JPS62157162U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62157162U JPS62157162U JP1986044987U JP4498786U JPS62157162U JP S62157162 U JPS62157162 U JP S62157162U JP 1986044987 U JP1986044987 U JP 1986044987U JP 4498786 U JP4498786 U JP 4498786U JP S62157162 U JPS62157162 U JP S62157162U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- substrate
- switching diode
- registration request
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例に係るスイツチング
ダイオードの断面図、第２図はシンタリング温度
と順方向電圧ＶＦとの関係を示すグラフ、第３図
は同スイツチングダイオードを用いて作製したＤ
ＨＤダイオードの一例を示す断面図である。 １……Ｎ＋層、２……ＰＮ接合層、７……チタ
ン層、８……ニツケル層、９……銀層。
ダイオードの断面図、第２図はシンタリング温度
と順方向電圧ＶＦとの関係を示すグラフ、第３図
は同スイツチングダイオードを用いて作製したＤ
ＨＤダイオードの一例を示す断面図である。 １……Ｎ＋層、２……ＰＮ接合層、７……チタ
ン層、８……ニツケル層、９……銀層。
Claims (1)
- Ｎ＋層基板の上面にＰＮ接合層を形成すると共
に、Ｎ＋層基板の下面に２００〜６００Åの厚さ
のチタン層と４０００〜６０００Åの厚さのニツ
ケル層と８０００〜１００００Åの厚さの銀層を
この順に積層して成るスイツチングダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986044987U JPS62157162U (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986044987U JPS62157162U (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157162U true JPS62157162U (ja) | 1987-10-06 |
Family
ID=30863314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986044987U Pending JPS62157162U (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62157162U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192037A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP1986044987U patent/JPS62157162U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192037A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |