JPS63188773A - 電圧測定器 - Google Patents
電圧測定器Info
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- JPS63188773A JPS63188773A JP62021377A JP2137787A JPS63188773A JP S63188773 A JPS63188773 A JP S63188773A JP 62021377 A JP62021377 A JP 62021377A JP 2137787 A JP2137787 A JP 2137787A JP S63188773 A JPS63188773 A JP S63188773A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界を光学的に検出して、高電圧を高精度で測
定する電圧測定器に関するものである。
定する電圧測定器に関するものである。
高電圧を測定する装置としては、例えば、対向させた2
枚の箔電極間に高電圧を与えて、その箔電極の反発力を
利用して指針を1辰らせる静電電圧計が知られている。
枚の箔電極間に高電圧を与えて、その箔電極の反発力を
利用して指針を1辰らせる静電電圧計が知られている。
これとは別に、例えば実開昭59−106068号等に
より、電界を与えた場合に、ある種の結晶の屈折率テン
ソルが電界強度に比例して変化する、所謂ポンケルス効
果を利用して、電界強度を光学的に測定する電界検出器
が知られている。
より、電界を与えた場合に、ある種の結晶の屈折率テン
ソルが電界強度に比例して変化する、所謂ポンケルス効
果を利用して、電界強度を光学的に測定する電界検出器
が知られている。
前述した静電電圧計は、50kV程度の高電圧を測定で
きるが、対向した箔電極相互の反発力により指針を駆動
する構造であるため高い測定積度が得られず、特に振動
が加わった場合には測定誤差が多くなる等の問題がある
。
きるが、対向した箔電極相互の反発力により指針を駆動
する構造であるため高い測定積度が得られず、特に振動
が加わった場合には測定誤差が多くなる等の問題がある
。
一方の電界検出器は高い測定精度が得られるが、電界が
生している空間にこれを配置して該空間の電界強度をU
Q定するものであって、測定すべき電圧を電界検出器に
直接課電して、電圧を測定する用途には通用できない問
題がある。
生している空間にこれを配置して該空間の電界強度をU
Q定するものであって、測定すべき電圧を電界検出器に
直接課電して、電圧を測定する用途には通用できない問
題がある。
c問題点を解決するための手段〕
本発明は斯かる問題に鑑みてなされたものであって、測
定すべき電圧を直接に課電し、課電された電圧をポッケ
ルス効果を利用して高ネn度に測定し得る、小型軽量の
電圧測定器を提供することを目的とする。
定すべき電圧を直接に課電し、課電された電圧をポッケ
ルス効果を利用して高ネn度に測定し得る、小型軽量の
電圧測定器を提供することを目的とする。
本発明に係る電圧測定器は、測定すべき電圧を課電すべ
く配設した測定電極と、該測定電極間に配設され、入射
しだ円偏光波が電界により楕円偏光波となって出射する
電界検出素子と、前記測定電極及び前記電界検出素子相
互の間に介装している誘電体と、前記電界検出素子に入
射すべき光を発する発光部、電界検出素子が出射した光
を捉えて光電変換する受光部及び受光部で得た信号を、
前記測定電極間の電圧値情報に変換する電圧測定部を設
けた測定器本体とを備えたことを特徴とする。
く配設した測定電極と、該測定電極間に配設され、入射
しだ円偏光波が電界により楕円偏光波となって出射する
電界検出素子と、前記測定電極及び前記電界検出素子相
互の間に介装している誘電体と、前記電界検出素子に入
射すべき光を発する発光部、電界検出素子が出射した光
を捉えて光電変換する受光部及び受光部で得た信号を、
前記測定電極間の電圧値情報に変換する電圧測定部を設
けた測定器本体とを備えたことを特徴とする。
(作用〕
電界検出素子に入射した円偏光波は、該電界検出素子を
透過する。
透過する。
測定すべき電圧を測定電極に課電すると、測定電極間に
配設されている電界検出素子には電界が作用する。この
電界検出素子内の円偏光波は、その電界により電界検出
方向を大径とし、それと直交する方向を小径とする楕円
偏光波となる。この楕円偏光波の偏平度は電界強度が強
い程大きく、また電界強度が弱い程小さくなるから、そ
の楕円偏光波の特定方向の大きさを検出することにより
電界強度が求まり、その電界強度に電極間距離に相当す
る係数を乗じて電圧値を得る。
配設されている電界検出素子には電界が作用する。この
電界検出素子内の円偏光波は、その電界により電界検出
方向を大径とし、それと直交する方向を小径とする楕円
偏光波となる。この楕円偏光波の偏平度は電界強度が強
い程大きく、また電界強度が弱い程小さくなるから、そ
の楕円偏光波の特定方向の大きさを検出することにより
電界強度が求まり、その電界強度に電極間距離に相当す
る係数を乗じて電圧値を得る。
Ullll極電極電界検出素子相互間には誘電体を介装
させているから、電界検出素子は高電圧に耐え、高電圧
が高精度に測定される。
させているから、電界検出素子は高電圧に耐え、高電圧
が高精度に測定される。
以下本発明をその実施例を示す図面によって詳述する。
第1図は50kvまで測定できる本発明に係る電圧測定
器を示す断面図である。第1図において例えばセラミ7
りからなる円筒状の遮光筒体1の軸方向の両端部の夫々
には、適宜の絶縁物からなる蓋体2A、 2Bを螺合し
て取付けている。一方の蓋体2Aの中心には球状の測定
用端子3を取付けているネジ軸4がt@通しており、こ
のネジ軸4は該ネジ軸4に螺合し蓋体2Aの内、外側に
夫々位置している長寸ナフト5とナツト6とにより蓋体
2Aに固定されている。前記長寸ナツト5の先端側には
、周面が円弧状である円板状の測定電極7の中心に突設
させたネジ軸8を螺入している。このネジ軸8にはナツ
ト9が螺合されていて、このナツト9の締付けにより測
定電極7を長寸ナツト5に固定でき、測定電極7が蓋体
2Aに固定されている。他方の蓋体2Bの中心には、前
記測定用端子3と同寸同形状の測定用端子10を取付け
たネジ軸11が挿通しており、このネジ軸11は該ネジ
軸11に蚊合し、蓋体2Bの内、外側に夫々位置してい
るナツト12とナノH3とにより蓋体2Bに固定されて
いる。ネジ軸11の先端には前記測定電極7と同寸同形
状の測定電極14を螺合させて取付けている。この測定
電極I4は、前記測定電極7と同心的で且つ、対向して
おり、対向した面同士が平行している。なお、測定電極
7及び14の直径はともに3cI!1であり、その対向
間距離は3cmに選定されている。それ故、この両測定
電極7,14に課電すると、それらの間には測定電極7
,14の対向している面に平行な電界が生じ、測定電極
7.14の中心部は平等電界となる。
器を示す断面図である。第1図において例えばセラミ7
りからなる円筒状の遮光筒体1の軸方向の両端部の夫々
には、適宜の絶縁物からなる蓋体2A、 2Bを螺合し
て取付けている。一方の蓋体2Aの中心には球状の測定
用端子3を取付けているネジ軸4がt@通しており、こ
のネジ軸4は該ネジ軸4に螺合し蓋体2Aの内、外側に
夫々位置している長寸ナフト5とナツト6とにより蓋体
2Aに固定されている。前記長寸ナツト5の先端側には
、周面が円弧状である円板状の測定電極7の中心に突設
させたネジ軸8を螺入している。このネジ軸8にはナツ
ト9が螺合されていて、このナツト9の締付けにより測
定電極7を長寸ナツト5に固定でき、測定電極7が蓋体
2Aに固定されている。他方の蓋体2Bの中心には、前
記測定用端子3と同寸同形状の測定用端子10を取付け
たネジ軸11が挿通しており、このネジ軸11は該ネジ
軸11に蚊合し、蓋体2Bの内、外側に夫々位置してい
るナツト12とナノH3とにより蓋体2Bに固定されて
いる。ネジ軸11の先端には前記測定電極7と同寸同形
状の測定電極14を螺合させて取付けている。この測定
電極I4は、前記測定電極7と同心的で且つ、対向して
おり、対向した面同士が平行している。なお、測定電極
7及び14の直径はともに3cI!1であり、その対向
間距離は3cmに選定されている。それ故、この両測定
電極7,14に課電すると、それらの間には測定電極7
,14の対向している面に平行な電界が生じ、測定電極
7.14の中心部は平等電界となる。
遮光筒体1の軸方向中央部には、狭幅で短寸の開口部1
aが、遮光筒体1の軸方向と直角に形成されている。こ
の開口部1aには、電界検出部16を取付けた電界検出
部支持体15が螺合して取付けられている。電界検出部
支持体15及び電界検出部I6は第2図に斜視図で示す
如く構成されている。電界検出部支持体15は直方体状
であって、電界検出部16が位置する側面15aは遮光
筒体1の内周面に10う円弧状に形成されていて、電界
検出部16の周辺の電界を乱さないようにしている。こ
の電界検出部支持体15は例えばセラミックからなり、
この電界検出部支持体15内には保護チューブ16cを
外嵌した2本の光ファイバ16a、 16bを貫通させ
ている。
aが、遮光筒体1の軸方向と直角に形成されている。こ
の開口部1aには、電界検出部16を取付けた電界検出
部支持体15が螺合して取付けられている。電界検出部
支持体15及び電界検出部I6は第2図に斜視図で示す
如く構成されている。電界検出部支持体15は直方体状
であって、電界検出部16が位置する側面15aは遮光
筒体1の内周面に10う円弧状に形成されていて、電界
検出部16の周辺の電界を乱さないようにしている。こ
の電界検出部支持体15は例えばセラミックからなり、
この電界検出部支持体15内には保護チューブ16cを
外嵌した2本の光ファイバ16a、 16bを貫通させ
ている。
そして光ファイバ16a、 16bの先端側には遮光性
の保護管16d、 16eが接続されており、一方の保
護管16d内には後述するレンズ系21.偏光子22、
補償板23が配設され、他方の保護管16e内には後述
する検光子25が配設されている。更に、保護管16d
。
の保護管16d、 16eが接続されており、一方の保
護管16d内には後述するレンズ系21.偏光子22、
補償板23が配設され、他方の保護管16e内には後述
する検光子25が配設されている。更に、保護管16d
。
16eの先端側には、それらに跨っており水晶からなる
電界検出素子16fが一体的に取付けられている。
電界検出素子16fが一体的に取付けられている。
電界検出素子16fは前記測定電極7と14とが対向す
る間の中央で測定電極7.14の略中心に位置させ(第
1図参照)、電界検出素子16Fと測定電極7.14と
が平行し対向している。そして、遮光筒体l内には、電
界検出素子16fが水晶である場合は、その水晶の誘電
率ε=4に略等しい誘電率ε=3.5である例えばポリ
ウレタン樹脂の誘電体17を注入して、測定電極7,1
4及び電界ヰ★出素子16fをモールドしている。この
誘電体17によるモールドは、例えば一方の蓋体2Aを
取外してその開口部から誘電体17を注入し、蓋体2八
を取付けた場合に遮光筒体l内に位置する深さだけ残し
た状態で蓋体2Aを取付けて開口部を閉じ、注入した誘
電体17を硬化させている。
る間の中央で測定電極7.14の略中心に位置させ(第
1図参照)、電界検出素子16Fと測定電極7.14と
が平行し対向している。そして、遮光筒体l内には、電
界検出素子16fが水晶である場合は、その水晶の誘電
率ε=4に略等しい誘電率ε=3.5である例えばポリ
ウレタン樹脂の誘電体17を注入して、測定電極7,1
4及び電界ヰ★出素子16fをモールドしている。この
誘電体17によるモールドは、例えば一方の蓋体2Aを
取外してその開口部から誘電体17を注入し、蓋体2八
を取付けた場合に遮光筒体l内に位置する深さだけ残し
た状態で蓋体2Aを取付けて開口部を閉じ、注入した誘
電体17を硬化させている。
第3図は電界検出部と測定器本体とを示す模式図である
。第3図において、測定器本体30の発光部20が発し
た光(ランダムな方向に1辰動成分をもっている)〔第
4図(al参照〕は、光ファイバ16aからレンズ系2
1を経て偏光子22に入射させている。
。第3図において、測定器本体30の発光部20が発し
た光(ランダムな方向に1辰動成分をもっている)〔第
4図(al参照〕は、光ファイバ16aからレンズ系2
1を経て偏光子22に入射させている。
そして、偏光子22に入射した光は、ここで直線偏光さ
せられ〔第4図(b)参照〕、直線偏光された光を補償
板23、例えばn+%波長板(n =0.1.2−’)
へ入射させており、これを透過する間に円偏光させるよ
うになっている〔第4図(C1参照〕。この補償板23
の出射側には直角二等辺三角柱状のプリズム24Aがそ
の直角部を形成する一方の短辺側の而241を接触させ
て設けており、プリズム2.IAに入射した光は、直角
部と対向している側面24mにて直角に反射するように
している。そしてプリズム24Aの直角部を形成する他
方の短辺側の面24nから出射した光を水晶からなる電
界検出素子16fに入射させている。
せられ〔第4図(b)参照〕、直線偏光された光を補償
板23、例えばn+%波長板(n =0.1.2−’)
へ入射させており、これを透過する間に円偏光させるよ
うになっている〔第4図(C1参照〕。この補償板23
の出射側には直角二等辺三角柱状のプリズム24Aがそ
の直角部を形成する一方の短辺側の而241を接触させ
て設けており、プリズム2.IAに入射した光は、直角
部と対向している側面24mにて直角に反射するように
している。そしてプリズム24Aの直角部を形成する他
方の短辺側の面24nから出射した光を水晶からなる電
界検出素子16fに入射させている。
電界検出素子16fはZ軸方向、即ちその長寸方向に対
して垂直にカントした両端面を有し、Z軸方向に長い直
方体となっており、その円偏光波は電界検出素子16f
のZ軸方向に透過する間に電界を受けると楕円偏光波と
なり〔第4図(d+参照〕、その状態で回転しつつ出射
側へ進行するようになっている。電界検出素子16Fの
出射側には、直角二等辺三角柱状のプリズム24Bが、
直角部を形成する一方の短辺側の面24pを接触させて
設けており、プリズム24Bに入射した光は直角部と対
向する面24Qで反射するようになっている。プリズム
24Bの直角部を形成する他方の短辺側の面24rには
、それに接触させて検光子25を設けており、プリズム
24Bから出射した光を検光子25に入射させている。
して垂直にカントした両端面を有し、Z軸方向に長い直
方体となっており、その円偏光波は電界検出素子16f
のZ軸方向に透過する間に電界を受けると楕円偏光波と
なり〔第4図(d+参照〕、その状態で回転しつつ出射
側へ進行するようになっている。電界検出素子16Fの
出射側には、直角二等辺三角柱状のプリズム24Bが、
直角部を形成する一方の短辺側の面24pを接触させて
設けており、プリズム24Bに入射した光は直角部と対
向する面24Qで反射するようになっている。プリズム
24Bの直角部を形成する他方の短辺側の面24rには
、それに接触させて検光子25を設けており、プリズム
24Bから出射した光を検光子25に入射させている。
検光子25は一方向の偏光波のみを反射し〔第4図(e
l参照〕、この直線偏光波を光ファイバ16bに入射さ
せている。光ファイバ16bを通過した光は受光部26
で捉えて充電変換素子により電気信号に変換し、その電
気信号を電圧測定部27に入力している。
l参照〕、この直線偏光波を光ファイバ16bに入射さ
せている。光ファイバ16bを通過した光は受光部26
で捉えて充電変換素子により電気信号に変換し、その電
気信号を電圧測定部27に入力している。
電圧測定部27は入力された電気信号に基づいて、受光
部26の入射光の振幅測定を行う回路及び入射光の強度
レベルと電界強度との相関係数、また電界強度から電圧
値を算出するための測定電極間距離に相応する相関係数
を記憶している演算回路を備えている。このような構成
により電圧測定部27は入力された電気信号から受光部
26における入射光の強度、即ち直線偏光波の振幅に基
づき電界強度P (kV/am)を算出し、この電界強
度Pに測定電極間距離の前記数値に相応する係数3を乗
じたPX3により、測定電極に課電されている測定すべ
き電圧V (kν)を算出して、図示しない表示部に表
示するよう構成している。また電界検出素子16fは、
高い絶縁性を有し電界検出素子16fの誘電率と略等し
い誘電率のポリウレタン樹脂からなる誘電体17で測定
電極7.14とともにモールドされているから、電界検
出素子16fは測定電極7゜14に課電された高電圧か
ら絶縁され、また電界素子16fの周辺に電界の乱れ及
び部分放電が生じず、高精度で高電圧を測定することが
できる。
部26の入射光の振幅測定を行う回路及び入射光の強度
レベルと電界強度との相関係数、また電界強度から電圧
値を算出するための測定電極間距離に相応する相関係数
を記憶している演算回路を備えている。このような構成
により電圧測定部27は入力された電気信号から受光部
26における入射光の強度、即ち直線偏光波の振幅に基
づき電界強度P (kV/am)を算出し、この電界強
度Pに測定電極間距離の前記数値に相応する係数3を乗
じたPX3により、測定電極に課電されている測定すべ
き電圧V (kν)を算出して、図示しない表示部に表
示するよう構成している。また電界検出素子16fは、
高い絶縁性を有し電界検出素子16fの誘電率と略等し
い誘電率のポリウレタン樹脂からなる誘電体17で測定
電極7.14とともにモールドされているから、電界検
出素子16fは測定電極7゜14に課電された高電圧か
ら絶縁され、また電界素子16fの周辺に電界の乱れ及
び部分放電が生じず、高精度で高電圧を測定することが
できる。
なお、電界検出素子16fのZ軸方向長さは、その長さ
に応じて偏光波の振動面のねじれ角が異なり、検光子7
にて最短径方向の成分を取出すように定める。つまり、
楕円偏光波の電界検出素子16fの入射側端面と出射側
端面との偏光波の振動面のねじれ角度が90度の整数倍
となるようにする。
に応じて偏光波の振動面のねじれ角が異なり、検光子7
にて最短径方向の成分を取出すように定める。つまり、
楕円偏光波の電界検出素子16fの入射側端面と出射側
端面との偏光波の振動面のねじれ角度が90度の整数倍
となるようにする。
このように構成した電圧測定器により電圧測定を行う場
合は、発光部20から光を出射させるとともに、測定用
端子3,3間に測定ずへき高電圧を与えるゆこれにより
対向している測定電極7,14間には平等電界が発生し
、その電界は電界検出素子16fに作用する。そして電
界検出素子16f内を透過する光は透過する間に電界強
度に応じた楕円偏光波となる。この楕円偏光波の偏平度
は電界強度が強い程大きく、また電界強度が弱い程小さ
くなり、このような電界の強度と相関があることは公知
である。従って、楕円偏光波の最短径方向成分を検光子
25で検出し、その光を受光部26で受光して、その光
の強弱に基づき電界強度を算出して、それに係数を乗す
ることにより電圧が測定される。
合は、発光部20から光を出射させるとともに、測定用
端子3,3間に測定ずへき高電圧を与えるゆこれにより
対向している測定電極7,14間には平等電界が発生し
、その電界は電界検出素子16fに作用する。そして電
界検出素子16f内を透過する光は透過する間に電界強
度に応じた楕円偏光波となる。この楕円偏光波の偏平度
は電界強度が強い程大きく、また電界強度が弱い程小さ
くなり、このような電界の強度と相関があることは公知
である。従って、楕円偏光波の最短径方向成分を検光子
25で検出し、その光を受光部26で受光して、その光
の強弱に基づき電界強度を算出して、それに係数を乗す
ることにより電圧が測定される。
この電圧測定器は電界検出部16と測定器本体30とが
光ファイバ16a、 16bで接続されているのみであ
るから、外来の電、磁界の誘導を受けず、感電する虞れ
もなく安全に測定できる。そのため、高電圧を光学的に
高精度で測定でき、また電圧測定器は小型、軽量である
。
光ファイバ16a、 16bで接続されているのみであ
るから、外来の電、磁界の誘導を受けず、感電する虞れ
もなく安全に測定できる。そのため、高電圧を光学的に
高精度で測定でき、また電圧測定器は小型、軽量である
。
また水晶は通常ポッケルス素子として良く用いられるB
SO,LNOなどと較べるとそのポッケルス定数が1桁
以上小さい。本発明はこの特性を逆に利用しているため
50kV程度の高電圧まで直線性良く測定できるのであ
る。
SO,LNOなどと較べるとそのポッケルス定数が1桁
以上小さい。本発明はこの特性を逆に利用しているため
50kV程度の高電圧まで直線性良く測定できるのであ
る。
なお、本実施例に示した高電圧測定器では50kVまで
の測定を可能としたが測定電極の対向距離を変更するこ
とにより、測定し得る電圧の範囲を適宜変更できるのは
勿論である。
の測定を可能としたが測定電極の対向距離を変更するこ
とにより、測定し得る電圧の範囲を適宜変更できるのは
勿論である。
また、本実施例では誘電体にポリウレタン樹脂を用いた
が、誘電率が略等しい他の樹脂を用いてもよいのは勿論
であり、測定電極及び電界検出素子をモールドせず、液
体の誘電体内に配設してもよいのは言うまでもない。更
に、測定電極はその対向する間に平等電界を生じさせ得
るものであればよく、球状又はその他の形状であっても
よい。
が、誘電率が略等しい他の樹脂を用いてもよいのは勿論
であり、測定電極及び電界検出素子をモールドせず、液
体の誘電体内に配設してもよいのは言うまでもない。更
に、測定電極はその対向する間に平等電界を生じさせ得
るものであればよく、球状又はその他の形状であっても
よい。
一方、電昇検出素子の素材が水晶以外の場合には、その
素材の誘電率に略等しい誘電率である適宜の誘電体を用
いる。また誘電体は硬化後にその外面に遮光塗料を塗布
する等して遮光し得た場合は戸先筒体を使用しなくてよ
い。
素材の誘電率に略等しい誘電率である適宜の誘電体を用
いる。また誘電体は硬化後にその外面に遮光塗料を塗布
する等して遮光し得た場合は戸先筒体を使用しなくてよ
い。
以上詳述したように本発明は、測定すべき電圧を課電す
るための測定電極及び電界検出素子相互の間に誘電体を
介装しているから、電界検出素子は測定電極に課電され
た高電圧から絶縁される。
るための測定電極及び電界検出素子相互の間に誘電体を
介装しているから、電界検出素子は測定電極に課電され
た高電圧から絶縁される。
従って測定電極に課電された測定すべき高電圧を光学的
に測定でき、機械的振動による影響を全くうけずに高精
度で測定できる。また電界検出部と測定器本体とが離れ
ているから測定器本体側にて感電する虞れがない。更に
、電界検出部で電界を検出した光がall定器本体に達
する間で外来の電磁界の影響をうけないから測定積度が
低下する虞れがない。それ故、高電圧を高精度で測定し
得て、小型、軽9の電圧測定器を提供できる優れた効果
を奏する。
に測定でき、機械的振動による影響を全くうけずに高精
度で測定できる。また電界検出部と測定器本体とが離れ
ているから測定器本体側にて感電する虞れがない。更に
、電界検出部で電界を検出した光がall定器本体に達
する間で外来の電磁界の影響をうけないから測定積度が
低下する虞れがない。それ故、高電圧を高精度で測定し
得て、小型、軽9の電圧測定器を提供できる優れた効果
を奏する。
第1図は本発明の電圧測定器の断面図、第2図は電界検
出部の斜視図、第3図は電界検出部及びペリ定器本体の
模式的説明図、第4図は電界検出部における光の偏光形
聾を示す説明図である。 1・・・遮光筒体 7.14・・・測定電極 16・・
・電界検出部 16a、 16b・・・光ファイバ 1
6f・・・電界検出素子 20・・・発光部 22・・
・偏光子 24A、24B・・・プリズム 25・・・
検光子 特 許 出願人 三菱電線工業株式会社代理人 弁理
士 河 野 登 夫募 3 図 算 4 図
出部の斜視図、第3図は電界検出部及びペリ定器本体の
模式的説明図、第4図は電界検出部における光の偏光形
聾を示す説明図である。 1・・・遮光筒体 7.14・・・測定電極 16・・
・電界検出部 16a、 16b・・・光ファイバ 1
6f・・・電界検出素子 20・・・発光部 22・・
・偏光子 24A、24B・・・プリズム 25・・・
検光子 特 許 出願人 三菱電線工業株式会社代理人 弁理
士 河 野 登 夫募 3 図 算 4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、測定すべき電圧を課電すべく配設した測定電極と、
該測定電極間に配設され、入射した円偏光波が電界によ
り楕円偏光波となって出射する電界検出素子と、前記測
定電極及び前記電界検出素子相互の間に介装している誘
電体と、前記電界検出素子に入射すべき光を発する発光
部、電界検出素子が出射した光を捉えて光電変換する受
光部及び受光部で得た信号を、前記測定電極間の電圧値
情報に変換する電圧測定部を設けた測定器本体とを備え
たことを特徴とする電圧測定器。 2、前記測定電極は電界検出素子配設域に平等電界を形
成すべき形状を有する特許請求の範囲第1項に記載した
電圧測定器。 3、誘電体の誘電率は、電界検出素子の誘電率と略等し
い特許請求の範囲第1項に記載した電圧測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021377A JPS63188773A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電圧測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021377A JPS63188773A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電圧測定器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188773A true JPS63188773A (ja) | 1988-08-04 |
Family
ID=12053401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62021377A Pending JPS63188773A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電圧測定器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63188773A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009115497A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Ntt Docomo Inc | 電気光学プローブ |
| JP2009139351A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-25 | Nec Corp | 電気光センシングプローブおよび電界強度測定方法 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP62021377A patent/JPS63188773A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009115497A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Ntt Docomo Inc | 電気光学プローブ |
| JP2009139351A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-25 | Nec Corp | 電気光センシングプローブおよび電界強度測定方法 |
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