JPS63199465A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPS63199465A JPS63199465A JP62032844A JP3284487A JPS63199465A JP S63199465 A JPS63199465 A JP S63199465A JP 62032844 A JP62032844 A JP 62032844A JP 3284487 A JP3284487 A JP 3284487A JP S63199465 A JPS63199465 A JP S63199465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- ultraviolet
- cover
- wiring
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体記憶装置に関し、特に紫外線照射に
よっても消去を不可能としたメモリに関するものである
。
よっても消去を不可能としたメモリに関するものである
。
第２図は従来の紫外線による消去不可メモリの断面図で
ある。この図において、■はオーバーコート、２はアル
ミニウム、４はメモリのコントロールケート、５はゲー
ト酸化膜、６はフローティングゲート、７はフィールド
酸化膜、８はソース、９はドレイン、１０は基板であり
、アルミニウム２はコントロールケート４．フローティ
ングゲート６を覆うよう、に構成されている。
ある。この図において、■はオーバーコート、２はアル
ミニウム、４はメモリのコントロールケート、５はゲー
ト酸化膜、６はフローティングゲート、７はフィールド
酸化膜、８はソース、９はドレイン、１０は基板であり
、アルミニウム２はコントロールケート４．フローティ
ングゲート６を覆うよう、に構成されている。
紫外線消去メモリにおいては、書き込まれた記憶を消去
するには、このメモリ部分に紫外線を照射しなければな
らない。すなわち、書き込みによってフローティングゲ
ートに蓄えられた電荷を、紫外線の持つエネルキーによ
ってフローティングゲートから放出させるのであるが、
そこで紫外線照射を行なっても記憶が消えないようにす
るには、フローティングゲートに紫外線があたらないよ
うにすればよい。
するには、このメモリ部分に紫外線を照射しなければな
らない。すなわち、書き込みによってフローティングゲ
ートに蓄えられた電荷を、紫外線の持つエネルキーによ
ってフローティングゲートから放出させるのであるが、
そこで紫外線照射を行なっても記憶が消えないようにす
るには、フローティングゲートに紫外線があたらないよ
うにすればよい。
そこで、従来では第２図に示すように、配線として使っ
ていたアルミニウム２をフローティングゲート６のカバ
ーとして使い、そうすることによってフローティングゲ
ート６に紫外線があたるのを防いでいる。
ていたアルミニウム２をフローティングゲート６のカバ
ーとして使い、そうすることによってフローティングゲ
ート６に紫外線があたるのを防いでいる。
従来の半導体記憶装置における消去不可メモリは以上の
ように構成されているので、信号配線としてアルミニウ
ムを使用することができず、配線はソース、ドレイン又
ポリシリコンを使用しなければならないため、配線抵抗
が高くなり、又配線抵抗を低くするとパターン的に大き
くなってしまうなどの問題点があった。
ように構成されているので、信号配線としてアルミニウ
ムを使用することができず、配線はソース、ドレイン又
ポリシリコンを使用しなければならないため、配線抵抗
が高くなり、又配線抵抗を低くするとパターン的に大き
くなってしまうなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、アルミニウムを信号配線として使用でき、配
線の効率化を図った消去不可メモリを持つ半導体記憶装
置を得ることを目的とする。
たもので、アルミニウムを信号配線として使用でき、配
線の効率化を図った消去不可メモリを持つ半導体記憶装
置を得ることを目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体記憶装置は、紫外線消去メモリと
同構造を持つメモリのメモリ構造を覆うように形成した
絶縁層を紫外線不透過物質で構成し、記憶内容の消去を
不可能としたものである。
同構造を持つメモリのメモリ構造を覆うように形成した
絶縁層を紫外線不透過物質で構成し、記憶内容の消去を
不可能としたものである。
この発明における消去不可メモリは、紫外線消去メモリ
と同様のメモリ構造を覆うように形成された絶縁層が紫
外線不透過物質からなることにより、アルミニウムをソ
ース、ドレイン、ゲートへの配線として用いることを可
能とする。
と同様のメモリ構造を覆うように形成された絶縁層が紫
外線不透過物質からなることにより、アルミニウムをソ
ース、ドレイン、ゲートへの配線として用いることを可
能とする。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、第２
図と同一符号は同−又は相当のものを示し、３は紫外線
不透過スムースコートである。この図においては、ゲー
ト電位をコントロールするコントロールゲート４及び記
憶用に電荷を蓄えておくフローティングゲート６を覆う
ように、紫外線不透過スムースコート３がある。又、ソ
ース８゜ドレイン９には配線用にアルミニウム２がコン
タクトをとっている。
図と同一符号は同−又は相当のものを示し、３は紫外線
不透過スムースコートである。この図においては、ゲー
ト電位をコントロールするコントロールゲート４及び記
憶用に電荷を蓄えておくフローティングゲート６を覆う
ように、紫外線不透過スムースコート３がある。又、ソ
ース８゜ドレイン９には配線用にアルミニウム２がコン
タクトをとっている。
紫外線消去メモリにおいては、書き込まれた記１、ａを
消去するには、このメモリ部分に紫外線を照射しなけれ
ばならない。すなわち、書き込みによってフローティン
グゲートに蓄えられた電荷を、紫外線の持つエネルギー
によってフローティングゲートから放出させるのである
が、紫外線照射を行なっても記憶が消えないようにする
には、フローティングゲートに紫外線があたらないよう
にすればよい。
消去するには、このメモリ部分に紫外線を照射しなけれ
ばならない。すなわち、書き込みによってフローティン
グゲートに蓄えられた電荷を、紫外線の持つエネルギー
によってフローティングゲートから放出させるのである
が、紫外線照射を行なっても記憶が消えないようにする
には、フローティングゲートに紫外線があたらないよう
にすればよい。
そこで本実施例では、フローティングゲート６及びコン
トロールゲート４を覆っている絶縁膜であるスムースコ
ートを紫外線不透過スムースコート３にすることによっ
て、メモリ部分、とりわけフローティングゲート６に紫
外線が入り込まないようにし、記憶した情報の消去不可
能なメモリを構成している。又、これによりアルミニウ
ム２がソース８．トレイン９．ゲート４，６の配線とし
て使用できる。従って、配線としてソース、ドレイン又
ポリシリコンを用いていた従来のものに比べ、装置をパ
ターン的に小さくすることかできる。
トロールゲート４を覆っている絶縁膜であるスムースコ
ートを紫外線不透過スムースコート３にすることによっ
て、メモリ部分、とりわけフローティングゲート６に紫
外線が入り込まないようにし、記憶した情報の消去不可
能なメモリを構成している。又、これによりアルミニウ
ム２がソース８．トレイン９．ゲート４，６の配線とし
て使用できる。従って、配線としてソース、ドレイン又
ポリシリコンを用いていた従来のものに比べ、装置をパ
ターン的に小さくすることかできる。
以上のように、この発明に係る半導体記憶装置によれば
、紫外線消去メモリと同構造を持つメモリのメモリ構造
を覆うように形成した絶縁層を紫外線不透過物質で構成
し、記憶内容の消去を不可能としたので、アルミニウム
を配線として使用でき、配線及びパターンにおいて効率
化を図ることができる。
、紫外線消去メモリと同構造を持つメモリのメモリ構造
を覆うように形成した絶縁層を紫外線不透過物質で構成
し、記憶内容の消去を不可能としたので、アルミニウム
を配線として使用でき、配線及びパターンにおいて効率
化を図ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体記憶装置を示
す断面図、第２図は従来の半導体記憶装置を示す断面図
である。 １はオーバーコート、２はアルミニウム、３は！ 外線
不透過スムースコート、４はコントロールゲート、５は
ゲート酸化膜、６はフローティングゲート、７はフィー
ルド酸化膜、８はソース、９はドレイン、１０は基板で
ある。 なお、図中同一符号は、同−又は相当部分を示す。
す断面図、第２図は従来の半導体記憶装置を示す断面図
である。 １はオーバーコート、２はアルミニウム、３は！ 外線
不透過スムースコート、４はコントロールゲート、５は
ゲート酸化膜、６はフローティングゲート、７はフィー
ルド酸化膜、８はソース、９はドレイン、１０は基板で
ある。 なお、図中同一符号は、同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）紫外線を照射することにより記憶内容を消去する
ことのできるメモリを有する半導体記憶装置において、 上記消去の可能なメモリと同様のメモリ構造を持ち、か
つ紫外線を透過しない物質からなる絶縁層を該メモリ構
造を覆うように形成し、記憶内容の消去を不可能とした
メモリを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032844A JPS63199465A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032844A JPS63199465A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63199465A true JPS63199465A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12370132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032844A Pending JPS63199465A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63199465A (ja) |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62032844A patent/JPS63199465A/ja active Pending
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