JPS63184322A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS63184322A JPS63184322A JP1645987A JP1645987A JPS63184322A JP S63184322 A JPS63184322 A JP S63184322A JP 1645987 A JP1645987 A JP 1645987A JP 1645987 A JP1645987 A JP 1645987A JP S63184322 A JPS63184322 A JP S63184322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- thin film
- electrode
- heater
- Prior art date
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- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造等に用いる薄膜形成装置に
関するものである。
関するものである。
第２図は例えば特開昭６１−４３４１１号公報に示され
た従来のプラズマガス励起による気相化学反応薄膜形成
装置の模式断面側面図である。図において、（１）は被
加工基板、（２）は基板（１）を所定の温度に加熱する
ヒータ、（３）はこれらを収容する反応室。
た従来のプラズマガス励起による気相化学反応薄膜形成
装置の模式断面側面図である。図において、（１）は被
加工基板、（２）は基板（１）を所定の温度に加熱する
ヒータ、（３）はこれらを収容する反応室。
（４）は基板（１）表面に形成される薄膜の成分含むガ
ス（例えばシリコンであれば、シランガス等で以後「材
料ガス」と呼ぶ）Ｇ１８反応室（３）内へ供給する材料
ガス給気部、（５）はプラズマ発生部で１例えばのガス
偽はプラズマ状に変わる。母は上記プラズマ発生ｇ（Ｓ
＋５）でプラズマ化した＠２のガスＧ２を反応室＋３）
内に供給するプラズマガス給気部、（７）は反応成虫ガ
スを排気する排気部である。
ス（例えばシリコンであれば、シランガス等で以後「材
料ガス」と呼ぶ）Ｇ１８反応室（３）内へ供給する材料
ガス給気部、（５）はプラズマ発生部で１例えばのガス
偽はプラズマ状に変わる。母は上記プラズマ発生ｇ（Ｓ
＋５）でプラズマ化した＠２のガスＧ２を反応室＋３）
内に供給するプラズマガス給気部、（７）は反応成虫ガ
スを排気する排気部である。
次（こ動作について、ここでは窒化膜の形成について説
明する。基板ｉ１）をヒータ（２）で所定の温度（例え
ば３００℃）に加熱保持し、Ｎ２ガスをプラズマ発生部
（５）を通し、プラズマ化し、プラズマガス給気部（６
）から導入、材料ガスＧ１である７ランを材料ガス給気
部（４）から導入する。反応室（３）内ではＮガスとシ
ランとが混合し１反応が起り、基板（１）表面には窒化
硅素の薄膜が形成される。反応室（３）内の圧力は所定
の圧力（例えば１Ｔｏｒｒ程度）に保持されるようにＮ
２ガスやシランの混合ガスや反応酸生物を排気部（７）
力）ら排気する。上記の状態を所定時間続けると必要膜
厚の窒化硅素の薄膜を基板口）の表面に形成することが
できる。
明する。基板ｉ１）をヒータ（２）で所定の温度（例え
ば３００℃）に加熱保持し、Ｎ２ガスをプラズマ発生部
（５）を通し、プラズマ化し、プラズマガス給気部（６
）から導入、材料ガスＧ１である７ランを材料ガス給気
部（４）から導入する。反応室（３）内ではＮガスとシ
ランとが混合し１反応が起り、基板（１）表面には窒化
硅素の薄膜が形成される。反応室（３）内の圧力は所定
の圧力（例えば１Ｔｏｒｒ程度）に保持されるようにＮ
２ガスやシランの混合ガスや反応酸生物を排気部（７）
力）ら排気する。上記の状態を所定時間続けると必要膜
厚の窒化硅素の薄膜を基板口）の表面に形成することが
できる。
従来の薄膜形成装置は以上のような構成であり。
材料ガスやプラズマガスを基板表面に向って運動させる
エネルギーを与える機構がなかったので。
エネルギーを与える機構がなかったので。
基板表面（こ形成した膜のち密さが不足し、また基板と
膜との密着力も不足し、さらに、成膜速度も遅いなどの
問題点があった。
膜との密着力も不足し、さらに、成膜速度も遅いなどの
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、形成された膜は、緻密で、基板との密着力の
不足を解消し、成膜速度の向上が計れる薄膜形成装置を
得ることを目的とする。
たもので、形成された膜は、緻密で、基板との密着力の
不足を解消し、成膜速度の向上が計れる薄膜形成装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る薄膜形成装置は、プラズマガス中のイオ
ン（電荷を帯びた粒子）に運動エネルギーを与えるべく
電界をかける電極を設けるようにしたものである。
ン（電荷を帯びた粒子）に運動エネルギーを与えるべく
電界をかける電極を設けるようにしたものである。
〔作用］
この発明に８ける薄膜形成装置では、被加工基板に対向
して電極を設け、’ｉｔ界を形成し、イオン化したガス
粒子を高速で基板表面に向けて移動させ、衝突させるこ
とにより、膜は緻密となり、基板との密着力も向上する
。さらに、浮遊粒子を高速で基板方向へ移動させること
ができるので、成膜速度も速くなる。
して電極を設け、’ｉｔ界を形成し、イオン化したガス
粒子を高速で基板表面に向けて移動させ、衝突させるこ
とにより、膜は緻密となり、基板との密着力も向上する
。さらに、浮遊粒子を高速で基板方向へ移動させること
ができるので、成膜速度も速くなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、Ｃ１）〜（７）は従来装置と同一構成で同
一機能をはたす。（８）は基板（１）およびヒータ（２
）に対向し、給気部（４） 、 （６）から供給される
材料ガスＧ１及び第２のガスＧ２を基板（１）およびヒ
ータ（２）で挾みつける形で配置された電極、（９）は
電極（８）に接続された電源、 ＱＯはヒータ（２１に
接続された接地線であり、電極（８）とヒータ（２）表
面との間に任意の電圧が７１）かるようになっている。
図において、Ｃ１）〜（７）は従来装置と同一構成で同
一機能をはたす。（８）は基板（１）およびヒータ（２
）に対向し、給気部（４） 、 （６）から供給される
材料ガスＧ１及び第２のガスＧ２を基板（１）およびヒ
ータ（２）で挾みつける形で配置された電極、（９）は
電極（８）に接続された電源、 ＱＯはヒータ（２１に
接続された接地線であり、電極（８）とヒータ（２）表
面との間に任意の電圧が７１）かるようになっている。
この実施例装置の成膜動作は、従来装置と同様にし、さ
らに、成膜時、電極（８）とヒータ（２）との間に電界
をかけておく。上記電極（８）とヒータ（２）との間に
電界をかけることにより、第１図の矢印Ａ。
らに、成膜時、電極（８）とヒータ（２）との間に電界
をかけておく。上記電極（８）とヒータ（２）との間に
電界をかけることにより、第１図の矢印Ａ。
Ｂはガス粒子の流れ方向を示すが、基板（１）へ向う流
れを示す矢印Ｂ方向の高速のガス粒子が多くなる。これ
は、イオン化したガスに電界が働き、粒子が加速され高
速となるものである。
れを示す矢印Ｂ方向の高速のガス粒子が多くなる。これ
は、イオン化したガスに電界が働き、粒子が加速され高
速となるものである。
また、上記説明において、窒化硅素の薄膜形成の場合、
ｌ１ｇ２のガス鳴としてＮ２を用いたが、酸化硅素膜を
作るときは、Ｎ２ガスの代りにＮ２０ガスを、アモルフ
ァスシリコンを作るときはＮ２ガスの代りにをガス等を
用い、同様の動作をするとそれぞれの成膜ができ、上記
実施例と同様の効果が得られる。
ｌ１ｇ２のガス鳴としてＮ２を用いたが、酸化硅素膜を
作るときは、Ｎ２ガスの代りにＮ２０ガスを、アモルフ
ァスシリコンを作るときはＮ２ガスの代りにをガス等を
用い、同様の動作をするとそれぞれの成膜ができ、上記
実施例と同様の効果が得られる。
以上のように、この発明によれば、プラズマガス粒子を
基板方向へ加速する電界を発生する電極を設けたことに
より、上記ガス粒子を高速で多量ζこ基板に衝突させる
ことができるようになった。
基板方向へ加速する電界を発生する電極を設けたことに
より、上記ガス粒子を高速で多量ζこ基板に衝突させる
ことができるようになった。
その結果、基板上に形成される薄膜は緻密で、密着力が
向上し、成膜速度も速くなるという効果が得られた。
向上し、成膜速度も速くなるという効果が得られた。
第１図はこの発明の一実施例による薄膜形成装置を示す
模式断面側面図、第２図は従来の薄膜形成装置を示す模
式−「面側面図である。 図において、（１）は被加工基板、（２）はヒータ、（
３）は反応室、（４）は材料カス給気部、（５］はプラ
ズマガス発生部、（６）はプラズマガス給気部、（７）
は排気部、（８）は電極、（９）は電源、 Ｑｌは接地
線である。 なお１図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 早 瀬 憲 − 手続補正書（自発） 昭和６２年８月２５日
模式断面側面図、第２図は従来の薄膜形成装置を示す模
式−「面側面図である。 図において、（１）は被加工基板、（２）はヒータ、（
３）は反応室、（４）は材料カス給気部、（５］はプラ
ズマガス発生部、（６）はプラズマガス給気部、（７）
は排気部、（８）は電極、（９）は電源、 Ｑｌは接地
線である。 なお１図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 早 瀬 憲 − 手続補正書（自発） 昭和６２年８月２５日
Claims (2)
- （１）被加工基板がその上に載置され上記基板を加熱す
るヒータを収容する反応室と、この反応室内を排気する
排気部と、 上記基板上に形成すべき薄膜を構成する１つの元素を含
む材料ガスを上記反応室内へ供給する材料ガス給気部と
、 上記材料ガス以外の第２のガスをイオン化するプラズマ
発生部と、 このプラズマ発生部を経た上記第２のガスを上記反応室
内へ供給するプラズマガス給気部とを有する薄膜形成装
置において、 上記反応室内に上記イオン化したガスを上記基板に衝突
させるような電界を生じさせる電極を備えたことを特徴
とする薄膜形成装置。 - （２）電極は被加工基板に対向して設けられ、この電極
とヒータとの間に所要の電圧を印加するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1645987A JPS63184322A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1645987A JPS63184322A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63184322A true JPS63184322A (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=11916831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1645987A Pending JPS63184322A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63184322A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010842A (en) * | 1988-10-25 | 1991-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP1645987A patent/JPS63184322A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010842A (en) * | 1988-10-25 | 1991-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film |
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