JPS63194331A - マスク保持装置 - Google Patents
マスク保持装置Info
- Publication number
- JPS63194331A JPS63194331A JP62026456A JP2645687A JPS63194331A JP S63194331 A JPS63194331 A JP S63194331A JP 62026456 A JP62026456 A JP 62026456A JP 2645687 A JP2645687 A JP 2645687A JP S63194331 A JPS63194331 A JP S63194331A
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- Japan
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- mask
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- membrane
- holder
- permanent magnet
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は高集積半導体回路素子の製造のためのりソゲラ
フイエ程、特に転写工程で用いるマスク保持装置に関す
るものであり、特にX線露光装置用のマスク保持装置に
関するものである。
フイエ程、特に転写工程で用いるマスク保持装置に関す
るものであり、特にX線露光装置用のマスク保持装置に
関するものである。
[従来の技術]
従来のマスク保持装置として、マスク保持は真空吸着に
よるものと磁力によって吸着するものとがある。磁力に
よって吸着、固定する方法には、永久磁石を使ったもの
とM 68石を使ったものとがある。
よるものと磁力によって吸着するものとがある。磁力に
よって吸着、固定する方法には、永久磁石を使ったもの
とM 68石を使ったものとがある。
ところで、マスクメンブレンの平面度はマスク保持装置
の吸着面の平面度、メンブレンを貼るためのマスクフレ
ーム(リップ面、吸着面)の平面度、マスクの自重たわ
みなどの総合精度として決まることが知られている。従
ってマスクをマスク保持装置に吸着、固定すると、ある
平面度が定゛まり、そしてその平面度を改善し、平面を
矯正することはできない。
の吸着面の平面度、メンブレンを貼るためのマスクフレ
ーム(リップ面、吸着面)の平面度、マスクの自重たわ
みなどの総合精度として決まることが知られている。従
ってマスクをマスク保持装置に吸着、固定すると、ある
平面度が定゛まり、そしてその平面度を改善し、平面を
矯正することはできない。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は所要の平面度を得られるようマスクメン
ブレンの平面を矯正できるマスク保持装置を提供するこ
とである。
ブレンの平面を矯正できるマスク保持装置を提供するこ
とである。
[問題点を解決するための手段]
この目的は本発明に従って、マスクホルダーと、マスク
フレームとを吸着保持する複数の電rIn石のソレノイ
ドコイルの各々に所要の平面度を得られるよう制御され
た電流を供給するように構成したマスク保持装置により
達成される。
フレームとを吸着保持する複数の電rIn石のソレノイ
ドコイルの各々に所要の平面度を得られるよう制御され
た電流を供給するように構成したマスク保持装置により
達成される。
特に周縁に複数のソレノイドコイルを埋゛設したマスク
ホルダーと、このマスクホルダーに取付けるマスクフレ
ームと、これらのマスクホルダーとマスクフレームとを
吸着して保持する永久磁石手段と、各ソレノイドに制御
された異なる電流を供給する手段とを備えたマスク保持
装置が提案され、この場合マスクホルダーのソレノイド
コイルのコアとして永久磁石を配置し、その永久磁石に
吸着されるようマスクフレームの少なくとも一部を磁性
材料から構成することにより上記の永久もu石手段を構
成してもよいし、またはマスクホルダーのソレノイドコ
イルに磁性材コアまたはヨークを配置し、これに対向し
た位置にマスクフレームに永久磁石を配置することによ
り上記の永久hnn平手段構成してもよい。
ホルダーと、このマスクホルダーに取付けるマスクフレ
ームと、これらのマスクホルダーとマスクフレームとを
吸着して保持する永久磁石手段と、各ソレノイドに制御
された異なる電流を供給する手段とを備えたマスク保持
装置が提案され、この場合マスクホルダーのソレノイド
コイルのコアとして永久磁石を配置し、その永久磁石に
吸着されるようマスクフレームの少なくとも一部を磁性
材料から構成することにより上記の永久もu石手段を構
成してもよいし、またはマスクホルダーのソレノイドコ
イルに磁性材コアまたはヨークを配置し、これに対向し
た位置にマスクフレームに永久磁石を配置することによ
り上記の永久hnn平手段構成してもよい。
[作用]
上述の構成において、永久磁石によりマスクホルダーに
マスクフレームを吸着させ、その状態で得られるマスク
メンブレンの平面度を向上させるよう各ソレノイドに制
御された電流を流して吸着力を調整する。
マスクフレームを吸着させ、その状態で得られるマスク
メンブレンの平面度を向上させるよう各ソレノイドに制
御された電流を流して吸着力を調整する。
[実施例コ
添付図を参照して本発明の詳細な説明する。
第1a図と第1b図とを参照する。
第1a図はX線マスクチャックに応用した第1の実施例
のマスク保持装置の平面図であり、第1b図はマスクフ
レームを取りつけたときのA−A断面図を示す。同図に
おいて、1はマスクメンブレン、2はマスクメンブレン
1と永久磁石による磁力で保持するため磁性材料で作ら
れたマスクフレームである。3はマスクホルダー、4a
。
のマスク保持装置の平面図であり、第1b図はマスクフ
レームを取りつけたときのA−A断面図を示す。同図に
おいて、1はマスクメンブレン、2はマスクメンブレン
1と永久磁石による磁力で保持するため磁性材料で作ら
れたマスクフレームである。3はマスクホルダー、4a
。
4b、4c、4dはマスクフレーム2を吸着するために
マスクホルダー3に固定された永久磁石、5a、5b、
5c、5dはマスクフレーム2の吸着力を可変にするた
めの磁力を発生させるソレノイドコイルである。6a、
6b、6c、6dは個々のソレノイドコイルに電流を流
すためのリード線である。この実施例では永久磁石、ソ
レノイドコイルおよびリード線のユニットがマスクホル
ダーに相互に90度離して周縁に配置している。
マスクホルダー3に固定された永久磁石、5a、5b、
5c、5dはマスクフレーム2の吸着力を可変にするた
めの磁力を発生させるソレノイドコイルである。6a、
6b、6c、6dは個々のソレノイドコイルに電流を流
すためのリード線である。この実施例では永久磁石、ソ
レノイドコイルおよびリード線のユニットがマスクホル
ダーに相互に90度離して周縁に配置している。
上記構成において、マスクフレーム2をマスクホルダー
3に近ずけると永久磁石4a、4b。
3に近ずけると永久磁石4a、4b。
4c、4dによりマスクホルダー3は吸着される。吸着
後のマスクメンブレン1の平面度はある値に定まる。あ
らかじめマスクメンブレン1のたわみ形状の情報を平面
度測定用干渉計システムにより得ていれば、マスクホル
ダー3の吸着時にマスクメンブレンのどこの部分がでば
っていて、どこの部分がくぼんでいるのかがわかる。そ
こで、このデータをもとにソレノイドコイルにリード線
を介して個々に制御した電流を流すことにより平面の矯
正を行なえる。極性を変えTL流の流す方向を変えれば
、マスクメンブレン1を@L着させることも永久磁石の
発生する磁力線を相殺する向との磁力線を発生させ離脱
させることができる。また吸着力の大きさは電流値によ
って変えることもできる。吸着力の大きい場所では、マ
スクフレーム2は2の吸着力により外形がマスクホルダ
ー3方向に微小変位し、この部分付近のマスクメンブレ
ン1のでばりはなくなる。吸着力の小さい場所では、マ
スクメンブレン1のくぼみはなくなる。このようにして
マスクメンブレン1の平面度を損なう成分は取り除かれ
、所要の平面に矯正することができる。このため例え平
面度が良くないマスクメンブレン1を使用しても十分な
平面度を得ることができる。
後のマスクメンブレン1の平面度はある値に定まる。あ
らかじめマスクメンブレン1のたわみ形状の情報を平面
度測定用干渉計システムにより得ていれば、マスクホル
ダー3の吸着時にマスクメンブレンのどこの部分がでば
っていて、どこの部分がくぼんでいるのかがわかる。そ
こで、このデータをもとにソレノイドコイルにリード線
を介して個々に制御した電流を流すことにより平面の矯
正を行なえる。極性を変えTL流の流す方向を変えれば
、マスクメンブレン1を@L着させることも永久磁石の
発生する磁力線を相殺する向との磁力線を発生させ離脱
させることができる。また吸着力の大きさは電流値によ
って変えることもできる。吸着力の大きい場所では、マ
スクフレーム2は2の吸着力により外形がマスクホルダ
ー3方向に微小変位し、この部分付近のマスクメンブレ
ン1のでばりはなくなる。吸着力の小さい場所では、マ
スクメンブレン1のくぼみはなくなる。このようにして
マスクメンブレン1の平面度を損なう成分は取り除かれ
、所要の平面に矯正することができる。このため例え平
面度が良くないマスクメンブレン1を使用しても十分な
平面度を得ることができる。
マスクメンブレン1のたわみ形状を露光前に露光機外で
測定してもよいが、更に露光機上でマスクフレームの取
付は位置、個々のソレノイドに流す電流値および極性の
データを収集しておき、そのデータに従って矯正時のマ
スクメンブレンの平面度が得られるように構成しておけ
ば、所望のマスクメンブレンの平面度を再現できるよう
になる。
測定してもよいが、更に露光機上でマスクフレームの取
付は位置、個々のソレノイドに流す電流値および極性の
データを収集しておき、そのデータに従って矯正時のマ
スクメンブレンの平面度が得られるように構成しておけ
ば、所望のマスクメンブレンの平面度を再現できるよう
になる。
第2図は本発明の第2の実施例を示す第1b図と同様な
断面図である。第1の実施例では、永久磁石、ソレノイ
ドコイル、およびリード線のユニットはマスクホルダー
内に設けているが、このユニットの一部もしくは全部を
マスクフレーム内に設けることもできる。
断面図である。第1の実施例では、永久磁石、ソレノイ
ドコイル、およびリード線のユニットはマスクホルダー
内に設けているが、このユニットの一部もしくは全部を
マスクフレーム内に設けることもできる。
第2図において、永久磁石4a、4cはマスクフレーム
2の内部に設定してあり、7a、7cは磁路を分離する
ためのセパレータ、8a、8cはヨークである。その作
用は第1の実施例と全く同しである。いずれの実施例も
永久磁石を使用しているが、電磁石のみの使用でも所要
の平面度を得られる。
2の内部に設定してあり、7a、7cは磁路を分離する
ためのセパレータ、8a、8cはヨークである。その作
用は第1の実施例と全く同しである。いずれの実施例も
永久磁石を使用しているが、電磁石のみの使用でも所要
の平面度を得られる。
[発明の効果コ
以上から明らかなように、マスクメンブレンを貼っであ
るマスクフレームに対しソレノイドコイルによる吸着力
を変化させてマスクメンブレンの平面性を損なう成分を
消滅させ所要の平面度を得ることができる。高精度が要
求される半導体製造装置用の転写マスク、特にX線マス
クのヂャッキング・に好適である。
るマスクフレームに対しソレノイドコイルによる吸着力
を変化させてマスクメンブレンの平面性を損なう成分を
消滅させ所要の平面度を得ることができる。高精度が要
求される半導体製造装置用の転写マスク、特にX線マス
クのヂャッキング・に好適である。
第1a図は本発明の第1の実施例の平面図、第1b図は
第1a図のA−A断面図である。第2図は本発明の第2
の実施例の第1a図と同様の縦断面図である。 図中、 1:マスクメンブレン、 2:マスクフレーム、 3:マスクホルダー、 4a、4b、4c、4d:永久磁石、 5a、5b、5c、5d:ソレノイドコイル、6a、6
b、6c、6d:リード線、 7a、7c:セパレータ、 Ba、8c:ヨークまたはコア。
第1a図のA−A断面図である。第2図は本発明の第2
の実施例の第1a図と同様の縦断面図である。 図中、 1:マスクメンブレン、 2:マスクフレーム、 3:マスクホルダー、 4a、4b、4c、4d:永久磁石、 5a、5b、5c、5d:ソレノイドコイル、6a、6
b、6c、6d:リード線、 7a、7c:セパレータ、 Ba、8c:ヨークまたはコア。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、マスクホルダー このマスクホルダーに取付けるマスクフレーム、 マスクホルダーとマスクフレームとを吸着保持する複数
の電磁石を備える吸着手段、および 電磁石のソレノイドコイルの各々に制御された電流を供
給する制御手段 を備えたことを特徴とするマスク保持装置。 2、マスクホルダーは周縁に埋設した複数のソレノイド
コイルを有し、前記の吸着手段は永久磁石手段を含み、
この永久磁石手段はマスクホルダーのソレノイドコイル
のコアとして配置されている永久磁石から成り、マスク
フレームの少なくとも一部が磁性材料から成る特許請求
の範囲第1項に記載のマスク保持装置。 3、マスクホルダーは周縁に埋設した複数のソレノイド
コイルを有し、前記の吸着手段は永久磁石手段を含み、
この永久磁石手段はマスクホルダーのソレノイドコイル
の磁性材コアと、マスクフレームに前記の磁性材コアに
対向した位置に配置した永久磁石とから成る特許請求の
範囲第1項に記載のマスク保持装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62026456A JPH07101663B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | マスク保持装置 |
| GB8802217A GB2201258B (en) | 1987-02-09 | 1988-02-02 | A mask holding device |
| DE19883803738 DE3803738A1 (de) | 1987-02-09 | 1988-02-08 | Maskenhaltevorrichtung |
| FR8801455A FR2610740B1 (fr) | 1987-02-09 | 1988-02-08 | Dispositif de maintien d'un masque, appareil pour exposer une piece sensible au dessin d'un masque et dispositif de correction de planeite |
| US07/312,761 US4963921A (en) | 1985-06-24 | 1989-02-21 | Device for holding a mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62026456A JPH07101663B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | マスク保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63194331A true JPS63194331A (ja) | 1988-08-11 |
| JPH07101663B2 JPH07101663B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12194007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62026456A Expired - Fee Related JPH07101663B2 (ja) | 1985-06-24 | 1987-02-09 | マスク保持装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101663B2 (ja) |
| DE (1) | DE3803738A1 (ja) |
| FR (1) | FR2610740B1 (ja) |
| GB (1) | GB2201258B (ja) |
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| JPH0992604A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Nikon Corp | レチクル保持装置および保持方法 |
| JP2004103799A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Canon Inc | 基板保持装置、デバイス製造装置及びデバイス製造方法 |
| KR100495872B1 (ko) * | 2002-10-07 | 2005-06-16 | 주식회사 소로나 | 유기발광소자 제조용 섀도우마스크 고정방법 및 이를적용한 장치 |
| JP2008199034A (ja) * | 1999-03-08 | 2008-08-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置のオフアクシスレベリング |
| CN102566336A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-11 | 上海微电子装备有限公司 | 掩模版的固定装置及其固定方法 |
| KR20200011859A (ko) * | 2018-07-25 | 2020-02-04 | 주식회사 야스 | 유리 마스크 |
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| DE4304912C2 (de) * | 1993-02-18 | 2003-03-06 | Klaus Siebert | Verfahren und Vorrichtung zur durchgehend automatischen Chipherstellung unter Vakuum |
| DE19859172A1 (de) * | 1998-12-21 | 2000-06-29 | Uhp Corp | Selektive Oberflächenbehandlung durch magnetische Maskenhalterung |
| EP1513017A1 (en) | 2003-09-04 | 2005-03-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1513021B1 (en) * | 2003-09-04 | 2007-10-03 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of compensating for thermal deformation in a lithographic apparatus |
| WO2013174398A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reticle, reticle-chuck, reticle positioning system and optical system |
| CN113687574A (zh) * | 2020-05-18 | 2021-11-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 光刻设备及其光源位置监控方法 |
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| US4592081A (en) * | 1984-02-10 | 1986-05-27 | Varian Associates, Inc. | Adaptive X-ray lithography mask |
| DE3620970A1 (de) * | 1985-06-24 | 1987-01-08 | Canon Kk | Maskenhaltevorrichtung |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62026456A patent/JPH07101663B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-02-02 GB GB8802217A patent/GB2201258B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-08 FR FR8801455A patent/FR2610740B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-08 DE DE19883803738 patent/DE3803738A1/de active Granted
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Also Published As
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| JPH07101663B2 (ja) | 1995-11-01 |
| DE3803738A1 (de) | 1988-08-25 |
| FR2610740B1 (fr) | 1995-06-30 |
| DE3803738C2 (ja) | 1992-12-24 |
| GB2201258B (en) | 1991-04-24 |
| GB8802217D0 (en) | 1988-03-02 |
| GB2201258A (en) | 1988-08-24 |
| FR2610740A1 (fr) | 1988-08-12 |
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