JPS63299231A - レジスト接着促進剤塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の製造装置におけるレジスト接着
促進剤塗布装置に適用される。

（従来の技術） 半導体装置の製造に用いられるホトレジストにはポジタ
イプのものとネガタイプのものとがあるが、このポジタ
イプのレジストは被塗布面との接着性に問題があり、特
に被塗布面に金属膜が形成されている場合、これに対す
る接着性は著るしく劣っていた。ところが、解像度はネ
ガタイプのものに比べて優れているため超ＬＳＩ等の微
細パターンの形成にはポジタイプのものが多く用いられ
る。

上記ポジタイプのレジストの欠点を補うために予め被塗
布面に接着促進剤を塗布する手段がとられ、そのための
装置として第２図に示すものが一般に用いられている。

同図において、１０１は外囲器でその対向する側壁に半
導体ウェーハ１００（以下ウェーハと略称）の搬入開口
１０２ａと搬出開口１０２ｂが設けられ、これら両開口
を結ぶ外囲器内部にはウェーハの外囲器内搬送ベルト１
０３ａを備える。そして、ウェーハの搬入開口１０２ａ
、外囲器内搬送ベルト１０３ａ　、ウェーハ搬出開口１
０２ｂを連ねる線上でウェーハの搬入開口の外囲器外部
にはウエーノ）の搬入ベルト１０３ｂ、ウェーハの搬出
開口の外囲器外部にはウェーハの搬出ベルト１０３Ｃが
配置されている。また、上記外囲器内の底面には液状の
レジスト接着促進剤２００を溜める液溜め槽１０４を備
える。

上記レジスト接着促進剤は一例としてへキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳと略称）が用いられ、外囲器１０１内
をその雰囲気にする。したがって、外囲器内を搬送ベル
ト１０３ａによりウェーハ１００を通過させることでウ
ェーハの被塗布面へＨＭＤＳが塗布される。

（発明が解決しようする問題点） 上記従来の装置の構造によると、接着性の良い被塗布面
を得るためには接着促進剤の雰囲気中へ曝らす時間を長
くとる必要がある。従来はこの時間が長いために次のレ
ジスト塗布工程までの時間が長く生産性が低下する。そ
こで外囲器内に収納するウェーハ数を増加することも考
えられるが。

外囲器が大型になるとともにウェーハの搬送も厄介にな
るなどの欠点がある。

次に、従来の装置はレジスト塗布の前工程ということで
、接着促進剤塗布とレジスト塗布が一連の工程になって
いるから、レジスト塗布前には必らず接着促進剤塗布の
工程が強制され、接着促進剤が不要なウェーハまでも処
理が施されてしまうという欠点がある。

この発明は上記従来の問題点に鑑みてレジスト接着促進
剤塗布装置の改良構造を提供するものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） この発明にかかるレジスト接着促進剤塗布装置は、半導
体ウェーハを搬入、搬出するための開口部とこの開閉手
段を備えた外囲器と、この外囲器内に設けられた半導体
ウェーへの加熱手段と、上記外囲器内にレジスト接着促
進剤の蒸気を導入するレジスト接着促進剤蒸気導入装置
部と、このレジスト接着促進剤蒸気導入装置部に設けら
れた導入路の開閉手段と、上記外囲器に設けられた排気
装置部を具備したことを特徴とするものである。

（作　用） この発明は外囲器を密閉構造とし、かつウェーハに加熱
を施すことで雰囲気の濃度の高い状態で塗布できる。こ
のため装置を大型化することなく処理時間の短縮を可能
にし、かつ、接着促進剤を用いない工程にも対応できる
。

（実施例） 以下、この発明の一実施例のレジスト接着促進剤塗布装
置につき第１図を参照して説明する。なお、説明におい
て、従来と変わらない部分については図面に従来と同じ
符号をつけて示し、説明を省略する。

第１図において、外囲器１１は対でこの中にウェーハ１
００を載置し搬送する外囲器内搬送ベルト１２を備え、
その一方の端は外囲器に設けられたウェーハの搬入開口
１３ａとこれに対向するウェーハの搬出開口１３ｂが設
けられている。また、外囲器の底部にはウェーハに対向
してこれを加熱するホットプレート１４が配置されてい
る。さらに、外囲器の一例の上面にレジスト接着促進剤
の蒸気を導入するためのレジスト接着促進剤蒸気導入口
１５が設けられ、ここに接続した蒸気導入パイプ１６ａ
は途中にフィルタ２５とバルブ３５を介してレジスト接
着促進剤蒸気源Ｕに接続している。このレジスト接着促
進剤蒸気ｇ■は、レジスト接着促進剤２００を容れた密
閉容器４５ａにその蒸気を圧送するためのＮ、ガス圧入
管４５ｂがレジスト接着促進剤の一例のＨＭＤＳ液中に
開口しており、上部にＨＭＤＳの蒸気を密閉容器から導
出するための蒸気導出パイプ１６ｂが接続されている。

次に、上記ウェーハの搬入開口１３ａと搬出開口１３ｂ
には、各開口を開閉するシャッタ１７ａ、　１７ｂが設
けられ、これらのシャッタはエヤシリンダ、モータとカ
ム機構等によって開閉駆動される。また、上記外囲器に
はこの内部の雰囲気を排出するため排気ダクトに接続す
る排気口１８が設けられている。

さらに、外囲器内のウェーハの上方には、導入されたＨ
ＭＤＳの蒸気が直接にウェーハに吹きつけられて濃度の
過疎を生じないように、多数の孔が設けられたメツシュ
板１９が少くとも１枚配置されている。そして複数枚の
場合夫々の孔が一致しないように設ける。

叙上の構造により、外囲器１１内に搬入されたウェーハ
１００は、シャッタ１７ａ、１７ｂによりウェーハの搬
入口、搬出口１３ａ、　１３ｂが閉塞されて密閉状態で
作られた外囲器内の高濃度ＨＭＤＳ蒸気雰囲気中で、か
つ、加熱されて反応速度が高騰する。このため、従来に
比し約１７２〜１／３程度で達成される。

次に、ＨＭＤＳコードが不要の品種のウェーハに対して
は、ＩＩＭＤＳの導入をバルブ３５で停めて排気し。

あるいは、さらに不活性ガス雰囲気にするなどしてベー
カとして迅速な切換が可能である。

また、外囲器が密閉構造であるためこの内部へ導入され
る一例のＩ（ＭＤＳ蒸気の消費量が低減できる。

〔発明の効果〕

この発明によれば、外囲器が密閉構造で、濃度の高い接
着促進剤の蒸気中で加熱できるなどにより、工程の処理
能率が顕著に向上し、時間において１７２〜１／３に縮
減できる。

また、接着促進剤を必要としない品種に対しても迅速に
切換えが可能で、従来同一ラインで流せなかったものが
、同一のラインで達成できるので、少量多品種の生産に
対し有効である。さらに、ウェーハのベーキングが可能
であるなど、多くの顕著な利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明にかかる一実施例のレジスト接着促進
剤塗布装置の断面図、第２図は従来のレジスト接着促進
剤塗布装置の断面図である。 １１−−−−−−−−一外囲器 １２．１０３ｂ、１０３ｅ　−一−−−搬送ベルト１４
−−−−−ホットプレート

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウエーハを搬入、搬出するための開口部とこの開
   閉手段を備えた外囲器と、この外囲器内に設けられた半
   導体ウエーハの加熱手段と、上記外囲器内にレジスト接
   着促進剤の蒸気を導入するレジスト接着促進剤蒸気導入
   装置部と、このレジスト接着促進剤蒸気導入装置部に設
   けられた導入路の開閉手段と、上記外囲器に設けられた
   排気装置部を具備したレジスト接着促進剤塗布装置。