JPS63198414A - 近接スイツチ - Google Patents
近接スイツチInfo
- Publication number
- JPS63198414A JPS63198414A JP2981787A JP2981787A JPS63198414A JP S63198414 A JPS63198414 A JP S63198414A JP 2981787 A JP2981787 A JP 2981787A JP 2981787 A JP2981787 A JP 2981787A JP S63198414 A JPS63198414 A JP S63198414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- current
- temperature
- resistor
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
- H03K17/952—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
- H03K17/9537—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit
- H03K17/9542—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator
- H03K17/9547—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator with variable amplitude
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔対象技術分野〕
この発明は高周波発振形の近接スイッチの改良に関する
ものである。
ものである。
一般にこの種の近接スイッチとして第２図のブロック回
路図に示すようにバイポーラモノリシックＩＣを用いて
構成している。この回路において検出コイル２とコンデ
ンサ３により並列共振回路１が構成され、さらにこの並
列共振回路とともに発振回路４が構成され、この発振回
路は被検出体８の検出コイル２への接近により発振振幅
が変化するように設定されている。そしてこの発振振幅
の変化を次段の振幅比較回路５によって平均値化し、か
つ基準電圧と比較してこの振幅比較回路の出力を検出信
号として出力回路６より出力する。
路図に示すようにバイポーラモノリシックＩＣを用いて
構成している。この回路において検出コイル２とコンデ
ンサ３により並列共振回路１が構成され、さらにこの並
列共振回路とともに発振回路４が構成され、この発振回
路は被検出体８の検出コイル２への接近により発振振幅
が変化するように設定されている。そしてこの発振振幅
の変化を次段の振幅比較回路５によって平均値化し、か
つ基準電圧と比較してこの振幅比較回路の出力を検出信
号として出力回路６より出力する。
なお電源回路７は発振回路４と振幅比較回路５に一定の
電圧Ｖｒｅｇを供給している。またａは電源端子、ｂは
出力端子である。
電圧Ｖｒｅｇを供給している。またａは電源端子、ｂは
出力端子である。
また第３図には第２図における発振回路４が示され、こ
の回路において符号２０で示される部分はバイポーラモ
ノリシックＩＣである。この回路図において、並列共振
回路１は定電流回路９によって電流を供給され、その発
振電圧はトランジスタ１０．１１を伝わって抵抗１５に
よって電流に変換され、その電流はトランジスタ１２，
１３と抵抗１４からなるカレントミラー回路によつ【並
列共振回路ＩＫ帰還される。
の回路において符号２０で示される部分はバイポーラモ
ノリシックＩＣである。この回路図において、並列共振
回路１は定電流回路９によって電流を供給され、その発
振電圧はトランジスタ１０．１１を伝わって抵抗１５に
よって電流に変換され、その電流はトランジスタ１２，
１３と抵抗１４からなるカレントミラー回路によつ【並
列共振回路ＩＫ帰還される。
そしてこの従来の発振回路４において発振回路４の出力
電圧Ｖｏｓｃを温度補償するために抵抗１６とサーミス
タ１７によって発振制限抵抗１８の大きさを変えていた
。しかしこの従来の方法では並列共振回路の共振インピ
ーダンスの温度特性が第４図に示す形をし工いるのく対
し、サーミスタ１７の温度特性が第５図に示す形をして
いるため、必ず抵抗１６を並列に用いなければならず、
しかも検出コイル２やコアが変わると共振インピーダン
スが変わるため抵抗１５．１６およびサーミスタ１７の
値を一定にできないので、バイポーラモノリシックＩＣ
外の発振制限抵抗として少なくとも３つの素子から構成
しなければならなかった。そのため回路全体の占める面
積が広（なり、近接スイッチを小形化するばあいにその
阻害要因となっていた。またサーミスタ１７はその素子
の特性によってその抵抗値の温度特性を自由に選択でき
ないため共振インピーダンスと発振制限抵抗１８の温度
特性を厳密に一致させることができず、確実な温度補償
ができなかった。
電圧Ｖｏｓｃを温度補償するために抵抗１６とサーミス
タ１７によって発振制限抵抗１８の大きさを変えていた
。しかしこの従来の方法では並列共振回路の共振インピ
ーダンスの温度特性が第４図に示す形をし工いるのく対
し、サーミスタ１７の温度特性が第５図に示す形をして
いるため、必ず抵抗１６を並列に用いなければならず、
しかも検出コイル２やコアが変わると共振インピーダン
スが変わるため抵抗１５．１６およびサーミスタ１７の
値を一定にできないので、バイポーラモノリシックＩＣ
外の発振制限抵抗として少なくとも３つの素子から構成
しなければならなかった。そのため回路全体の占める面
積が広（なり、近接スイッチを小形化するばあいにその
阻害要因となっていた。またサーミスタ１７はその素子
の特性によってその抵抗値の温度特性を自由に選択でき
ないため共振インピーダンスと発振制限抵抗１８の温度
特性を厳密に一致させることができず、確実な温度補償
ができなかった。
この発明はこのような従来の問題点Ｋかんがみ、発振制
限抵抗を１つの抵抗で構成し、他にもう１つの素子を用
いることＫより確実な温度補償ができるようにすること
を目的とする。
限抵抗を１つの抵抗で構成し、他にもう１つの素子を用
いることＫより確実な温度補償ができるようにすること
を目的とする。
並列共振回路に電流を帰還しているカレントミラー回路
の基準電流側のトランジスタのエミッタに温度補償素子
を接続することにより確実な温度補償ができるようにし
たものである。
の基準電流側のトランジスタのエミッタに温度補償素子
を接続することにより確実な温度補償ができるようにし
たものである。
以下図によってこの発明の一実施例について説明する。
すなわち第１図におい【符号２０で示す一点鎖線内はバ
イポーラモノリシックＩＣで、この回路図は第３図に示
すトランジスタ１２のエミッタをバイポーラモノリシッ
クＩＣ２０の外に導出し、これと一定の電圧Ｖｒｅｇを
与える電源回路７との間に温度によって電圧または抵抗
が変化する温度補償素子１９たとえばサーミスタを接続
し、かつ発振制限抵抗１８を抵抗１５のみにより構成し
たものである。なお基本的な動作は第３図に示すものと
同様であるのでその説明は省略する。第１図において発
振回路４の出力電圧Ｖｏｓｃの温度補償は発振制限抵抗
１８の大きさを変えるのではなく、カレントミラー回路
の温度補償素子１９により行う。すなわちこの素子によ
りカレントミラー回路における電流比率を変えることＫ
より行っている。したがってトランジスタ１２のエミッ
タ抵抗による温度補償は共振インピーダンスと逆の温度
・特性をもつ素子を用いればよい。すなわち温度補償素
子１９は第６図に示すような温度特性を有している。
イポーラモノリシックＩＣで、この回路図は第３図に示
すトランジスタ１２のエミッタをバイポーラモノリシッ
クＩＣ２０の外に導出し、これと一定の電圧Ｖｒｅｇを
与える電源回路７との間に温度によって電圧または抵抗
が変化する温度補償素子１９たとえばサーミスタを接続
し、かつ発振制限抵抗１８を抵抗１５のみにより構成し
たものである。なお基本的な動作は第３図に示すものと
同様であるのでその説明は省略する。第１図において発
振回路４の出力電圧Ｖｏｓｃの温度補償は発振制限抵抗
１８の大きさを変えるのではなく、カレントミラー回路
の温度補償素子１９により行う。すなわちこの素子によ
りカレントミラー回路における電流比率を変えることＫ
より行っている。したがってトランジスタ１２のエミッ
タ抵抗による温度補償は共振インピーダンスと逆の温度
・特性をもつ素子を用いればよい。すなわち温度補償素
子１９は第６図に示すような温度特性を有している。
この発明は上述のようにカレントミラー回路の基準電流
側のトランジスタのエミッタに、温度によって電圧また
は抵抗が変化する温度補償素子を接続、すなわちバイポ
ーラモノリシックＩＣ外に他の素子を１つ増やしたのみ
で発振制限抵抗を１つＫすることができ、このため回路
面積が少なく、また温度補償素子はその抵抗値および温
度特性の傾きを種々選択できるため、確実な温度補償が
できる効果がある。
側のトランジスタのエミッタに、温度によって電圧また
は抵抗が変化する温度補償素子を接続、すなわちバイポ
ーラモノリシックＩＣ外に他の素子を１つ増やしたのみ
で発振制限抵抗を１つＫすることができ、このため回路
面積が少なく、また温度補償素子はその抵抗値および温
度特性の傾きを種々選択できるため、確実な温度補償が
できる効果がある。
第１図はこの発明における近接スイッチの発振回路を示
す回路図、第２図は近接スイッチ全体のブロック図、第
３図は従来の近接スイッチの発振回路を示す回路図、第
４図は温度と共振インピーダンスとの関係を示す特性図
、第５図は温度とサーミスタ抵抗との関係を示す特性図
、第６図は温度と温度補償素子との関係を示す特性図で
ある。 １・・・共振回路、２・・・検出コイル、３・・・コン
デンサ、４・・・発振回路、５・・・振幅比較回路、６
・・・出力回路、７・・・電源回路、８・・・被検出体
、９・・・定電流回路、１０・・・トランジスタ、１１
・・・トランジスタ、１２・・・トランジスタ、１３・
・・トランジスタ、１４・・・抵抗、１５・・・抵抗、
１６・・・抵抗、１７・・・サーミスタ、１８・・・発
振制限抵抗、１９・・・温度補償素子、２０・・・バイ
ポーラモノリシックＩＣ。 特 許 出 願 人 山武ハネウェル株式会社第１
図 第 ３ 図 第４図 第５図 第６図
す回路図、第２図は近接スイッチ全体のブロック図、第
３図は従来の近接スイッチの発振回路を示す回路図、第
４図は温度と共振インピーダンスとの関係を示す特性図
、第５図は温度とサーミスタ抵抗との関係を示す特性図
、第６図は温度と温度補償素子との関係を示す特性図で
ある。 １・・・共振回路、２・・・検出コイル、３・・・コン
デンサ、４・・・発振回路、５・・・振幅比較回路、６
・・・出力回路、７・・・電源回路、８・・・被検出体
、９・・・定電流回路、１０・・・トランジスタ、１１
・・・トランジスタ、１２・・・トランジスタ、１３・
・・トランジスタ、１４・・・抵抗、１５・・・抵抗、
１６・・・抵抗、１７・・・サーミスタ、１８・・・発
振制限抵抗、１９・・・温度補償素子、２０・・・バイ
ポーラモノリシックＩＣ。 特 許 出 願 人 山武ハネウェル株式会社第１
図 第 ３ 図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 検出コイルとコンデンサとからなる並列共振回路と、上
記並列共振回路に電流を帰還するカレントミラー回路と
を含む発振回路を備え、上記カレントミラー回路の基準
電流側のトランジスタのエミッタに、温度によつて電圧
または抵抗が変化する温度補償素子を接続したことを特
徴とする近接スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2981787A JPS63198414A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 近接スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2981787A JPS63198414A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 近接スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63198414A true JPS63198414A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12286574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2981787A Pending JPS63198414A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 近接スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63198414A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5119044A (en) * | 1990-06-19 | 1992-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Inductive proximity switch with slight temperature dependency |
| JP2009164908A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
| JP4796076B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-10-19 | ペッパール ウント フュフス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 接近感知スイッチ及びその作動方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59212026A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 近接スイツチの発振回路 |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP2981787A patent/JPS63198414A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59212026A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 近接スイツチの発振回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5119044A (en) * | 1990-06-19 | 1992-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Inductive proximity switch with slight temperature dependency |
| JP4796076B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-10-19 | ペッパール ウント フュフス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 接近感知スイッチ及びその作動方法 |
| JP2009164908A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
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