JPS63182197A

JPS63182197A - Ｌｓｉカ−ド

Info

Publication number: JPS63182197A
Application number: JP62012559A
Authority: JP
Inventors: 田部井　雅利
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1987-01-23
Filing date: 1987-01-23
Publication date: 1988-07-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はＬＳＩカードに関し、更に限定すれば、外部と
の信号のやりとりが非接触式のＬＳＩカードに関する。

（従来技術）近年、磁気カードと同じ大きさにＩＣチップを実装し、
磁気カードに比べて、処理能力と記憶容量に勝るＬＳＩ
カードが開発されている。

このＬＳＩカードとリーダ／ライタとの信号のやりとり
は、リーダ／ライタのコンタクトがカード電極と接触す
る接触式と接触電橿のない非接触式とに分けられる。

（発明が解決しようとする問題点）接触式としては例えば金属の接触ビンを用いたものが有
るが、この方式では接触部の信幀性が問題となってカー
ド寿命が数千〜数万回程度の耐久性しか得られていない
。また、静電気に対する問題も大きい、一方、非接触式
としてプリントコイルを用いて電磁的に信号をやり取り
する方法が有るが、コイルの占有面積が大きく有限なＬ
ＳＩカードのチップ実装密度を圧迫する欠点が有った。

本発明の目的は、上記事情に基づいて行われたもので、
チップの高密度実装と可能にして例えば高密度記録媒体
として使用でき、しかもカード寿命を長く維持できる非
接触式のＬＳＩカードを提供することにある。

（問題点を解決するための手段）本発明の上記目的は、ＩＣチップが内蔵されたＬＳＩカ
ードにおいて、発光素子アレイおよび受光素子アレイま
たは固体描像素子から成る信号授受部を存し、光信号に
より外部との信号の受渡しが行われることを特徴とする
ＬＳＩカードにより達成される。

（作用）カード内に収納されているデータおよびプログラムは、
発光素子アレイを介してリーダに読取られ、一方、ライ
クから出力されるデータおよびプログラムは受光素子ア
レイを介して書込まれる。

従って、リーダ／ライタにもカードに対応した受光素子
アレイおよび発光素子アレイから成る信号授受部が設け
られている。

（実施例）本発明の実施例を以下図面により説明する。

図の１実施例では、ＬＳＩカードとしてメモリ・カード
が記載されている。すなわちＬＳＩカード１に実装され
るＩＣチップ２として例えばＲＡＭが用いられており、
しかもＣＭＯＳスタチックＲＡＭが用いられている。従
って、ＲＡＭに格納されるデータやプログラムは、同し
く内蔵された電池３のバックアップによって保存される
。ＲＡＭはデータ・アドレス・バス４を介して信号処理
回路５と接続されており、データおよびプログラムは信
号処理回路５によりライト時およびリード時にそれぞれ
出力側のフォーマットに合った形に信号処理される。信
号授受部は発光ダイオードアレイ６および受光ダイオー
ドアレイ７により構成されており、発光ダイオードアレ
イ６は信号処理回路５により制御される駆動回路８によ
って発光され、データおよびプログラムが、カードを装
填したリーダ／ライタ９の受光素子アレイ１０によって
読取られる。また、リーダ／ライタ９の発光ダイオード
アレイ１１を通して書込まれるデータおよびプログラム
はカードの受光ダイオードアレイ７を介して信号処理回
路５に入力される。

なお、カードとリーダ／ライタ間では、データおよびプ
ログラム転送の他に、リセット、各種コマンド、パスコ
−Ｙ等の信号授受が行われる。

上述のように構成されたＬＳＩカードは、信号授受部お
よび周辺回路を含むＩＣメモリを同一シリコンチップ上
に形成できる。

すなわち、発光ダイオードおよび受光素子による光通信
用デバイスは、シリコン単結晶基板上にＧａＡｓを堆積
させた化合物半導体層により形成できる。

更に詳述すれば、光デバイスを構成するＰＮ接合は、Ｇ
ａＡｓ化合物半導体層に例えばＳｎ等の不純物を混入し
てＮ形結晶とし、その表面に例えば少量のＺｎを、ダイ
オードを形成する形状に選択拡散させて、エピタキシャ
ルによるＰ形を作って形成できる。

一方、ＩＣメモリを含む半導体素子は、従来より周知の
とおり前記シリコン単結晶基板を用いて形成されており
、従って、前述の光デバイスおよび他の半導体素子を同
一チップとして形成できる。

また、信号授受部および周辺回路を含むＩｃチップをＧ
ａＡｓ化合物半導体単結晶基板上に形成してもよい。

なお、前記受光素子は一般にＰＩＮ構造のフォト・ダイ
オードに設けて、応答性がよくされている。また、受光
素子をフォト・ダイオードに代えてＣＣＤで設けること
もできる。

前記実施例では、ＬＳＩカードをメモリカードとして記
載したが、ＩＣ内蔵回路としてマイクロプロセサを組合
わせたものや、論理回路、アナログ回路等を有したＬＳ
Ｉカードにも、本発明は適用できる。

（発明の効果）本発明のＬＳＩカードによれば、外部との信号授受に光
通信用デバイスを用いているので、たとえばビン接触式
の場合にビン端子ピッチをミリ・オーダ以下に設けるこ
とは困難であるが、これに対して光通信用デバイスは１
ピクセル当り数μ〜数十μであり、信号授受部がコンパ
クトに形成できる。また、信号授受部がコンパクト化さ
れた分だけ半導体チップ実装密度を高めることもできる
。

また、発光ダイオードおよび受光ダイオードを、シリコ
ン基板上のＧａＡｓ化合物半導体層により同一チップ上
に形成でき、しかも他の半導体素子も同一チップに形成
できるので、この点からもコンパクト化が達成できる。

更に非接触式であるので、カード寿命も長くできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例を説明するＬＳＩカードおよ
びリーダ／ライタの構成図である。ｌ・・・ＬＳＩカード、２・・・ＩＣチップ、３・・・
電池、４・・・データ・アドレス・バス、５・・・信号
処理回路、６．１１・・・発光ダイオードアレイ、７，
１０・・・受光ダイオードアレイ、８・・・駆動回路、
９・・・リーダ／ライタ。第　　１旦−リーク／ヲィタ

Claims

【特許請求の範囲】１）　ＩＣチップが内蔵されたＬＳＩカードにおいて、
発光素子アレイおよび受光素子アレイまたは固体撮像素
子から成る信号授受部を有し、光信号により外部との信
号の受渡しが行われることを特徴とするＬＳＩカード。２）　信号授受部および周辺回路を含むＩＣチップが同
一シリコン基板上に形成されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のＬＳＩカード。３）　シリコン単結晶基板上に堆積されたＧａＡｓ化合
物半導体層に不純物を混入およびエピタキシャル成長し
て信号授受部が形成されることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項に記載のＬＳＩカード。４）　信号授受部および周辺回路を含むＩＣチップがＧ
ａＡｓ化合物半導体単結晶基板上に形成されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＬＳＩカード。