JPS63200501A - 酸化物抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物抵抗体及びその製造方法Info
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- JPS63200501A JPS63200501A JP62032356A JP3235687A JPS63200501A JP S63200501 A JPS63200501 A JP S63200501A JP 62032356 A JP62032356 A JP 62032356A JP 3235687 A JP3235687 A JP 3235687A JP S63200501 A JPS63200501 A JP S63200501A
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- JP
- Japan
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- resistor
- mol
- oxide
- present
- mgo
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は遮断器の開閉サージ吸収に好適な酸化物抵抗体
及びその製造方法に関する。更に、本発明は遮断器、変
圧器など電力機器の抵抗体に好適な酸化物抵抗体及びそ
の製造方法に関する。
及びその製造方法に関する。更に、本発明は遮断器、変
圧器など電力機器の抵抗体に好適な酸化物抵抗体及びそ
の製造方法に関する。
従来、電力用直線抵抗体には炭素分散型セラミックス抵
抗体が用いられている。この抵抗体は酸化アルミニウム
結晶中に炭素粉を分散させたもので数百0・画の抵抗率
を持ち、変圧器、遮断器等に適用されている。
抗体が用いられている。この抵抗体は酸化アルミニウム
結晶中に炭素粉を分散させたもので数百0・画の抵抗率
を持ち、変圧器、遮断器等に適用されている。
上記した炭素分散型セラミックス抵抗体はち密性が劣シ
、放電サージ吸収時に炭素粉間で放電を起すために放電
耐量が小さい欠点がある。更に、抵抗温度係数が負のた
め、放電サージを吸収して温度上昇すると抵抗率が低下
し、電流の急激な増加によって発熱し、最終的には熱暴
走する。
、放電サージ吸収時に炭素粉間で放電を起すために放電
耐量が小さい欠点がある。更に、抵抗温度係数が負のた
め、放電サージを吸収して温度上昇すると抵抗率が低下
し、電流の急激な増加によって発熱し、最終的には熱暴
走する。
これらの欠点を解決するために酸化亜鉛(ZnO)−酸
化アルミニウム(A40m )系、酸化亜鉛−酸化マグ
ネシウム(MgO)系焼結体が開発された。この系統の
抵抗体は抵抗率100〜1000Ω・(7)、放電サー
ジ耐t400 J 7cm”以上、正の抵抗温度係数〜
小さな負の抵抗温度係数を有し、電力用抵抗体として良
好な特性を有する。
化アルミニウム(A40m )系、酸化亜鉛−酸化マグ
ネシウム(MgO)系焼結体が開発された。この系統の
抵抗体は抵抗率100〜1000Ω・(7)、放電サー
ジ耐t400 J 7cm”以上、正の抵抗温度係数〜
小さな負の抵抗温度係数を有し、電力用抵抗体として良
好な特性を有する。
しかし、抵抗体の焼結性の良否は電気特性のみならず量
産時の作業性にも影替を及ばず。焼結性の悪い抵抗体は
気孔が多く、焼成雰囲気あるいけ熱処理算囲気に敏感な
ため抵抗値がばらつき、しかも電極形成面を研摩する時
には研摩液が浸透して洗浄が困難になるという欠点を有
する。
産時の作業性にも影替を及ばず。焼結性の悪い抵抗体は
気孔が多く、焼成雰囲気あるいけ熱処理算囲気に敏感な
ため抵抗値がばらつき、しかも電極形成面を研摩する時
には研摩液が浸透して洗浄が困難になるという欠点を有
する。
特開昭54−90597号の電圧非直線抵抗体でu %
ZnOb B12O3b Co103 & Mn01
.5l)ol、Cr203、S10!、N10等を混合
後700〜950℃で仮焼している。この目的は本発明
者らの実験によれば、+11 添加物を均一に混合す
る、(2) 湿式法で製造する810.原料粉は結晶
水を含有するため、仮焼しないと焼結体にボイドが発生
するなどのためである。しかし、この抵抗体はα5mo
l%以上のA40iを添加せず、MgOも添加していな
い。この抵抗体は焼成中にB A20sが溶融し、他の
酸化物と固−液相焼結するため十分ち密である。
ZnOb B12O3b Co103 & Mn01
.5l)ol、Cr203、S10!、N10等を混合
後700〜950℃で仮焼している。この目的は本発明
者らの実験によれば、+11 添加物を均一に混合す
る、(2) 湿式法で製造する810.原料粉は結晶
水を含有するため、仮焼しないと焼結体にボイドが発生
するなどのためである。しかし、この抵抗体はα5mo
l%以上のA40iを添加せず、MgOも添加していな
い。この抵抗体は焼成中にB A20sが溶融し、他の
酸化物と固−液相焼結するため十分ち密である。
本発明の第1の目的は、ち密性の向上したZnO系、特
にZnO−At203− MgO系抵抗体を提供するこ
とにある。
にZnO−At203− MgO系抵抗体を提供するこ
とにある。
また、本発明の第2の目的は、容易に造粒できるZnO
−Al2O3−MgO抵抗体の製造方法を提供すること
にある。
−Al2O3−MgO抵抗体の製造方法を提供すること
にある。
更に、本発明の第3の目的は、大きな気孔の少ないZn
O−At203− MgO抵抗体を提供することにある
。
O−At203− MgO抵抗体を提供することにある
。
本発明を概説すれば、本発明の第1の発明は酸化物抵抗
体に関する発明であって、At203がα5〜3′15
mol%、MgOがα5 ” 37.5 mol%、残
量ZnOからなる酸化物抵抗体において、直径50μm
以上の気孔量が抵抗体断面において0.2個/i以下で
あることを特徴とする。
体に関する発明であって、At203がα5〜3′15
mol%、MgOがα5 ” 37.5 mol%、残
量ZnOからなる酸化物抵抗体において、直径50μm
以上の気孔量が抵抗体断面において0.2個/i以下で
あることを特徴とする。
また、本発明の第2の発明は、上記第1.の発明の酸化
物抵抗体の製造方法に関する発明であって、ZnOの1
5〜80 mol%、At、O,の10〜75mol%
、及びMgOの10〜75mol%を混合後仮焼し、該
仮焼粉5〜50 mol%と残量ZnOとをバインダー
を加えて混合し、スプレードライヤーで造粒、乾燥し、
その後成形、焼成することを特徴とする。
物抵抗体の製造方法に関する発明であって、ZnOの1
5〜80 mol%、At、O,の10〜75mol%
、及びMgOの10〜75mol%を混合後仮焼し、該
仮焼粉5〜50 mol%と残量ZnOとをバインダー
を加えて混合し、スプレードライヤーで造粒、乾燥し、
その後成形、焼成することを特徴とする。
本発明の抵抗体は、相対密度70%以上で、かつ気孔率
30チ以下の範囲を有する(収lIa率r/′i5チ以
上に相当する)。しかし、大きな気孔、特に直径50μ
m以上の気孔は非常に少なく、焼結体の断面12当りα
2個以下である。本発明の抵抗体の放電耐tに、400
J/−以上を示す。
30チ以下の範囲を有する(収lIa率r/′i5チ以
上に相当する)。しかし、大きな気孔、特に直径50μ
m以上の気孔は非常に少なく、焼結体の断面12当りα
2個以下である。本発明の抵抗体の放電耐tに、400
J/−以上を示す。
他方、本発明のスプレードライヤー造粒と異なり、十進
粒粉では、成形が難かしく、焼成後の焼結体は大きな気
孔を形成する。直径50μm以上の気孔量1j 1 c
rn”当りQ、2個を下らない。そしてこの抵抗体の放
電耐量は400J/−を上・回らない。
粒粉では、成形が難かしく、焼成後の焼結体は大きな気
孔を形成する。直径50μm以上の気孔量1j 1 c
rn”当りQ、2個を下らない。そしてこの抵抗体の放
電耐量は400J/−を上・回らない。
更に、らいかい機を用いて造粒する場合には、+11
作業性が悪い、(2) 造粒粉径がばらつ<、(3
1造粒粉が丸くならない、(4)一旦乾燥しないので造
粒粉の流れが悪い等の欠点があシ、その結果、焼結体に
欠陥が発生し、放電耐量が低下する。
作業性が悪い、(2) 造粒粉径がばらつ<、(3
1造粒粉が丸くならない、(4)一旦乾燥しないので造
粒粉の流れが悪い等の欠点があシ、その結果、焼結体に
欠陥が発生し、放電耐量が低下する。
以下、本発明の製造方法について具体的に説明するO
第1図は、本発明方法におけるZnO−A7203−
MgO仮焼粉の組成範囲(配合率)を示す図である。第
1図中で、点1.2及び3で囲った3角形の部分が本発
明の範囲である。点1は80 mol%ZnO−1o
mol%At203−10 mol%MgO1点2f′
115mol%ZnO−75mol%At203−10
mol%MgO。
MgO仮焼粉の組成範囲(配合率)を示す図である。第
1図中で、点1.2及び3で囲った3角形の部分が本発
明の範囲である。点1は80 mol%ZnO−1o
mol%At203−10 mol%MgO1点2f′
115mol%ZnO−75mol%At203−10
mol%MgO。
点3は、15 mob%ZnO−10mob%At20
.−75mol%M、goの位置にある。 、
ZnO= 15 mol%未満では抵抗率を高めるため
に盛装7fx ZnAt204結晶粒が不足することと
、At203粉が混合粉に添加されると焼結性が劣化す
るため好ましくないo ZnO= 80 mol%超で
はZnA、4204結晶粒が不足することと、抵抗率の
温度係数を正にするために盛装なMgOを固溶したZn
O結晶粒が不足するため好1しくない。Al2O3=
10 no51%未満でU Z nAl204粒が不足
し、一方75 mol%超では混合粉にAt203が添
加されて焼結性が劣化し好ましくない。MgO= 10
mol%未満では抵抗率の温度係数が負となり、一方
75 mol%超ではAz20.添加量が減少しZnA
t204粒が不足するため好ましくない。
.−75mol%M、goの位置にある。 、
ZnO= 15 mol%未満では抵抗率を高めるため
に盛装7fx ZnAt204結晶粒が不足することと
、At203粉が混合粉に添加されると焼結性が劣化す
るため好ましくないo ZnO= 80 mol%超で
はZnA、4204結晶粒が不足することと、抵抗率の
温度係数を正にするために盛装なMgOを固溶したZn
O結晶粒が不足するため好1しくない。Al2O3=
10 no51%未満でU Z nAl204粒が不足
し、一方75 mol%超では混合粉にAt203が添
加されて焼結性が劣化し好ましくない。MgO= 10
mol%未満では抵抗率の温度係数が負となり、一方
75 mol%超ではAz20.添加量が減少しZnA
t204粒が不足するため好ましくない。
仮焼粉が5 mol%未満ではZnA7404粒並びに
Mgoを固溶したZn0粒が不足し、一方50 mol
%超では焼結性が劣化し好1しくない。
Mgoを固溶したZn0粒が不足し、一方50 mol
%超では焼結性が劣化し好1しくない。
仮焼温度は900〜1300℃間が好ましい。
これ未満では各成分がよく反応せず、これより高温では
反応が飽和する上Mgoが減量し好ましくない。
反応が飽和する上Mgoが減量し好ましくない。
焼成温度1d1000 S−1350℃間が好ましい。
これ未満では気孔が多く、かつ電気抵抗が過大なため、
一方これより高温では収縮率が上らず好ましくない。
一方これより高温では収縮率が上らず好ましくない。
ZnO−At203− MgO抵抗体の抵抗率を高める
ため酸化リチウム(Li、O)、酸化銅(Cu2O)を
添加することも可能である。また、酸化ケイ素(Sin
、 )の添加も可能である。Sin、を添加すると焼結
性が向上し、抵抗体をち密にする。酸化アンチモン(s
b、Os )はZnOと反応して高抵抗のZn7Sb2
O12粒を生成するのでZnAt204粒の代用になる
。
ため酸化リチウム(Li、O)、酸化銅(Cu2O)を
添加することも可能である。また、酸化ケイ素(Sin
、 )の添加も可能である。Sin、を添加すると焼結
性が向上し、抵抗体をち密にする。酸化アンチモン(s
b、Os )はZnOと反応して高抵抗のZn7Sb2
O12粒を生成するのでZnAt204粒の代用になる
。
本発明では、Aj、03をZnO及びMgOと仮焼する
ことにより、焼成中の酸素空孔濃度の減少を抑制し、焼
結体のち密性が向上する。また、この仮焼処理には他の
作用がある。それは、 MgOがアルカリ性のため、Z
nO1A1203の酸性成分と一旦仮焼しないと、スプ
レードライヤーで造粒する際、バインダー、例えばポリ
ビニルアルコール水溶液と混合したときに反応を起して
スラリーが固化し、多量の混合粉を製造することができ
ないことにある。本発明によれば、スプレードライヤー
で造粒できるため、電力用の大@な抵抗体を多量に製造
することが可能になる。
ことにより、焼成中の酸素空孔濃度の減少を抑制し、焼
結体のち密性が向上する。また、この仮焼処理には他の
作用がある。それは、 MgOがアルカリ性のため、Z
nO1A1203の酸性成分と一旦仮焼しないと、スプ
レードライヤーで造粒する際、バインダー、例えばポリ
ビニルアルコール水溶液と混合したときに反応を起して
スラリーが固化し、多量の混合粉を製造することができ
ないことにある。本発明によれば、スプレードライヤー
で造粒できるため、電力用の大@な抵抗体を多量に製造
することが可能になる。
なお、本発明において、気孔の数の測定は、光学実体顕
微鏡下で行うことができる。
微鏡下で行うことができる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に駆足されない。
本発明はこれら実施例に駆足されない。
なお、第2図は、本発明の1実施例の仮焼粉組成を用い
た抵抗体と、仮焼しない粉を用いた抵抗体の収縮率(%
、縦軸)と焼成温度(℃、横軸)との関係を示すグラフ
、第3図は、第2図に示した各抵抗体の電気抵抗(Ω、
縦軸)と焼成温度(℃、横軸)との関係を示すグラフで
ある。
た抵抗体と、仮焼しない粉を用いた抵抗体の収縮率(%
、縦軸)と焼成温度(℃、横軸)との関係を示すグラフ
、第3図は、第2図に示した各抵抗体の電気抵抗(Ω、
縦軸)と焼成温度(℃、横軸)との関係を示すグラフで
ある。
両グラフにおいて、5及び5’ij、 40 mol
%ZnO−40mob%A403 −20 mol%M
goなる組成の仮焼粉を用いた抵抗体、6及び6′は、
85mol%ZnO−10mol%At203 −5
In01%MgOよp成る仮焼しない抵抗体の各曲線で
ある。
%ZnO−40mob%A403 −20 mol%M
goなる組成の仮焼粉を用いた抵抗体、6及び6′は、
85mol%ZnO−10mol%At203 −5
In01%MgOよp成る仮焼しない抵抗体の各曲線で
ある。
実施例1
6320 t ZnO(60mob%)、26409k
120B (20mo’1%)、1040 t MgO
(20mol%)を、ボールミルで15時間混合する。
120B (20mo’1%)、1040 t MgO
(20mol%)を、ボールミルで15時間混合する。
この混合粉を、1150℃の温度で仮焼する。この仮焼
粉の760 Of (59mol%)と124009
ZnO(61mol%)とを、再びボールミルで15時
間混合する。この混合粉20に9(40重量%)とポリ
ビニルアルコール1.5Kg(3重量%)及び純水2a
5kl/(37重量%)とを容器に入れ、3時間混合後
スプレードライヤーで造粒及び乾燥する。この造粒粉を
含水後、金型に入れφ50X15■に成形する。この成
形体を、1320℃の温度に3時間保持した後、100
℃/時の速度で冷却する。得られた焼結体の組成U Z
nO: 84.4 mol% 、 A403
二 7. 8 mol % 、 MgO: 7
. 8 mol % で ある。最後に、焼結体の両
面に電極を形成する。
粉の760 Of (59mol%)と124009
ZnO(61mol%)とを、再びボールミルで15時
間混合する。この混合粉20に9(40重量%)とポリ
ビニルアルコール1.5Kg(3重量%)及び純水2a
5kl/(37重量%)とを容器に入れ、3時間混合後
スプレードライヤーで造粒及び乾燥する。この造粒粉を
含水後、金型に入れφ50X15■に成形する。この成
形体を、1320℃の温度に3時間保持した後、100
℃/時の速度で冷却する。得られた焼結体の組成U Z
nO: 84.4 mol% 、 A403
二 7. 8 mol % 、 MgO: 7
. 8 mol % で ある。最後に、焼結体の両
面に電極を形成する。
仮焼しない混合粉は、ZnO: 17200 f (8
4、4mol%) 、 At203 : 2000
t (7,8mol%)、MgO: 780 t (7
,8mol%)を、ボールミルで15時間混合し製作す
る。この混合粉2゜ゆをらいかい機に入れ、5重量%ポ
リビ゛ニルアルコール水溶液を2kl/(10]i量%
)注ぎ、1時間かくはんし造粒する。この造粒粉を用い
、前記と同様にして成形体を製作し、1400℃の温度
で焼成した後、緒特性を測定した。
4、4mol%) 、 At203 : 2000
t (7,8mol%)、MgO: 780 t (7
,8mol%)を、ボールミルで15時間混合し製作す
る。この混合粉2゜ゆをらいかい機に入れ、5重量%ポ
リビ゛ニルアルコール水溶液を2kl/(10]i量%
)注ぎ、1時間かくはんし造粒する。この造粒粉を用い
、前記と同様にして成形体を製作し、1400℃の温度
で焼成した後、緒特性を測定した。
下記第1表には、上記の2抵抗体の電気特性及び機械特
性を対比して示す。
性を対比して示す。
第 1 表
骨 単位断面積当りの直径50μm以上の気孔数
第1表から明らかなように、本発明の抵抗体と従来の抵
抗体(十進粒したもの)の抵抗値を15〜35Ωに、相
対密度を87〜90%にそろえた場合、本発明材に発生
する大きな気孔数はα07個/iで、従来材の18個/
cm” k大幅に下回る。
抗体(十進粒したもの)の抵抗値を15〜35Ωに、相
対密度を87〜90%にそろえた場合、本発明材に発生
する大きな気孔数はα07個/iで、従来材の18個/
cm” k大幅に下回る。
また、本発明材の放電耐量は、従来材の2倍近い。
実施例2
ZnO: aI J (40mol%)、At、O,:
10.2に9 (40mol%)及びMgO: 2に
9(20mo’1%)を、ボールミルで15時間混合す
る。この混合粉を、乾燥後1100℃の温度で仮焼する
。この仮焼粉10!KII(25mo’1%)とZnO
: 50kg(75mol%)とを、再びボールミルで
15時間混合する。この混合粉40kl/(50重量%
)とポリビニルアルコール2.4Kg(!1重t%)と
純水37.6随(47重′Wk%)とを容器に入れ5時
間混合後、スプレードライヤーで造粒及び乾燥する。こ
の造粒粉を含水後、金型に入れφ50X15mに成形す
る。この成形体を1000〜1400℃間の温度に3時
間保持した後、70℃/時で冷却する。得られた焼結体
の組成は、ZnO= 85 mol 1%、A120s
= 10 mol%、MgO= 5 mol%である。
10.2に9 (40mol%)及びMgO: 2に
9(20mo’1%)を、ボールミルで15時間混合す
る。この混合粉を、乾燥後1100℃の温度で仮焼する
。この仮焼粉10!KII(25mo’1%)とZnO
: 50kg(75mol%)とを、再びボールミルで
15時間混合する。この混合粉40kl/(50重量%
)とポリビニルアルコール2.4Kg(!1重t%)と
純水37.6随(47重′Wk%)とを容器に入れ5時
間混合後、スプレードライヤーで造粒及び乾燥する。こ
の造粒粉を含水後、金型に入れφ50X15mに成形す
る。この成形体を1000〜1400℃間の温度に3時
間保持した後、70℃/時で冷却する。得られた焼結体
の組成は、ZnO= 85 mol 1%、A120s
= 10 mol%、MgO= 5 mol%である。
最後に、焼結体の両面に電極を形成する。
上記例示した本発明の抵抗体、及びこれと組成が同じ抵
抗体であるが仮焼しなかった抵抗体の焼成温度を収縮率
との関係を第2図に、焼成温度と電気抵抗との関係を第
3図に示す。
抗体であるが仮焼しなかった抵抗体の焼成温度を収縮率
との関係を第2図に、焼成温度と電気抵抗との関係を第
3図に示す。
第2図から明らかなように、本発明のZnQ系抵抗体5
の収縮率は、1200〜1350℃間の焼成によって8
〜16%であり、仮焼しない抵抗体6の2〜11%より
大幅に増加する。
の収縮率は、1200〜1350℃間の焼成によって8
〜16%であり、仮焼しない抵抗体6の2〜11%より
大幅に増加する。
また、第3図から明らかなように、本発明の抵抗体5′
の電気抵抗は、1200〜1350℃間で11〜1Ωで
あシ、仮焼しない抵抗体6′の140〜2Ωと比べて、
目標値1〜20Ωを、低温での焼成により達成すること
ができる。
の電気抵抗は、1200〜1350℃間で11〜1Ωで
あシ、仮焼しない抵抗体6′の140〜2Ωと比べて、
目標値1〜20Ωを、低温での焼成により達成すること
ができる。
実施例3
実施例1に記載したのと同様にして本発明の抵抗体を製
作する。第2表に、その操作条件、及び得られた抵抗体
の各特性を示す。第2表中、NO1〜3及びICへ12
の試料が本発明で、No j 5及び16の試料は従来
材である。
作する。第2表に、その操作条件、及び得られた抵抗体
の各特性を示す。第2表中、NO1〜3及びICへ12
の試料が本発明で、No j 5及び16の試料は従来
材である。
第2表から明らかなように、本発明の試料では、125
0へ1350℃の焼成温度で、収縮率1α8〜1五5%
、電気抵抗4〜1σΩを示し、目標値8〜17%、1〜
20Ωを達成している。
0へ1350℃の焼成温度で、収縮率1α8〜1五5%
、電気抵抗4〜1σΩを示し、目標値8〜17%、1〜
20Ωを達成している。
以上説明したように、本発明の酸化物抵抗体では、肉眼
で見える程度の大きい気孔は皆無に近い。
で見える程度の大きい気孔は皆無に近い。
また、本発明方法によれば、従来法よりも低い温度でち
密な焼結体を作製することができるので、焼成、熱処理
、研摩、洗浄等の作業性が向上し、更に、スプレードラ
イヤーでの造粒が容易となるので、10時以上の多量の
造粒粉を製造することができるという顕著な効果が奏せ
られる。
密な焼結体を作製することができるので、焼成、熱処理
、研摩、洗浄等の作業性が向上し、更に、スプレードラ
イヤーでの造粒が容易となるので、10時以上の多量の
造粒粉を製造することができるという顕著な効果が奏せ
られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法における仮焼粉の組成範囲(配合率
)を示す図、第2図は本発明の1実施例の仮焼粉組成を
用いた抵抗体と、仮焼しない粉を用いた抵抗体の収縮率
と焼成温度との関係を示すグラフ、第3図は第2図に示
した各抵抗体の電気抵抗と焼成温度との関係を示すグラ
フである。 第 / 図 nO 容44.− (翠) 一柩黙将 (q)
)を示す図、第2図は本発明の1実施例の仮焼粉組成を
用いた抵抗体と、仮焼しない粉を用いた抵抗体の収縮率
と焼成温度との関係を示すグラフ、第3図は第2図に示
した各抵抗体の電気抵抗と焼成温度との関係を示すグラ
フである。 第 / 図 nO 容44.− (翠) 一柩黙将 (q)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、酸化アルミニウム0.5〜37.5mol%、酸化
マグネシウム0.5〜37.5mol%、残量酸化亜鉛
からなる酸化物抵抗体において、直径50μm以上の気
孔量が抵抗体断面において0.2個/cm^2以下であ
ることを特徴とする酸化物抵抗体。 2、酸化亜鉛15〜80mol%、酸化アルミニウム1
0〜75mol%、及び酸化マグネシウム10〜75m
ol%を混合後仮焼し、該仮焼粉5〜50mol%と残
量酸化亜鉛とをバインダーを加えて混合し、スプレード
ライヤーで造粒、乾燥し、その後成形、焼成することを
特徴とする酸化物抵抗体の製造方法。 3、該仮焼温度が、900〜1300℃である特許請求
の範囲第2項記載の酸化物抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032356A JPS63200501A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 酸化物抵抗体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032356A JPS63200501A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 酸化物抵抗体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200501A true JPS63200501A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12356676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032356A Pending JPS63200501A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 酸化物抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013080819A1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | Tdk株式会社 | 液晶レンズ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126902A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Marukon Denshi Kk | Ceramic varistor and method of producing same |
| JPS5753906A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS5939015A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク電子部品の電極焼付用セラミツク材料の製造方法 |
| JPS5939016A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク電子部品の焼成用セラミツク材料の製造方法 |
| JPS61256701A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | 株式会社日立製作所 | 酸化物抵抗体 |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62032356A patent/JPS63200501A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126902A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Marukon Denshi Kk | Ceramic varistor and method of producing same |
| JPS5753906A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS5939015A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク電子部品の電極焼付用セラミツク材料の製造方法 |
| JPS5939016A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク電子部品の焼成用セラミツク材料の製造方法 |
| JPS61256701A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | 株式会社日立製作所 | 酸化物抵抗体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013080819A1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | Tdk株式会社 | 液晶レンズ |
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