JPS63200213A - ガス流量設定信号発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｌ呈ユＪロｕ先乱１ 本発明は、順次値を変更して開度が制御されるべきガス
流量制御装置を、１つの開度から他の１つの開度に設定
制御させるためのガス流量設定信号を発生するガス流量
設定信号発生装置に関する。

従来の技術 従来、１つの元素については同じ元素を用いているが、
互に異なる組成を有している複数の半導体層を、気相成
長法（ＶＰＥ）または化学蒸着法（ＣＶＤ）によって、
積層して連続的に形成することが行われている。

この場合、１つの原料ガスについては同じ原料ガスを用
いている原料ガスを、その１つの原料ガスの流量につい
て、ガス流量設定信号発生装置からの電気的なガス流量
設定信号によって開度が制御されるガス流冷制御装置を
用いて、順次設定流量に切換えて、反応路に供給してい
る。

この場合、ガス流量設定信号発生装置として、第２図を
伴って次に述べる構成を有するものが提案されている。

すなわち、電気的な設定信号Ｓを発生する設定信号発生
回路１と、その設定信号発生器１からの設定信号Ｓをガ
ス流ｆｆｉ　ｆｌｉｌＪ　６１装置３にガス流量設定信
号Ｍとして伝送する伝送路２とを有する。

この場合、設定信号発生回路１は、直流定電圧電源４に
、ポテンショメータ構成の可変分圧器でなる設定信号発
生器５が１つ接続されている構成を有する。

このようなガス流量設定信号発生装置によれば、設定信
号発生回路５の設定信号発生器５を第１の位置から、第
２の位置に手動させることによって、設定信号Ｓを、第
１の電圧値から第２の電圧値に変更しているものとして
得ることができる。

また、このように得られる設定信号Ｓを、伝送路２を介
して、ガス流８制、御装置３順次第１の値から第２の値
に変更するガス流量設定信号Ｍとして伝送させることが
できる。

このため、ガス流ｆｆ１ｌ制御装置３を、第１の開度か
ら第２の開度に設定制御させることができ、よって、原
料ガスの流量を、第１の流量値から、第２の流量値に切
換えることができる。

従って、上述したガス流量設定信号発生装置を用いて、
１つの元素については同じ元素を用いているが、互に異
なる組成を有している２つの半導体層を、気相成長法ま
たは化学蒸着法によって積層して連続的に形成すること
ができる。

発明が　決しようと　る口 しかしながら、上述したガス流向設定信号発生装置の場
合、順次第１の値から第２の値に変更するガス流ｍ設定
信号Ｍが、１つの設定信号発生回路１の設定信号発生器
５を手動させることによって、その設定信号発生回路１
から得られる設定信号Ｓであるため、そのガス流量設定
５信号Ｍが第１の値から第２の値に変更するのに要する
時間に比較的長い時間を要する。

このため、上述したように、第２図に示すガス流量設定
信号発生装置を用いて、互に異なる組成を有している２
つの半導体層を積層して形成した場合、それら２つの半
導体層間に比較的厚い遷移領域が形成される、という欠
点を有していた。

問題点を解決するための よって、本発明は上述した欠点のない、新規なガス流毎
設定信号発生装置を提案せんとするものである。

本発明によるガス流向設定信号発生装置は、従来のガス
流量設定信号発生装置の場合と同様に、電気的な設定信
号を発生する設定信号発生回路と、その設定信号発生回
路からの設定信号をガス流量制御装置にガス流ｍ設定信
号として伝送する伝送路とを有する。

しかしながら、本発明によるガス流量設定信号発生装置
は、このような構成を有するガス流量設定信号発生装置
において、その設定信号発生回路が、複数の設定信号発
生器と、それら複数の設定信号発生器からそれぞれ得ら
れる複数の設定信号を選択し、その選択された設定信号
を伝送部に送出する選択回路とを有する。

仁にｌ】 本発明によるガス流量設定信号発生装置によれば、設定
信号発生回路の複数の設定信号発生器から、互に異なる
値を有する複数の設定信号をそれぞれ得ることができる
。

また、選択回路によって、それら複数の設定信号中の１
つを選択し、その選択された設定信号を、伝送路に送出
させることができる。

このため、選択回路によって、互に異なる値を有する複
数の設定信号を順次１つづつ選択することによって、そ
れら互に異なる値を有する複数の設定信号を、順次、連
続的に、ガス流量制御装置に、ガス流量設定信号として
伝送さけることができる。

そして、この場合、ガス流ｆｆｉ　ＩＩＩ　ａｌｌ装置
に伝送されるガス流量設定信号は、選択回路によって互
に異なる値を有する複数の設定信号中の１つから他の１
つを選択するときの速度で値が変更されているものとし
て得られる。一方、選択回路によって互に異なる値を有
する複数の設定信号中の１つから他の１つを選択すると
きの速度は、これを第２図で上述した従来のガス流量設
定信号発生装置における設定信号発生器５によりいて、
設定信号を１つの値から他の１つの値に変更するときの
速度に比し格段的に速くすることができる。

従って、ガス流ｍ制御装置に順次値を変更して伝送され
るガス流ｍ設定信号を、その１つの値から他の１つの値
に急速に変更しているものとして得ることができる。

このため、順次値を変更して開度が設定制御されるガス
流ｍ制御装置を、１つの開度から他の１つの開度に急速
に設定制御させることができる。

また、選択回路によって互に異なる値を有蒐る複数の設
定信号中の１つから他の１つを選択する前に予め、後者
の設定信号を得るための設定信号発生器を、それからの
設定信号が予定の値で得られるように調整することがで
きるので、ガス流１制御装胃に順次値を変更′して伝送
されるガス流量設定信号を、その１つの値から他の１つ
の予定の値に、ただちに変更しているものとして得るこ
とができる。

実施例 次に、第１図を伴って本発明によるガス流ｍ設定信号発
生装置の実施例を述べよう。

第１図において、第２図との対応部分に同一符号を付し
て詳細説明は省略する。

第１図に示す本発明よるガス流ｍ設定信号発生装置は、
第１図で上）ホした従来のガス流化設定信号発生装置の
場合と同様に、電気的な設定信号を発生する設定信号発
生回路１と、その設定信号発生回路１ふらの設定信号Ｓ
をガス流量制御装置３にガス流ム設定信号Ｍとして伝送
する伝送路２とを有する。

しかしながら、第１図に示す本発明によるガス流量設定
信号発生装置の場合、設定信号発生回路１が、直流定電
圧源４に接続された第２図で上述した設定信号発生器５
と同様の２つの設定信号発生器５Ａ及び５Ｂと、それら
２つの設定信号発生器５Ａ及び５Ｂからそれぞれ得られ
る設定信号ＳＡ及びＳＢを選択し、その選択された設定
信号を伝送路２に送出する選択回路６とを有する。

以上が、本発明によるガス流ｍ設定信号発生装置の実施
例の構成である。

このような構成を有する本発明によるガス流量設定信号
発生装置によれば、設定信号発生回路１の２つの設定信
号発生器５Ａ及び５Ｂを予め調整しておくことによって
、それら設定信号発生器５Ａ及び５Ｂから得られる設定
信号ＳＡ及びＳＢを互に異なる値で得ることができる。

また、設定信号発生回路１の選択回路６によって設定信
号発生器５Ａ及び５Ｂからそれぞれ得られる設定信号Ｓ
Ａ及び８Ｂ中の１つを選択し、その選択された設定信号
を、伝送路２に送出させることができる。

このため、選択回路６によって設定信号発生器５Ａ及び
５Ｂからそれぞれ得られる設定信号ＳＡ及びＳＢを順次
１つづつ選択することによって、その設定信号ＳＡ及び
ＳＢを連続的に、ガス流ｍ制御装置３に、ガス流ｍ設定
信号Ｍとして伝送させることができる。

そして、この場合、ガス流ｍ制御装置３に伝送されるガ
ス流量設定信号Ｍは、選択回路６によって互に異なる値
を有する設定信号ＳＡ及びＳＢ中の１つから他の１つを
選択するときの速度で値が変更されているものとして得
られる。

一方、選択回路６によって互に異なる値を有する設定信
号ＳＡ及びＳＢ中の１つから他の１つを選択するときの
速°度は、これを、第２図で上述した従来のガス流ｍ設
定信号発生装置における設定信号発生器５によって、設
定信号Ｓを１つの値から他の１つの値に変更するときの
速度に比し格段的に速い。

従って、ガス流ｍ制御装置３に順次値を変更して伝送さ
れるガス流量設定信号を、その１つの値から他の１つの
値に急速に変更しているものとして得ることができる。

このため、順次値を変更して開度が設定制御されるガス
流量制御装置３を、１つの開度から他の１つの開度に急
速に設定制御させることができる。

また、選択回路６によって、互に異なる値を有する設定
信号ＳＡ及びＳＳ中の１つから他の１つを選択する前に
、後者の設定信号を得るための設定信号発生器５Ａ及び
５Ｂ中の１つを、それからの設定信号（設定信号ＳＡ及
びＳＳ中の１つ）が予定の値で得られるように調整する
ことができるので、ガス流量制御装置３に順次値を変更
して伝送されるガス流量設定信号Ｍを、１つの値から他
の１つの予定の値に、直ちに変更しているものとして得
ることができる。

よって、ガス流量制御装置３を、第１の開度から予定の
第２の開度に、急速に設定制御させることができる。

よって、第１図に示す本発明によるガス流ｍ設定信号発
生装置を、第２図に示す従来のガス流ｆｆｉ設定信号発
生装置を伴って上述したように用いて、１つの元素につ
いては同一じ元素を用いているが、互に異なる組成を有
している２つの半導体層を、気相成長法または化学蒸着
法によって積層して連続して形成する場合、その互に異
なる組成を有する２つの半導体層間に、第２図で上述し
た従来のガス流ｍ設定信号発生装置を用いた場合に比し
、格段的に薄い厚さを有する遷移領域しか形成されない
。

ちなみに、第１図に示す本発明によるガス流量設定信号
発生装置をＩｎの原料ガスの流量を制御するのに用いて
、２つの半導体層を、その１つがｌ　ｎＱａＡｓでなり
、他の１つがＩｒ１Ｐでなるものとして、形成した場合
、第３図Ａに示すように、それら２つの半導体層間に極
めて薄い遷移領域しか形成されなかった。これに対し、
同じ条件で、第２図で上述した従来のガス流ｆｆｉ設定
信号発生装置を用いて、同じ２つの半導体層を形成した
場合、第３図Ｂに示すように、それら２つの半導体層間
に厚い遷移領域が形成された。

なお１．上述においては、本発明によるガス流量設定信
号発生装置の１つの実施例を示したに留まり、本発明の
精神を脱することなしに、種々の変型、変更をなし得る
であろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるガス流か設定信号発生装置の実
施例を示す接続図である。 第２図は、従来のガス流ｍ設定信号発生装置を示す接続
図である。 第３図Ａは、本発明によるガス流量設定信号発生装置を
用いて、２つの半導体層を、その１つがＩ　ｎＧａＡｓ
でなり、他の１つがＩｎＰでなるものとして、積層して
形成し、たときの、それら２つの半導体層間の遷移領域
の厚さを、Ｉｎのオージェ信号強度（％）の測定結果で
示す図である。 第３図Ｂは、従来のガス流量設定信号発生装置を用いて
、同様の半導体層を形成した場合の、それら２つの半導
体層間の遷移領域の厚さを同様に示す図である。 １・・・・・・・・・設定信号発生回路２・・・・・・
・・・伝送路 ３・・・・・・・・・ガス流量制御装置４・・・・・・
・・・定電圧直流電源 ５・・・・・・・・・可変分圧器 ６・・・・・・・・・選択回路 ５．５Ａ１５Ｂ ・・・・・・・・・設定信号発生回路 Ｍ・・・・・・・・・ガス流量設定信号Ｓ、８１８Ｂ ・・・・・・・・・設定信号 出願人　　日本電信電話株式会社 ・ＩＩＩＦＭ 第３図Ａ 第３図Ｂ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電気的な設定信号を発生する設定信号発生回路と、その
   設定信号発生回路からの設定信号をガス流量制御装置に
   ガス流量設定信号として伝送する伝送路とを有するガス
   流量設定信号発生装置において、上記設定信号発生回路
   が、複数の設定信号発生器と、それら複数の設定信号発
   生器からそれぞれ得られる複数の設定信号を選択し、そ
   の選択された設定信号を上記伝送路に送出する選択回路
   とを有することを特徴とするガス流量設定信号発生装置
   。