JPS60251621A - Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS60251621A JPS60251621A JP59107586A JP10758684A JPS60251621A JP S60251621 A JPS60251621 A JP S60251621A JP 59107586 A JP59107586 A JP 59107586A JP 10758684 A JP10758684 A JP 10758684A JP S60251621 A JPS60251621 A JP S60251621A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- mask
- magnetic material
- support frame
- electromagnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ線リングラフィに用いるＸ線マスク及びＸ線
露光装置に関するもので、特に、真空中でＸ＠露光を行
なう場合にＸ線マスクをマスクステージに精度よく、か
つ簡便に固定、装着可能とすることを図ったものである
。
露光装置に関するもので、特に、真空中でＸ＠露光を行
なう場合にＸ線マスクをマスクステージに精度よく、か
つ簡便に固定、装着可能とすることを図ったものである
。
Ｘ線すソグ、ラフィは、第１図に示すように、その周辺
部をリング状の支持枠１で支持された、照射Ｘ線に対す
る透過性の高い材料で作られた薄膜２の面上に、Ｘ線に
対する透過性の低い材料で作られ、転写すべき形状に対
応した形状を有するパターン３を備えたＸ線マスクにＸ
線５を照射することで、Ｘ線マスクの後方に配置された
半導体基板面上のレジスト層４に上記パターンを転写さ
せるものである。このようなパターンの転写は、通常、
大気中で行なわれている。しかし、露光に使用するＸ線
は波長が０．５〜２ｎＩＩ＋の軟Ｘ線であるため、この
軟Ｘ線を発するＸ線源とＸ線マスクとの間の軟Ｘ線飛程
空間をＨｅ等の軟Ｘ線吸収の少ないガスで充填する必要
があり、また、Ｘ線源の真空雰囲気を上記Ｈｅガス等の
大気圧雰囲気から遮断するため２０〜５０虜と薄いＢｅ
窓を設置する必要がある。このようなＸ線露光装置は装
置構造が複雑になるばかりでなく、前記Ｂｅ窓の破壊に
より信頼性が極めて低いという問題点がある。この問題
を解決する方法として、Ｘ線露光を真空中で行なうこと
が提案されている（特開昭５４−５６７７１号公報）。
部をリング状の支持枠１で支持された、照射Ｘ線に対す
る透過性の高い材料で作られた薄膜２の面上に、Ｘ線に
対する透過性の低い材料で作られ、転写すべき形状に対
応した形状を有するパターン３を備えたＸ線マスクにＸ
線５を照射することで、Ｘ線マスクの後方に配置された
半導体基板面上のレジスト層４に上記パターンを転写さ
せるものである。このようなパターンの転写は、通常、
大気中で行なわれている。しかし、露光に使用するＸ線
は波長が０．５〜２ｎＩＩ＋の軟Ｘ線であるため、この
軟Ｘ線を発するＸ線源とＸ線マスクとの間の軟Ｘ線飛程
空間をＨｅ等の軟Ｘ線吸収の少ないガスで充填する必要
があり、また、Ｘ線源の真空雰囲気を上記Ｈｅガス等の
大気圧雰囲気から遮断するため２０〜５０虜と薄いＢｅ
窓を設置する必要がある。このようなＸ線露光装置は装
置構造が複雑になるばかりでなく、前記Ｂｅ窓の破壊に
より信頼性が極めて低いという問題点がある。この問題
を解決する方法として、Ｘ線露光を真空中で行なうこと
が提案されている（特開昭５４−５６７７１号公報）。
この真空中露光方式によれば前記問題は全て解決するが
、Ｘ線マスクに係る問題として、Ｘ線露光装置のマスク
ホルダにＸ線マスクの支持枠をどのように保持させるか
という問題がある。
、Ｘ線マスクに係る問題として、Ｘ線露光装置のマスク
ホルダにＸ線マスクの支持枠をどのように保持させるか
という問題がある。
即ち、従来のような真空吸引による支持枠保持方法がと
れないため、機械的に支持枠を抑えて保持せざるを得ず
、この場合、Ｘ線マスクに歪が加わってパターンの位置
精度が低下する問題がある。
れないため、機械的に支持枠を抑えて保持せざるを得ず
、この場合、Ｘ線マスクに歪が加わってパターンの位置
精度が低下する問題がある。
一方、静電吸引力によりＸ線マスクを保持する方法も考
えられるが、この場合も、Ｘ線マスクの薄膜が静電力に
より引張られて、やはりマスクに歪を与えてしまうとい
う問題がある。
えられるが、この場合も、Ｘ線マスクの薄膜が静電力に
より引張られて、やはりマスクに歪を与えてしまうとい
う問題がある。
本発明の目的は、従来技術での上記した問題を解決し、
真空中露光におけるＸ線マスクの保持、固定の際に生ず
るマスクの歪をなくし、高精度なパターン転写を可能と
し、かつ、Ｘ線マスクのマスクホルダへの装着を簡易化
することのできるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露光
装置を提供することにある。
真空中露光におけるＸ線マスクの保持、固定の際に生ず
るマスクの歪をなくし、高精度なパターン転写を可能と
し、かつ、Ｘ線マスクのマスクホルダへの装着を簡易化
することのできるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露光
装置を提供することにある。
本発明の特徴は、上記目的を達成するために、少なくと
も一部が磁性材料から成る支持枠を備えたＸ線マスクと
すること、及びこのＸ線マスクをその支持枠側において
保持するマスクホルダに上記磁性材料を吸引する電磁石
を備えたＸ線露光装置とすることにある。
も一部が磁性材料から成る支持枠を備えたＸ線マスクと
すること、及びこのＸ線マスクをその支持枠側において
保持するマスクホルダに上記磁性材料を吸引する電磁石
を備えたＸ線露光装置とすることにある。
本発明の一実施例を第２図に示す断面図を用いて説明す
る。第２図において、２１はＸ線マスクであり、Ｘ線透
過性の高い材料から成る薄膜２１−１と、この薄膜２１
−１上に形成されたＸ線透過性の低い材料から成るパタ
ーン２１−２と、薄膜２１−１をその周辺部において支
持するリング状の支持枠２１−３と、さらに、この支持
枠２１−３のマスクホルダ対向面に支持枠２１−３に一
体的に取付けられた磁性材料２１−４とで構成される。
る。第２図において、２１はＸ線マスクであり、Ｘ線透
過性の高い材料から成る薄膜２１−１と、この薄膜２１
−１上に形成されたＸ線透過性の低い材料から成るパタ
ーン２１−２と、薄膜２１−１をその周辺部において支
持するリング状の支持枠２１−３と、さらに、この支持
枠２１−３のマスクホルダ対向面に支持枠２１−３に一
体的に取付けられた磁性材料２１−４とで構成される。
本実施例では、支持枠２１−３として厚さが４００岬、
外径が５０ｎｗｎのリング状のＳｉを、薄膜２１−１と
して厚さが４ＩＭのＢＮ膜を、パターン２１−２として
厚さが０．８１ｓのＡｕ蒸着膜を用いた。そして、磁性
材料２１−４として、支持枠２１−３のマスクホルダ２
２対向面に約５虜厚のＮｉ膜を真空蒸着法により形成さ
れる薄膜磁性材、料を用いた。マスクホルダ２２は、磁
性材料２１−４及び支持枠２１−３を介してＸ線マスク
２１を固定保持するためにＸ線露光装置側に具備される
もので、本実施例では、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトで
作成される。このＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトは、研摩
加工により極めて平滑な面が形成できることから、磁力
吸引によりＸ線マスク２１をマスクホルダ２２に装着す
る際のＸ線マスク２１の変形を小さくすることができ、
Ｆｅなどを用いるのに比べて有利である。２３はマスク
ホルダ２２と一体的な電磁石であり、２４は電磁石２３
に巻装された励磁用コイルである。
外径が５０ｎｗｎのリング状のＳｉを、薄膜２１−１と
して厚さが４ＩＭのＢＮ膜を、パターン２１−２として
厚さが０．８１ｓのＡｕ蒸着膜を用いた。そして、磁性
材料２１−４として、支持枠２１−３のマスクホルダ２
２対向面に約５虜厚のＮｉ膜を真空蒸着法により形成さ
れる薄膜磁性材、料を用いた。マスクホルダ２２は、磁
性材料２１−４及び支持枠２１−３を介してＸ線マスク
２１を固定保持するためにＸ線露光装置側に具備される
もので、本実施例では、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトで
作成される。このＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトは、研摩
加工により極めて平滑な面が形成できることから、磁力
吸引によりＸ線マスク２１をマスクホルダ２２に装着す
る際のＸ線マスク２１の変形を小さくすることができ、
Ｆｅなどを用いるのに比べて有利である。２３はマスク
ホルダ２２と一体的な電磁石であり、２４は電磁石２３
に巻装された励磁用コイルである。
この構成において、電磁石２３の励磁用コイル２４へ通
電あるいは通電停止することにより、Ｘ線マスク２１は
磁性材料２１−４を介して、マスクホルダ２２に自在に
着脱されることになり、真空中にＸ線露光装置が配置さ
れる場合にも、真空外からの電磁石通電制御だけでＸ線
マスク２１のマスクホルダ２２への保持固定と離脱とが
可能となる。また電磁石の代りにマグネットチャックな
どによっても着脱できることはいうまでもない。
電あるいは通電停止することにより、Ｘ線マスク２１は
磁性材料２１−４を介して、マスクホルダ２２に自在に
着脱されることになり、真空中にＸ線露光装置が配置さ
れる場合にも、真空外からの電磁石通電制御だけでＸ線
マスク２１のマスクホルダ２２への保持固定と離脱とが
可能となる。また電磁石の代りにマグネットチャックな
どによっても着脱できることはいうまでもない。
なお、上記実施例では薄膜２１−１としてＢＮ膜を用い
るとしたが、これ以外にも５ｉｎ２、Ｓｉ、Ｎ４などの
非磁性材料を用いることができ、パターン２１−２とし
て、Ａｕ以外にもＷ、Ｔａなどの非磁性材料を使うこと
ができるゎさらに、本実施例では支持枠２１−３に磁性
材料の薄膜（実施例ではＮｉ膜）を形成した例を示した
が、支持枠２１−３自体をフェライトなどの磁性材料と
することもできる。この場合のフェライトとしては、Ｍ
ｎ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトなどを
用いることができ、特にこれらの単結晶フェライトを用
いれば研摩加工性が良い点で有利である。また、本実施
例では磁性材料２１−４として単層Ｎｉ膜を用いたが、
その場合の磁性材料としてはＦｅ、Ｎｉ、Ｇｏあるいは
これらの合金から成る磁性材料のいずれかを使うことが
でき、特に、軟磁性材料を用いれば、マスクホルダ２２
とＸ線マスク２１との間の電磁石通電制御による着脱を
正確に行なわせることができる利点がある。また、磁性
薄膜として単層膜の代りに、有機材料を介した多層の磁
性膜を支持枠２１−３の上面上に形成する構成も可能で
ある。さらに磁性材料としてＳｍＧｏなどの永久磁石を
用いても同様の着脱ができる。
るとしたが、これ以外にも５ｉｎ２、Ｓｉ、Ｎ４などの
非磁性材料を用いることができ、パターン２１−２とし
て、Ａｕ以外にもＷ、Ｔａなどの非磁性材料を使うこと
ができるゎさらに、本実施例では支持枠２１−３に磁性
材料の薄膜（実施例ではＮｉ膜）を形成した例を示した
が、支持枠２１−３自体をフェライトなどの磁性材料と
することもできる。この場合のフェライトとしては、Ｍ
ｎ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトなどを
用いることができ、特にこれらの単結晶フェライトを用
いれば研摩加工性が良い点で有利である。また、本実施
例では磁性材料２１−４として単層Ｎｉ膜を用いたが、
その場合の磁性材料としてはＦｅ、Ｎｉ、Ｇｏあるいは
これらの合金から成る磁性材料のいずれかを使うことが
でき、特に、軟磁性材料を用いれば、マスクホルダ２２
とＸ線マスク２１との間の電磁石通電制御による着脱を
正確に行なわせることができる利点がある。また、磁性
薄膜として単層膜の代りに、有機材料を介した多層の磁
性膜を支持枠２１−３の上面上に形成する構成も可能で
ある。さらに磁性材料としてＳｍＧｏなどの永久磁石を
用いても同様の着脱ができる。
以上説明したように、本発明によれば、電磁石に巻装さ
れた励磁用コイルへの通電、通電停止により、Ｘ線マス
クをマスクホルダに自在に着脱できるようになり、真空
中のＸ線露光装置の場合にも、真空外からの通電制御だ
けでＸ線マスクの固定が可能となり、従来技術での諸問
題点が解決され、また、Ｘ線マスクのＸ線透過性薄膜は
ＢＮ、Ｓ ｊ、 ０２、Ｓｉ、Ｎ、などの非磁性材料か
ら作られ、この薄膜に形成されるマスクパターンにもＡ
ｕ、Ｗ、Ｔａなどの非磁性材料が使われるため、電磁石
からの磁場には影響されず、従って、従来の静電吸着の
場合に生じたマスクの歪を生じることもなくなる。
れた励磁用コイルへの通電、通電停止により、Ｘ線マス
クをマスクホルダに自在に着脱できるようになり、真空
中のＸ線露光装置の場合にも、真空外からの通電制御だ
けでＸ線マスクの固定が可能となり、従来技術での諸問
題点が解決され、また、Ｘ線マスクのＸ線透過性薄膜は
ＢＮ、Ｓ ｊ、 ０２、Ｓｉ、Ｎ、などの非磁性材料か
ら作られ、この薄膜に形成されるマスクパターンにもＡ
ｕ、Ｗ、Ｔａなどの非磁性材料が使われるため、電磁石
からの磁場には影響されず、従って、従来の静電吸着の
場合に生じたマスクの歪を生じることもなくなる。
第１図はＸ線リソグラフィの一般説明用の断面図、第２
図は本発明の一実施例を説明する断面図である。 符号の説明 １．２１−３・・・支持枠 ２．２１−１・・・薄膜３
．２１−２・・・パターン ４・・・レジスト５− Ｘ
線 ２１・・・Ｘ線マスク ２１−４・・・磁性材料 ２２・・・マスクホルダ２３
・・電磁石 ２４・・・励磁用コイル代理人弁理士 中
村 純之助 矛 １ （支） ログＺフ７て７ト４ 矛２図
図は本発明の一実施例を説明する断面図である。 符号の説明 １．２１−３・・・支持枠 ２．２１−１・・・薄膜３
．２１−２・・・パターン ４・・・レジスト５− Ｘ
線 ２１・・・Ｘ線マスク ２１−４・・・磁性材料 ２２・・・マスクホルダ２３
・・電磁石 ２４・・・励磁用コイル代理人弁理士 中
村 純之助 矛 １ （支） ログＺフ７て７ト４ 矛２図
Claims (5)
- （１）Ｘ線透過性の高い材料から成る薄膜と、この薄膜
上に形成されたＸ線透過性の低い材料から成るパターン
と、上記薄膜をその周辺部において支持する支持枠とか
ら成るＸ線マスクにおいて、上記支持枠の少なくとも一
部が磁性材料から成ることを特徴とするＸ線マスク。 - （２）前記磁性材料が、軟磁性材料であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のＸ線マスク。 - （３）前記磁性材料が、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏあるいはこれ
らの合金より成る磁性材料、またはＭｎ−Ｚｎフェライ
トまたはＮｉ−Ｚｎフェライトのいずれかであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線マスク。 - （４）Ｘ線透過性の高い材料から成る薄膜と、この薄膜
上に形成されたＸ線透過性の低い材料から成るパターン
と、上記薄膜をその周辺部において支持する支持枠とか
ら成るＸ線マスクを用いて半導体基板面上のレジスト層
にパターン転写するＸ線露光装置において、上記支持枠
の少なくとも一部が磁性材料から成り、かつ、上記Ｘ線
マスクの支持枠を保持するマスクホルダに上記磁性材料
を吸引する電磁石を備えたことを特徴とするＸ線露光装
置。 - （５）前記電磁石が、真空中のＸ線露光装置の真空外か
ら通電１通電停止制御される電磁石であることを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107586A JPS60251621A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107586A JPS60251621A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251621A true JPS60251621A (ja) | 1985-12-12 |
Family
ID=14462910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59107586A Pending JPS60251621A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251621A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109053A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Canon Inc | リソグラフイ−用マスク構造体 |
| JPS6351633A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS63194331A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Canon Inc | マスク保持装置 |
| JPH0267716A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Inc | マスク保持装置 |
| JPH0294423A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体 |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP59107586A patent/JPS60251621A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109053A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Canon Inc | リソグラフイ−用マスク構造体 |
| JPS6351633A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS63194331A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Canon Inc | マスク保持装置 |
| JPH0267716A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Inc | マスク保持装置 |
| JPH0294423A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体 |
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