JPS6318630A - 有機物被膜の除去方法 - Google Patents
有機物被膜の除去方法Info
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- JPS6318630A JPS6318630A JP16178686A JP16178686A JPS6318630A JP S6318630 A JPS6318630 A JP S6318630A JP 16178686 A JP16178686 A JP 16178686A JP 16178686 A JP16178686 A JP 16178686A JP S6318630 A JPS6318630 A JP S6318630A
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Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〉
本発明は有機物被膜の乾燥状態での除去方法に関するも
ので、特に半導体装置の製造に用いるレジスト膜の除去
方法に関するものでおる。
ので、特に半導体装置の製造に用いるレジスト膜の除去
方法に関するものでおる。
（従来技術）
半導体装置を製造する場合には、写真処理技術おるいは
、Ｘ線照射、電子線照射等で処理されたレジスト膜をマ
スクとしてシリコン等の塁仮にエツチング等の処理を施
した後に該レジスト膜を除去することが必要でおる。
、Ｘ線照射、電子線照射等で処理されたレジスト膜をマ
スクとしてシリコン等の塁仮にエツチング等の処理を施
した後に該レジスト膜を除去することが必要でおる。
レジスト膜は酸化力のある液体中へ浸）責すことによっ
て行う湿式処理により除去したり、酸素プラズマ、紫外
線、オゾンなどの乾式処理によって除去している。
て行う湿式処理により除去したり、酸素プラズマ、紫外
線、オゾンなどの乾式処理によって除去している。
溶液による湿式処理は、廃液処理に問題があり、又液体
中に含まれる微細な不純物が半導体装置に悪影響を及ぼ
すと言う問題点から乾式処理への要望が高まっている。
中に含まれる微細な不純物が半導体装置に悪影響を及ぼ
すと言う問題点から乾式処理への要望が高まっている。
乾式処理の中心でおった酸素プラズマによる方法は、プ
ラズマによって半導体装置に損傷が生じることがあり、
オゾンや紫外線による除去方法が注目されている。
ラズマによって半導体装置に損傷が生じることがあり、
オゾンや紫外線による除去方法が注目されている。
（発明が解決しようとする問題点）
オゾンが供給されているハウジング内で半導体基板を加
熱しつつ有機物被膜を除去することは、例えば、特開昭
５２−２０７６６号として知られている。
熱しつつ有機物被膜を除去することは、例えば、特開昭
５２−２０７６６号として知られている。
この出願に開示されている方法では、供給されるオゾン
が加熱手段８１はじめとして、高温となった装置内部と
接触する結果、オゾンの熱分解が起こり、供給されるオ
ゾンが有効に作用しないこととなるため、［オゾン処理
によるホトレジスト除去の最適範囲は、２００’Ｃ−２
５０’Ｃの温度に下層を加熱することである。下層温度
が２００’Ｃ以下に維持されると、ホトレジスト除去速
度はおそくなり過ぎる傾向があり、そして同様な特性は
約２６０’Ｃ以上でも表われ、ここでホトレジスト除去
速度は又あそくなり始める。この後者の場合、２６０’
Ｃ以上の温度では、オゾン分子は、オゾンが実際にホト
レジスト材に接触する前に下層上のホトレジスト層で提
供される″熱板″からの熱で分解し勝らなことで理論づ
けられる。」 （特開昭５２−２０７６６号公報第１１
頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第１０行）と記載されて
いるＪζうに２００°Ｃ〜２５０’Ｃの温度にすること
により最大の除去速度が１昇られるものと考えられてい
た。
が加熱手段８１はじめとして、高温となった装置内部と
接触する結果、オゾンの熱分解が起こり、供給されるオ
ゾンが有効に作用しないこととなるため、［オゾン処理
によるホトレジスト除去の最適範囲は、２００’Ｃ−２
５０’Ｃの温度に下層を加熱することである。下層温度
が２００’Ｃ以下に維持されると、ホトレジスト除去速
度はおそくなり過ぎる傾向があり、そして同様な特性は
約２６０’Ｃ以上でも表われ、ここでホトレジスト除去
速度は又あそくなり始める。この後者の場合、２６０’
Ｃ以上の温度では、オゾン分子は、オゾンが実際にホト
レジスト材に接触する前に下層上のホトレジスト層で提
供される″熱板″からの熱で分解し勝らなことで理論づ
けられる。」 （特開昭５２−２０７６６号公報第１１
頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第１０行）と記載されて
いるＪζうに２００°Ｃ〜２５０’Ｃの温度にすること
により最大の除去速度が１昇られるものと考えられてい
た。
ところが、この様な温度範囲においても、商業的に十分
に満足できる除去速度を得ることはできなかった。また
、半導体装置の製造工程において、硼素°燐などをイオ
ン注入した場合には、オゾンによりホトレジストを除去
しようとすると、極めて長時間を必要とした。
に満足できる除去速度を得ることはできなかった。また
、半導体装置の製造工程において、硼素°燐などをイオ
ン注入した場合には、オゾンによりホトレジストを除去
しようとすると、極めて長時間を必要とした。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、前記した特開昭５２−２０７６６号公報
において好ましくないとされ、また他の文献（Ｇｍｅｌ
１Ｋｆｌａｎｄｂｕｃｈ ｄｅｒ Ａｎｏｒｇａｎｉ
ｓｃｈｅ Ｃｈｅｍｉｅ第３巻第９８４頁）においても
オゾンの熱分解がほぼ完全に起こると記載されている温
度範囲において、高濃度のオゾンを供給することにより
、有機物被膜の除去速度を高め得ることを見いだしたの
である。
において好ましくないとされ、また他の文献（Ｇｍｅｌ
１Ｋｆｌａｎｄｂｕｃｈ ｄｅｒ Ａｎｏｒｇａｎｉ
ｓｃｈｅ Ｃｈｅｍｉｅ第３巻第９８４頁）においても
オゾンの熱分解がほぼ完全に起こると記載されている温
度範囲において、高濃度のオゾンを供給することにより
、有機物被膜の除去速度を高め得ることを見いだしたの
である。
以下、この発明を添付の図面に基づいて説明づ−る。
第１図は本発明の方法による有機物の除去装置を示す図
でおり、処理至１内には、処理すべき半導体基板３を載
置する基板支持装置２が必り、基板支持装置の下部には
加熱装置４が設けである。
でおり、処理至１内には、処理すべき半導体基板３を載
置する基板支持装置２が必り、基板支持装置の下部には
加熱装置４が設けである。
基板支持装置は、処理のむらを無くし、また処理速度を
上げるために回転をざぜても良い。
上げるために回転をざぜても良い。
処理全白には高濃度のオゾン供給管５があり。
該供給管は冷却管６で包囲されている。オゾン供給管は
、半導体基板上へオゾンを噴射する複数のノズル７と連
結されており、ノズルには細孔８が設けられ、冷却管を
貫通している。
、半導体基板上へオゾンを噴射する複数のノズル７と連
結されており、ノズルには細孔８が設けられ、冷却管を
貫通している。
処理至、オゾン供給管、ノズル等をはじめとする構成材
料は、ステンレススチールのようなオゾンに耐蝕性のあ
る材料であれば、各種の材料を使用することができる。
料は、ステンレススチールのようなオゾンに耐蝕性のあ
る材料であれば、各種の材料を使用することができる。
又、冷却媒体供給管の形状も円柱状、角型などの形状を
とることができ、ノズルの本数も処理すべき基板の大き
ざに応じて適宜に設定することができる。
とることができ、ノズルの本数も処理すべき基板の大き
ざに応じて適宜に設定することができる。
ノズルの径は適宜に定めることができるが、２、馴以下
にすることが好ましい。
にすることが好ましい。
オゾンは、無声放電によるオゾン発生装置９に純酸素を
供給して発生させるが、小型でオゾン発生効率の高い沿
面コロナ放電を利用したオゾン発生装置を利用するのが
好ましい。オゾンは、処理至内で基板に作用させた後に
、オゾン分解装置１Ｏで分解する。
供給して発生させるが、小型でオゾン発生効率の高い沿
面コロナ放電を利用したオゾン発生装置を利用するのが
好ましい。オゾンは、処理至内で基板に作用させた後に
、オゾン分解装置１Ｏで分解する。
（作用）
処理される基板をオゾンがほぼ完全に熱分解する温度で
ある２８０’Ｃ以上に加熱しつつ、高濃度のオゾンを噴
射することにより有機物の除去速度を向上させることが
できる。
ある２８０’Ｃ以上に加熱しつつ、高濃度のオゾンを噴
射することにより有機物の除去速度を向上させることが
できる。
（実施例）
５インチ径のシリコンウェハー基板に、東京応化工業（
株）製ポジ型ホトレジスト０）−ＰＲ−８００を１．５
μＴｒＬ塗布し、８０’Ｃで３０分間プリベークした。
株）製ポジ型ホトレジスト０）−ＰＲ−８００を１．５
μＴｒＬ塗布し、８０’Ｃで３０分間プリベークした。
このホトレジスト塗布シリコン基板を、試料支持装置上
に載置し、基板を加熱しつつオゾンを内径０．５＃のノ
ズルから１０Ｌ／分の流量で基板上に噴射した。オゾン
濃度が、２．５％、３．５％および４．５％の際の基板
の温度に対する有機物被膜の除去速度（オングストロー
ム７分）をそれぞれ（Ａ＞（Ｂ）および（Ｃ）として第
２図に示す。
に載置し、基板を加熱しつつオゾンを内径０．５＃のノ
ズルから１０Ｌ／分の流量で基板上に噴射した。オゾン
濃度が、２．５％、３．５％および４．５％の際の基板
の温度に対する有機物被膜の除去速度（オングストロー
ム７分）をそれぞれ（Ａ＞（Ｂ）および（Ｃ）として第
２図に示す。
（発明の効果）
有機物被膜を形成した基板から法被ｊＦｕを除去する方
法において、該基板をオゾンがほぼ完全に熱分解する２
８０’Ｃ以上の温度に加熱しつつ高温度のオゾンを噴射
することによりホトレジストの除去速度を向上させるこ
とができ、また、従来の方法では除去に極めて長時間を
要していたイオン注入処理を施したホトレジストも実用
的な処理速度で除去することができる。
法において、該基板をオゾンがほぼ完全に熱分解する２
８０’Ｃ以上の温度に加熱しつつ高温度のオゾンを噴射
することによりホトレジストの除去速度を向上させるこ
とができ、また、従来の方法では除去に極めて長時間を
要していたイオン注入処理を施したホトレジストも実用
的な処理速度で除去することができる。
第１図は、本発明の方法による有機物の除去装置を示す
図でおる。 第２図は、オゾン濃度を一定の値に保持した場合の有機
物被膜の除去速度と温度の関係を示す。 １、・・・処理至 ２、・・・基板支持装置 ３、・・・半導体基板 ４、・・・加熱装置 ５、・・・オゾン供給管 ６、・・・冷却管 ７、・・・ノズル ８、・・・細孔 ９、・・・オゾン発生装置 １０、 ・・・オゾン分解装置 特δ′Ｆ出願人 クロリンエンジニアズ株式会社 第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和６１年１０月９日
図でおる。 第２図は、オゾン濃度を一定の値に保持した場合の有機
物被膜の除去速度と温度の関係を示す。 １、・・・処理至 ２、・・・基板支持装置 ３、・・・半導体基板 ４、・・・加熱装置 ５、・・・オゾン供給管 ６、・・・冷却管 ７、・・・ノズル ８、・・・細孔 ９、・・・オゾン発生装置 １０、 ・・・オゾン分解装置 特δ′Ｆ出願人 クロリンエンジニアズ株式会社 第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和６１年１０月９日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機物被膜を形成した基板から該被膜を除去する方
法において、処理室内の処理される基板を、該被膜が形
成されていない面から２８０℃以上に加熱しつつ、高濃
度オゾンを噴射することを特徴とする有機物被膜の除去
方法。 ２ 有機物被膜面に冷却したノズルの細孔から高濃度オ
ゾンを噴射することを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の有機物被膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16178686A JPS6318630A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 有機物被膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16178686A JPS6318630A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 有機物被膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318630A true JPS6318630A (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=15741880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16178686A Pending JPS6318630A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 有機物被膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015106480A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社豊田自動織機 | マガジン及び積層装置 |
| JP2022041077A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165930A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アツシング装置 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP16178686A patent/JPS6318630A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165930A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アツシング装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015106480A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社豊田自動織機 | マガジン及び積層装置 |
| JP2022041077A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
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