JPS63185264U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63185264U JPS63185264U JP7587987U JP7587987U JPS63185264U JP S63185264 U JPS63185264 U JP S63185264U JP 7587987 U JP7587987 U JP 7587987U JP 7587987 U JP7587987 U JP 7587987U JP S63185264 U JPS63185264 U JP S63185264U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cladding layer
- layer
- cladding
- divided
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Description
第１図ａ〜ｄは本考案の一実施例半導体レーザ
の製造工程を示す工程別断面図、第２図は発振し
きい値電流特性を示す特性図、第３図は従来例を
示す断面図である。 １１……基板、１２……第１クラツド層、１３
……活性層、１４……第２クラツド層、１６……
溝、１７……中央部、１８……外側部。
の製造工程を示す工程別断面図、第２図は発振し
きい値電流特性を示す特性図、第３図は従来例を
示す断面図である。 １１……基板、１２……第１クラツド層、１３
……活性層、１４……第２クラツド層、１６……
溝、１７……中央部、１８……外側部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板上に第１クラツド層、該第１クラツ
ド層より小なるバンドギヤツプエネルギを有する
活性層、上記第１クラツド層と同等のバンドギヤ
ツプエネルギを有する第２クラツド層を順次積層
してなる半導体レーザであつて、 上記第２クラツド層表面より上記活性層に達し
ない程度の深さを有し、互いに平行に延在する１
対の溝により上記第２クラツド層が３分割される
と共に分割された第２クラツド層のうち外側に位
置する層はイオンが注入され高抵抗化されている
ことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7587987U JPS63185264U (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7587987U JPS63185264U (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185264U true JPS63185264U (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=30922432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7587987U Pending JPS63185264U (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63185264U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022049996A1 (ja) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | ソニーグループ株式会社 | 半導体レーザおよび半導体レーザ装置 |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP7587987U patent/JPS63185264U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022049996A1 (ja) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | ソニーグループ株式会社 | 半導体レーザおよび半導体レーザ装置 |