JPS6318886B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6318886B2 JPS6318886B2 JP56009613A JP961381A JPS6318886B2 JP S6318886 B2 JPS6318886 B2 JP S6318886B2 JP 56009613 A JP56009613 A JP 56009613A JP 961381 A JP961381 A JP 961381A JP S6318886 B2 JPS6318886 B2 JP S6318886B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- slot
- conductor
- slot line
- coupling point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/16—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes
- H03B19/18—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes and elements comprising distributed inductance and capacitance
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、平衡不平衡変換回路(以下バランと
呼ぶ。)を用いるマイクロ波帯およびミリ波帯に
おける小形で回路構成の自由度の大きいMIC(マ
イクロ波集積回路)化周波数逓倍器に関するもの
である。
呼ぶ。)を用いるマイクロ波帯およびミリ波帯に
おける小形で回路構成の自由度の大きいMIC(マ
イクロ波集積回路)化周波数逓倍器に関するもの
である。
第1図A及びBは、従来実現されているMIC
化周波数2逓倍器の例である。第1図において、
1はコプレナ線路、2は基本波電圧、3は第1の
ダイオード、4は第2のダイオード、5は奇数次
の高調波成分、6は金属ブリツジ、7はスロツト
線路、8は偶数次の高調波成分、9は入力端子、
10は出力端子である。
化周波数2逓倍器の例である。第1図において、
1はコプレナ線路、2は基本波電圧、3は第1の
ダイオード、4は第2のダイオード、5は奇数次
の高調波成分、6は金属ブリツジ、7はスロツト
線路、8は偶数次の高調波成分、9は入力端子、
10は出力端子である。
コプレナ線路1から入力された基本波電圧2は
実線矢印のように、第1のダイオード3と第2の
ダイオード4に互いに逆位相で加わる。ダイオー
ドの非線形性のために生じた電流の高調波成分の
うち偶数次の高調波成分8は、破線矢印のように
生ずる。コプレナ線路には、金属ブリツジ6がつ
けられているため、一点鎖線で示す位相関係のモ
ードだけが伝搬できるようになつているので、偶
数次の高調波成分はコプレナ線路側には伝搬せ
ず、スロツト線路7の側に伝搬する。一方、奇数
次の高調波成分5は一点鎖線矢印のように生ずる
ため、コプレナ線路側には伝搬するが、スロツト
線路側には伝搬しない。このように、ダイオード
の非線形性によつて生ずる高調波のうち奇数次の
ものを入力端子9の側に、偶数次のものを出力端
子10の側に分離して取り出すことができるため
簡易なフイルタを用いることにより容易に希望す
る逓倍波だけを出力側に取り出すとができる。
実線矢印のように、第1のダイオード3と第2の
ダイオード4に互いに逆位相で加わる。ダイオー
ドの非線形性のために生じた電流の高調波成分の
うち偶数次の高調波成分8は、破線矢印のように
生ずる。コプレナ線路には、金属ブリツジ6がつ
けられているため、一点鎖線で示す位相関係のモ
ードだけが伝搬できるようになつているので、偶
数次の高調波成分はコプレナ線路側には伝搬せ
ず、スロツト線路7の側に伝搬する。一方、奇数
次の高調波成分5は一点鎖線矢印のように生ずる
ため、コプレナ線路側には伝搬するが、スロツト
線路側には伝搬しない。このように、ダイオード
の非線形性によつて生ずる高調波のうち奇数次の
ものを入力端子9の側に、偶数次のものを出力端
子10の側に分離して取り出すことができるため
簡易なフイルタを用いることにより容易に希望す
る逓倍波だけを出力側に取り出すとができる。
しかしながら、第1図に示した従来の例におい
ては、回路パタンは基板の片側の面だけを利用し
て形成されているため導波管やマイクロストリツ
プ線路などで構成される外部回路の線路への変換
部分の回路寸法が大きくなる。また、この例では
高周波の阻止用として回路製作が複雑かつ再現性
の良くない金属ブリツジが必要であるため、回路
の高周波化も困難である。
ては、回路パタンは基板の片側の面だけを利用し
て形成されているため導波管やマイクロストリツ
プ線路などで構成される外部回路の線路への変換
部分の回路寸法が大きくなる。また、この例では
高周波の阻止用として回路製作が複雑かつ再現性
の良くない金属ブリツジが必要であるため、回路
の高周波化も困難である。
従つて本発明は従来の技術の上記欠点を改善す
るもので、その目的は誘導体基板の両面を有効に
利用することにより回路構成を簡易化するととも
に回路寸法の小形化を図り、さらに同時に許容電
力をより高める点にある。
るもので、その目的は誘導体基板の両面を有効に
利用することにより回路構成を簡易化するととも
に回路寸法の小形化を図り、さらに同時に許容電
力をより高める点にある。
本発明は、誘導体基板の両面にそれぞれ形成し
たマイクロストリツプ線路とスロツト線路の変換
回路を用いることを基本とし、その特徴は、誘導
体基板の第1の表面の導体にもうけられるスロツ
トにより形成される第1,第2及び第3のスロツ
ト線路と、前記導体を接地導体とし誘電体基板の
別の表面にもうけられる細長の導体とにより構成
される一端開放のマイクロストリツプ線路とを有
し、第1及び第2のスロツト線路の一端を第1の
結合点で結合するとともに該スロツト線路を該結
合点でマイクロストリツプ線路と直交するごとく
結合し、第1及び第2のスロツト線路の他端と第
3のスロツト線路の一端を第2の結合点で結合
し、第3のスロツト線路の他端を入力端子としマ
イクロストリツプ線路を出力端子とし、1対のダ
イオードを第1及び第2のスロツト線路により分
割された導体の間に同極性で橋絡接続するごとき
MIC化周波数逓倍器にある。以下図面により実
施例を説明する。
たマイクロストリツプ線路とスロツト線路の変換
回路を用いることを基本とし、その特徴は、誘導
体基板の第1の表面の導体にもうけられるスロツ
トにより形成される第1,第2及び第3のスロツ
ト線路と、前記導体を接地導体とし誘電体基板の
別の表面にもうけられる細長の導体とにより構成
される一端開放のマイクロストリツプ線路とを有
し、第1及び第2のスロツト線路の一端を第1の
結合点で結合するとともに該スロツト線路を該結
合点でマイクロストリツプ線路と直交するごとく
結合し、第1及び第2のスロツト線路の他端と第
3のスロツト線路の一端を第2の結合点で結合
し、第3のスロツト線路の他端を入力端子としマ
イクロストリツプ線路を出力端子とし、1対のダ
イオードを第1及び第2のスロツト線路により分
割された導体の間に同極性で橋絡接続するごとき
MIC化周波数逓倍器にある。以下図面により実
施例を説明する。
第2図A〜Cは、本発明の実施例であつて、7
及び11は第1及び第2のスロツト線路、12は
第3のスロツト線路、13及び14は各々第2及
び第1の結合点、3および4はダイオード、15
および16はスロツト線路により分割された導体
領域、17はマイクロストリツプ線路、2,18
および19は基本波電圧、5および20は奇数次
の高調波成分、8および21は偶数次の高調波成
分、22は直流バイアスを印加するための直流リ
ターン回路で直流電源22aに接続される。9は
第3のスロツト線路12の一端の入力端子、10
はマイクロストリツプ線路10の一端の出力端子
を表わしている。
及び11は第1及び第2のスロツト線路、12は
第3のスロツト線路、13及び14は各々第2及
び第1の結合点、3および4はダイオード、15
および16はスロツト線路により分割された導体
領域、17はマイクロストリツプ線路、2,18
および19は基本波電圧、5および20は奇数次
の高調波成分、8および21は偶数次の高調波成
分、22は直流バイアスを印加するための直流リ
ターン回路で直流電源22aに接続される。9は
第3のスロツト線路12の一端の入力端子、10
はマイクロストリツプ線路10の一端の出力端子
を表わしている。
スロツト線路7と11は結合点13でスロツト
線路12と結合され、また結合点14でマイクロ
ストリツプ線路17と結合されている。ここでス
ロツト線路7と11の長さは等しいか、又はλ/2 の整数倍の差を有し、結合点で合成又は打ち消し
が効果的に行なわれるようにする。マイクロスト
リツプ線路17の結合点14からの長さLは結合
量に従つて適宜設計される。ダイオード3および
4はそれぞれスロツト線路7および11に導体1
5と16を橋絡してマウントされている。ダイオ
ード3および4の2つの電極はそれぞれ導体領域
15および16に、極性が同じになるように(同
極性で)接続されている。つまりダイオード3の
アノードとダイオード4のアノードが導体15に
接続され、ダイオード3と4のカソードが導体1
6に接続されるか、又はダイオード3と4のアノ
ードが導体16に接続されると共にダイオード3
と4のカソードが導体15に接続される。スロツ
ト線路12は入力端子9、マイクロストリツプ線
路17は出力端子10となる。
線路12と結合され、また結合点14でマイクロ
ストリツプ線路17と結合されている。ここでス
ロツト線路7と11の長さは等しいか、又はλ/2 の整数倍の差を有し、結合点で合成又は打ち消し
が効果的に行なわれるようにする。マイクロスト
リツプ線路17の結合点14からの長さLは結合
量に従つて適宜設計される。ダイオード3および
4はそれぞれスロツト線路7および11に導体1
5と16を橋絡してマウントされている。ダイオ
ード3および4の2つの電極はそれぞれ導体領域
15および16に、極性が同じになるように(同
極性で)接続されている。つまりダイオード3の
アノードとダイオード4のアノードが導体15に
接続され、ダイオード3と4のカソードが導体1
6に接続されるか、又はダイオード3と4のアノ
ードが導体16に接続されると共にダイオード3
と4のカソードが導体15に接続される。スロツ
ト線路12は入力端子9、マイクロストリツプ線
路17は出力端子10となる。
次に、この回路の動作を説明する。入力端子9
から入力された基本波は結合点13で分岐しスロ
ツト線路7および11を伝搬する。スロツト線路
7および11を伝搬する基本波の電圧18および
19は、図のように実線矢印の向きにダイオード
3および4に印加される。ダイオードの非線形性
によつて生ずる電流の高調波成分のうち奇数次の
成分5および20は図のように一点鎖線矢印の向
きに生じ、偶数次の高調波成分8および21は図
のように破線矢印の向きに生ずる。スロツト線路
7および11の長さ(すなわち結合点13から1
4までの距離)を等しくし、かつダイオード3お
よび4を結合点13から等距離の点にマウントす
ると、奇数次の高調波は結合点13では互いに同
相で合成されるが、結合点14では互いに逆相で
打ち消し合う。また偶数次の高調波は結合点13
では互いに逆相で打ち消し合うが、結合点14で
は互いに同相で合成される。同相で合成された偶
数次の高調波は結合点14でスロツト線路からマ
イクロストリツプ線路17に結合され出力端子1
0から取り出される。このようにダイオードの非
線形性によつて生ずる高調波のうち、奇数次のも
のを入力端子9の側に、偶数次のものを出力端子
10の側に分離して取り出すことができるため、
簡易なフイルタを用いることにより容易に希望す
る逓倍波だけを出力側に取り出すことができる。
から入力された基本波は結合点13で分岐しスロ
ツト線路7および11を伝搬する。スロツト線路
7および11を伝搬する基本波の電圧18および
19は、図のように実線矢印の向きにダイオード
3および4に印加される。ダイオードの非線形性
によつて生ずる電流の高調波成分のうち奇数次の
成分5および20は図のように一点鎖線矢印の向
きに生じ、偶数次の高調波成分8および21は図
のように破線矢印の向きに生ずる。スロツト線路
7および11の長さ(すなわち結合点13から1
4までの距離)を等しくし、かつダイオード3お
よび4を結合点13から等距離の点にマウントす
ると、奇数次の高調波は結合点13では互いに同
相で合成されるが、結合点14では互いに逆相で
打ち消し合う。また偶数次の高調波は結合点13
では互いに逆相で打ち消し合うが、結合点14で
は互いに同相で合成される。同相で合成された偶
数次の高調波は結合点14でスロツト線路からマ
イクロストリツプ線路17に結合され出力端子1
0から取り出される。このようにダイオードの非
線形性によつて生ずる高調波のうち、奇数次のも
のを入力端子9の側に、偶数次のものを出力端子
10の側に分離して取り出すことができるため、
簡易なフイルタを用いることにより容易に希望す
る逓倍波だけを出力側に取り出すことができる。
第3図A〜Cは、本発明の別の実施例であつ
て、7および11はスロツト線路、13,14お
よび24は結合点、3および4はダイオード、1
5および16はスロツト線路により分割された導
体領域、17および23はマイクロストリツプ線
路、18および19は基本波電圧、5および20
は奇数次の高調波成分、8および21は偶数次の
高調波成分、22は直流リターン回路を表わして
いる。
て、7および11はスロツト線路、13,14お
よび24は結合点、3および4はダイオード、1
5および16はスロツト線路により分割された導
体領域、17および23はマイクロストリツプ線
路、18および19は基本波電圧、5および20
は奇数次の高調波成分、8および21は偶数次の
高調波成分、22は直流リターン回路を表わして
いる。
本回路は第2図に示した実施例の回路を2個並
列に接続したものであり、動作原理は第2図の回
路と同じである。ただし、(1)入力端子は、第2図
ではスロツト線路12であつたのに対し、第3図
ではストリツプ線路23としている、(2)出力端子
は、第2図では1本のストリツプ線路17であつ
たのに対し、第3図では2本のストリツプ線路1
7を結合点24で結合している、(3)ダイオードの
数は、第2図では2個であつたのに対し、第3図
では4個になつている、点が第3図の実施例の回
路が第2図の場合と異なる点である。このように
することにより、第2図の実施例の長所を生かす
と同時に高電力化を図ることができる。
列に接続したものであり、動作原理は第2図の回
路と同じである。ただし、(1)入力端子は、第2図
ではスロツト線路12であつたのに対し、第3図
ではストリツプ線路23としている、(2)出力端子
は、第2図では1本のストリツプ線路17であつ
たのに対し、第3図では2本のストリツプ線路1
7を結合点24で結合している、(3)ダイオードの
数は、第2図では2個であつたのに対し、第3図
では4個になつている、点が第3図の実施例の回
路が第2図の場合と異なる点である。このように
することにより、第2図の実施例の長所を生かす
と同時に高電力化を図ることができる。
以上説明したように、本発明のMIC化周波数
逓倍器は、誘電体基板の両面にそれぞれ形成され
たマイクロストリツプ線路とスロツト線路の変換
回路で構成しているので、誘電体基板の片側の面
だけを利用した従来のものに比べて、回路構成が
簡単なために回路寸法を小形にすることができ高
周波化にも適し、さらに高電力化を図ることがで
きるという利点がある。
逓倍器は、誘電体基板の両面にそれぞれ形成され
たマイクロストリツプ線路とスロツト線路の変換
回路で構成しているので、誘電体基板の片側の面
だけを利用した従来のものに比べて、回路構成が
簡単なために回路寸法を小形にすることができ高
周波化にも適し、さらに高電力化を図ることがで
きるという利点がある。
第1図Aは従来のMIC化周波数逓倍器の平面
図、第1図Bは第1図AのA−A′断面図、第2
図Aは本発明によるMIC化周波数逓倍器の平面
図、第2図Bは第2図AのA−A′断面図、第2
図Cは第2図AのB部拡大図、第3図Aは本発明
による別のMIC化周波数逓倍器の平面図、第3
図Bは第3図AのA−A′断面図、第3図Cは第
3図AのB部拡大図である。 1……コプレナ線路、2,18,19……基本
波電圧、3,4……ダイオード、5,20……奇
数次の高調波成分、6……金属ブリツジ、7,1
1,12……スロツト線路、8,21……偶数次
の高調波成分、9……入力端子、10……出力端
子、13,14,24……結合点、15,16…
…導体領域、17,23……マイクロストリツプ
線路、22……直流リターン回路。
図、第1図Bは第1図AのA−A′断面図、第2
図Aは本発明によるMIC化周波数逓倍器の平面
図、第2図Bは第2図AのA−A′断面図、第2
図Cは第2図AのB部拡大図、第3図Aは本発明
による別のMIC化周波数逓倍器の平面図、第3
図Bは第3図AのA−A′断面図、第3図Cは第
3図AのB部拡大図である。 1……コプレナ線路、2,18,19……基本
波電圧、3,4……ダイオード、5,20……奇
数次の高調波成分、6……金属ブリツジ、7,1
1,12……スロツト線路、8,21……偶数次
の高調波成分、9……入力端子、10……出力端
子、13,14,24……結合点、15,16…
…導体領域、17,23……マイクロストリツプ
線路、22……直流リターン回路。
Claims (1)
- 1 誘電体基板の第1の表面の導体にもうけられ
るスロツトにより形成される第1、第2及び第3
のスロツト線路と、前記導体を接地導体とし誘電
体基板の別の表面にもうけられる細長の導体とに
より構成される一端解放のマイクロストリツプ線
路とを有し、第1及び第2のスロツト線路の一端
を第1の結合点で結合するとともに該スロツト線
路を該結合点でマイクロストリツプ線路と直交す
るごとく結合し、第1及び第2のスロツト線路の
他端と第3のスロツト線路の一端を第2の結合点
で結合し、第3のスロツト線路の他端を入力端子
としマイクロストリツプ線路を出力端子とし、第
一のスロツト線路の長さと第二のスロツト線路の
長さの差は入力信号の波長λに対してnλ/2(n
はcを含む正の整数)にし、1対のダイオードを
前記第2の結合点の近傍で第1及び第2のスロツ
ト線路により分割された導体の間に同極性で橋絡
接続することを特徴とするMIC化周波数逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56009613A JPS57124908A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Mic frequency multiplier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56009613A JPS57124908A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Mic frequency multiplier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57124908A JPS57124908A (en) | 1982-08-04 |
| JPS6318886B2 true JPS6318886B2 (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=11725138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56009613A Granted JPS57124908A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Mic frequency multiplier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57124908A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943601A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路 |
| JPH0787296B2 (ja) * | 1986-10-06 | 1995-09-20 | 日本電信電話株式会社 | 周波数逓倍回路 |
| US4754244A (en) * | 1986-10-31 | 1988-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Distributed balance frequency multiplier |
-
1981
- 1981-01-27 JP JP56009613A patent/JPS57124908A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57124908A (en) | 1982-08-04 |
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