JPS63193531A - 半導体の熱酸化法 - Google Patents
半導体の熱酸化法Info
- Publication number
- JPS63193531A JPS63193531A JP2564187A JP2564187A JPS63193531A JP S63193531 A JPS63193531 A JP S63193531A JP 2564187 A JP2564187 A JP 2564187A JP 2564187 A JP2564187 A JP 2564187A JP S63193531 A JPS63193531 A JP S63193531A
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- Japan
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- hydrogen
- thermal oxidation
- temperature
- semiconductor substrate
- heater
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法の内、半導体の熱酸化法
に関する。
に関する。
本発明は半導体の熱酸化法において、水素を燃焼させる
ための加熱ヒーターと、半導体基板表面を熱酸化するた
めの加熱ヒーターとを各々独立に温度制御し、なおかつ
水素の燃焼と半導体基板表面の熱酸化とを同一の炉芯管
内で行なうことにより、従来の装置を複雑にすることな
（、半導体基板上の酸化Ｉ１２厚のばらつきを少なくし
、水蒸気によるより低温での熱酸化を可能にしたもので
ある。
ための加熱ヒーターと、半導体基板表面を熱酸化するた
めの加熱ヒーターとを各々独立に温度制御し、なおかつ
水素の燃焼と半導体基板表面の熱酸化とを同一の炉芯管
内で行なうことにより、従来の装置を複雑にすることな
（、半導体基板上の酸化Ｉ１２厚のばらつきを少なくし
、水蒸気によるより低温での熱酸化を可能にしたもので
ある。
従来の半導体の熱酸化法は特許第１０８４６３１０号の
様に、炉芯管内に水素をＩＣして予熱し、しかる後にこ
の水素を酸化剤の流入口へ向けて放出して燃焼せしめる
が、この際水素の燃焼は半導体基板表面の熱酸化のため
のヒーターで炉芯管内の一度を上げることによって行な
われていた。また酸化炉の外部で水素を燃焼させた水蒸
気を炉芯管内に誘導して熱酸化することも行なわれてい
た。
様に、炉芯管内に水素をＩＣして予熱し、しかる後にこ
の水素を酸化剤の流入口へ向けて放出して燃焼せしめる
が、この際水素の燃焼は半導体基板表面の熱酸化のため
のヒーターで炉芯管内の一度を上げることによって行な
われていた。また酸化炉の外部で水素を燃焼させた水蒸
気を炉芯管内に誘導して熱酸化することも行なわれてい
た。
しかし前述の従来技術では、熱酸化温度を下げてくると
水素の燃ｆ部分の温度も下がって（るため、ある温度以
下になると水素が発火せず熱酸化できないという問題点
を有する。また熱酸化温度か低いほど水素燃焼時に炉内
温度分布が変化しやすいためガス最上流の酸化膜厚が厚
くなり、炉内の膜厚ばらつきが大きくなるという問題点
を有する。また外部で水素を燃焼させた水蒸気を炉芯管
内に誘導する方法では、酸化炉全体が複雑になるという
問題点をイｆする。そこで本発明はこのような問題点を
解決するものでその目的とするところは、装置を複雑に
することを最小限にとどめた上で従来より低温での水蒸
気酸化を可能にし、なおかつ酸化膜厚のばらつきが少な
い半導体の熱酸化法を提供するところにある。
水素の燃ｆ部分の温度も下がって（るため、ある温度以
下になると水素が発火せず熱酸化できないという問題点
を有する。また熱酸化温度か低いほど水素燃焼時に炉内
温度分布が変化しやすいためガス最上流の酸化膜厚が厚
くなり、炉内の膜厚ばらつきが大きくなるという問題点
を有する。また外部で水素を燃焼させた水蒸気を炉芯管
内に誘導する方法では、酸化炉全体が複雑になるという
問題点をイｆする。そこで本発明はこのような問題点を
解決するものでその目的とするところは、装置を複雑に
することを最小限にとどめた上で従来より低温での水蒸
気酸化を可能にし、なおかつ酸化膜厚のばらつきが少な
い半導体の熱酸化法を提供するところにある。
本発明による半導体の熱酸化法は、水素を燃焼させるた
めの加熱ヒーターと半導体基板表面を熱酸化するだめの
加熱ヒーターとを各々独立に温度制御し、なおかつ水素
の燃焼と半導体基板表面の熱酸化とを同一の炉芯管内で
行なうことを特徴とする。
めの加熱ヒーターと半導体基板表面を熱酸化するだめの
加熱ヒーターとを各々独立に温度制御し、なおかつ水素
の燃焼と半導体基板表面の熱酸化とを同一の炉芯管内で
行なうことを特徴とする。
〔作用〕
本発明の上記の構成によれば、水素燃焼のための加熱ヒ
ーターと半導体基板表面の熱酸化のための加熱ヒーター
とを各々独立に温度制御することにより、熱酸化の温度
を下げていっても水素の発火が可能なように水素燃焼部
分の温度をコントロールできる。その結果従来よりも低
温での水素燃プＪ水蒸気による熱酸化が可能になる。ま
た水素の燃焼部分と半導体基板表面の熱酸化部分との距
ｉｔが離れるため半導体基板が水素燃焼時の温度変化を
受けに＜（、その結果酸化Ｉ１２厚のばらつきが少なく
なる。さらに水素の燃焼と半導体基板表面の熱酸化とを
同一炉芯管内で行なうことにより、従来よりそれほど複
雑にならない装置で上記の効果をｒｌｌつ酸化が可能と
なる。
ーターと半導体基板表面の熱酸化のための加熱ヒーター
とを各々独立に温度制御することにより、熱酸化の温度
を下げていっても水素の発火が可能なように水素燃焼部
分の温度をコントロールできる。その結果従来よりも低
温での水素燃プＪ水蒸気による熱酸化が可能になる。ま
た水素の燃焼部分と半導体基板表面の熱酸化部分との距
ｉｔが離れるため半導体基板が水素燃焼時の温度変化を
受けに＜（、その結果酸化Ｉ１２厚のばらつきが少なく
なる。さらに水素の燃焼と半導体基板表面の熱酸化とを
同一炉芯管内で行なうことにより、従来よりそれほど複
雑にならない装置で上記の効果をｒｌｌつ酸化が可能と
なる。
本発明の実施例における概念図を茅１図に示す。炉芯管
５に誘導された水素ガス３は酸素ガス４の気流中で燃焼
されて水蒸気となりヒーター２によって加熱された半導
体基板を酸化する。この際ヒーター２と別に独立に温度
制御の可能なヒーター１を設けることによって水素ガス
の発火する部分の温度を半導体基板の加熱とは独立に制
御できる。従来の熱酸化法では１と２は独立に制御して
いないので、２による半導体基板の加熱の温度を下げれ
ば必然的に水素の燃焼する部分の温度が下がる。下がり
すぎると水素が発火しないため、あまり低温での水蒸気
酸化は不可能である。これに対して本発明では１のヒー
ターｔＡ［ｆを水素の発火点以上に設定して水素を燃焼
させ、ヒーター２の温度をそれより低い温度に設定でき
るため低温での水蒸気酸化が可能になる。また本発明に
よるとヒーター２が存在する分水素燃焼部分と半導体基
板の加熱部分とが従来より離れるため水素燃焼による炉
内４度分布への影響が小さくなり酸化膜厚のばらつきが
小さくなる。さらに従来行なわれていた、５の炉芯管以
外の燃焼室の中で水素を燃・填させて炉芯管中に４人す
るやり方と異なり、本発明では水素燃焼と半導体基板の
熱酸化とを同一の炉芯管内で行なうため余分な外部燃ｊ
Ａ室を必要とせず、装置全体の簡略化がはかれる。
５に誘導された水素ガス３は酸素ガス４の気流中で燃焼
されて水蒸気となりヒーター２によって加熱された半導
体基板を酸化する。この際ヒーター２と別に独立に温度
制御の可能なヒーター１を設けることによって水素ガス
の発火する部分の温度を半導体基板の加熱とは独立に制
御できる。従来の熱酸化法では１と２は独立に制御して
いないので、２による半導体基板の加熱の温度を下げれ
ば必然的に水素の燃焼する部分の温度が下がる。下がり
すぎると水素が発火しないため、あまり低温での水蒸気
酸化は不可能である。これに対して本発明では１のヒー
ターｔＡ［ｆを水素の発火点以上に設定して水素を燃焼
させ、ヒーター２の温度をそれより低い温度に設定でき
るため低温での水蒸気酸化が可能になる。また本発明に
よるとヒーター２が存在する分水素燃焼部分と半導体基
板の加熱部分とが従来より離れるため水素燃焼による炉
内４度分布への影響が小さくなり酸化膜厚のばらつきが
小さくなる。さらに従来行なわれていた、５の炉芯管以
外の燃焼室の中で水素を燃・填させて炉芯管中に４人す
るやり方と異なり、本発明では水素燃焼と半導体基板の
熱酸化とを同一の炉芯管内で行なうため余分な外部燃ｊ
Ａ室を必要とせず、装置全体の簡略化がはかれる。
以上述べたように本発明によれば、水素を燃焼させるた
めの加熱ヒーターと半導体基板表面を熱酸化するための
加熱ヒーターとを各々独立に温度制御し、かつ水素の燃
焼と半導体基板表面の熱酸化とを同一の炉芯管内で行な
うことにより、従来より低温での水蒸気酸化が可能にな
り、なおかつ膜厚ばらつきの少ない熱酸化が可能となる
。また従来の装置構成を複雑化せず上記の特徴を持つ酸
化が可能になるという効果を打する。
めの加熱ヒーターと半導体基板表面を熱酸化するための
加熱ヒーターとを各々独立に温度制御し、かつ水素の燃
焼と半導体基板表面の熱酸化とを同一の炉芯管内で行な
うことにより、従来より低温での水蒸気酸化が可能にな
り、なおかつ膜厚ばらつきの少ない熱酸化が可能となる
。また従来の装置構成を複雑化せず上記の特徴を持つ酸
化が可能になるという効果を打する。
第１図は本発明による半導体の熱酸化法の１実施例を示
す模式図。 １・・・水素燃焼のための加熱ヒーター２・・・半導体
基板の加熱のためのヒーター３・・・水素ガス ４・・
・酸素ガス ５・・・炉芯管以 上
す模式図。 １・・・水素燃焼のための加熱ヒーター２・・・半導体
基板の加熱のためのヒーター３・・・水素ガス ４・・
・酸素ガス ５・・・炉芯管以 上
Claims (1)
- 水素を燃焼させて発生した水蒸気によって半導体基板表
面を熱酸化する半導体の熱酸化法において、水素を燃焼
させるための加熱ヒーターと半導体基板表面を熱酸化す
るための加熱ヒーターとを各々独立に温度制御し、かつ
水素の燃焼と半導体基板表面の熱酸化とを同一の炉芯管
内で行なうことを特徴とする半導体の熱酸化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2564187A JPS63193531A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体の熱酸化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2564187A JPS63193531A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体の熱酸化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193531A true JPS63193531A (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=12171464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2564187A Pending JPS63193531A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 半導体の熱酸化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63193531A (ja) |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP2564187A patent/JPS63193531A/ja active Pending
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