JPS63199481A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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Publication number
JPS63199481A
JPS63199481A JP3300587A JP3300587A JPS63199481A JP S63199481 A JPS63199481 A JP S63199481A JP 3300587 A JP3300587 A JP 3300587A JP 3300587 A JP3300587 A JP 3300587A JP S63199481 A JPS63199481 A JP S63199481A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
laser device
beams
return
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3300587A
Other languages
English (en)
Inventor
Morichika Yano
矢野　盛規
Kaneki Matsui
完益 松井
Taiji Morimoto
泰司 森本
Mototaka Tanetani
元隆 種谷
Akihiro Matsumoto
晃広 松本
Masahiro Yamaguchi
山口　雅広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS63199481A publication Critical patent/JPS63199481A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は半導体レーザ装置に関し、特に光ディスク等
の再生光源に用いられる場合の雑音対策を具備した半導
体レーザ装置に関するものである。
［従来の技術］ 半導体レーザを光ディスク等の続出用の再生光源として
利用する場合、光ディスク等がらの戻り光による雑音が
誘起されたり、また使用温度の変動によってモード競合
雑音が発生するとシステムの信号対雑音比の低下をもた
らすこととなる。この対策として半導体レーザに持続的
に緩和振動を起こさせたり、または高周波電流を駆動電
流に重畳させたりして発振レーザ光のコヒーレント長を
短くして相対雑音強度を低下させる手段が採用されてい
る。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような従来の手段では以下のような問題点を提起
する。
持続的な緩和振動を半導体レーザに起こさせる手段を採
ると高出力（３０〜４０ｍＷ程度）が得られず、−刃高
周波を発振レーザに重畳させるには高周波重畳回路を別
途必要としその価格と高周波のシールド方法とが大きな
問題となっていた。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、簡易で信頼のおけるコヒーレント長の長いレーザ光
を発振する半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体レーザ装置は、半導体レーザの背
面側共振面で後方に出射するレーザ光出力を効率良く反
射集束させた後その半導体レーザに帰還させるものであ
る。
［作用］ この発明においては半導体レーザで形成された共振条件
と、後方出力光の帰還中での共振条件とを同時に満足す
る位相条件でのみレーザの発振が生じ、その結果コヒー
レント長の長いレーザ光を発振することができる。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成図である。
図において、半導体レーザ１の前面は反射率１２％のＡ
　ｆｌ　２０　ａ誘電体にて被覆され、後面は反射率３
２％のＡｕ、Ｏ，誘電体３で被覆されている。また半導
体レーザ１の後方にはレンズ部５およびレンズ部５に対
向する面に反射膜６０彼着されたガラス４が設置されて
いる。
以下、この発明の詳細な説明する。
半導体レーザ１の後方より出射されたレーザ光はレンズ
部５を通過してルート７に沿って反射膜６上に集光され
、ここで再び反射されて同じくルート７に沿って半導体
レーザ１に戻される。このような構成においては、半導
体レーザ１て形成される共振条件とガラス４側で形成さ
れる共振条件との両条件を同時に満足する位相条件でし
かレーザの発振は起こらない。しかしこの発振効果すな
わち発振レーザ光のコヒーレント長を長くする効果を大
きくするためには、後方出射光の充分な量を半導体レー
ザ１に戻す必要がある。なぜならこの戻される光量が少
ないと半導体レーザ自体の温度変化または光ディスク等
からの戻り光による影響がより大きくなってしまいコヒ
ーレント長の長いレーザ光を得れなくなるからである。
この発明の一実施例においては、この戻り光を確実に確
保するためにガラス４側にレンズ部５と反射膜６とを設
け、後方出射光をこのレンズ部５と反射膜６で効率良く
集束し帰還させる構造を採用している。
第２図および第３図はこの発明の一実施例における半導
体レーザ装置とこの実施例における手段を採用していな
い従来の半導体レーザ装置とを相対雑音強度として比較
した図表である。
第２図は横軸に周囲温度をとり、縦軸に相対雑音強度（
ＲＩ　Ｎ）をとって実施例と従来例とがプロットされて
いる。
第３図は横軸に光ディスク等からの戻り光量をとり、縦
軸に相対雑音強度（ＲＩ　Ｎ）をとって同じ〈実施例と
従来例とかプロットされている。
両図の結果、従来例は周囲温度または戻り光量のいずれ
においてもその値によってはＲＩＮが１０−１３／Ｈｚ
以上となる点が存在するが、実施例においては周囲温度
および戻り光量のいずれの値に対してもＲ４Ｎが１０−
”／Ｈｚと極めて低雑音であることが示されている。
なお、」二記実施例では後方出射光の集束および帰還さ
せる手段としてレンズとミラーとを用いたが、他の構造
であっても同様の効果を奏することは言うまでもない。
［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、半導体レーザの後方レ
ーザ光出力を集束した後帰還させるので発振レーザ光の
コヒーレント長が長くなり、前方のレーザ出力光を光デ
ィスク等の再生光として使用した場合に戻り光および周
囲温度の影響を受けにくい信頼性の高い半導体レーザ装
置となる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成図、第２図
はこの発明の一実施例と従来例とを周囲温度に対する相
対雑音強度で比較した図表、第３図は同じくこの発明の
一実施例と従来例とを戻り光量に対する相対雑音強度で
比較した図表である。 図において、１は半導体レーザ、４はガラス、５はレン
ズ部、６は反射膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 誓　　　　　８２図 ≧ ヴ 因囲遇及（°Ｏ） ァ　　　　　　萬３図 茨・９光童（％）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. その後方光出力を集束した後帰還させる手段を備えた、
    半導体レーザ装置。
JP3300587A 1987-02-16 1987-02-16 半導体レ−ザ装置 Pending JPS63199481A (ja)

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JP3300587A JPS63199481A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 半導体レ−ザ装置

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JP3300587A JPS63199481A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 半導体レ−ザ装置

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JPS63199481A true JPS63199481A (ja) 1988-08-17

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JP (1) JPS63199481A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0282677A (ja) * 1988-09-20 1990-03-23 Fujitsu Ltd 外部共振器付半導体レーザ
JP2001189520A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Sony Corp 光源装置およびそれを用いた投射型表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0282677A (ja) * 1988-09-20 1990-03-23 Fujitsu Ltd 外部共振器付半導体レーザ
JP2001189520A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Sony Corp 光源装置およびそれを用いた投射型表示装置

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