JPS63188974A - 非晶質太陽電池の製造法 - Google Patents
非晶質太陽電池の製造法Info
- Publication number
- JPS63188974A JPS63188974A JP62020813A JP2081387A JPS63188974A JP S63188974 A JPS63188974 A JP S63188974A JP 62020813 A JP62020813 A JP 62020813A JP 2081387 A JP2081387 A JP 2081387A JP S63188974 A JPS63188974 A JP S63188974A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- silicon film
- solar cell
- scribing
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、太陽光および他の光源下で、光電変換を行な
う非晶質太陽電池の製造法に関するものである。
う非晶質太陽電池の製造法に関するものである。
従来の技術
従来この種の非晶質太陽電池は、第３図に示すような方
法により製造されていた。
法により製造されていた。
■に示すように、透光性絶縁基板１１を用いて、非晶質
太陽電池を作製する際に、透明導電膜１２を所定のパタ
ーンで形成した後に、Ｈに示すように、非晶質硅素膜１
３を前記基板１１の片側全面に堆積し、■に示すように
、スクリーン印刷法やフォトエツチング法によりレジス
ト１４を所定のパターンに焼き付けた後に、■に示すよ
うに、前記非晶質膜１３を溶解するエツチング液に浸漬
して、前記非晶質膜１３の不要部分１５を除去し、■に
示すように前記レジスト１４を除去した後に、透過光面
１７側の電極１６も全く同様の方法で、パターンニング
するという製造法であった。
太陽電池を作製する際に、透明導電膜１２を所定のパタ
ーンで形成した後に、Ｈに示すように、非晶質硅素膜１
３を前記基板１１の片側全面に堆積し、■に示すように
、スクリーン印刷法やフォトエツチング法によりレジス
ト１４を所定のパターンに焼き付けた後に、■に示すよ
うに、前記非晶質膜１３を溶解するエツチング液に浸漬
して、前記非晶質膜１３の不要部分１５を除去し、■に
示すように前記レジスト１４を除去した後に、透過光面
１７側の電極１６も全く同様の方法で、パターンニング
するという製造法であった。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の製造法では、まず、太
陽電池構成材料では無いエツチングのためのレジストを
塗布して、また除去しなければならないなど、工程数が
多いという問題点があり、次で、レジスト塗布前に、細
かなゴミ、ホコリが、非晶質珪素膜上にあると、レジス
トのピンホールが発生しそのままエツチングをすると、
その部分の非晶質珪素膜まで、除去されてしまい、太陽
電池を短絡させてしまうので、作業環境を非常にクリー
ンに保つ必要があり、設備費が高くつくという問題点が
あった。さらには、スクリーン印刷法は、フォトエツチ
ング法に比べて、比較的工程数は少ないけれども、微細
なパター７（ｏ、３μｍ未満）が形成できないという問
題点があった。
陽電池構成材料では無いエツチングのためのレジストを
塗布して、また除去しなければならないなど、工程数が
多いという問題点があり、次で、レジスト塗布前に、細
かなゴミ、ホコリが、非晶質珪素膜上にあると、レジス
トのピンホールが発生しそのままエツチングをすると、
その部分の非晶質珪素膜まで、除去されてしまい、太陽
電池を短絡させてしまうので、作業環境を非常にクリー
ンに保つ必要があり、設備費が高くつくという問題点が
あった。さらには、スクリーン印刷法は、フォトエツチ
ング法に比べて、比較的工程数は少ないけれども、微細
なパター７（ｏ、３μｍ未満）が形成できないという問
題点があった。
本発明は、このような問題点を解決するもので、上記の
レジストを使用しないで、低コストで、高精度の非晶質
珪素膜のパターンニングを行なうことを目的とするもの
である。
レジストを使用しないで、低コストで、高精度の非晶質
珪素膜のパターンニングを行なうことを目的とするもの
である。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明の技術的手段は、
透明導電膜上の非晶質珪素膜の必要な箇所を除去する際
に、前記透明導電膜の硬さと、前記非晶質珪素膜のもろ
さとを利用して、珪素膜のみを刃物でスクライブして、
非晶質珪素膜のパターンニングを行なうものである。
透明導電膜上の非晶質珪素膜の必要な箇所を除去する際
に、前記透明導電膜の硬さと、前記非晶質珪素膜のもろ
さとを利用して、珪素膜のみを刃物でスクライブして、
非晶質珪素膜のパターンニングを行なうものである。
作 用
この構成によシ、硬い透明導電膜上の、もろい非晶質珪
素膜を、適当な硬さの加工刃物でスクライブすることに
よって、前記透明導電膜を損傷せずに、前記非晶質珪素
膜のパターンニングを行なうことができることとなる。
素膜を、適当な硬さの加工刃物でスクライブすることに
よって、前記透明導電膜を損傷せずに、前記非晶質珪素
膜のパターンニングを行なうことができることとなる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例による非晶質太陽電池の製
造プロセスを説明するための素子の断面図である。第１
図において、ａに示すようにガラス基板１上に、透明導
電膜２を所定のパターンで形成した後に、ｂに示すよう
に、基板１０片片側面に非晶質珪素膜３を堆積した後に
、この膜３を炭素鋼製の刃物を用いて所定のパターンで
スクライブすると、Ｃに示すように、スクライブ箇所４
に対応した透明導電膜２を損傷すること無く、前記非晶
質珪素膜のみを除去できる。そしてｄに示すようにＡ２
層５を所定のパターンで堆積することによって、ガラス
基板１上の複数の太陽電池６を直列接続することができ
た。
造プロセスを説明するための素子の断面図である。第１
図において、ａに示すようにガラス基板１上に、透明導
電膜２を所定のパターンで形成した後に、ｂに示すよう
に、基板１０片片側面に非晶質珪素膜３を堆積した後に
、この膜３を炭素鋼製の刃物を用いて所定のパターンで
スクライブすると、Ｃに示すように、スクライブ箇所４
に対応した透明導電膜２を損傷すること無く、前記非晶
質珪素膜のみを除去できる。そしてｄに示すようにＡ２
層５を所定のパターンで堆積することによって、ガラス
基板１上の複数の太陽電池６を直列接続することができ
た。
なお前記炭素鋼製の刃物の先端の肉厚が１０μｍのもの
を使用することによって、前記スクライブ箇所４の非晶
質珪素膜３を除去した箇所の幅を２０μｍにすることが
できた。なおこの時炭素鋼製の刃物以外にセラミック片
、ガラス片やアクリル樹脂片でも全く同じ結果かえられ
た。
を使用することによって、前記スクライブ箇所４の非晶
質珪素膜３を除去した箇所の幅を２０μｍにすることが
できた。なおこの時炭素鋼製の刃物以外にセラミック片
、ガラス片やアクリル樹脂片でも全く同じ結果かえられ
た。
その時使用したスクライブ装置の概要を第２図に示す。
Ｘ・Ｙ、Ｚステージ２１上にワーク２２を固定し、架台
２３に固定した炭素鋼製の刃物２４がワーク２２に接触
するように、Ｚステージ２１０を上昇させ、ｘ２１１．
Ｙ２１□ステージを適当に動かすことによって所定のパ
ターンを形成するものである。
２３に固定した炭素鋼製の刃物２４がワーク２２に接触
するように、Ｚステージ２１０を上昇させ、ｘ２１１．
Ｙ２１□ステージを適当に動かすことによって所定のパ
ターンを形成するものである。
発明の効果
本発明によれば、直列接続等を行なうために、非晶質珪
素、漠のパターンニングをする際に、レジストを使用し
たエツチングを行なわないで、金属製、セラミック製、
プラスチック製はどの刃物でスクライブすることにより
、まず工程数を激減させることができること、次にレジ
ストのピンホールによる太陽電池の短絡というものを考
えなくて良いこと、さらには、金属製等の刃物の刃先の
肉厚を適当に選ぶことによって、微訓な線の（２０μｍ
程度）パターンから、太い線（１間以上）のパターンま
で、治具の取り換えだけで簡単に行なえるという効果が
得られる。
素、漠のパターンニングをする際に、レジストを使用し
たエツチングを行なわないで、金属製、セラミック製、
プラスチック製はどの刃物でスクライブすることにより
、まず工程数を激減させることができること、次にレジ
ストのピンホールによる太陽電池の短絡というものを考
えなくて良いこと、さらには、金属製等の刃物の刃先の
肉厚を適当に選ぶことによって、微訓な線の（２０μｍ
程度）パターンから、太い線（１間以上）のパターンま
で、治具の取り換えだけで簡単に行なえるという効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における製造プロ慎毎の太陽
電池の部分断面図、第２図は実施例に用いたスクライブ
装置の概略図、第３図は従来の製造プロセス毎の太陽電
池の部分断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜
、３・・・・・・非晶質珪素膜、４・・・・・・スクラ
イブ箇所。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！
−止先在耗縁基扱 ２− 透明４電膜 ３−− ノｌ： 晶 質 圧 素 膜 ６− 太Ｆ１ｈ！氾 （ａ＞ （ｂＪ ＬＣＩ） ｚ７−Ｘ−Ｙ−Ｚステージ ２２− ワーク ２３−架台 ２４− η 物 ２１０−Ｚステージ ２／／−、にステージ
電池の部分断面図、第２図は実施例に用いたスクライブ
装置の概略図、第３図は従来の製造プロセス毎の太陽電
池の部分断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜
、３・・・・・・非晶質珪素膜、４・・・・・・スクラ
イブ箇所。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！
−止先在耗縁基扱 ２− 透明４電膜 ３−− ノｌ： 晶 質 圧 素 膜 ６− 太Ｆ１ｈ！氾 （ａ＞ （ｂＪ ＬＣＩ） ｚ７−Ｘ−Ｙ−Ｚステージ ２２− ワーク ２３−架台 ２４− η 物 ２１０−Ｚステージ ２／／−、にステージ
Claims (3)
- （１）透光性絶縁基板上に、直列接続等を行なうために
、所定のパターンで、透明導電膜が形成された後に、非
晶質珪素膜を堆積し、さらに、直列接続等を行なうため
に、前記非晶質珪素膜の所定のパターンを形成し、必要
な箇所を刃物でスクライブすることによって、非晶質珪
素膜を除去することを特徴とする非晶質太陽電池の製造
法。 - （２）非晶質珪素膜をスクライブして除去するための刃
物が、金属または、セラミック片であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の非晶質太陽電池の製造法
。 - （３）非晶質珪素膜をスクライブして除去するための刃
物が、プラスチック片であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の非晶質太陽電池の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62020813A JPS63188974A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 非晶質太陽電池の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62020813A JPS63188974A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 非晶質太陽電池の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188974A true JPS63188974A (ja) | 1988-08-04 |
Family
ID=12037479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62020813A Pending JPS63188974A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 非晶質太陽電池の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63188974A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025005114A1 (ja) * | 2023-06-30 | 2025-01-02 | 東洋紡株式会社 | 装置、該装置を用いた積層体の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP62020813A patent/JPS63188974A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025005114A1 (ja) * | 2023-06-30 | 2025-01-02 | 東洋紡株式会社 | 装置、該装置を用いた積層体の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
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