JPS63197326A - 化合物半導体基板の形成方法 - Google Patents
化合物半導体基板の形成方法Info
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ガリウム砒宏（ＧａＡｓ）を始めとする化
合物半導体基板の形成方法に関する。
合物半導体基板の形成方法に関する。
（従来の技術）
゛屯ｒ・機器の多様化及び高速化の請求に伴ない。
これらの機器を構成する半導体デバイスの超高速化、高
機濠化及び高集積化に最適な化合物半導体として、従来
から■−Ｖ属化金化合物半導体目され、研究開発が進め
られている。
機濠化及び高集積化に最適な化合物半導体として、従来
から■−Ｖ属化金化合物半導体目され、研究開発が進め
られている。
これらの化合物を導体のうち、ｍ属元素であるガリウム
（Ｇａ）とＶＦＡ元素である砒素（Ａｓ）との化合物に
よる化合物半導体は、結晶内でのｉｔｔ ｆ移動速度が
速く、電子機器内での処理速度の高速化を図り得ると共
に、主としてシリコン（以下、巾にＳｉとして省略して
示す。）によって構成した従来の半導体装置に比べて消
費電力が低い、耐放射線性が高い、及びその他の利点を
有する化合物゛ト導体として注目されている。
（Ｇａ）とＶＦＡ元素である砒素（Ａｓ）との化合物に
よる化合物半導体は、結晶内でのｉｔｔ ｆ移動速度が
速く、電子機器内での処理速度の高速化を図り得ると共
に、主としてシリコン（以下、巾にＳｉとして省略して
示す。）によって構成した従来の半導体装置に比べて消
費電力が低い、耐放射線性が高い、及びその他の利点を
有する化合物゛ト導体として注目されている。
しかしながら、Ｓｉの有する結晶格子定数とＧａＡＳの
有する結晶格子定数との差が大きく、所謂、格子定数の
不整合を呈するため、上述のＳ ｉ ）、％板りへのＧ
ａＡｓ膜の直接成長が困難となっていた。
有する結晶格子定数との差が大きく、所謂、格子定数の
不整合を呈するため、上述のＳ ｉ ）、％板りへのＧ
ａＡｓ膜の直接成長が困難となっていた。
このような困難を解消して、１述したようにＳｉノ、（
板ヒにＧａＡｓ１漠を成長させるため、例えば、文献：
「マテリアルズ リサーチソサエティーシンポジウム
プロシープインク（Ｍａｔ、ＲｅＳ、Ｓｏｃ。
板ヒにＧａＡｓ１漠を成長させるため、例えば、文献：
「マテリアルズ リサーチソサエティーシンポジウム
プロシープインク（Ｍａｔ、ＲｅＳ、Ｓｏｃ。
Ｓｙｍｐ、 Ｐｒｏｃ、、 Ｖｏｌ Ｂ？、Ｐ５３〜８
４） 」に開示される技術が知られている。
４） 」に開示される技術が知られている。
この文献によれば、Ｓｉ基板上にＧａＡｓ膜を形成する
（以下、この化合物半導体基板をＧａＡｓ／Ｓｉと表わ
す場合も有る。）に当り、有機金属化合物を用いた化学
的気相１＆長（ＮＱＣＶＤ：Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅ＋５ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法、または分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏ１ｅ
ｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法により、５
１基板上にＧａＡｓ膜を比較的低温で直接成長させるこ
とができる。
（以下、この化合物半導体基板をＧａＡｓ／Ｓｉと表わ
す場合も有る。）に当り、有機金属化合物を用いた化学
的気相１＆長（ＮＱＣＶＤ：Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅ＋５ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法、または分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏ１ｅ
ｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法により、５
１基板上にＧａＡｓ膜を比較的低温で直接成長させるこ
とができる。
以ド、」二連の文献に開示されるＧａＡｓ／Ｓｉ系化合
物半導体基板の形成方法の一例につき、図面を参照して
説明する。
物半導体基板の形成方法の一例につき、図面を参照して
説明する。
第２図（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の化合物ｆ導体基板の形
成方法を説明するため、基板の概略的断面によって形成
過程を示す説明図である。尚、図中、断面を示すハツチ
ングは省略して示し、ＩＩはＳｉ基板、１３はＧａＡｓ
膜、１５はＳｉ基板とＧａＡｓ膜から構成されるＧａＡ
ｓ／Ｓｉ基板を示している。
成方法を説明するため、基板の概略的断面によって形成
過程を示す説明図である。尚、図中、断面を示すハツチ
ングは省略して示し、ＩＩはＳｉ基板、１３はＧａＡｓ
膜、１５はＳｉ基板とＧａＡｓ膜から構成されるＧａＡ
ｓ／Ｓｉ基板を示している。
まず始めに、ＧａＡＳｌ）！２１３を被着形成するため
のＳｉ基板１１をＭＯＣＶＤ装置内に載置し、水素（Ｈ
２）−アルシン（ＡｓＨ３）雰囲気中で９００°Ｃ以上
に加熱する。
のＳｉ基板１１をＭＯＣＶＤ装置内に載置し、水素（Ｈ
２）−アルシン（ＡｓＨ３）雰囲気中で９００°Ｃ以上
に加熱する。
このようん熱処理を行なったＳ１基板１１（第２図（Ａ
））を約４５０℃程度に冷却した後、ＧａＡｓ膜を形成
するためのソース（ｓｏｕｒｃｅ）としてトリメチルガ
リウム（Ｇａ （（Ｈ３）３ ）及びアルシン（ＡｓＨ
３）を用い、ざらにキャリアガスを水素（Ｈ２）として
、９０〜１００（Ｔｏｒｒ）に減圧されたＮ０ＣＶ［１
反応器内で、Ｓｉ）、（板１１１−に第一層目にバッフ
ァ層としてのＧａＡｓ膜（図示せず）を数百への膜厚と
なるまで成長せしめる。
））を約４５０℃程度に冷却した後、ＧａＡｓ膜を形成
するためのソース（ｓｏｕｒｃｅ）としてトリメチルガ
リウム（Ｇａ （（Ｈ３）３ ）及びアルシン（ＡｓＨ
３）を用い、ざらにキャリアガスを水素（Ｈ２）として
、９０〜１００（Ｔｏｒｒ）に減圧されたＮ０ＣＶ［１
反応器内で、Ｓｉ）、（板１１１−に第一層目にバッフ
ァ層としてのＧａＡｓ膜（図示せず）を数百への膜厚と
なるまで成長せしめる。
続いて、従来性なわれていた通常の成長温度（７００℃
程度）まで昇温した後、当該成長温度で上述の第一層目
のＧａＡｓ膜とにＧａＡｓ膜１３を成長させてＧａＡｓ
／Ｓｉ基板１５を形成する（第２図（Ｂ）で示す、）。
程度）まで昇温した後、当該成長温度で上述の第一層目
のＧａＡｓ膜とにＧａＡｓ膜１３を成長させてＧａＡｓ
／Ｓｉ基板１５を形成する（第２図（Ｂ）で示す、）。
ト述の技術により形成されるＧａＡｓ／Ｓｉ基板は、従
来の電子デバイス材料として最も広く知られかつ大きな
面積の基板を得ることが比較的容易なＳｉと、半導体を
構成した際の動作特性に優れた材料として知られるガリ
ウム砒素（ＧａＡｓ）との組み合わせによって、種々の
機渣を持つ半導体素子を効率良く製造し得る基板として
注目されている。
来の電子デバイス材料として最も広く知られかつ大きな
面積の基板を得ることが比較的容易なＳｉと、半導体を
構成した際の動作特性に優れた材料として知られるガリ
ウム砒素（ＧａＡｓ）との組み合わせによって、種々の
機渣を持つ半導体素子を効率良く製造し得る基板として
注目されている。
（５ｅ、明が解決しようとする問題点）しかしながら、
シリコン（Ｓｉ）の有する熱膨張係数に比べて、ガリウ
ム砒素（ＧａＡｓ）の熱膨張係数が約３倍と大きいため
、従来の化合物半導体基板の形成ノＪ法によりＧａＡｓ
／Ｓｉ７人板を形成し、ｋ、述の反応器から常温の大気
中に取り出した場合、ＳｉＪ＾板１目二に形成されるＧ
ａＡｓ１模１３に引張応力が生じ、第２図（Ｃ）に図示
するような半導体基板のソリを生じていた。従って、当
該ＧａＡｇ／Ｓｉ基板１５を用いて素子形成を行なうに
当り、取扱いの作業性が悪いと共に、製造歩留りの低Ｆ
を来たすという問題点が有った０例えば、基板上に従来
周知のホトリソ技術により素子パターンを形成する際に
マスク合わせが行ないにくく、光のまわり込みを生じて
微細な素子パターンが形成できない、及びその他にも製
造り取扱いにくい点が、種々、４１つだ。
シリコン（Ｓｉ）の有する熱膨張係数に比べて、ガリウ
ム砒素（ＧａＡｓ）の熱膨張係数が約３倍と大きいため
、従来の化合物半導体基板の形成ノＪ法によりＧａＡｓ
／Ｓｉ７人板を形成し、ｋ、述の反応器から常温の大気
中に取り出した場合、ＳｉＪ＾板１目二に形成されるＧ
ａＡｓ１模１３に引張応力が生じ、第２図（Ｃ）に図示
するような半導体基板のソリを生じていた。従って、当
該ＧａＡｇ／Ｓｉ基板１５を用いて素子形成を行なうに
当り、取扱いの作業性が悪いと共に、製造歩留りの低Ｆ
を来たすという問題点が有った０例えば、基板上に従来
周知のホトリソ技術により素子パターンを形成する際に
マスク合わせが行ないにくく、光のまわり込みを生じて
微細な素子パターンが形成できない、及びその他にも製
造り取扱いにくい点が、種々、４１つだ。
この発明の目的は、１−述した従来の問題点に鑑み、化
合物を導体基板のソリを実質的に解消し、以って、作業
性を高め、しかも優れた化合物゛ト導体＝ｌ ｆ−を歩
留り良く製造できるようにした、化合物゛ト導体ノ＾板
の形成方法を提供することにある。
合物を導体基板のソリを実質的に解消し、以って、作業
性を高め、しかも優れた化合物゛ト導体＝ｌ ｆ−を歩
留り良く製造できるようにした、化合物゛ト導体ノ＾板
の形成方法を提供することにある。
（問題点を解決するための１段）
この目的の達成を図るため、この発明の化合物半導体基
板の形成方法によれば、 例えば、シリコンから構成される基板表面ヒに、ＧａＡ
ｓまたはその他の化合物半導体を被着させて化合物半導
体基板を形成するに当り。
板の形成方法によれば、 例えば、シリコンから構成される基板表面ヒに、ＧａＡ
ｓまたはその他の化合物半導体を被着させて化合物半導
体基板を形成するに当り。
シリコン基板の一方の面に、空化ケイ素膜（Ｓｉ−Ｎ膜
）を低温で積層する工程と、この５ｉ−Ｎ膜が積層され
たシリコン基板を高温で熱処理する工程と、 Ｌ述した高温での熱処理後に、前述のシリコンノ１（板
の他方の面に化合物半導体を成長させて形成する ことを特徴としている。
）を低温で積層する工程と、この５ｉ−Ｎ膜が積層され
たシリコン基板を高温で熱処理する工程と、 Ｌ述した高温での熱処理後に、前述のシリコンノ１（板
の他方の面に化合物半導体を成長させて形成する ことを特徴としている。
また、この発明の形成方法の実施に当っては、５ｉ−Ｎ
ｌ）３の被着形成後の基板に対する熱処理を約７００℃
程度以、Ｌの高温とするのが好適である。
ｌ）３の被着形成後の基板に対する熱処理を約７００℃
程度以、Ｌの高温とするのが好適である。
但し、この頃１ｍ古では、種々の被着手段により、他の
元素が存在する窒化ケイ素膜、或いは化学礒論に従わな
い窒化ケイ素膜をも含めて、ｒＳｉ−Ｎ膜」として包括
的に表現するものとする。
元素が存在する窒化ケイ素膜、或いは化学礒論に従わな
い窒化ケイ素膜をも含めて、ｒＳｉ−Ｎ膜」として包括
的に表現するものとする。
（作用）
この発明の化合物半導体基板の形成方法によれば、Ｓｉ
基板上の一方の面に５ｉ−Ｎ膜を低温で被着させた後、
この基板を高温で熱処理することによって、当該Ｓｉ基
板に引張応力を持たせてソリを生じせしめる構成となっ
ている。
基板上の一方の面に５ｉ−Ｎ膜を低温で被着させた後、
この基板を高温で熱処理することによって、当該Ｓｉ基
板に引張応力を持たせてソリを生じせしめる構成となっ
ている。
従って、上述のソリを有する５ｉ−Ｎ膜を一方の面に形
成した基板の他方の面に前述のＧａＡｓ膜を形成すれば
、このＧａＡｓ膜の有する引張応力と膜の有する引張応
力とが、シリコン基板を挟んで相殺するように働き、基
板のソリを低減させることができる。
成した基板の他方の面に前述のＧａＡｓ膜を形成すれば
、このＧａＡｓ膜の有する引張応力と膜の有する引張応
力とが、シリコン基板を挟んで相殺するように働き、基
板のソリを低減させることができる。
（実施例）
以ド、この発ｒＪＪの化合物半導体の形成方法の好適実
施例につき、図面を参照して説明する。
施例につき、図面を参照して説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の形成力法を概略的
な基板断面により示した形成工程図であり、１７は５ｉ
−Ｎｖ！、１９は高温での熱処理後に引張応力を有して
ソリを生じせしめた状態での５ｉ−Ｎ膜、また、２１は
この発明によって形成される、ＧａＡｓ／Ｓｉ基板に５
ｉ−Ｎ膜１８を被着せしめた化合物半導体基板を示して
おり、以下、この基板をＧａＡｓ／Ｓｉ／５ｉ−Ｎ基板
２１として示す。尚１図中、断面を示すハツチングは省
略して示し、第２図（Ａ）〜（Ｃ）と同様な機能を有す
る構成成分については同一の符号を付して示し、詳細な
説明は省略する。また、以下の説明では、この発明の理
解を容易とするため、化合物半導体基板の形成途中であ
って、種々の材料からなる膜を被着形成せしめられた各
過程におけるＳｉ基板１１を、単に８１基板！ｌとして
、包括的に表現するものとする。
な基板断面により示した形成工程図であり、１７は５ｉ
−Ｎｖ！、１９は高温での熱処理後に引張応力を有して
ソリを生じせしめた状態での５ｉ−Ｎ膜、また、２１は
この発明によって形成される、ＧａＡｓ／Ｓｉ基板に５
ｉ−Ｎ膜１８を被着せしめた化合物半導体基板を示して
おり、以下、この基板をＧａＡｓ／Ｓｉ／５ｉ−Ｎ基板
２１として示す。尚１図中、断面を示すハツチングは省
略して示し、第２図（Ａ）〜（Ｃ）と同様な機能を有す
る構成成分については同一の符号を付して示し、詳細な
説明は省略する。また、以下の説明では、この発明の理
解を容易とするため、化合物半導体基板の形成途中であ
って、種々の材料からなる膜を被着形成せしめられた各
過程におけるＳｉ基板１１を、単に８１基板！ｌとして
、包括的に表現するものとする。
まず、プラズマによる化学的気相成長（ＰＣＶＤ：Ｐｌ
ａｓ＋＊ａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法によって、厚さ約３００．ｉｉｍの５
１基板１１の一方の而（＋Ａ面）に５ｉ−Ｎ膜１７を膜
厚が約３０００〜３５００ Ａとなるように被着形成す
る（第１図（Ａ））、この際、形成される５ｉ−Ｎ膜１
７は引張応力を有しているが、５１基板１１の全体的な
形状としてのソリは生じない。
ａｓ＋＊ａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法によって、厚さ約３００．ｉｉｍの５
１基板１１の一方の而（＋Ａ面）に５ｉ−Ｎ膜１７を膜
厚が約３０００〜３５００ Ａとなるように被着形成す
る（第１図（Ａ））、この際、形成される５ｉ−Ｎ膜１
７は引張応力を有しているが、５１基板１１の全体的な
形状としてのソリは生じない。
この後、５ｉ−Ｎ膜１７を被着せしめたＳｉ基板１１を
、アルゴン或いはその他の不活性ガス雰囲気、または水
素〜アルシン（Ｉ２−Ａ３Ｈ３）雰囲気とした約７００
°Ｃ以りの高温槽中で熱処理を行なう。
、アルゴン或いはその他の不活性ガス雰囲気、または水
素〜アルシン（Ｉ２−Ａ３Ｈ３）雰囲気とした約７００
°Ｃ以りの高温槽中で熱処理を行なう。
この熱処理によって、Ｓｉ基板１１の一方の表面とに形
成された５ｉ−Ｎ膜１７が変化し、当該熱処理後の５ｉ
−Ｎ膜１９の有する引張応力によって、第１図ＣＢ）で
示すように、Ｓｉ基板１１にソリを生じさせる。
成された５ｉ−Ｎ膜１７が変化し、当該熱処理後の５ｉ
−Ｎ膜１９の有する引張応力によって、第１図ＣＢ）で
示すように、Ｓｉ基板１１にソリを生じさせる。
然る後、従来の技術として説明した手段により、Ｓｉ基
板１１ノ５ｉ−ＮＪ）Ｑ １７ （或イハ５ｉ−Ｎｌｌ
！２１９） 全被着ぜしめた面とは反対側の面（表面）
ＬにＧａＡｓｌｌＩ２１３を直接成長させて、第１図（
Ｃ）に示すＧａＡｓ／Ｓｉ／５ｉ−Ｎ基板２１を形成す
る。
板１１ノ５ｉ−ＮＪ）Ｑ １７ （或イハ５ｉ−Ｎｌｌ
！２１９） 全被着ぜしめた面とは反対側の面（表面）
ＬにＧａＡｓｌｌＩ２１３を直接成長させて、第１図（
Ｃ）に示すＧａＡｓ／Ｓｉ／５ｉ−Ｎ基板２１を形成す
る。
このような１程を経て形成されたＧａＡｓ／Ｓｉ／５ｉ
−Ｎ基板２Ｉは、従来のＧａＡｓ／Ｓｉ基板に比べて、
基板のソリを、前述した半導体素子形成五問題とならな
い程度まで低減することができる。
−Ｎ基板２Ｉは、従来のＧａＡｓ／Ｓｉ基板に比べて、
基板のソリを、前述した半導体素子形成五問題とならな
い程度まで低減することができる。
以１−１この発明の実施例につき説明したが、この発明
は１−述の実施例に限定されるものではない。例えば、
５ｉ−Ｎ膜の膜厚、熱処理の温度及びその他の数値的条
件は、この発１す１の（１的の範囲内で、設計に応じた
任意好適な値として構成し得ること明らかである。
は１−述の実施例に限定されるものではない。例えば、
５ｉ−Ｎ膜の膜厚、熱処理の温度及びその他の数値的条
件は、この発１す１の（１的の範囲内で、設計に応じた
任意好適な値として構成し得ること明らかである。
さらに、上述の実施例では５ｉ−Ｎ膜１７の被着り段を
ＰＣＶＤ法として説明したが、プラズマ以外の化学的気
相成長法、或いは低温スパッタ法及びその他の被着手段
としても、−１−述の実施例同様の効果を期待し得る。
ＰＣＶＤ法として説明したが、プラズマ以外の化学的気
相成長法、或いは低温スパッタ法及びその他の被着手段
としても、−１−述の実施例同様の効果を期待し得る。
（発明の効果）
１；述した説明から明らかなように、この発明の化合物
゛ト導体ノ、を板の形成方法によれば、Ｓ ｉ ）ｇ板
の−・方の面に′イシ化ケイＪ （Ｓ ｉ −Ｎ ）
ｌ漠を被着形成した後、″／Ｉ該ノ、（板を熱処理する
ことによって５ｉ−Ｎ膜を変化させ、当該）１（板の他
方の面にカリウム砒素膜（ＧａＡｓ）を被着成長するた
め、化合物半導体基板のソリを低減することができる。
゛ト導体ノ、を板の形成方法によれば、Ｓ ｉ ）ｇ板
の−・方の面に′イシ化ケイＪ （Ｓ ｉ −Ｎ ）
ｌ漠を被着形成した後、″／Ｉ該ノ、（板を熱処理する
ことによって５ｉ−Ｎ膜を変化させ、当該）１（板の他
方の面にカリウム砒素膜（ＧａＡｓ）を被着成長するた
め、化合物半導体基板のソリを低減することができる。
従って、この発明の形成方法によって得られる化合物半
導体基板を用いれば、製造との作業性が向［−シ、微細
な素ｆパターンを容易に形成することが１ＴＨ２となり
、以って、優れた化合物半導体素ｆ・を歩留り良く製造
することができる。
導体基板を用いれば、製造との作業性が向［−シ、微細
な素ｆパターンを容易に形成することが１ＴＨ２となり
、以って、優れた化合物半導体素ｆ・を歩留り良く製造
することができる。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の化合物゛ト導体基
板の形成方法を説明するため、基板の断面により示した
形成工程図、 第２１：４（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の形成方法を説明す
るため、基板断面により示した形成工程図である。 １１・・・・シリコン（Ｓｉ）基板 １３・・・・ガリウム砒素（ＧａＡｓ）膜１５−−＝Ｇ
ａＡｓ／ Ｓｉ基板、１７＝・・５ｉ−Ｎ膜１９・・・
・５ｉ−Ｎ膜（熱処理後） ２１−ＧａＡｓ／Ｓｉ／’５ｉ−Ｎ基板。 Ｉｆニア’）コ＞基才反 ／Ｊ ＬａＡｓ）１／
７ ： Ｓ＋ −Ｎ ８Ｌ １４ ： 、５ｉ
−Ｎ躾（熱処理後）Ｚｆ Ｇ改Ａｓ１５ｒ／５ｒ−Ｎ幕
状 この発明のに燵４列の形成ニオ」ｌ 第１図
板の形成方法を説明するため、基板の断面により示した
形成工程図、 第２１：４（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の形成方法を説明す
るため、基板断面により示した形成工程図である。 １１・・・・シリコン（Ｓｉ）基板 １３・・・・ガリウム砒素（ＧａＡｓ）膜１５−−＝Ｇ
ａＡｓ／ Ｓｉ基板、１７＝・・５ｉ−Ｎ膜１９・・・
・５ｉ−Ｎ膜（熱処理後） ２１−ＧａＡｓ／Ｓｉ／’５ｉ−Ｎ基板。 Ｉｆニア’）コ＞基才反 ／Ｊ ＬａＡｓ）１／
７ ： Ｓ＋ −Ｎ ８Ｌ １４ ： 、５ｉ
−Ｎ躾（熱処理後）Ｚｆ Ｇ改Ａｓ１５ｒ／５ｒ−Ｎ幕
状 この発明のに燵４列の形成ニオ」ｌ 第１図
Claims (1)
- （１）シリコン（Ｓｉ）基板表面上に化合物半導体を被
着させ化合物半導体基板を形成するに当り、シリコン（
Ｓｉ）基板の裏面に窒化ケイ素（Ｓｉ−Ｎ）膜を低温で
積層する工程と、 該窒化ケイ素膜が積層されたシリコン基板を高温で熱処
理する工程と、 該高温での熱処理後に前記シリコン基板の表面上に化合
物半導体を成長させて形成する ことを特徴とする化合物半導体基板の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2811487A JPS63197326A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 化合物半導体基板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2811487A JPS63197326A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 化合物半導体基板の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63197326A true JPS63197326A (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=12239783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2811487A Pending JPS63197326A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 化合物半導体基板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63197326A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343717A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
| EP1317966A3 (de) * | 2001-12-05 | 2004-02-11 | Behr GmbH & Co. | Beschichtungsverfahren sowie Vorrichtung hierfür |
| JP2021147678A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 株式会社アルバック | 誘電体膜の形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5335375A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Hitachi Ltd | Heating method |
| JPS53104162A (en) * | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Forming method for epitaxial layer on semiconductor wafer |
| JPS5518038A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-07 | Nec Corp | Substrate for semiconductor device |
| JPS58102518A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Sony Corp | 気相成長法 |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP2811487A patent/JPS63197326A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5335375A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Hitachi Ltd | Heating method |
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