JPS63199219A - 積層板用樹脂組成物 - Google Patents
積層板用樹脂組成物Info
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- JPS63199219A JPS63199219A JP3117787A JP3117787A JPS63199219A JP S63199219 A JPS63199219 A JP S63199219A JP 3117787 A JP3117787 A JP 3117787A JP 3117787 A JP3117787 A JP 3117787A JP S63199219 A JPS63199219 A JP S63199219A
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- JP
- Japan
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- butadiene polymer
- weight
- epoxidized
- tetrabromobisphenol
- parts
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0326—Organic insulating material consisting of one material containing O
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気特性、特に誘電特性にすぐれたガラス布、
紙等を基材として用いるプリント配線基板用の難燃化さ
れた積層板用樹脂組成物に関するものである。
紙等を基材として用いるプリント配線基板用の難燃化さ
れた積層板用樹脂組成物に関するものである。
従来の技術
最近、電子素子の高密度化、信号の高速化、高周波数化
に伴ない信号の遅延が問題となってきている。信号遅延
時間は、比誘導率の平方根に比例して大きくなるので高
速電子機器のプリント配線板は誘電率の低いものが求め
られている。最も広く用いられているガラス布を基材と
するエポキシ樹脂積層板は誘電率が４．５〜５とかなり
大きく高速電子機器用、高周波機器用としては不利であ
る。
に伴ない信号の遅延が問題となってきている。信号遅延
時間は、比誘導率の平方根に比例して大きくなるので高
速電子機器のプリント配線板は誘電率の低いものが求め
られている。最も広く用いられているガラス布を基材と
するエポキシ樹脂積層板は誘電率が４．５〜５とかなり
大きく高速電子機器用、高周波機器用としては不利であ
る。
発明が解決しようとする問題点
誘電率の低いポリエチレン樹脂、テフロン樹脂、ポリフ
ェニレンオキサイド樹脂、ポリスルホン樹脂などを用い
た基板が開発されているが、これらは熱可盟性樹脂であ
るため、強度が小さいあるいははんだ、耐熱性などに問
題がある。
ェニレンオキサイド樹脂、ポリスルホン樹脂などを用い
た基板が開発されているが、これらは熱可盟性樹脂であ
るため、強度が小さいあるいははんだ、耐熱性などに問
題がある。
本発明者らは誘電率が低く、しかも熱硬化製樹脂である
１、２型の二重結合を５０％以上有するブタジェンの低
重合体について研究し、前にエポキシ化ポリブタジェン
をノボラック型フェノール樹脂あるいはポリビニルフェ
ノールで硬化させることにより、誘電率が低く、強度が
大きく、しかもはんだ耐熱性の優れた積層板が得られる
とを見出し特許を出願した（特開昭６０−８６１３４号
）上記の樹脂から製造された積層板は優れた性能を有し
ているが、燃焼し易いという問題があった。
１、２型の二重結合を５０％以上有するブタジェンの低
重合体について研究し、前にエポキシ化ポリブタジェン
をノボラック型フェノール樹脂あるいはポリビニルフェ
ノールで硬化させることにより、誘電率が低く、強度が
大きく、しかもはんだ耐熱性の優れた積層板が得られる
とを見出し特許を出願した（特開昭６０−８６１３４号
）上記の樹脂から製造された積層板は優れた性能を有し
ているが、燃焼し易いという問題があった。
本発明者らは難燃化について検討した結果、エポキシ化
ポリブタジェンをテトラブロモビスフェノールＡで硬化
させることにより、難燃性で誘電率が低く、強度が大き
く、しかもはんだ耐熱性の優れた積層板が得られること
を見出し特許を出願した（特願昭６１−１９２７２０号
）。
ポリブタジェンをテトラブロモビスフェノールＡで硬化
させることにより、難燃性で誘電率が低く、強度が大き
く、しかもはんだ耐熱性の優れた積層板が得られること
を見出し特許を出願した（特願昭６１−１９２７２０号
）。
この場合、硬化剤が２官能であるため架橋密度が低いた
めか、ガラス転移温度が低く、しかも耐塩化メチレン性
が悪いという問題があった。
めか、ガラス転移温度が低く、しかも耐塩化メチレン性
が悪いという問題があった。
本発明の目的は電気特性に優れ、架橋密度が高く、耐熱
性が優れ、しかも難燃性の優れた積層板用樹脂組成物を
提供することにある。
性が優れ、しかも難燃性の優れた積層板用樹脂組成物を
提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明者らは種々研究した結果、エポキシ化ポリブタジ
ェンをテトラブロモビスフェノールＡおよび特定のアク
リル化合物で二種類の硬化形式で硬化させることにより
、ガラス転移温度が高く、耐塩化メチレン性が良く、難
燃性が優れ、誘電率が低く、強度が大きく、しかもはん
だ耐熱性の優れた積層板が得られることを見出し本発明
に到達した。
ェンをテトラブロモビスフェノールＡおよび特定のアク
リル化合物で二種類の硬化形式で硬化させることにより
、ガラス転移温度が高く、耐塩化メチレン性が良く、難
燃性が優れ、誘電率が低く、強度が大きく、しかもはん
だ耐熱性の優れた積層板が得られることを見出し本発明
に到達した。
すなわち本発明は
（Ａ）５００〜５０００の分子量で１，２型の二重結合
が５０％以上のブタジェン重合体をエポキシ化してエポ
キシ基の含育量がブタジェン重合体１００ｇに対して０
．３モル以上であるエポキシ化ブタジェン重合体１００
重量部 （Ｂ）テトラブロモビスフェノールＡ ２０〜１００重量部 （Ｃ）一般式 （式中Ｒ１およびＲ２は水素又はメチル基を表わし、ｎ
は０から５の整数を表わす） で示される（メタ）アクリル化合物２０〜１００重量部
を必須成分とする電気特性、耐熱性の優れた難燃化され
た積層板用樹脂組成物である。
が５０％以上のブタジェン重合体をエポキシ化してエポ
キシ基の含育量がブタジェン重合体１００ｇに対して０
．３モル以上であるエポキシ化ブタジェン重合体１００
重量部 （Ｂ）テトラブロモビスフェノールＡ ２０〜１００重量部 （Ｃ）一般式 （式中Ｒ１およびＲ２は水素又はメチル基を表わし、ｎ
は０から５の整数を表わす） で示される（メタ）アクリル化合物２０〜１００重量部
を必須成分とする電気特性、耐熱性の優れた難燃化され
た積層板用樹脂組成物である。
本発明の（Ａ）成分の出発原料である５００〜５０００
の分子量で１，２型の二重結合が５０％以上のブタジェ
ン重合体は従来公知の方法で製造される。
の分子量で１，２型の二重結合が５０％以上のブタジェ
ン重合体は従来公知の方法で製造される。
すなわち、炭化水素溶媒中でリチウム、ナトリウムなど
のアルカリ金属またはそれらの有機金属化合物を触媒と
してブタジェンを単独重合させたもの、ある“いはブタ
ジェンとスチレン等のとニルモノマーとを共重合させた
もの、ブタジェンとイソプレン等のジオレフィンとを共
重合させたものなどのブタジェンと他のビニル七ツマ−
を５０モル％以下共重合させるブタジェン共重合体が好
ましく用いられる。また、ナフタレン、アントラセンの
如き多環芳香族化合物を活性化剤としてテトラヒドロフ
ランのような極性溶媒中でナトリウムのようなアルカリ
金属を触媒としてブタジェンを単独または共重合させた
ものも好ましく用いられる。またこれらの重合体末端に
水酸基、カルボキシル基、エポキシ基を導入したいわゆ
るテレケリツクポリマーも同様に用いられる。
のアルカリ金属またはそれらの有機金属化合物を触媒と
してブタジェンを単独重合させたもの、ある“いはブタ
ジェンとスチレン等のとニルモノマーとを共重合させた
もの、ブタジェンとイソプレン等のジオレフィンとを共
重合させたものなどのブタジェンと他のビニル七ツマ−
を５０モル％以下共重合させるブタジェン共重合体が好
ましく用いられる。また、ナフタレン、アントラセンの
如き多環芳香族化合物を活性化剤としてテトラヒドロフ
ランのような極性溶媒中でナトリウムのようなアルカリ
金属を触媒としてブタジェンを単独または共重合させた
ものも好ましく用いられる。またこれらの重合体末端に
水酸基、カルボキシル基、エポキシ基を導入したいわゆ
るテレケリツクポリマーも同様に用いられる。
ブタジェン重合体のエポキシ化は従来公知のエポキシ化
方法で製造される。すなわち、ブタジェン重合体に常温
〜１００℃の温度で過酸化物例えば過酢酸を作用させる
かあるいは過酸化水素と酢酸、または蟻酸を反応系中で
作用させて過酢酸あるいは過蟻酸を発生させ、これら過
酸とブタジェン重合体を反応させることにより合成する
ことができる。このエポキシ化ブタジェン重合体中のエ
ポキシ基の含を量は、ブタジェン重合体１００ｇに対し
０．３モル以上、好ましくは０．４〜０゜７モルである
ことが、優れた積層板を得るのに必要である。
方法で製造される。すなわち、ブタジェン重合体に常温
〜１００℃の温度で過酸化物例えば過酢酸を作用させる
かあるいは過酸化水素と酢酸、または蟻酸を反応系中で
作用させて過酢酸あるいは過蟻酸を発生させ、これら過
酸とブタジェン重合体を反応させることにより合成する
ことができる。このエポキシ化ブタジェン重合体中のエ
ポキシ基の含を量は、ブタジェン重合体１００ｇに対し
０．３モル以上、好ましくは０．４〜０゜７モルである
ことが、優れた積層板を得るのに必要である。
本発明の（Ｂ）成分であるテトラブロモビスフェノール
Ａは 化学式 で表わされる化合物である 本発明においては（Ｂ）成分の一部をノボラック型フェ
ノール樹脂、臭素化ノボラック型フェノール樹脂あるい
はポリビニルフェノール、臭素化ポリビニルフェノール
で置きかえることも可能である。
Ａは 化学式 で表わされる化合物である 本発明においては（Ｂ）成分の一部をノボラック型フェ
ノール樹脂、臭素化ノボラック型フェノール樹脂あるい
はポリビニルフェノール、臭素化ポリビニルフェノール
で置きかえることも可能である。
前記のノボラック型フェノール樹脂は従来公知の方法で
製造される。フェノールやクレゾール等のアルキルフェ
ノール類を酸性触媒存在下でホルムアルデヒドと反応さ
せることにより製造されるもので、２以上の複数個の芳
香族核を有するものである。ポリビニルフェノールはビ
ニルフェノール類の重合、例えばｐ−ビニルフェノール
を重合させることによって得られるポリ−ｐ−ビニルフ
ェノール（商品名レジンＭ１丸善石油■）などが代表的
なものである。これらの使用量は通常エポキシ化ブタジ
ェン重合体１００重量部に対し、２０〜１００重量部、
好ましくは３０〜６０重量部用いられる。
製造される。フェノールやクレゾール等のアルキルフェ
ノール類を酸性触媒存在下でホルムアルデヒドと反応さ
せることにより製造されるもので、２以上の複数個の芳
香族核を有するものである。ポリビニルフェノールはビ
ニルフェノール類の重合、例えばｐ−ビニルフェノール
を重合させることによって得られるポリ−ｐ−ビニルフ
ェノール（商品名レジンＭ１丸善石油■）などが代表的
なものである。これらの使用量は通常エポキシ化ブタジ
ェン重合体１００重量部に対し、２０〜１００重量部、
好ましくは３０〜６０重量部用いられる。
本発明の（Ｃ）成分である一般式
（式中Ｒ１およびＲ２は水素又はメチル基を表わし、ｎ
は０から５の整数を表わす） で示される（メタ）アクリル化合物はテトラブロモビス
フェノールＡに（メタ）アクリル酸クロライドを反応さ
せるか、テトラブロモビスフェノールＡにエチレンオキ
シドあるいはプロピレンオキシドを反応させた後、（メ
タ）アクリル酸を反応させる従来公知の方法で製造され
る。
は０から５の整数を表わす） で示される（メタ）アクリル化合物はテトラブロモビス
フェノールＡに（メタ）アクリル酸クロライドを反応さ
せるか、テトラブロモビスフェノールＡにエチレンオキ
シドあるいはプロピレンオキシドを反応させた後、（メ
タ）アクリル酸を反応させる従来公知の方法で製造され
る。
本発明において（Ｃ）成分の一部を（メタ）アクリルモ
ノマー例えばジエチレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
トなどで置きかえることも可能である。
ノマー例えばジエチレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
トなどで置きかえることも可能である。
これらの使用量はエポキシ化ポリブタジェン重合体１０
０重量部に対して、２０〜１００ｔｉ量部、好ましくは
３０〜６０重量部である。
０重量部に対して、２０〜１００ｔｉ量部、好ましくは
３０〜６０重量部である。
本発明においては（Ｂ）成分は（Ａ）成分中のエポキシ
基と反応し、（Ｃ）成分は（Ａ）成分中の１．２結合型
の二重結合と反応する。したがって架橋密度が高く、強
度の優れた、ガラス転移温度の高い硬化物が得られる。
基と反応し、（Ｃ）成分は（Ａ）成分中の１．２結合型
の二重結合と反応する。したがって架橋密度が高く、強
度の優れた、ガラス転移温度の高い硬化物が得られる。
したがって本発明では反応を促進するため必要に応じて
触媒を添加することもできる。
触媒を添加することもできる。
触媒としては、Ｎ、Ｎ−ジメチルベンジルアミンのよう
な第三アミン、２−エチル−４−メチルイミダゾール等
のイミダゾール類が好ましく用いられる。また、ＢＦｉ
や有機酸とアミンとの錯体も潜在型として用いられる。
な第三アミン、２−エチル−４−メチルイミダゾール等
のイミダゾール類が好ましく用いられる。また、ＢＦｉ
や有機酸とアミンとの錯体も潜在型として用いられる。
さらに有材パーオキシドなどを添加すると（Ａ）成分と
（Ｃ）成分の反応が促進され有利である。
（Ｃ）成分の反応が促進され有利である。
本発明の樹脂組成物を用いて積層板を製造するには、ま
ず本発明の樹脂組成物を適当な有機溶媒、例えばアセト
ン、メチルエチルケトンなどに溶解してフェスとし、基
材を含浸させた後、乾燥させて積層板用プリプレグを作
る。基材としてはガラス不織布、ガラスクロス、合成繊
維不織布、合成繊維布、紙、綿布などが用いられる。こ
のようにして得られたプリプレグは粘着性がなく取扱い
易いものである。
ず本発明の樹脂組成物を適当な有機溶媒、例えばアセト
ン、メチルエチルケトンなどに溶解してフェスとし、基
材を含浸させた後、乾燥させて積層板用プリプレグを作
る。基材としてはガラス不織布、ガラスクロス、合成繊
維不織布、合成繊維布、紙、綿布などが用いられる。こ
のようにして得られたプリプレグは粘着性がなく取扱い
易いものである。
これを積層板に成形加工するには通常の熱圧ブレスがそ
のまま用いられる。すなわち、成形温度１５０〜２００
℃、成形圧力２０〜１００ｋｇ／ｃｊ、成形時間３０〜
１２０分が適当な条件として採用される。成形の際には
該プリプレグを重ね、その上に銅箔を重ねて成形し良好
な銅張積層板が得られる。
のまま用いられる。すなわち、成形温度１５０〜２００
℃、成形圧力２０〜１００ｋｇ／ｃｊ、成形時間３０〜
１２０分が適当な条件として採用される。成形の際には
該プリプレグを重ね、その上に銅箔を重ねて成形し良好
な銅張積層板が得られる。
このようにして作られた積層板は電気特性とりわけ誘電
特性に優れ、ガラス転移温度が高く、がつ吸湿性、耐化
学薬品性、耐熱性にも優れたものであった。
特性に優れ、ガラス転移温度が高く、がつ吸湿性、耐化
学薬品性、耐熱性にも優れたものであった。
以下に具体的な例を挙げて本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
実施例１
１．２結合が６２％で数平均分子量が１５００の日石ポ
リブタジェンをエポキシ化してエポキシ基の含有量がブ
タジェン重合体１００ｇに対して０．５モルのエポキシ
化ブタジェン重合体を得た。
リブタジェンをエポキシ化してエポキシ基の含有量がブ
タジェン重合体１００ｇに対して０．５モルのエポキシ
化ブタジェン重合体を得た。
このエポキシ化ブタジェン重合体１００重量部、（Ｂ）
成分であるテトラブロモビスフェノールＡ４０！ｌｕ部
、（Ｃ）成分であるピロガードＧＸ−６０９４（第一工
業製薬株式会社の商品名）６０重量部と２−エチル−４
−メチルイミダゾール０゜０５重量部をメチルエチルケ
トン１６０１ｉ量部に溶解し含浸ワニスを得た。
成分であるテトラブロモビスフェノールＡ４０！ｌｕ部
、（Ｃ）成分であるピロガードＧＸ−６０９４（第一工
業製薬株式会社の商品名）６０重量部と２−エチル−４
−メチルイミダゾール０゜０５重量部をメチルエチルケ
トン１６０１ｉ量部に溶解し含浸ワニスを得た。
このワニスにガラス布基材（商品名Ｈ−７６２８−３Ｅ
旭ファイバーグラス社製）を含浸し１３０℃で２０分
乾燥してプリプレグを得た。
旭ファイバーグラス社製）を含浸し１３０℃で２０分
乾燥してプリプレグを得た。
このプリプレグを８枚重ね、その両面に電解銅箔（Ｊ
ＴＣ泊３５μｍ１日鉱グールドフォイル社製）をひき、
温度１８０℃、圧力３０ｋｇ／ｃ−で１２０分、温度２
００℃、圧力３０贈／Ｃ−で１２０分間プレス成形を行
ない両面銅張積層板を得た。
ＴＣ泊３５μｍ１日鉱グールドフォイル社製）をひき、
温度１８０℃、圧力３０ｋｇ／ｃ−で１２０分、温度２
００℃、圧力３０贈／Ｃ−で１２０分間プレス成形を行
ない両面銅張積層板を得た。
この積層板の性能試験（ＪＩＳ Ｃ６４８１に準拠）
の結果を表１に示した。
の結果を表１に示した。
比較例１
エポキシ樹脂としてテトラブロモビスフェノールＡを骨
格とした難燃性エポキシ樹脂（商品名アラルダイト８０
１１、チバガイギー社製）１００重量部、ジシアンジア
ミド４重量部、ジメチルベンジルアミン０．２重量部を
ジメチルホルムアミド１４１！Ｅ１部、メチルエチルケ
トン８０重量部に溶解しワニスを得た。このワニスに実
施例１で使用したガラス布基材を含浸し、１３０℃で１
５分乾燥してプリプレグを得た。
格とした難燃性エポキシ樹脂（商品名アラルダイト８０
１１、チバガイギー社製）１００重量部、ジシアンジア
ミド４重量部、ジメチルベンジルアミン０．２重量部を
ジメチルホルムアミド１４１！Ｅ１部、メチルエチルケ
トン８０重量部に溶解しワニスを得た。このワニスに実
施例１で使用したガラス布基材を含浸し、１３０℃で１
５分乾燥してプリプレグを得た。
このプリプレグを８枚重ね、その両面に実施例１で用い
た電解鋼箔をひき、温度１８０℃、圧力３０ｋｇ／ｃｊ
で１２０分間プレス成形を行ない両面銅張積層板を得た
。この積層板の性能試験の結果を表１に示した。
た電解鋼箔をひき、温度１８０℃、圧力３０ｋｇ／ｃｊ
で１２０分間プレス成形を行ない両面銅張積層板を得た
。この積層板の性能試験の結果を表１に示した。
実施例２
１．２結合が６４％で数平均分子量が１８００の日石ポ
リブタジェンをエポキシ化してエポキシ基の含有量がブ
タジェン重合体１００ｇに対して０．４モルのエポキシ
化ブタジェン重合体を得た。
リブタジェンをエポキシ化してエポキシ基の含有量がブ
タジェン重合体１００ｇに対して０．４モルのエポキシ
化ブタジェン重合体を得た。
このエポキシ化ブタジェン重合体１００．重量部、（Ｂ
）成分であるテトラブロモビスフェノールＡ５０重量部
、（Ｃ）成分であるピロガードＧＸ−６０９４（第一工
業製薬株式会社の商品名）５０重量部、２−エチル−４
−メチルイミダゾール０゜０５重量部とジクミルパーオ
キサイド２重量部をメチルエチルケトン１６０重量部に
溶解し含浸ワニスを得た。
）成分であるテトラブロモビスフェノールＡ５０重量部
、（Ｃ）成分であるピロガードＧＸ−６０９４（第一工
業製薬株式会社の商品名）５０重量部、２−エチル−４
−メチルイミダゾール０゜０５重量部とジクミルパーオ
キサイド２重量部をメチルエチルケトン１６０重量部に
溶解し含浸ワニスを得た。
このワニスにガラス不織布を含浸し１３０℃で２０分乾
燥し、タックのないプリプレグを得た。
燥し、タックのないプリプレグを得た。
このプリプレグを６枚重ね、その両面に電解銅箔（Ｊ
ＴＣ泊３５μｍ１日鉱グールドフォイル社製）をひき、
温度１８０℃、圧力３０ｋｇ／ｃ−で１８０分間成形を
行ない両面鋼張積層板を得た。この積層板の性能試験の
結果を表１に示した。
ＴＣ泊３５μｍ１日鉱グールドフォイル社製）をひき、
温度１８０℃、圧力３０ｋｇ／ｃ−で１８０分間成形を
行ない両面鋼張積層板を得た。この積層板の性能試験の
結果を表１に示した。
比較例２
１．２−結合が６４％で数平均分子量が１８００の日石
ポリブタジェンをエポキシ化してエポキシ基の含有量が
ブタジェン重合体１００ｇに対して０６４モルのエポキ
シ化ブタジェン重合体を得た。このエポキシ化ブタジェ
ン重合体１００重量部とノボラック型フェノール樹脂（
商品名ＢＲＭ−５５８、昭和ユニオン合成社製）２４重
量部、テトラブロモビスフェノールＡ４６重量部と２−
エチル−４−メチルイミダゾール１．５重量部をメチル
エチルケトン１０２重量部に溶解し含浸ワニスを得た。
ポリブタジェンをエポキシ化してエポキシ基の含有量が
ブタジェン重合体１００ｇに対して０６４モルのエポキ
シ化ブタジェン重合体を得た。このエポキシ化ブタジェ
ン重合体１００重量部とノボラック型フェノール樹脂（
商品名ＢＲＭ−５５８、昭和ユニオン合成社製）２４重
量部、テトラブロモビスフェノールＡ４６重量部と２−
エチル−４−メチルイミダゾール１．５重量部をメチル
エチルケトン１０２重量部に溶解し含浸ワニスを得た。
このワニスに不織布を含浸し、１５０℃で６分乾燥して
粘着性のないプリプレグを得た。このプリプレグを６枚
重ね、その両面に電解銅箔（ＪＴＣ箔３５μｍ１日鉱グ
ールドフォイル社製）を重ね温度１８０℃、圧力３０
ｋｇ ／ ｃ−で１８０分間成形を行ない両面銅張板を
得た。この積層板の性能試験の結果を表１に示した。
粘着性のないプリプレグを得た。このプリプレグを６枚
重ね、その両面に電解銅箔（ＪＴＣ箔３５μｍ１日鉱グ
ールドフォイル社製）を重ね温度１８０℃、圧力３０
ｋｇ ／ ｃ−で１８０分間成形を行ない両面銅張板を
得た。この積層板の性能試験の結果を表１に示した。
表１の実施例１および実施例２と比較例１および比較例
２の比較からも明らかなように一般のエポキシ積層板に
比べ、本発明の組成物は誘電率、誘電正接などの電気特
性に優れ、しかも耐水性、耐熱性、難燃性などの優れた
積層板であった。
２の比較からも明らかなように一般のエポキシ積層板に
比べ、本発明の組成物は誘電率、誘電正接などの電気特
性に優れ、しかも耐水性、耐熱性、難燃性などの優れた
積層板であった。
特許出願人 日本石油株式会社
手続補正書
昭和６２年４月３日
特許庁長官 殿 唖。
、：：
１、事件の表示 特願昭６２−３１１７７号２
、発明の名称 積層板用樹脂組成物３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名 称 （４４４）日本石油株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 変化なし７、補正
の対象 明細書（発明の詳細な説明）８、補正
の内容 〔１〕明細書中、第３頁第３行の「はんだ、耐熱性」と
あるを「はんだ耐熱性」と補正する。
、発明の名称 積層板用樹脂組成物３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名 称 （４４４）日本石油株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 変化なし７、補正
の対象 明細書（発明の詳細な説明）８、補正
の内容 〔１〕明細書中、第３頁第３行の「はんだ、耐熱性」と
あるを「はんだ耐熱性」と補正する。
〔２〕同、第１０頁第６行の「有材パーオキシド」とあ
るを「有機パーオキシド」と補正する。
るを「有機パーオキシド」と補正する。
〔３〕同、第１２頁第６行及び第１４頁第３行のｒＪＴ
Ｃ泊３５μｍ、Ｊとあるを「ＪＴＣ箔３５μｍｓＪと補
正する。
Ｃ泊３５μｍ、Ｊとあるを「ＪＴＣ箔３５μｍｓＪと補
正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕（Ａ）５００〜５０００の分子量で１、２型の二
重結合が５０％以上のブタジエン重合体をエポキシ化し
てエポキシ基の含有量がブタジエン重合体１００ｇに対
して０．３モル以上であるエポキシ化ブタジエン重合体
１００重量部 （Ｂ）テトラブロモビスフェノールＡ ２０〜１００重量部 （Ｃ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１およびＲ＿２は水素又はメチル基を表わし
、ｎは０から５の整数を表わす） で示される（メタ）アクリル化合物２０〜１００重量部
を必須成分とする電気特性、耐熱性の優れた難燃化され
た積層板用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117787A JPS63199219A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 積層板用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117787A JPS63199219A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 積層板用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63199219A true JPS63199219A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12324163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3117787A Pending JPS63199219A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 積層板用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63199219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10510680B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-12-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having electromagnetic wave attenuation layer |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP3117787A patent/JPS63199219A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10510680B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-12-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having electromagnetic wave attenuation layer |
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