみを被
う構成にすることもできる。前記小領域用電磁波遮蔽部
３４の形状や数は前記実施形態には限定されず、必要に
応じて選択すればよい。

【０１０５】本実施形態７も複数枚の小領域用電磁波遮
蔽部３４でパッケージ２の上下面に電磁波遮蔽部５が形
成され、半導体集積回路装置１は電磁シールド構造にな
る。

【０１０６】（実施形態８）図２４は本発明の実施形態
８である半導体集積回路装置の断面図である。

【０１０７】本実施形態８は、前記実施形態１の半導体
集積回路装置１の構成において、前記電磁波遮蔽部５の
一部を屈曲させて放熱部３５を構成してなるものであ
る。すなわち、前記電磁波遮蔽部５を大きく形成すると
ともに、電磁波遮蔽部５の周縁部分を外方に屈曲させて
放熱片とし、この放熱片部分を放熱部３５としたもので
ある。

【０１０８】本実施形態８の半導体集積回路装置１は、
前記実施形態１が有する効果に加え、放熱部３５は金属
板で形成されていることから、熱の伝達性が高く、空中
への熱放散が可能になり、半導体集積回路装置の熱特性
が良好になり、安定した動作が維持できる。

【０１０９】（実施形態９）図２５および図２６は本発
明の実施形態９である半導体集積回路装置に係わる図で
あり、図２５は半導体集積回路装置の斜視図、図２６は
半導体集積回路装置の正面図である。

【０１１０】本実施形態９では、半導体集積回路装置１
の製造において、リードフレームに電磁波遮蔽部を設け
ず、単にグランド連結リード６を設けておき、半導体集
積回路装置１を製造した後パッケージ２の上下面に銅ペ
ースト等の導電性樹脂を塗布するとともに硬化させて電
磁波遮蔽部５を形成する。また、電磁波遮蔽部５の形成
の後に、パッケージ２の側面から突出するグランド連結
リード６を折り曲げ、先端を前記導電性樹脂による電磁
波遮蔽部５に導電性樹脂３７で電気的に接続する。

【０１１１】また、本実施形態９では、リードフレーム
に電磁波遮蔽部を設けなくてもよくなる。

【０１１２】また、本実施形態において、パッケージ２
や電磁波遮蔽部５にグランド連結リード６を納める溝を
設けておくことで上下面のフラット化も可能である。

【０１１３】さらに、必要があれば電磁波遮蔽部５の表
面に絶縁物を塗布あるいは貼り付ける等することで実装
時に他の配線や電子部品等とのショートを防ぐことも可
能である。

【０１１４】（実施形態１０）図２７は本実施形態１０
による半導体集積回路装置１の斜視図、図２８は同じく
正面図である。

【０１１５】本実施形態１０の半導体集積回路装置１
は、パッケージ２の上下面に金属等の電磁波遮蔽板４０
を接着剤４で貼り付けて電磁波遮蔽部５を形成した後、
パッケージ２の側面から突出するグランド連結リード６
を折り曲げ、先端を前記導電性樹脂による電磁波遮蔽部
５に半田４１で電気的に接続する。

【０１１６】本実施形態１０における電磁波遮蔽部５
は、パッケージ２に導電性の樹脂（ペースト）等を直接
塗布する以外に、前記のように導電性の板材を接着剤や
板材に設けた突片等を使用して機械的に取り付ける構造
等が考えられる。板材としては、金属板や絶縁性テープ
の表面にペースト塗布，メッキ，蒸着等によって導電膜
を形成する方法が考えられる。

【０１１７】本実施形態１０の半導体集積回路装置１は
前記実施形態１と同様の効果を有する。

【０１１８】本実施形態１０の導電性樹脂によって電磁
波遮蔽部５を形成する方法は、塗布作業で電磁波遮蔽部
５を形成できるため多数の半導体集積回路装置に対して
も効率良く電磁波遮蔽部５を形成できる。

【０１１９】従来にも導電性樹脂による電磁波遮蔽部５
を持つものがあったが、従来の方法では導電性樹脂によ
る電磁波遮蔽部５をグランド配線に伸ばして接続したた
め、３次元形状のあるパッケージではマスキングが難し
かった。

【０１２０】本実施形態１０では、グランド連結リード
６を折り曲げることで電磁波遮蔽部５との接続が可能に
なり、リード成形時に簡単に接続が可能になる。

【０１２１】また、本実施形態１０では、リードフレー
ムに電磁波遮蔽部を設けなくてもよくなり、リードフレ
ームの小型化および多連化が可能になる。

【０１２２】また、本実施形態において、パッケージ２
や電磁波遮蔽部５にグランド連結リード６を納める溝を
設けておくことで上下面のフラット化も可能である。

【０１２３】さらに、必要があれば電磁波遮蔽部５の表
面に絶縁物を塗布あるいは貼り付ける等することで実装
時に他の配線や電子部品等とのショートを防ぐことも可
能である。

【０１２４】（実施形態１１）図２９乃至図３４は本発
明の実施形態１１に係わる図であり、図２９は電磁シー
ルド構造半導体集積回路装置の正面図、図３０は電磁シ
ールド構造半導体集積回路装置の平面図、図３１は電磁
シールド構造半導体集積回路装置の断面図、図３２は半
導体集積回路装置の正面図、図３３は電磁波遮蔽部付キ
ャップの正面図、図３４は電磁波遮蔽部付キャップの平
面図である。

【０１２５】本実施形態１１は、電磁波遮蔽部付キャッ
プに係わるものであり、実装された通常の半導体集積回
路装置に被せて使用するものである。

【０１２６】電磁波遮蔽部付キャップ７０は、半導体集
積回路装置１のパッケージ２に被せられる電磁波遮蔽部
５と、この電磁波遮蔽部５の周囲四隅に設けられたグラ
ンドリード７１とからなっている。前記グランドリード
７１の下端は、図示しない実装基板のグランド配線に接
続されかつ半田等で電気的に接続される。

【０１２７】したがって、半導体集積回路装置１を実装
基板に搭載する際、前記パッケージ２上に電磁波遮蔽部
付キャップ７０を被せ、かつグランドリード７１を実装
基板のグランド配線に重ねて半田のリフローを行うこと
によって、半導体集積回路装置１の実装とともに電磁波
遮蔽部付キャップ７０の固定が同時にできることにな
る。

【０１２８】これにより通常の半導体集積回路装置（Ｉ
Ｃ）を簡便に電磁波対策できる。なお、電磁シールドを
完全なものにする場合には、前記実施形態３の場合のよ
うに、すなわち図１４や図１５に示すように、実装基板
の表面や実装基板の内部に少なくとも前記電磁波遮蔽部
５に対応するようにグランド配線を設けておけば良い。

【０１２９】なお、実装時に半導体集積回路装置１に電
磁波遮蔽部付キャップ７０を被せて基板に半田する場
合、電磁波遮蔽部付キャップ７０の電磁波遮蔽部５の部
分を接着剤を介して半導体集積回路装置１のパッケージ
２に固定するようにしてもよい。この場合、電磁波遮蔽
部付キャップ７０のグランドリード７１を弾力的に実装
基板のグランド配線に接触させるようにすれば半田によ
る固定を省略することもできる。

【０１３０】前記電磁波遮蔽部付キャップ７０は絶縁性
の板材の表面に導電膜を形成する構造であってもよい。

【０１３１】（実施形態１２）図３５乃至図３９は本発
明の実施形態１２に係わる図であり、図３５は電磁シー
ルド構造半導体集積回路装置の正面図、図３６は電磁シ
ールド構造半導体集積回路装置の平面図、図３７は電磁
シールドを形成する上キャップおよび下キャップを示す
正面図、図３８は上キャップを示す平面図、図３９は下
キャップを示す平面図である。

【０１３２】本実施形態１２では、図３５に示されるよ
うに、通常の半導体集積回路装置１のパッケージ２の上
面に上キャップ７２が接着剤７４を介して固定され、前
記パッケージ２の下面に下キャップ７３が接着剤７５を
介して固定される。

【０１３３】前記上キャップ７２は、パッケージ２の上
面よりも僅かに小さい平坦な矩形の電磁波遮蔽部５と、
この電磁波遮蔽部５の一隅から突出しかつ図示しない実
装基板のグランド配線に接続されるグランドリード７６
とからなっている。

【０１３４】また、前記下キャップ７３は、パッケージ
２の上面よりも僅かに小さい平坦な矩形の電磁波遮蔽部
５と、この電磁波遮蔽部５の一隅から突出しかつ図示し
ない実装基板のグランド配線に接続されるグランドリー
ド７７とからなっている。

【０１３５】前記上キャップ７２および下キャップ７３
は絶縁性の板材の表面に導電膜を形成する構造であって
もよい。

【０１３６】これにより通常の半導体集積回路装置を簡
便に電磁シールド構造にすることができる。

【０１３７】（実施形態１３）図４０乃至図４３は本発
明の実施形態１３に係わる図であり、図４０は半導体集
積回路装置の断面図、図４１は半導体集積回路装置の平
面図、図４２は半導体集積回路装置の製造に用いるリー
ドフレームの平面図、図４３はリードフレームの側面図
である。

【０１３８】本実施形態１３は前記実施形態１２の変形
例であり、支持キャップ７８をリードフレーム２２に絶
縁性テープ７９を介して重ねて固定しておき、その後に
半導体集積回路装置１の組立（製造）を行うものであ
る。

【０１３９】リードフレーム２２は、前記実施形態２の
リードフレーム２２の場合と同様にリードフレーム２２
の中心部分にタブを設けず、半導体チップが固定できる
空間領域２７が形成されている。

【０１４０】前記支持キャップ７８は、リード３の先端
部分に絶縁性テープ７９を介して重ねられる電磁波遮蔽
部５と、この電磁波遮蔽部５の一隅から突出する細いグ
ランドリード１７とからなっている。また、このグラン
ドリード１７が延在するリードフレーム部分は打ち抜か
れスリット８０となっている。

【０１４１】このようなリードフレーム２２を使用して
半導体集積回路装置１を製造する場合、図４０に示すよ
うに、空間領域２７の支持キャップ７８の電磁波遮蔽部
５に接着剤８１を介して半導体チップ８を固定する。

【０１４２】つぎに、半導体チップ８の電極とリード３
の内端を導電性のワイヤ１０で接続した後、トランスフ
ァモールドによって所定部分を絶縁性樹脂からなるパッ
ケージ２で被う。この場合支持キャップ７８の電磁波遮
蔽部５は樹脂で被わない。

【０１４３】また、前記パッケージ２から突出する電磁
波遮蔽部５を折り返してパッケージ２の実装面側（下
面）に接着剤４を介して固定する。

【０１４４】つぎに、リード成形がなされ、図４０およ
び図４１に示すような半導体集積回路装置１が製造され
る。

【０１４５】前記支持キャップ７８のグランドリード１
７も前記リードの成形時同時に成形され、実装基板のグ
ランド配線にその先端が接続されるようになる。

【０１４６】本実施形態１３も電磁シールド構造とな
る。

【０１４７】本実施形態１３の半導体集積回路装置１
は、半導体チップ８の裏面の樹脂が無くなり、パッケー
ジの薄型化が図れるとともに、放熱性も増大する効果を
奏する。

【０１４８】（実施形態１４）図４４乃至図５２は本発
明の実施形態１４に係わる図であり、図４４は半導体集
積回路装置の断面図、図４５は電磁波遮蔽部を開いた状
態の半導体集積回路装置の断面図、図４６は電磁波遮蔽
部を折り曲げ途中の半導体集積回路装置の断面図であ
る。

【０１４９】本実施形態１４では折り曲げ可能なフレキ
シブル配線基板を使用したＢＧＡタイプの半導体集積回
路装置に本発明を適用したものであり、前記実施形態１
と同様の効果を得るものである。

【０１５０】本実施形態１４では、前記実施形態１のリ
ードフレームの代わりにポリイミドテープ等で形成され
たフレキシブル配線基板４３を使用する。フレキシブル
配線基板４３は、たとえばポリイミドテープで形成され
た絶縁性テープ４４の一面または両面に配線（リード）
４５を有する。前記配線４５は、たとえば絶縁性テープ
４４に張り付け銅箔をエッチングして所望のパターンに
形成して所望の配線４５を形成する。また、前記絶縁性
テープ４４は、所望部分が切断除去され、半導体チップ
８の固定や、電磁波遮蔽部５の折り返し等が可能になっ
ている。

【０１５１】また、本実施形態１４は従来のＴＣＰ技術
をそのまま使用できる。また、外部電極としては、前記
実施形態１が金属製によるリードであるのに対して、半
田ボール４６としてある。また、前記配線（リード）４
５に対しては半導体チップ８に設けた半田等によるバン
プ電極４７を介して接続した構造になっている。

【０１５２】半導体集積回路装置１は、図４４に示すよ
うに、略矩形状の基板部４８を有している。この基板部
４８はその中央に半導体チップ８よりも僅かに大きいデ
バイスホール４９を有している。基板部４８の下面には
配線４５が設けられている。この配線４５は絶縁膜５０
で被われるとともに、一部の絶縁膜５０は除去され、こ
の部分に外部端子としての半田ボール４６が設けられて
いる。

【０１５３】基板部４８の配線４５の内端は前記デバイ
スホール４９内に突出するとともに、この突出部分が半
導体チップ８の半田ボール４６に接続されている。

【０１５４】また、前記デバイスホール４９内は絶縁性
樹脂５１で被われ、半導体チップ８の表面や配線４５と
半田ボール４６との接続部分が保護されている。

【０１５５】また、前記基板部４８の一端側には露出面
側被覆部５２が設けられている。この露出面側被覆部５
２は、前記基板部４８全体に対して重なる矩形状となっ
ていて、前記半導体チップ８等を被う。また、前記露出
面側被覆部５２の一面、すなわち前記半導体チップ８に
接触しない面の略全域には電磁波遮蔽部５が形成されて
いる。この電磁波遮蔽部５はグランド連結リード６を介
してグランド配線１７に接続されている（図４７参
照）。

【０１５６】また、前記基板部４８の他の端面から前記
デバイスホール４９部分を塞ぐような矩形状の実装面側
被覆部５３が設けられている。前記実装面側被覆部５３
の一面の略全域には電磁波遮蔽部５が形成されている。
この電磁波遮蔽部５はグランド連結リード６を介してグ
ランド配線１７に接続されている（図４７参照）。

【０１５７】前記実装面側被覆部５３と基板部４８との
間の絶縁性テープ４４部分は細くなり、実装面側被覆部
５３を基板部４８の中央部分に重ねた際、絶縁性テープ
４４部分が半田ボール４６に重ならないようになってい
る。

【０１５８】また、前記実装面側被覆部５３は絶縁性の
接着剤４を介して配線４５や絶縁性樹脂５１に接続され
ている。

【０１５９】図４５は電磁波遮蔽部５、換言するならば
露出面側被覆部５２および実装面側被覆部５３を開いた
状態、すなわち組み立てを行わない状態での半導体集積
回路装置１の断面図である。また、図４６は露出面側被
覆部５２および実装面側被覆部５３を折り曲げする途中
の半導体集積回路装置１を示す断面図である。

【０１６０】半導体チップ８および基板部４８の配線４
５は、その上部、すなわち半導体集積回路装置１の露出
側が露出面側被覆部５２の電磁波遮蔽部５によって電磁
シールドされる。また、半導体チップ８の下側、すなわ
ち実装面側は実装面側被覆部５３の電磁波遮蔽部５によ
って電磁シールドされることから、外部からの電磁波を
遮蔽できるため、半導体集積回路装置１はノイズの発振
を起こすことなく安定して動作することになる。

【０１６１】つぎに、本実施形態１４の半導体集積回路
装置１の製造について簡単に説明する。

【０１６２】図４７は半導体チップ８を取り付けたフレ
キシブル配線基板４３を示す図である。フレキシブル配
線基板４３は、たとえばポリイミドテープで形成された
絶縁性テープ４４の一面または両面に配線（リード）４
５を有する。前記配線４５は、たとえば絶縁性テープ４
４に張り付け銅箔をエッチングして所望のパターンに形
成して所望の配線４５を形成する。また、前記絶縁性テ
ープ４４は、所望部分が切断除去され、半導体チップ８
の固定や、電磁波遮蔽部５の折り返し等が可能になって
いる。

【０１６３】フレキシブル配線基板４３は、吊り部５４
によって吊られる略矩形状の基板部４８と、前記基板部
４８の一端（右上端）側に連なり吊り部５４で吊られる
露出面側被覆部５２と、前記基板部４８の他の端（右下
端）側に連なり吊り部５４で吊られる実装面側被覆部５
３とを有するパターンとなっている。

【０１６４】前記基板部４８はその中央に半導体チップ
８よりも僅かに大きいデバイスホール４９を有してい
る。

【０１６５】また、絶縁性テープ４４の一面側には銅箔
をエッチングして設けられる配線（リード）４５と板状
に設けられる電磁波遮蔽部５が形成されている。

【０１６６】電磁波遮蔽部５は前記露出面側被覆部５２
および実装面側被覆部５３のそれぞれ略全域に設けられ
ている。

【０１６７】また、前記基板部４８には前記デバイスホ
ール４９内に一端を突出させるリード４５がそれぞれ設
けられている。この配線４５は絶縁樹脂５０で被われる
とともに、一部の絶縁樹脂５０は円形に除去されてい
る。この円形部分には後の工程で半田ボールが形成され
る。

【０１６８】また、前記露出面側被覆部５２および実装
面側被覆部５３の電磁波遮蔽部５はグランド連結リード
６を介してグランド配線１７に接続されている。

【０１６９】また、前記実装面側被覆部５３と基板部４
８との間の絶縁性テープ４４部分は細くなり、実装面側
被覆部５３を基板部４８の中央部分に重ねた際、絶縁性
テープ４４部分が半田ボールに重ならないようになって
いる。

【０１７０】本実施形態１４では電磁波遮蔽部５と半田
ボール取付け部５５、デバイスホール４９に突出した配
線以外は絶縁樹脂５０で被われている。この絶縁樹脂５
０は封止体の一部を構成する。

【０１７１】なお、電磁波遮蔽部５も絶縁樹脂で絶縁し
てもよい。フレキシブル配線基板４３は折り曲げる部位
のみ折り曲げ可能なら、他の部位を変形しないように加
工するとか、固い基板とフレキシブルな基板を組み合わ
せて使ってもよい。

【０１７２】つぎに、図４７に示すように、デバイスホ
ール４９に突出する配線４５部分にバンプ電極４７を介
して半導体チップ８が固定される（図４５参照）。

【０１７３】つぎに、図４８に示すように、半導体チッ
プ８のバンプ電極４７が設けられた面側を絶縁性樹脂５
１で被う。絶縁性樹脂５１は、たとえばポッティングに
よって形成する。前記絶縁性樹脂５１でデバイスホール
４９を埋め込む。

【０１７４】つぎに、図４９に示すように、露出面側被
覆部５２および実装面側被覆部５３の吊り部５４を切断
した後、実装面側被覆部５３を折り返して前記絶縁性樹
脂５１に重ね合わせかつ接着剤４を介して固定（図４４
参照）するとともに、露出面側被覆部５２を半導体チッ
プ８側の基板部４８に折り返して重ねる。

【０１７５】なお、前記露出面側被覆部５２を基板部４
８に接着剤等で固定するにようにしてもよい。

【０１７６】つぎに、図５０に示すように、前記半田ボ
ール取付け部５５に半田ボール４６を熱や圧力を加えて
取り付け、ＢＧＡの半導体集積回路装置１を製造する。
この状態では、半導体集積回路装置１はまだ吊り部５４
に吊られてフレキシブル配線基板４３に吊られている。

【０１７７】つぎに、前記吊り部５４を切断することに
よって、図５１および図４４に示すような半導体集積回
路装置１を製造する。

【０１７８】なお、必要ならばこの状態または製造中に
マークを施すことで完成する。

【０１７９】本実施形態１４の半導体集積回路装置１の
製造においては、フレキシブル配線基板４３の一部に設
けた露出面側被覆部５２および実装面側被覆部５３を、
半導体チップ８の搭載後に折り返して基板部４８の表裏
面に重ね合わせることによって電磁シールド構造とする
ことができ、製造が容易になる。

【０１８０】図５２は、実装基板１５に本実施形態４の
半導体集積回路装置１を搭載した断面図である。

【０１８１】（実施形態１５）図５３および図５４は本
実施形態１５よる半導体集積回路装置１の実装状態を示
す図である。

【０１８２】図５３および図５４に示す半導体集積回路
装置１は、半導体集積回路装置１の露出面側にのみ電磁
波遮蔽部５を設けた例であり、実装面側には電磁波遮蔽
部を設けない構造である。その代わり、図５３に示すよ
うに実装基板１５の表面にグランド配線３０を設けた
り、図５４に示すように、実装基板１５の中層にグラン
ド配線３０を設けて、半導体集積回路装置１の実装面側
の電磁波遮蔽を実装基板１５で行うようにしたものであ
る。

【０１８３】本実施形態１５の構成にすることによっ
て、半導体集積回路装置１を電磁シールド構造として使
用することができる。

【０１８４】（実施形態１６）図５５乃至図５７は本発
明の実施形態１６に係わる図であり、図５５は実装状態
の半導体集積回路装置の断面図、図５６は電磁波遮蔽部
を折り返す前の状態の半導体集積回路装置を示す断面
図、図５７は電磁波遮蔽部を折り返す状態の半導体集積
回路装置を示す断面図である。

【０１８５】本実施形態１６の半導体集積回路装置１
は、図４４乃至図４６に示す実施形態４の半導体集積回
路装置において、フレキシブル配線基板４３の絶縁性テ
ープ４４を透明なポリイミド樹脂等で形成した電磁シー
ルド構造である。

【０１８６】これにより、図５７に示すように、半導体
集積回路装置１の露出面側被覆部５２を基板部４８に重
ねない状態で実装基板１５の配線１６に半田５６等で実
装することで、絶縁性テープ４４を通して半田実装状態
が目視外観できる。

【０１８７】なお、実装前に基板部４８の実装面側に接
着剤４を介して実装面側被覆部５３を固定しておく。

【０１８８】また、実装後に基板部４８の露出面側に露
出面側被覆部５２を重ねる。露出面側被覆部５２は接着
剤で基板部４８に固定してもよい。本実施形態１６で
は、露出面側被覆部５２の電磁波遮蔽部５は露出面側被
覆部５２の両面に設けられている。これらの電磁波遮蔽
部５はグランド配線に連なっている。

【０１８９】これにより、半導体集積回路装置１の電磁
シールドが可能になる。

【０１９０】また、フレキシブル配線基板４３の配線４
５は、半田付け部が目視できる程度に細くなった銅等の
金属配線や、酸化錫と酸化アンチモンの化合物からなる
透明な配線、あるいは両方法を使用部位ごとに使いわけ
たもの等が考えられる。

【０１９１】（実施形態１７）図５８乃至図６１は本発
明の実施形態１７に係わる図であり、図５８は半導体集
積回路装置の断面図、図５９は半導体集積回路装置の製
造に用いるフレキシブル配線基板４３の平面図、図６０
は電磁波遮蔽部を重ね合わせた基板部と折り返ししない
電極部分を示す断面図、図６１は電磁波遮蔽部を重ね合
わせた基板部に電極部分を折り返す状態を示す断面図で
ある。

【０１９２】本実施形態１７はフレキシブル配線基板を
用いかつチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）構造にした
電磁シールド構造の半導体集積回路装置を示すものであ
る。

【０１９３】本実施形態１７の半導体集積回路装置１
は、図５８および図５９に示すように、半導体チップ８
が搭載される領域よりも数ｍｍ大きい領域、すなわち矩
形状の基板部４８の各辺部分に略三角形状の折返部５７
が連続して設けられている。そして、この折返部５７に
半田ボール４６が配列されている。

【０１９４】フレキシブル配線基板４３には、前記実施
形態１４と同様に半導体集積回路装置１の露出面側と実
装面側をそれぞれ被覆する露出面側被覆部５２と実装面
側被覆部５３が設けられている。しかし、本実施形態１
７はＣＳＰ化を図るため、図５９に示すように、前記露
出面側被覆部５２および実装面側被覆部５３は、前記半
導体チップ８と略同程度の大きさの基板部４８と同一と
なる小さい形状となっている。

【０１９５】搭載された半導体チップ８のバンプ電極４
７を有する実装面側では実装面側被覆部５３が重ねら
れ、半導体チップ８の背面、すなわち露出面側には露出
面側被覆部５２が重ねられる。これにより半導体集積回
路装置１は電磁シールド構造になる。

【０１９６】折り返された実装面側被覆部５３に、４片
の折返部５７が接着テープ５８を介して固定される。前
記折返部５７は三角形状になっていることから、４枚で
基板部４８に対応した四角形を形成することになる。な
お、前記接着テープ５８は接着剤等でもよい。

【０１９７】本実施形態１７の半導体集積回路装置１
は、電磁シールド作用を有する以外に、半田ボール４６
を有する折返部５７が、四角形の基板部４８の各辺側か
ら折り返されるため、半導体チップ８の電極（バンプ電
極４７）と各半田ボール４６との距離、すなわち配線長
さが短くなり、半導体集積回路装置の高速化に対応でき
るようになる。

【０１９８】（実施形態１８）図６２乃至図６５は本発
明の実施形態１８に係わる図であり、図６２は半導体集
積回路装置の断面図、図６３は電磁波遮蔽部を折り返さ
ない状態の半導体集積回路装置の断面図、図６４は電磁
波遮蔽部を折り返さない状態の半導体集積回路装置の平
面図、図６５は電磁波遮蔽部を折り返さない状態の半導
体集積回路装置の底面図である。

【０１９９】本実施形態１８の半導体集積回路装置１
は、フレキシブル配線基板４３を両面配線構造にし、こ
のフレキシブル配線基板４３に電磁波遮蔽部５を配置
し、露出面側被覆部５２の折り返しによって電磁シール
ド構造を構成する構造になっている。

【０２００】また、半導体チップ８は前記フレキシブル
配線基板４３に接着剤９を介して半導体チップ８を固定
する構造になり、デバイスホールを有しない構造になっ
ている。前記半導体チップ８，ワイヤ１０等は封止体
（パッケージ）２で被われている。

【０２０１】前記基板部４８には、図６４にも示される
ようにスルーホール５９が形成されているとともに、前
記スルーホール５９部分にも配線４５が形成されてい
る。前記スルーホール５９の下側には、図６５にも示さ
れるように半田ボール４６が固定されている。

【０２０２】前記基板部４８から連なる露出面側被覆部
５２には電磁波遮蔽部５が形成されていることから、前
記露出面側被覆部５２を折り返した場合、前記パッケー
ジ２上に露出面側被覆部５２が載り、その露出面側被覆
部５２の上面には電磁波遮蔽部５が延在する構造になっ
ている。また、基板部４８の下面側、すなわち実装面側
には前記半導体チップ８の固定領域よりも広く電磁波遮
蔽部５が形成されている。これにより、半導体チップ８
やワイヤ１０等は上下を電磁波遮蔽部５で被覆されて電
磁シールド構造になり、特性の安定化が図られている。

【０２０３】（実施形態１９）図６６乃至図７０は本発
明の実施形態１９に係わる図であり、図６６は半導体集
積回路装置の断面図、図６７は半導体集積回路装置の平
面図、図６８は半導体集積回路装置の底面図、図６９は
半導体集積回路装置の実装時の状態を示す断面図、図７
０は実装された半導体集積回路装置を示す断面図であ
る。

【０２０４】本実施形態１９は、フレキシブル配線基板
４３を使用したＨＧＡタイプの電磁シールド構造半導体
集積回路装置である。

【０２０５】ＨＧＡタイプは、実装時穴部分に吸い上げ
られるソルダー（半田）の状態によって実装（接着）の
良否が目視確認できる構造である。本実施形態１９で
は、図６６に示すように、前記実施形態１８の構造（図
６３参照）の半導体集積回路装置１において、スルーホ
ール５９の下部分に半田ボールを設けない構造になって
いる。露出面側被覆部５２は絶縁性の接着テープ６５で
パッケージ２等に接続されている。

【０２０６】本実施形態１９の半導体集積回路装置１を
実装基板１５に実装する場合、図６９に示すように、実
装基板１５上に半導体集積回路装置１を位置決めして載
置するとともに、実装基板１５の配線１６上に設けられ
た半田５６をリフローさせる。溶けた半田５６はスルー
ホール５９内を表面張力によって吸い上がり、その後の
温度降下による硬化によってスルーホール５９部分の配
線４５と実装基板１５の配線１６が半田５６によって固
定される。

【０２０７】実装の良否は前記スルーホール５９内での
半田５６の吸い上がりの有無によって判断できる。

【０２０８】実装後、露出面側被覆部５２を図７０に示
すように折り返し、接着テープ６５で露出面側被覆部５
２をパッケージ２に固定する。これにより実装が完了す
る。

【０２０９】本実施形態１９も半導体チップ８の表裏面
側に配置された電磁波遮蔽部５によって電磁シールドさ
れることになる。

【０２１０】図７１は本実施形態１９の変形例による半
導体集積回路装置を示す。同図は半導体集積回路装置に
おいて電磁波遮蔽部が開いた状態の模式的平面図であ
る。

【０２１１】本実施形態では、フレキシブル配線基板４
３内に複数の半導体チップ８やチップ抵抗やチップコン
デンサ等からなる電子部品８５を搭載するとともに、こ
れら半導体チップ８や電子部品８５をパッケージ２で封
止した構造になり、いわゆるモジュール構造になってい
る。

【０２１２】本実施形態でも電磁シールド構造の半導体
集積回路装置とすることができる。

【０２１３】（実施形態２０）図７２乃至図７５は本発
明の実施形態２０に係わる図であり、図７２はＩＣカー
ドの模式的平面図、図７３はＩＣカードの模式的断面
図、図７４はＩＣカードの製造におけるフレキシブル配
線基板を示す平面図、図７５はＩＣカードの製造におい
て樹脂封止されたフレキシブル配線基板を示す平面図で
ある。

【０２１４】本実施形態２０は本発明をＩＣカードに適
用した例を示すものである。本実施形態２０のＩＣカー
ドの構造について、その組み立て方法を説明することに
よって説明する。

【０２１５】本実施形態２０のＩＣカード８６の製造に
おいては、図７４に示すようなリードフレーム８７が使
用される。図７４はリードフレーム８７の枠とその枠と
の接続部分を切断除去した図である。また、各リード３
を接続するダム（タイバー）も切断除去した図である。

【０２１６】すなわち、リードフレーム８７は、図示し
ない枠の中央にリードパターン８８を有するとともに、
その両側に前記リードパターン８８を被う大きさの矩形
状の電磁波遮蔽部５を有している。

【０２１７】前記リードパターン８８の両側には、前記
電磁波遮蔽部５の長さと略一致するような長いグランド
リード１７がそれぞれ配置されている。そして、このグ
ランドリード１７と電磁波遮蔽部５はグランド連結リー
ド６によって連結されている。

【０２１８】また、前記リードパターン８８によるリー
ド群は、図７４に示すように、左側に偏って配置されて
いる。リード３は前記一対のグランドリード１７の間に
グランドリード１７に平行に複数配置されている。これ
らのリード３は、各リード３およびリード３とグランド
リード１７をダム（タイバー）８９で接続されている。

【０２１９】リード３の右側部分はそのまま直進しある
いは屈曲して、半導体チップ搭載領域である空間領域２
７に先端を臨ませている。また、前記グランドリード１
７からもリード３が延在し、その先端を空間領域２７の
周囲に臨ませている。

【０２２０】組立においては、枠を有するリードフレー
ムの状態で行うことが作業性が良いが、ここでは枠を除
去した状態で説明する。

【０２２１】図７４に示すように、リードフレーム８７
のリード３等の裏側に絶縁テープ９０を張り付け、前記
空間領域２７の周囲のリード３部分を一体化する。

【０２２２】つぎに、前記空間領域２７の絶縁テープ９
０上に半導体チップ８を固定する。また、半導体チップ
８の図示しない電極と前記半導体チップ８の周囲に臨む
リード３の先端を導電性のワイヤ１０で接続する。この
リード３と電極との接続は他の接続手段でもよい。

【０２２３】つぎに、図７５に示すように、前記一対の
電磁波遮蔽部５間のリードパターン８８部分をトランス
ファモールドによって封止してパッケージ２を形成す
る。パッケージ２の左端は部分的に封止が行われず、各
リード３がパッケージ２から突出するようになる。これ
らの突出したリード部分は、ＩＣカード９１の外部端子
９２となる。

【０２２４】また、パッケージ２の前記外部端子９２が
設けられない３辺には突条９３が形成され、前記突条９
３の内側は一段低くなる。また、前記電磁波遮蔽部５の
一方はパッケージ２の上面側に折り返され、他方はパッ
ケージ２の下面側に折り返されるが、グランド連結リー
ド６が折り返される部分には突条９３が設けられない。

【０２２５】つぎに、前記電磁波遮蔽部５の一方はパッ
ケージ２の上面側に折り返され、他方はパッケージ２の
下面側に折り返される。そして、各電磁波遮蔽部５は絶
縁テープ９４を介して前記パッケージ２の一段低い面に
張り付けられる。前記絶縁テープ９４を介在させる結
果、前記電磁波遮蔽部５の表面と突条９３の表面は略同
一面となる。

【０２２６】また、外部端子９２は両面の電磁波遮蔽部
５で被われる。電磁波遮蔽部５はグランドリード１７に
接続されることから、ＩＣカード９１は電磁シールド構
造となる。

【０２２７】ＩＣカードは、リードフレーム以外にフレ
キシブル配線基板を用いる構造でもよい。また、外部端
子はリード以外にコネクタや非接触で信号をやりとりす
るアンテナ等の構造でもよい。

【０２２８】図７６は本実施形態２０の変形例によるＩ
Ｃカードの製造におけるフレキシブル配線基板を示す平
面図である。

【０２２９】本実施形態では、フレキシブル配線基板４
３を用い、このフレキシブル配線基板４３をパターン化
するとともに、所定表面に導体層を形成してリード３，
グランドリード１７，電磁波遮蔽部５，グランド連結リ
ード６等を形成している。また、外部端子としてはコネ
クタ９５を使用している。

【０２３０】また、フレキシブル配線基板４３の表面に
は、複数の半導体チップ８が搭載されているとともに、
複数の電子部品８５も搭載されている。

【０２３１】図示はしないが、半導体チップ８や電子部
品８５等を搭載したリード（配線）パターン８８部分を
トランスファモールドによって封止し、この封止体に両
側の電磁波遮蔽部５をそれぞれ逆方向に折り返して接着
することによってＩＣカードを製造することができる。

【０２３２】このＩＣカードも両面をグランドリードに
接続する電磁波遮蔽部５が被われることから電磁シール
ド構造となり、安定した動作が補償されることになる。

【０２３３】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、本発明はＴＣＰ等他にも同様の機能をもつ様々な形
態のＩＣパッケージやモジュール、ＩＣカードが考えら
れると共に、様々な方法で同様の構造のＩＣパッケージ
やモジュール、ＩＣカードが製造可能である。また、実
施例では電磁波遮蔽部と半導体チップのグランドピンを
共用しているが各々独立したグランドピンでもよい。こ
の場合、実装基板内のグランド配線を分け、ノイズフィ
ルター等の体策をする等により効果が大きくなる。ま
た、複数の方法を併用してもよい。

【０２３４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【０２３５】（１）半導体集積回路装置は半導体チップ
を被う封止体の上面側および下面側を導電体からなる電
磁波遮蔽部で被う構造になっていることから、封止体外
部からの電磁波が封止体内部に入り込むことを防ぎ、そ
れによって内部のＩＣ等の誤作動を低減させることがで
き安定した動作となる。

【０２３６】（２）半導体集積回路装置は半導体チップ
を被う封止体の上面側および下面側を導電体からなる電
磁波遮蔽部で被う構造になっていることから、封止体内
部から発生する電磁波を外部に漏出することを防ぎ、他
の電子機器等の誤作動等を低減させることができる。

【０２３７】（３）半導体チップは前記電磁波遮蔽部の
一面に固定する構造では封止体の厚さが薄くなり、半導
体集積回路装置の薄型化が達成できる。

【０２３８】（４）封止体側面を前記側面用電磁遮蔽部
で被う構造では、封止体の側面方向の電磁波の遮蔽も可
能となり、電磁波遮蔽効果は一層効果的に行われること
になる。

【０２３９】（５）封止体の同一面に設けられる前記電
磁遮蔽板を領域を分けた複数枚の電磁遮蔽部で構成する
構造では、半導体集積回路装置の製造に用いるリードフ
レームの小型化が図れる。

【０２４０】（６）電磁波遮蔽部の一縁に突片を設けた
構造では、前記突片を折り曲げて封止体に電磁波遮蔽部
を固定できることから、簡単に電磁波遮蔽部を封止体に
取り付けることができ組立が容易になる。

【０２４１】（７）電磁波遮蔽部の一部を放熱部にする
構造では、封止体内の半導体チップで発生した熱をグラ
ンド連結リード，電磁波遮蔽部を介して外部に効率的に
放散することができ、半導体集積回路装置の安定動作が
達成できる。

【０２４２】（８）封止体に塗布硬化によって電磁波遮
蔽部を形成する構造では、電磁波遮蔽部の製造が容易に
なる。

【０２４３】（９）実装基板のグランド配線に接続され
るグランドリードを有し封止体に電磁波遮蔽部を重ね合
わせる部品は、封止体に容易に前記部品を取り付けるこ
とができ、簡単に電磁シールド構造半導体集積回路装置
を製造することができる。

【０２４４】（１０）フレキシブル配線基板を用いた電
磁シールド構造の半導体集積回路装置の場合は、組立が
容易になり、製造コストの低減が達成できる。

【０２４５】（１１）透光性のフレキシブル配線基板を
使用したＢＧＡ型半導体集積回路装置では、半導体集積
回路装置を電磁シールド構造とすることができるととも
に、これまでの通常ＢＧＡでは不可能だった半田付け状
態を確認できることができ、実装の信頼性を高めること
ができる。

【０２４６】（１２）フレキシブル配線基板における外
部端子をスルーホール構造とし、前記スルーホールの内
側および縁に設けた配線を利用して実装基板の配線に設
けた半田を吸い上げる構造では、前記スルーホールを通
して実装時溶けて吸い上がる半田を目視できることから
実装の良否を判断でき、実装の信頼性を高めることがで
きる。

【０２４７】（１３）ＩＣカードの上下面に電磁波遮蔽
部を設けた構造では、外部からの電磁波を遮蔽すること
ができ、安定した動作をする性能の高いものとなる。ま
た、前記電磁波遮蔽部により、ＩＣカードの外部に不要
輻射を発振しないことから、周囲の電子装置の誤動作を
引き起こすこともない。

【０２４８】（１４）半導体集積回路装置をリードフレ
ームを用いて製造する場合、前記リードフレーム部分に
折り返し構造の電磁波遮蔽部が設けられていることか
ら、封止体後あるいは半導体チップの裏面側に前記電磁
波遮蔽部を重ね合わせることによって簡単に電磁シール
ド構造の半導体集積回路装置を製造することができる。

【０２４９】（１５）半導体集積回路装置をフレキシブ
ル配線基板を用いて製造する場合、前記フレキシブル配
線基板部分に折り返し構造の電磁波遮蔽部が設けられて
いることから、封止体後あるいは半導体チップの裏面側
に前記電磁波遮蔽部を重ね合わせることによって簡単に
電磁シールド構造の半導体集積回路装置を製造すること
ができる。

【０２５０】（１６）ＩＣカードをリードフレームを用
いて製造する場合、前記リードフレーム部分にＩＣカー
ドの表裏面を形成するとともに電磁波遮蔽部となる折り
返し部分が設けられていることから、封止体後あるいは
半導体チップの裏面側に前記電磁波遮蔽部を重ね合わせ
ることによって簡単に電磁シールド構造のＩＣカードを
製造することができる。

【０２５１】（１７）ＩＣカードをフレキシブル配線基
板を用いて製造する場合、前記フレキシブル配線基板部
分にＩＣカードの表裏面を形成するとともに電磁波遮蔽
部となる折り返し部分が設けられていることから、封止
体後あるいは半導体チップの裏面側に前記電磁波遮蔽部
を重ね合わせることによって簡単に電磁シールド構造の
ＩＣカードを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１である半導体集積回路装置
の断面図である。

【図２】本実施形態１の半導体集積回路装置の正面図で
ある。

【図３】本実施形態１の半導体集積回路装置の斜視図で
ある。

【図４】本実施形態１の半導体集積回路装置において電
磁遮蔽部が開いた状態を示す斜視図である。

【図５】本実施形態１の半導体集積回路装置の製造に用
いるリードフレーム等を示す平面図である。

【図６】本実施形態１の半導体集積回路装置の製造にお
いてダム切断が終了したリードフレームを示す平面図で
ある。

【図７】本実施形態１の半導体集積回路装置の製造にお
いて電磁遮蔽部を重ねかつリード成形を終了したリード
フレームを示す平面図である。

【図８】本実施形態１の半導体集積回路装置の実装状態
を示す断面図である。

【図９】本実施形態１の変形例である半導体集積回路装
置の平面図である。

【図１０】本実施形態２の半導体集積回路装置の平面図
である。

【図１１】本実施形態２の半導体集積回路装置の断面図
である。

【図１２】本実施形態２の半導体集積回路装置の製造に
用いるリードフレームの平面図である。

【図１３】本実施形態２の半導体集積回路装置の製造に
用いるリードフレームの側面図である。

【図１４】本実施形態３の半導体集積回路装置の実装状
態を示す断面図である。

【図１５】本実施形態３の半導体集積回路装置の実装状
態を示す断面図である。

【図１６】本実施形態４の半導体集積回路装置の断面図
である。

【図１７】本実施形態５の半導体集積回路装置の断面図
である。

【図１８】本実施形態５の半導体集積回路装置において
電磁遮蔽部が開かれた状態を示す平面図である。

【図１９】本実施形態５の半導体集積回路装置において
電磁遮蔽部が開かれた状態を示す側面図である。

【図２０】本実施形態６の半導体集積回路装置の斜視図
である。

【図２１】本実施形態６の半導体集積回路装置の正面図
である。

【図２２】本実施形態７の半導体集積回路装置の平面図
である。

【図２３】本実施形態７の半導体集積回路装置において
電磁遮蔽部が開かれた状態を示す平面図である。

【図２４】本実施形態８の半導体集積回路装置の断面図
である。

【図２５】本発明の実施形態９である半導体集積回路装
置の斜視図である。

【図２６】本実施形態９の半導体集積回路装置の正面図
である。

【図２７】本実施形態１０の半導体集積回路装置の斜視
図である。

【図２８】本実施形態１０の半導体集積回路装置の正面
図である。

【図２９】本実施形態１１の電磁シールド構造半導体集
積回路装置の正面図である。

【図３０】本発明の実施形態１１の電磁シールド構造半
導体集積回路装置の平面図である。

【図３１】本発明の実施形態１１の電磁シールド構造半
導体集積回路装置の断面図である。

【図３２】本発明の実施形態１１の電磁シールド構造半
導体集積回路装置の正面図である。

【図３３】本発明の実施形態１１の電磁波遮蔽部付キャ
ップの正面図である。

【図３４】本発明の実施形態１１の電磁波遮蔽部付キャ
ップの平面図である。

【図３５】本実施形態１２の電磁シールド構造半導体集
積回路装置の正面図である。

【図３６】本発明の実施形態１２の電磁シールド構造半
導体集積回路装置の平面図である。

【図３７】本発明の実施形態１１の上キャップおよび下
キャップを示す正面図である。

【図３８】本発明の実施形態１１の上キャップを示す平
面図である。

【図３９】本発明の実施形態１１の下キャップを示す平
面図である。

【図４０】本発明の実施形態１２の半導体集積回路装置
の断面図である。

【図４１】本発明の実施形態１３の半導体集積回路装置
の断面図である。

【図４２】本実施形態１３の半導体集積回路装置の製造
に用いられるリードフレームの平面図である。

【図４３】本実施形態１３の半導体集積回路装置の製造
に用いられるリードフレームの側面図である。

【図４４】本実施形態１４の半導体集積回路装置の断面
図である。

【図４５】本実施形態１４の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部を開いた状態の断面図である。

【図４６】本実施形態１４の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部を閉じかけた状態の断面図である。

【図４７】本実施形態１４の半導体集積回路装置の製造
に用いるフレキシブル配線基板を示す平面図である。

【図４８】本実施形態１４の半導体集積回路装置の製造
において絶縁性樹脂が形成されたフレキシブル配線基板
を示す平面図である。

【図４９】本実施形態１４の半導体集積回路装置の製造
において電磁波遮蔽部が折り返えされたフレキシブル配
線基板を示す平面図である。

【図５０】本実施形態１４の半導体集積回路装置の製造
において半田ボールが形成されたフレキシブル配線基板
を示す平面図である。

【図５１】本実施形態１４の半導体集積回路装置の底面
図である。

【図５２】本実施形態１４の半導体集積回路装置の実装
状態を示す断面図である。

【図５３】本実施形態１５の半導体集積回路装置の断面
図である。

【図５４】本実施形態１５の半導体集積回路装置の断面
図である。

【図５５】本発明の実施形態１６である半導体集積回路
装置の実装状態を示す断面図である。

【図５６】本実施形態１６の半導体集積回路装置におい
て電磁遮蔽部が開かれた状態を示す断面図である。

【図５７】本実施形態１６の半導体集積回路装置におい
て電磁遮蔽部が閉じられかけた状態を示す断面図であ
る。

【図５８】本発明の実施形態１７である半導体集積回路
装置を示す断面図である。

【図５９】本実施形態１７の半導体集積回路装置の製造
に用いるフレキシブル配線基板の平面図である。

【図６０】本実施形態１７の半導体集積回路装置におい
て電磁遮蔽部が開かれた状態を示す断面図である。

【図６１】本実施形態１７の半導体集積回路装置におい
て電磁遮蔽部が閉じられかけた状態を示す側面図であ
る。

【図６２】本発明の実施形態１８である半導体集積回路
装置を示す断面図である。

【図６３】本実施形態１８の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の断面図である。

【図６４】本実施形態１８の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の平面図である。

【図６５】本実施形態１８の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の底面図である。

【図６６】本発明の実施形態１９である半導体集積回路
装置において電磁波遮蔽部が開いた状態の断面図であ
る。

【図６７】本実施形態１９の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の平面図である。

【図６８】本実施形態１９の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の底面図である。

【図６９】本実施形態１９の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が閉じかけた状態の断面図である。

【図７０】本実施形態１９の半導体集積回路装置の実装
状態を示す断面図である。

【図７１】本実施形態１９の変形例による半導体集積回
路装置において電磁波遮蔽部が開いた状態の模式的平面
図である。

【図７２】本実施形態２０のＩＣカードの模式的平面図
である。

【図７３】本実施形態２０のＩＣカードの模式的断面図
である。

【図７４】本実施形態２０のＩＣカードの製造における
フレキシブル配線基板を示す平面図である。

【図７５】本実施形態２０のＩＣカードの製造において
樹脂封止されたフレキシブル配線基板を示す平面図であ
る。

【図７６】本実施形態２０の変形例によるＩＣカードの
製造におけるフレキシブル配線基板を示す平面図であ
る。

【符号の説明】

１…半導体集積回路装置、２…封止体（パッケージ）、
３…リード、４…接着剤、５…電磁波遮蔽部、６…グラ
ンド連結リード、７…ダイパット部、８…半導体チッ
プ、９…接着剤、１０…ワイヤ、１５…実装基板、１６
…配線、１７…グランドリード、２０…グランド配線、
２２…リードフレーム、２３…リードフレーム枠、２４
…ダム、２５…タブ吊りリード、２６…吊りリード、２
７…空間領域、２８…絶縁テープ、３０…グランド配
線、３１…側面用電磁遮蔽部、３２…リード対面部、３
３…突片、３４…小領域用電磁波遮蔽部、３５…放熱
部、３６…導電性樹脂、３７…導電性樹脂、４０…電磁
波遮蔽板、４１…半田、４３…フレキシブル配線基板、
４４…絶縁性テープ、４５…配線、４６…半田ボール、
４７…バンプ電極、４８…基板部、４９…デバイスホー
ル、５０…絶縁樹脂、５１…絶縁性樹脂、５２…露出面
側被覆部、５３…実装面側被覆部、５４…吊り部、５５
…半田ボール取付け部、５６…半田、５７…折返部、５
８…接着テープ、５９…スルーホール、６５…接着テー
プ、６６…バンプ電極、７０…電磁波遮蔽部付キャッ
プ、７１…グランドリード、７２…上キャップ、７３…
下キャップ、７４，７５…接着剤、７６，７７…グラン
ドリード、７８…支持キャップ、７９…絶縁性テープ、
８０…スリット、８１…接着剤、８５…電子部品、８６
…ＩＣカード、８７…リードフレーム、８８…リードパ
ターン、８９…ダム、９０…絶縁テープ、９２…外部端
子、９３…突条、９４…絶縁テープ、９５…コネクタ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】封止体と、この封止体の内外に亘って延
在するリードと、前記封止体内に配置される半導体チッ
プと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気的に
接続する接続手段とを有する半導体集積回路装置であっ
て、前記封止体の上面側または上面側と下面側を前記リ
ードのうちのグランドリードにグランド連結リードを介
して連なる導電体からなる電磁波遮蔽部で被ってなるこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】前記半導体チップは前記電磁波遮蔽部の
一面に固定されるとともに、前記電磁波遮蔽部の一面に
は絶縁テープを介してリードが固定され、前記電磁波遮
蔽部の一面側に前記封止体が設けられていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】前記封止体の同一面側の前記電磁遮蔽板
は領域を分けた複数枚の電磁遮蔽部で構成されているこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体
集積回路装置。
【請求項４】前記電磁遮蔽部の一縁に突片が設けら
れ、この突片部分を前記封止体の反対面側にまで変形延
在させて前記電磁遮蔽板を前記封止体に固定することを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載
の半導体集積回路装置。
【請求項５】前記電磁遮蔽部は一部で屈曲して放熱部
を構成していることを特徴とする請求項１乃至請求項３
のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】前記電磁波遮蔽部は前記グランド連結リ
ードから独立して設けられ、前記グランド連結リードは
前記電磁波遮蔽部に接続されていることを特徴とする請
求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体集積
回路装置。
【請求項７】封止体と、この封止体の内外に亘って延
在するリードと、前記封止体内に配置される半導体チッ
プと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気的に
接続する接続手段とを有する半導体集積回路装置であっ
て、前記封止体の上面側または上面側と下面側に重ねら
れる導電体からなる電磁波遮蔽部を有するとともに、前
記電磁波遮蔽部は実装基板のグランド配線に接続される
グランドリードを有していることを特徴とする半導体集
積回路装置。
【請求項８】表面に配線（リード）を有するフレキシ
ブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に固定され
るとともに電極が前記配線に接続されてなる半導体チッ
プと、前記フレキシブル配線基板に設けられた外部端子
とを有する半導体集積回路装置であって、前記フレキシ
ブル配線基板部分には、前記半導体チップ等に折り返し
て重ねられる折返部が一つ以上形成され、前記折返部の
一面には配線を形成する導体層によって形成されかつグ
ランドリードに連結される電磁波遮蔽部が形成されてい
ることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】前記フレキシブル配線基板は前記外部端
子を目視できるような透明な絶縁性テープで形成されて
いることを特徴とする請求項８に記載の半導体集積回路
装置。
【請求項１０】前記外部端子はスルーホールの内側お
よび縁に設けた配線によって形成され、前記スルーホー
ルは実装時溶けて吸い上がる半田を目視できる大きさに
なっていることを特徴とする請求項８または請求項９に
記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】矩形板状の封止体と、この封止体内に
封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って
延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記リー
ドを電気的に接続する接続手段とからなり、前記封止体
から突出して並ぶリードが外部端子となるＩＣカードで
あって、前記封止体の上下面には導体からなる電磁波遮
蔽部が設けられているとともに前記電磁波遮蔽部は前記
封止体内部のグランドリードに接続されていることを特
徴とするＩＣカード。
【請求項１２】矩形のリードフレーム枠と、前記リー
ドフレーム枠の内側から枠中央に向かって相互に平行に
延在する複数のリードと、前記リードを連結するととも
にトランスファモールド時の樹脂の流出を防止するダム
と、枠の中心に配置されかつ半導体チップが固定される
ダイパット部と、前記リードフレーム枠に固定され前記
ダイパット部を支持するタブ吊りリードとを有し、前記
ダムの内側の領域にパッケージが形成されるリードフレ
ームであって、前記枠の隅部分に形成され前記リードの
うちのグランドリードにグランド連結リードを介して連
結されかつ前記グランド連結リードでの折り返しによっ
て前記パッケージに重ねられる電磁波遮蔽部とを有する
リードフレーム。
【請求項１３】矩形のリードフレーム枠と、前記リー
ドフレーム枠の内側から枠中央に向かって相互に平行に
延在する複数のリードと、前記リードを連結するととも
にトランスファモールド時の樹脂の流出を防止するダム
とを有し、前記リードフレーム枠の中心部分には半導体
チップが配置される空間領域が形成されるとともに、前
記ダムの内側の領域にパッケージが形成されるリードフ
レームであって、前記枠の隅部分に形成され前記リード
のうちのグランドリードにグランド連結リードを介して
連結されかつ前記グランド連結リードでの折り返しによ
って前記リードに絶縁性接合体を介して固定され、前記
空間領域の底体を形成する電磁波遮蔽部と、前記枠の隅
部分に形成され前記リードのうちのグランドリードにグ
ランド連結リードを介して連結されかつ前記グランド連
結リードでの折り返しによって前記パッケージに重ねら
れる電磁波遮蔽部とを有するリードフレーム。
【請求項１４】表面に配線（リード）を有するフレキ
シブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に固定さ
れるとともに電極が前記配線に接続されてなる半導体チ
ップと、前記フレキシブル配線基板に設けられた外部端
子と、前記半導体チップ等に絶縁的に重ねられかつ電磁
シールドする電磁波遮蔽部を有する折返部を有する半導
体集積回路装置の製造に用いるフレキシブル配線基板で
あって、前記フレキシブル配線基板部分には、前記半導
体チップ等に折り返して重ねられる折返部が一つ以上形
成され、前記折返部の一面には配線を形成する導体層に
よって形成されかつグランドリードに連結される電磁波
遮蔽部が形成されていることを特徴とするフレキシブル
配線基板。
【請求項１５】矩形板状の封止体と、この封止体内に
封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って
延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記リー
ドを電気的に接続する接続手段とを有し、前記封止体か
ら突出して並ぶリードが外部端子となり、前記封止体の
上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられている
とともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグランド
リードに接続されてなるＩＣカードの製造に用いるリー
ドフレームであって、前記リード，グランドリード，電
磁波遮蔽部等は一枚の金属板をパターニングして形成さ
れていることを特徴とするＩＣカード製造用リードフレ
ーム。
【請求項１６】矩形板状の封止体と、この封止体内に
封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って
延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記リー
ドを電気的に接続する接続手段とを有し、前記封止体か
ら突出して並ぶリードが外部端子となり、前記封止体の
上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられている
とともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグランド
リードに接続されてなるＩＣカードの製造に用いるフレ
キシブル配線基板であって、前記リード，グランドリー
ド，電磁波遮蔽部等は一枚のフレキシブルな絶縁性テー
プの表面に形成されていることを特徴とするＩＣカード
製造用フレキシブル配線基板。