JPS63184332A - シリル化処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、有機ポリマ膜表面に光化学反応を利用して
有機シランを選択的に付加させることにより、半導体や
各種電子デバイス用基板などの上に微細パターンを高精
度で形成することのできる装置に関する。

「従来技術とその問題点Ｊ 従来、極めて微細なパターンを半導体や各種電子デバイ
ス基板などの上に高精度に形成するに有効な方法として
、多層し・シスト法（一般的には２層または３層レジス
ト法）が開発されている。

これらの方法は、レジスト単層膜にパターン形成を行う
場合に比べ、被処理体の基板表面に存在する段差に伴う
レジスト膜厚の局所的な変動を起因とするパターン形成
特性への悪影響を取り除くことが可能であり、かつ像を
形成する最」二層のレジスト膜厚をレジスト単層膜の場
合に比べ薄くできるため、微細パターンまで精度よく形
成できる利点がある反面、工程が複雑で、しかも特殊な
レジスト材料が必要であるなど、実用上いくつかの大き
な問題点を有している。これらの問題点について、第１
１図ないし第１３図に示した従来の２層レジスト法の各
工程を示す図を用いて説明する。

この２層レジスト法の最大の特徴は、第１１図に示すよ
うにパターン形成を行う上層レジスト８１に酸素プラズ
マ耐性のあるレジスト材料を用いることにある。このよ
うなレジスト材料が開発できるならば、下層の有機ポリ
マ層８２を第１２図に示ず上層レジストパターン８１ａ
をマスクとして直接第１３図に示すようにドライエツチ
ングすることができるのである。

一方、有機物からなるレジスト材料に酸素プラズマ耐性
を付与する方法としては、これまでレジスト材料となる
ポリマの主鎖ないし側鎖にＳｉを含む化合物を共重合、
グラフト重合ないしエステル化反応等によって付加した
Ｓｉ含有レジスト材料がいくつか開発されている。

しかしながら、一般にＳｉを含有させたポリマは、溶媒
に対する溶解性や感度、パターンの解像度などし・シス
トとしての必要な基本特性が損なわれる。

よって、レジスト材料にその基本特性を十分に満足させ
、なおかつ酸素プラズマ耐性を同時に付与することは極
めて困難であり、現在のところその総合特性が十分に備
えられたレジスト材料が提供されていない。

このような理由により、２層レジスト法などの多層レジ
スト法が実用に供されるまでには至っておらず、このた
め半導体や各種電子デバイス用基板などの上に微細パタ
ーンを高精度で形成することのできる装置も提供されて
いないのが実状である。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、被処理体の
非Ｓｉ含有レジスト表面をシリル化し、Ｓｉ含有レジス
トに匹敵する酸素プラズマ耐性を付与することのできる
処理装置を提供することを目的とするものである。

「問題点を解決するための手段」 この発明のシリル化処理装置は、被処理体を処理するた
めのチャンバと、このチャンバ内に遠紫外線を照射する
照射部と、上記チャンバ内に有機シラン液あるいはその
蒸気を導入するための導入手段を備えることにより、前
記問題点の解決を図ったしのである。

以下に光化学的にレジスト表面をシリル化する＝３− 基本原理を２層レジスト法を例とし、第９図および第１
Ｏ図を参照して説明する。

まず、第９図あるいは第１０図に示すように容器７１の
中に有機シラン液７２を満たす。また、基板７３」−に
遠紫外線に不活性なポリマを塗布して下層ポリマ膜７４
を形成し、その上に遠紫外線に活性なポリマからなる上
層パターン７５を既知のりソグラフィ技術を用いて形成
し、被処理体７６とする。次に、上記被処理体を第９図
に示すように有機シラン溶液７２中に浸漬するか、ある
いは第１０図に示すように有機シラン蒸気７２ａ雰囲気
中にさらす。

次いで、被処理体７６に遠紫外線を照射して上層パター
ン７５のみをシリル化し、照射処理終了後被処理体７６
を容器７１より取り出す。その後、酸素ガスによってリ
アクティブイオンエツチングを行うことにより、シリル
化されていない下層ポリマ膜７４の部分を選択的にエツ
チングしてパターンを形成する。

「実施例」 以下、この発明の実施例について詳しく説明する。

第１図はこの発明の第１実施例を示す図であって、枚葉
式のシリル化処理装置を示すものである。

図中符号１はシリル化処理を施すための被処理体であり
、この被処理体ｌはチャンバ２内で処理される。チャン
バ２は箱状のものであり、その上面あるいは下面を開口
部とするものである。このチャンバ２の開口部は透明な
石英ガラスなどからなる蓋３によってその開口が封止さ
れるようになっており、これによってチャンバ２内は気
密に保たれる。チャンバ２の上方には、照射部４が図示
しない支持体などにより取り付けられて配置されている
。この照射部４は、水銀灯などからなるもので、蓋３を
介してチャンバ２内の被処理体１に遠紫外線を照射し、
光化学的処理を施すものである。

チャンバ２の一側面には導入管５がチャンバ２内に連通
して接続されており、この導入管５にはアルキルシラン
などの有機シラン液６を充填した容器７が連結されてい
る。導入管５は、容器７内に連通しており、これによっ
て有機シラン液６あるいはその蒸気６ａがチャンバ２内
に導入されるようになっている。また、この導入管５に
は、その経路中に有機シラン液６あるいはその蒸気６ａ
のチャンバ２内への流入量を調整するための流量調整器
８が配設されている。容器７は、気化器９内に配置され
ている。気化器９は、ヒータを有し、その内部に充填し
た水、油などを介して容器７内の有機シラン液６を加熱
するものであり、図示しないザーモスタットにより制御
されて有機シラン液６を所定の温度に保つものである。

容器７には、その内部に通気管１０が挿通されている。

この通気管１０は、その一端が容器７内の底部近傍にま
で達し、また他端がキャリヤガスとなる窒素ガス等の不
活性ガスの供給源１１に接続されたものであって、その
中間部には供給源１１からのキャリヤガスの容器７への
流入を制御するバルブ１２が配設されている。

マタ、チャンバ２の他側面にはパージ用通気管１３がチ
ャンバ２内に連通して接続されており、さらにチャンバ
２の底部には吸引管１４がチャンバ２内に連通して接続
されている。パージ用通気管１３には、そのチャンバ２
と反対側の端部にパージガスとなる窒素ガス等の不活性
ガスの供給源１５が接続されており、またその中間部に
は供給源１５からのキャリヤガスの容器７への流入を制
御するバルブ１６が配設されている。吸引管１４には、
そのチャンバ２と反対側の端部に真空ポンプ等の負圧源
１７が接続されており、またその中間部には排気管１８
が分岐して連結されている。さらに、この吸引管１４に
は、排気管１８に対してチャンバ２側にチャンバ２内の
圧力を表示する圧力計１９が取り付けられ、排気管１８
に対して負圧源１７側に該負圧源１７によるチャンバ２
からの吸引を制御するためのバルブ２０が配設されてい
る。排気管１８には、その吸引管１４と反対側の端部に
回収部２１が接続されており、これによってチャンバ２
から排気された有機シラン液６あるいはその蒸気６ａが
回収部２１に導かれるようになっている。また、この排
気管１８には、その中間部にチャンバ２からの排気を制
御するためのバルブ２２が配設されている。

次に、このような構成のシリル化処理装置による被処理
体１のシリル化法として、常圧法、減圧法、キャリヤガ
ス法についてそれぞれ説明する。

常圧法では、まず被処理体Ｉをチャンバ２内の設置台２
３の」二に載置し、蓋３をしてチャンバ２内を気密にす
る。ここで、被処理体１は、レジスト材料からなる遠紫
外線に活性なポリマ層（有機ポリマ膜）が予め基板状に
形成されたものである。

次に、気化器９により容器７を加熱して有機シラン液６
を気化させ、また流量調整器８を調整して有機シラン液
６の蒸気６ａの所定量を導入管５を介してチャンバ２内
に導入し、被処理体ｌの表面に放射せしめる。その後、
照射部４より遠紫外線を照射し、被処理体ｌのレジスト
表面をシリル化する。なお、有機シラン液６の蒸気６ａ
がチャンバ２内に充満してその内圧が所定の圧より高く
なった際には、排気管１８のバルブ２２を開放して排気
し、所定内の圧力に下げる。また、シリル化が終了した
後には、気化器９による加熱を停止して有機シラン液６
を常温にもどし、さらに流量調整器８により導入管５を
遮断した後、供給源１５より通気管１３、バルブ１６を
介してパージガスをチャンバ２内に導入し、チャンバ２
内の有機シラン液６の蒸気６ａを排気管１８から排出せ
しめる。そして、チャンバ２内がパージガスにより十分
に置換された後、被処理体ｌを取り出し、図示しない酸
素のりアクティブイオンエッヂング装置により加工する
。

減圧法では、上述の常圧法と同様に被処理体１をチャン
バ２内に入れ蓋３をした後、吸引管１４のバルブ２０を
開放し、負圧源１７を作動させてチャンバ２内を負圧に
する。次に、流量調整器８を調整して容器７内とチャン
バ２内とを連通せしめ、かつ圧力計１９でモニタするこ
とによってチャンバ２内を所定の負圧に維持する。する
と有機シラン液６は、容器７内が減圧されることによっ
てその気化が促進され、またその蒸気６ａは、容器７内
とチャンバ２内との圧力差によってチャンバ２内に導か
れる。次いで、照射部４より遠紫外線を照射し、被処理
体ｌのレジスト表面をシリル化する。

そして、シリル化が終了した際には、負圧源１７の作動
を停止し、バルブ２０を閉じた後、上述の常圧法と同様
にチャンバ２内をパージし、被処理体ｌを取り出してこ
れを酸素のりアクティブイオンエツチング装置により加
工する。

この方法で処理して得たものの一例として、レノスト表
面をシリル化した被処理体１の酸素のりアクティブイオ
ンエツチングの実験結果を第２図に示す。

リアクティブイオンエツチングは、酸素ガス雰囲気中に
おいて高周波入力６５　ｍＷ　／　ａｍ’一定の条件に
より平行平板型リアクティブイオンエツチングした場合
のエツチング速度を示したもので、実線Ａはアルキルシ
ラン溶液として（ＣＨ３）２５ｉＨｃ１を用い、１０分
間遠紫外線を照射してシリル化したＡ　Ｚ　１３５０レ
ジスト（成分はクレゾール・ノボラック樹脂と０−ナフ
トキノンジアジド感光剤の混合物）の場合の例で、点線
Ｂはシリル化しなかったＡ　Ｚ　１３５０レジストの場
合である。

この結果、シリル化することにより酸素ガス中でのエツ
チング速度を顕著に低減せしめることでき、ｌ／２０以
下のエツチングレート化が得られ、よって酸素プラズマ
耐性を大幅に向上できることが分かった。

さらにキャリヤガス法では、上述の常圧法と同様に被処
理体ｌをチャンバ２内に入れ蓋３をした後、通気管１０
のバルブ１２を開放し、キャリヤガスの供給源１１より
窒素等のキャリヤガスを容器７内に導入する。すると容
器７内に導入されたキャリヤガスは、容器７の底部近傍
より有機ソラン液６中を上昇することによって、該有機
シラン液６の気化を促進せしめ、かっこの有機シラン液
６の蒸気６ａを伴って導入管５に流入する。また、キャ
リヤガスを容器７に導入する前に、予め流量調整器８を
調整することにより、導入管５に導かれた有機シラン液
６の蒸気６ａを伴うキャリヤガスの所定量が、チャンバ
２内に導入されるようにしておく。そして、チャンバ２
内に所定量の有機シラン液６の蒸気６ａが導入された後
、照射部４より遠紫外線を照射し、被処理体ｌのレノス
ト表面をシリル化する。さらに、シリル化が終了した際
にｌｌ− は、バルブ１２を閉じた後、上述の常圧法や減圧法と同
様にチャンバ２内をパージし、被処理体ｌを取り出して
これを酸素のりアクティブイオンエツチング装置により
加工する。なお、有機シラン液６の気化を促進するため
、気化器９により容器５７を加熱してもよく、その場合
には容器７中に導入するキャリヤガスの流量を少なくす
ることができる。

また、このシリル化処理装置では、蓋３に用いた石英ガ
ラスの種類や照射部４に用いた遠紫外光源の種類、さら
には被処理体Ｉのポリマ層を形成するレジスト材料の種
類を選定することにより、ソリル化反応の選択が行える
。以下にその方法について説明する。

上記石英ガラスや遠紫外光源、レジスト材料の種類は、
第３図および第４図に示す被処理体６１の上層レジスト
膜６２もしくは第５図および第６図に示す被処理体６４
の下層レジスト膜６６のどちらをシリル化するかによっ
て使いわけられる。ここで、第３図および第４図は上層
レジスト膜６２をシリル化する場合の例を示すもので、
第５図は上層レジスト膜６２の表面６２ａがシリル化さ
れた状態を示し、また第４図は上層レジスト膜６２の表
面６２ａがシリル化された後、酸素のりアクティブイオ
ンエツチングによって下層レジスト膜６３がエツチング
された状態を示している。また、第５図および第６図は
下層レジスト膜６６をシリル化する場合の例を示すもの
で、第５図は下層レジスト６６の表面６６ａがシリル化
された状態を示し、また第６図は下層レジスト膜６６の
表面６６ａがシリル化された後、酸素のりアクティブイ
オンエツチングによって上層レジスト膜６５がエツチン
グされた状態を示している。

そして、これらの図に示すように、第４図に示した被処
理体６１と第６図に示した被処理体６４とは、互いに反
転したパターンを形成したものとなっている。

次に、上記のようなシリル化を行う場合の具体的な条件
について述べる。第３図および第４図に示すようなシリ
ル化を行うには、第１図に示した蓋３に用いる石英ガラ
スとして、波長２１Ｏｒ＋ｎ＋以下の遠紫外線を通ず合
成石英板を使用する。また、上層レノスト膜６２として
紫外線に感光するＡＺ１３５０などのレジストや電子ビ
ームに感光するＰＭＭＡなどのレジストを、また下層レ
ジスト膜６３としてポリイミドなどの非感光性ポリマを
使用する。

さらに、第１図に示した照射部４に用いる水銀灯として
、波長２５０ｎｍにスペクトルを持つ低圧水銀灯や高圧
および超高圧水銀灯などの他、Ｘｅ−Ｘｇ灯、マイクロ
波放電水銀灯などの遠紫外光源を使用する。

一方、第５図および第６図に示すようなシリル化を行う
には、蓋３に用いる石英ガラスとして、波長２１０ｎｍ
を通さないオゾンレス石英板を使用し、照射部４に用い
る遠紫外光源として、波長１８４．９ｎｍを通さず、波
長２５４ｎｍのみを通すオゾンレス低圧水銀灯を使用す
る。この場合に、上層レジスト膜６５として２５０ｎｍ
以下の紫外線のみを吸収するＰＭＭＡ、ＥＢＲ−９など
のポリメタクリ系電子ビーム用レジストを用いても、こ
のレジストはシリル化されない。また、下層レジスト膜
６６にシリル化するクレ゛ゾール・ノボ′ラック１ｔｌ
ｌ旨やハードベークした紫外線レジストなどのポリマを
用いれば、下層レジスト膜６６のみがシリル化され、そ
の結果第４図に示した被処理体６１に対して反転したパ
ターンが形成される。

このように、被処理体の上層および下層レジスト膜に用
いた材料に応じて第１図に示した蓋３に用いる石英ガラ
ス、照射部４に用いる遠紫外光源の種類を選択すること
により、紫外線用のレジストをシリル化することおよび
電子線用のレジストをシリル化したりあるいはシリル化
しないことが可能となり、よって反転パターンを容易に
形成することができる。

第７図はこの発明の第２実施例を示す図であって、イン
ラインのシリル化処理装置を示すものである。図中符号
３１．３１・・・はシリル化処理するためのウェーハ（
被処理体）であり、このウェーハ３１は処理室（チャン
バ）３２内で処理される。処理室３２は、内部を処理空
間とする直方体状のもので、その上面部には石英ガラス
等の遠紫外線を透過する材料からなる蓋３３が取り付け
られている。また、この蓋３３は着脱可能になっており
、これによって目的に応じた種々の材料からなる蓋が使
用可能になっている。処理室３２の上方には、照射部３
４が図示しない支持体などにより取り付けられて配置さ
れている。この照射部３４は、複数の水銀灯などからな
るもので、処理室３２の蓋３３を介して処理室３２内の
ウェーハ３１．３１　　に遠紫外線を照射し、光化学的
処理を施すものである。また、この処理室３２の一側面
には、該処理室３２内に連通ずる通気管３５が接続され
ており、この通気管３５にはアルキルシランなどの有機
ソラン液３６を充填した容器３７が連結されている。通
気管３５は、容器３７内に連通しており、これによって
有機シラン液３６あるいはその蒸気３６ａが処理室３２
内に導入されるようになっている。また、この通気管３
５には、その経路中に有機シラン液３６あるいはその蒸
気３６ａの処理室３２内への流入を制御するためのバル
ブ３８が設けられている。容器３７は、気化器３９内に
配置されている。

気化器３９は、第１図に示した気化器９と同様に容器３
７内の有機シラン液３６を加熱するものであり、図示し
ないサーモスタット等により制御されて有機シラン液３
６を所定の温度に保つものである。

また、処理室３２の下部には、その長手方向に沿ってウ
ェーハ３１．３１・・・を運搬するベルトコンベヤ４０
が配設されている。このベルトコンベヤ４０は、搬送ベ
ルト４１が上記通気管３５が接続された側の側面に形成
された搬入口４２と、反対側の側面に形成された搬出口
４３との間を通り、かつ処理室３２の下方を通るように
配設されたものであって、図示しない制御部により搬送
ベルト４１の回転速度が可変になっているものである。

また、このウェーハ搬送機構４０の搬入口４２側の側方
には、ウェーハ３１．３１・・・を順次搬送ベルト４１
の上に載置する搬入ローダ４４が配置されており、搬出
口４３側の側方には、搬送ベルト４１によって運ばれた
ウェーハ３１．３１・・・を順次受は取って外部に送る
搬出ローダ４５が配置されている。ここで、搬入ローダ
４４および搬出ローダ４５は、図示しない制御部により
搬送速度が可変になっている。

このような構成からなるシリル化処理装置により、ウェ
ーハ３１．３１・・を連続的にシリル化処理するには、
まず搬送ベルト４１および搬入ローダ４４、搬出ローダ
４５の搬送速度を所定の速度に合わせる。

この場合にウェーハ３１．３１・・は、第１図に示した
被処理体ｌと同様にレジスト材料からなる遠紫外線に活
性なポリマ層が予め基板上に形成されたものである。次
に、通気管３５のバルブ３８を開放し、気化器３９によ
り容器３７中の有機シラン液３６を加熱し、気化させる
。すると有機シラン液３６の蒸気３６ａは、通気管３５
を経て処理室３２内に流入し、この処理室３２内に充満
する。次いで、搬入ローダ４４にウェーハ３１．３１・
を載せ、これによりウェーハ３１．３１　　を搬送ベル
ト４１で順次処理室３１内を移動せしめる。また、これ
と同時に照射部３４より遠紫外線を処理室３２内に照射
し、ウェーハ３１．３１・・・をシリル化処理する。そ
の後、搬出ローダ４５によって処理後のウェーハ３１．
３１・を受は取り、これを順次外部に搬送する。この場
合に処理時間は、搬送ベルト４１の回転速度によって調
整される。

このようなシリル化処理装置にあっては、第１図に示し
たシリル化処理装置と同様にウェーハ３１（被処理体）
をシリル化処理できるのはもちろん、ウェーハ３１．３
１・・・を連続的かつ自動的に処理できるため、より効
率良く量産することができる。

第８図はこの発明の第３実施例を示す図であって、イン
ラインのシリル化処理装置を示すものである。

第８図に示したシリル化処理装置が第７図に示したシリ
ル化処理装置と異なるところは、有機シラン液３６を処
理室３２に導入するための導入手段である。第８図にお
いて、処理室３２の一側面にはウェーハ搬送機構４０の
搬入口４２の下方に導入管４６が、また反対側の側面に
は搬出口４３の下方に導出管４７がそれぞれ処理室３２
内に連通して接続されている。

この場合に、導出管４７の処理室３２との接続部４７ａ
は、導入管４６の処理室３２との接続部４６ａより下方
で、処理室３２のほぼ下端に位置している。導入管４６
の処理室３２と反対側の端部にはポンプ４８が配設され
ており、導出管４７の処理室３２と反対側の端部−１９
＝ には有機シラン液３６を充填した液溜め４９が配設され
ている。また、これらポンプ４８と液溜め４９とは連通
管５０によって連通せしめられており、これによって液
溜め４９、連通管５０、ポンプ４８、導入管４６、処理
室３２、導出管４７は循環サイクルを構成している。

このようなシリル化処理装置によっても、第７図に示し
たシリル化処理装置の場合と同様に処理が行なわれる。

そしてこの場合、処理室３２内へ有機シラン液３６を導
入するには、ポンプ４８を作動させることによって液溜
め４９内の有機シラン液３６を移送する。すると有機シ
ラン液３６は、処理室内３２内に導入され、ここで滞留
して一部気化し、さらに導出管４７に配設されたバルブ
５１を介して導出管４７から導出されて液溜め４９に返
送され循環される。

このようなシリル化処理装置にあっても、第７図に示し
た装置と同様に大量のウェーハを効率よくシリル化処理
することができる。

なお、処理室３２の下部にヒータ５２を配設し、処理室
３２内の有機シラン液３６を加熱してその気化を促進す
るようにしてもよく、その場合にはより効率よくウェー
ハ３１．３１・のシリル化を行うことができる。

「発明の効果」 以上説明したように、この発明のシリル化処理装置は、
被処理体を処理するためのチャンバと、このチャンバ内
に遠紫外線を照射する照射部と、上記チャンバ内に有機
シラン液あるいはその蒸気を導入するための導入手段を
備えたものであるから、レジスト材料からなる遠紫外線
に活性なポリマ層を予め基板上に形成した被処理体を、
光化学反応を利用してシリル化することができ、よって
汎用性の高い微細パターンを容易に形成することができ
、これにより各種半導体素子や大規模集積回路、あるい
はサブミクロンパターンを必要とする各種電子デバイス
のパターン形成により好適に用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のシリル化処理装置の第１実施例を示
す該略構成図、第２図は第１図に示したシリル化処理装
置によってシリル化処理を行ったレジスト膜と未処理の
レジスト膜とを酸素カス中でリアクティブイオンエツチ
ングを行った場合のエツチング速度を示すグラフ、第３
図は被処理体の」二層レジスト膜をシリル化した状態を
示す断面図、第４図は第３図に示した被処理体の下層レ
ジスト膜をリアクティブイオンエツチングで加工した状
態を示す断面図、第５図は被処理体の下層レジスト膜を
シリル化した状態を示す断面図、第６図は第５図に示し
た被処理体の上層レジスト膜をリアクティブイオンエツ
チングで加工した状態を示す断面図、第７図はこの発明
のシリル化処理装置の第２実施例を示す該略構成図、第
８図は同じく第３実施例を示す該略構成図、第９図およ
び第１０図はいずれも本発明に係わる有機ポリマ膜表面
のシリル化の原理を説明するための説明図、第１１図な
いし第１３図はいずれも従来のＳｉ含有レジストを用い
た２層レジスト法の工程を説明するための説明図である
。 ｌ・・・・・・被処理体、２・・・・・チャンバ、３・
・・・・蓋、４　・・・・照射部、５・・・・・・導入
管、６・・・・・・有機シラン液、７・・・・・容器、
８・・・・・・流量調整器、９・・・・・・気化器、１
０・・・・・・通気管、１１・・・・・・供給源、１２
・・・・・・バルブ、３１・・・・・・ウェーハ（被処
理体）、３２・・・・・・処理室（チャンバ）、３４・
・・・・・Ｊｌｔｌｉ　射１．３５・・・・・・通気管
、３６・・・・・有機シラン液、３７・・・・・容器、
３８・・・・・・バルブ、３９・・・・・・気化器、４
６・・・　導入管、４７・・・・・・導出管、４８・・
・・・ポンプ、４９・・・・・・液溜め、５０・・・・
・・連通管。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 有機ポリマ膜を有する被処理体を有機シラン液に浸漬し
   あるいはその蒸気に接触させながら遠紫外線を上記有機
   ポリマ膜の表面に照射することによってこの有機ポリマ
   膜表面をシリル化処理する装置であって、 上記被処理体を処理するためのチャンバと、このチャン
   バ内に遠紫外線を照射する照射部と、上記チャンバ内に
   有機シラン液あるいはその蒸気を導入するための導入手
   段を備えたことを特徴とするシリル化処理装置。