JPS63197096A - Ｅｐｒｏｍ付きランダムアクセスメモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子機器に適用しうる記憶素子（メモリ）の
回路構成に関し、特に書き換え可能な不揮発性メモリ素
子（以下ＥＰＲ〇八りとする）付きランダムアクセスの
回路構成に関する。

〔従来の技術〕

従来この種のメモリを実現するには、ＥＰＲＯＭ素子と
＋　ＥＰＲＯＭ素子と同量の容量を持つＲＡＭ素子を用
意し、これに接続されたマイクロコンピュータ等により
プログラムを介して、ＥＰＲＯＭに記憶されている内容
をＲＡＭへ書き移す方式があった。また、電源が未供給
の時は不揮発性メモリとして機能し、電源の供給時には
書きかえ可能なメモリとして機能するメモリ素子として
電気的消去可能な不揮発性メモリ（以下ＥＥＰＲＯＭと
略す）がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のＥ　Ｐ　ＯＲＭとＲ，Ａ　Ｍ素子を用い
た方式は、メモリ素子としてＥＰＲＯＭとＰ’ＡＭの２
種類の素子が別々に必要であり、また、この場合のＥＰ
ＲＯＭとＲＡＭはメモリ空間上のアドレスが独立である
為、メモリ空間をＥＰＲＯＭ用と、ＲＡＭ用とに個別に
用意しなければならないという欠点がある。さらに、Ｅ
ＰＲＯＭの記憶内容をＲＡＭへ転送する為には他にマイ
クロプロセッサ及び転送のためのプログラムが必要であ
るという欠点があった。

一方、ＥＥＰＲＯＭの場合は、記憶データを書き換える
際において、ランダムアクセスメモリに比して、長い書
き込み時間が必要である欠点がある。

また従来の一定容量を持つ不揮発性メモリ（ＲＯＭ）と
ＲＡＭを組合せてメモリアドレス空間を構成した場合、
ＲＯＭの領域とＲＡＭの領域の区切りは、任意には設定
することはてきず、ＲＯＭ及びＲＡＭ素子が各々持つ容
量により一意に決定される為、区切りを変更する場合は
ＲＯＭ及びＲＡ　ＩＶＩ素子の数を変更し、各々の領域
を変更しなけれはならないという欠点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のＥＰＲＯＭ付きＲＡＭ素子は、ＥＰＲＯＭとＥ
ＰＲＯＭと同量のメモリ容量を持つＲＡＭと、供給電源
が立上ったことを検出する供給電源立上り検出回路と、
電源の立上り時に、ＥＰＲＯＭに記憶されているデータ
を全て、ＲＡＭへ転送するデータ転送制御回路とを有し
ている。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例のブロック図である。

ＥＰＲＯＭブロック１は、電源未供給時にもデータを記
憶保持する不揮発性メモリブロックである。このＥＰＲ
ＯＭブロック１へのデータ書き込みは、従来のＥＰＲＯ
Ｍと同様にＲＯＭ書込み装置を用いて、アドレスバス１
１．データバス１０、及びメモリアクセス制御信号であ
るＰ　Ｇ　Ｍ信号１２．チップイネーブル（ＣＥ）、ア
ウトプットイネーブル（ＯＥ）１３により行う。ＰＧＭ
信号１２は、データを書き込むプログラムパルス信号で
あり、ＣＥ及び○Ｅ１２は外部よりＥＰＲＯＭへの書き
込みを許可する為の信号である、ＲＡＭブロック２は外
部よりランダムにデータを読み書きできるメモリブロッ
クである。ＲＡＭブロック２へのデータの読み書きは、
ＰＧＭＩ２及びＣＥ、０Ｅ１３を用いて行う。供給電源
立上り検出回路３は、本発明のメモリ素子への供給電源
電圧が一定値以上になり、メモリ素子が動作可能になっ
たことを検出し、電源立上り検出信号１７を出力する回
路である。データ転送制御回路４は電源立上り検出信号
１７を受は電源立上りの際にＥＰＲＯＭブロック１の記
憶データをＲＡＭフロック２へ転送する機能を有する回
路である。

これは、データ転送をするメモリアドレスを生成するア
ドレス生成回路５とＥＰＲＯＭよりデータを読み出すリ
ード信号１４とＲＡＭへデータを書込むライト信号１５
と、データ転送中に外部からのメモリアクセスを禁止す
るアクセス禁止信号１６とを生成するリード／ライト制
御回路６とから構成されている。ＥＰＲＯＭブロックと
、データの消去方式には、 （１）紫外線消去方式と （２）電気的消去方式とがある。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は１つのメモリ素子の中に
不揮発性のＥＰＲＯＭブロックとランタムに書き換えが
可能なＲＡＭブロックを有し、電源の立上り時にＥＰＲ
ＯＭブロックの記憶内容をＲＡＭブロックへ転送し、電
源立上り後はＲＡＭとして動作する構成をとることによ
り、メモリアドレス空間はＲＡＭの持つ空間だけとなり
、ＥＰＲＯＭのメモリアドレス空間は不要になる効果が
ある。また、ＥＰＲＯＭブロックに書きこまれているデ
ータは、電源立上り後、ＲＡＭブロック上に転送されて
おり、外部へ読み出すことか出来るので不揮発性メモリ
として機能する効果がある。

さらに、本発明のメモリ素子のみでメモリ空間を構成し
た場合、不揮発性メモリ（ＲＯＭ＞領域とＲＡＭ領域は
、任意に設定することが可能であり、ＲＯＭとＲＡＭの
領域が各々のメモリ素子の数に依存しないという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＥＰＲＯＭ付ＲＡＭのブロック図であ
る。 １・・・ＥＰＲＯＭブロック、２・・・ＲＡＭブロック
、３・・・供給電源立上り検出回路、４・・・データ転
送制御回路、５・・・アドレス生成回路、６・・・リー
ド／ライト制御回路、７・・・メモリアクセス制御回路
、８・・・データバス制御回路、９・・・アドレスバス
制御回路、１０・・・データバス、１１・・・アドレス
バス。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 書き換え可能な不揮発性メモリ（以下ＥＰＲＯＭとする
   ）と、前記ＥＰＲＯＭと同量もしくはそれ以上のメモリ
   容量を持つランダムアクセスメモリ（以下ＲＡＭと略す
   ）と、供給電源が立上がったことを検出する供給電源立
   上り検出回路と、前記供給電源立上り検出回路により電
   源の立上りを検出した時に、前記ＥＰＲＯＭに記憶され
   ているデータを全て前記ＲＡＭへ転送するデータ転送制
   御回路とを含み構成されることを特徴とするＥＰＲＯＭ
   付きランダムアクセスメモリ素子。