JPS63200585A - 量子井戸レ−ザの製造方法 - Google Patents
量子井戸レ−ザの製造方法Info
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- JPS63200585A JPS63200585A JP62033804A JP3380487A JPS63200585A JP S63200585 A JPS63200585 A JP S63200585A JP 62033804 A JP62033804 A JP 62033804A JP 3380487 A JP3380487 A JP 3380487A JP S63200585 A JPS63200585 A JP S63200585A
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- JP
- Japan
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- quantum well
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は量子井戸レーザの製造方法、特に活性層の薄膜
量子井戸構造が容易に得られ、かつ再現性、信頼性の向
上などの効果を有する量子井戸レーザの製造方法。
量子井戸構造が容易に得られ、かつ再現性、信頼性の向
上などの効果を有する量子井戸レーザの製造方法。
従来の技術
半導体発光素子、特に活性層の非常に薄い量子井戸レー
ザにおいては、低しきい値電流密度や良い温度特性を示
すという特徴があり、最近開発が盛んに行なわれている
。特に量子井戸構造の活性層の両側に光閉じ込め層をつ
けたセパレート・コンファインメント・ヘテロ構造（Ｓ
ＣＨ構造）やそれを更に発展させたＧＲＩＮ−８ＣＨ構
造が用いられている。
ザにおいては、低しきい値電流密度や良い温度特性を示
すという特徴があり、最近開発が盛んに行なわれている
。特に量子井戸構造の活性層の両側に光閉じ込め層をつ
けたセパレート・コンファインメント・ヘテロ構造（Ｓ
ＣＨ構造）やそれを更に発展させたＧＲＩＮ−８ＣＨ構
造が用いられている。
第３図ａ、ｂはそれぞれＳＣＨ及びＧＲＩＮ−８ＣＨ構
造を持つ量子井戸レーザのバンド構造を示す図で、縦軸
にエネルギー（Ｅ）、横軸に層厚（３）を示す。
造を持つ量子井戸レーザのバンド構造を示す図で、縦軸
にエネルギー（Ｅ）、横軸に層厚（３）を示す。
１１．１２及び２１．２２はそれぞれ伝導帯２価電子帯
でのエネルギーバンド端である。丑だ、３１゜３２は活
性層であり４１．４２は光閉じ込め層てある。ＧＲＩＮ
−３ＣＨ構造では、光閉じ込め層４２の屈折率、エネル
ギー・ギャップをほぼ連続的に変化させているのが特徴
である。
でのエネルギーバンド端である。丑だ、３１゜３２は活
性層であり４１．４２は光閉じ込め層てある。ＧＲＩＮ
−３ＣＨ構造では、光閉じ込め層４２の屈折率、エネル
ギー・ギャップをほぼ連続的に変化させているのが特徴
である。
通常、この様な薄膜量子井戸構造はＭＢＥ法やＭＯＶＰ
Ｅ法で形成される。以下、第３図すに示すＧＲＩＮ−８
ＣＨ構造のＡ ＩｌＧ ａ Ａ ｓ ／Ｇ ａ Ａ ｓ
系量子井戸構造を従来の有機金属を用いた気相成長法で
あるＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長する工程を
例にとり説明する。
Ｅ法で形成される。以下、第３図すに示すＧＲＩＮ−８
ＣＨ構造のＡ ＩｌＧ ａ Ａ ｓ ／Ｇ ａ Ａ ｓ
系量子井戸構造を従来の有機金属を用いた気相成長法で
あるＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長する工程を
例にとり説明する。
第４図はこの種の構造を含む多層成長に適したＭＯＶＰ
Ｅ装置Ｃあるｏ同図中、１０１，１０２はそれぞれ■
族原料ガスとなるＧａ及びＡｌの有機化合物トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、）リメチルアルミニウム（ＴＭＡ
）１０３は■族原料ガスとなるＡＳ（Ｄ水素化合物アル
シンであり、１０６゜１０７ 、１０８は原料ガスを反
応室１０４あるいは排気系１０５のいずれか一方に選択
的に導入させるための３方バルブである。また１０９，
１１０゜１１１．１１２，１１３は各原料ガスの流量を
制御するガス流量制御器である。光閉じ込め層４２のＡ
１組成比Ｘをｘ ＝ ０．６からｘ−０，３４で徐々に
小さくする場合、バルブ１０６ 、１０７ 、１０８の
操作により原料ガスを排気系１０５に流しながらガス流
量制御器１１１．１１２，１１３を定常化させた後、バ
ルブ１０６ 、１０７ 、１０８により原料ガスを反応
室１０４に導入し、成長を開始する。
Ｅ装置Ｃあるｏ同図中、１０１，１０２はそれぞれ■
族原料ガスとなるＧａ及びＡｌの有機化合物トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、）リメチルアルミニウム（ＴＭＡ
）１０３は■族原料ガスとなるＡＳ（Ｄ水素化合物アル
シンであり、１０６゜１０７ 、１０８は原料ガスを反
応室１０４あるいは排気系１０５のいずれか一方に選択
的に導入させるための３方バルブである。また１０９，
１１０゜１１１．１１２，１１３は各原料ガスの流量を
制御するガス流量制御器である。光閉じ込め層４２のＡ
１組成比Ｘをｘ ＝ ０．６からｘ−０，３４で徐々に
小さくする場合、バルブ１０６ 、１０７ 、１０８の
操作により原料ガスを排気系１０５に流しながらガス流
量制御器１１１．１１２，１１３を定常化させた後、バ
ルブ１０６ 、１０７ 、１０８により原料ガスを反応
室１０４に導入し、成長を開始する。
この時、Ａ７の原料ガスＴＭＡの流量をガス流量制御器
１１１で徐々に減らしてゆき、光閉じ込め層４２を形成
し、次に、バルブ１０７を排気系側に切換えることによ
りＧ ａ Ａ ｓの活性層を形成させる。その後、逆の
手順で光閉じ込め層４２を形成することによりＧＲＴＮ
−８ＣＨ溝造の形成が終了する。
１１１で徐々に減らしてゆき、光閉じ込め層４２を形成
し、次に、バルブ１０７を排気系側に切換えることによ
りＧ ａ Ａ ｓの活性層を形成させる。その後、逆の
手順で光閉じ込め層４２を形成することによりＧＲＴＮ
−８ＣＨ溝造の形成が終了する。
発明が解決しようとする問題点
上記の方法によりエピタキシャル成長して作製したＡｌ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系量子井戸レーザの特性は成長ロッ
ト毎に大きく変動し、再現性と信頼性の面で問題があっ
た。ＭＯＶＰＥ法により量子井戸構造をエピタキシャル
成長する工程において、光閉じ込め層へｌｘＧ ａ １
．Ａ ｓ 層のＡＩ組成比Ｘの連続的な変化や活性層
のＡ７ｘＧａ１−！Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸の組成の切
換えは、原料ガスの流量を徐々に変化させたり、導入弁
を開閉させて行なうため、全流量の大きな変動や原料ガ
ス、例えば反応室内や導入ラインへの残留が生じ、所要
の組成変化が再現性良く得られず、急峻な組成の切換え
が望めない。以上の理由で、設計通りの量子井戸構造が
再現性良く形成できないのが原因となっていた。
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系量子井戸レーザの特性は成長ロッ
ト毎に大きく変動し、再現性と信頼性の面で問題があっ
た。ＭＯＶＰＥ法により量子井戸構造をエピタキシャル
成長する工程において、光閉じ込め層へｌｘＧ ａ １
．Ａ ｓ 層のＡＩ組成比Ｘの連続的な変化や活性層
のＡ７ｘＧａ１−！Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸の組成の切
換えは、原料ガスの流量を徐々に変化させたり、導入弁
を開閉させて行なうため、全流量の大きな変動や原料ガ
ス、例えば反応室内や導入ラインへの残留が生じ、所要
の組成変化が再現性良く得られず、急峻な組成の切換え
が望めない。以上の理由で、設計通りの量子井戸構造が
再現性良く形成できないのが原因となっていた。
問題点を解決するだめの手段
本発明は以上の様な問題点を解決すべくなされたもので
、量子井戸構造をエピタキシャル成長する工程においで
ミ各原料ガスを所定の流量に固定し、光照射の断続や強
度の増減により組成の切換えや連続的な変化を形成する
ことを特徴とするものである。
、量子井戸構造をエピタキシャル成長する工程においで
ミ各原料ガスを所定の流量に固定し、光照射の断続や強
度の増減により組成の切換えや連続的な変化を形成する
ことを特徴とするものである。
すなわち、本発明の量子井戸レーザの製造方法は、ｎ型
クラッド層と、ｐ型クラッド層と、それら２つのクラッ
ド層にはさまれ、単層もしくは多層の量子サイズ効果を
有する薄膜量子井戸構造の活性層とを含む量子井戸レー
ザを、有機金属を含む原料ガスを用いた気相成長法によ
りエピタキシャル成長する工程において、活性層もしく
は活性層とクラッド層との間に導入される光閉じ込め層
の組成変化は光照射による光化学反応で形成するもので
ある。
クラッド層と、ｐ型クラッド層と、それら２つのクラッ
ド層にはさまれ、単層もしくは多層の量子サイズ効果を
有する薄膜量子井戸構造の活性層とを含む量子井戸レー
ザを、有機金属を含む原料ガスを用いた気相成長法によ
りエピタキシャル成長する工程において、活性層もしく
は活性層とクラッド層との間に導入される光閉じ込め層
の組成変化は光照射による光化学反応で形成するもので
ある。
作 用
この技術的手段による作用は次の様になる。すなわち、
有機全戦を用いた気相成長法によるエピタキシャル成長
中に基板表面に光照射すると、照射部の組成を変化させ
ることが可能である。特にＴＭＡ 、ＴＭＧを用イたＭ
ＯＶＰＥ法ニヨルＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 成長の場合
、ＡｒＦ エキシマレーザ光を照射すると、レーザ照
射部のＡｆｉ組成が増加する。そこで、レーザ光の断続
や連続的に光強度を変化させてエピタキシャル成長する
と、簡便に急峻な組成の切り換えや連続的な組成変化が
形成でき、活性層に量子井戸構造を有するレーザ構造の
作成が可能となる。
有機全戦を用いた気相成長法によるエピタキシャル成長
中に基板表面に光照射すると、照射部の組成を変化させ
ることが可能である。特にＴＭＡ 、ＴＭＧを用イたＭ
ＯＶＰＥ法ニヨルＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 成長の場合
、ＡｒＦ エキシマレーザ光を照射すると、レーザ照
射部のＡｆｉ組成が増加する。そこで、レーザ光の断続
や連続的に光強度を変化させてエピタキシャル成長する
と、簡便に急峻な組成の切り換えや連続的な組成変化が
形成でき、活性層に量子井戸構造を有するレーザ構造の
作成が可能となる。
実施例
本発明によるＡ ｆｌ Ｇ ａ Ａ ｓ ／Ｇ ａ Ａ
ｓ系量子井戸し−ザの製造工程を第１図に示す。その
除用いたエピタキシャル成長装置は第２図に示すように
反応室１０４内に設置された半導体基板１上に光透過窓
２を通してレーザ光３が照射できる手段を備えているが
、基本的々装置構成は第４図と同じである。
ｓ系量子井戸し−ザの製造工程を第１図に示す。その
除用いたエピタキシャル成長装置は第２図に示すように
反応室１０４内に設置された半導体基板１上に光透過窓
２を通してレーザ光３が照射できる手段を備えているが
、基本的々装置構成は第４図と同じである。
Ａｆｉ、Ｇａ、Ａｓの原料ガスとして、それぞれＴＭＡ
。
。
ＴＭＧ、アルシンを、ｐ型、ｎ型ドーパントガスとして
それぞれジメチル亜鉛（ＤＭＺ）、セレン化水素を、ま
た、キャリアガスとしてＨ２を用いた。基板照射用光源
としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４９ｎｍ）を用い
た。
それぞれジメチル亜鉛（ＤＭＺ）、セレン化水素を、ま
た、キャリアガスとしてＨ２を用いた。基板照射用光源
としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４９ｎｍ）を用い
た。
最初に１００Ｔｏｒｒの減圧下で反応室１０４内のカー
ボン製サセプタ４上に設置されたｎ型ＧａＡｓ基板１の
温度を高周波加熱により成長温度７００℃まで上昇させ
る。なお、この際、Ｇ ａ Ａ ｓ基板のサーマルダメ
ージを防ぐためアルシンを２０Ｃ，（ｙ’ｍｉｎ供給し
た。この時、すでに原料ガスの流量は定常化させである
。ＴＭＡ、ＴＭＧ、アルシン、ＤＭＺセレン化水素の流
量はそれぞれｏ 、２５ＧＣ，／ｍｉｎ ＋０．２ ｓ
Ｃｅ、／ｉｎ 、 ２０ ＣＱ／Ｗｉｎ 、 ０．０２
Ｇ（、／１ｍ 、 ０．０１６ＣＧ／Ｗｉｎである。ま
ず、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１表面に対して垂直方向か
ら３Ｗ／ｃａのパワーでレーザ光３を照射しながらｎ型
Ａｆ！、。、６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層５を１．５μ
ｍ成長した（ａ）。次いで、レーザ光３のパワーを３
Ｗ／ｃｍから○Ｗ／ｃａ まで徐々に減少させながら
ノンドープＡ氾ｘＧａ１ 、Ａｓ 光閉じ込め層を０
．２μｍ成長した。この時、レーザ光３のパワーの増減
によりＡμの組成比Ｘはｘ＝０．６からｘ＝０．３まで
変化した。その後、ＴＭＡの反応室１０４への導入を停
止し、ノンドープＧ ａ Ａ ｓ活性層６を０．０５ｐ
ｍ 成長しくｂ）、再びＴＭＡを反応室１０４に４人
して、し〜ザ光３のパワーをＯＷ／ｃｍから３Ｗ／ｃｔ
ｒｌ ’ｌで徐々に増加させな力１５らノンドープＡｊ
２ＸＧａ１−ｘＡｓ 光閉じ込め層０．２μへさらに
はｐ型Ａ℃。、６Ｇａｏ、４ＡＳクラッド層７を１．６
μｍ１最後にＴＭＡの反応室１０４への導入を停止しく
Ｃ）、又レーザ光３のパワーをＯＷ／ｃｒｉ：にしてｐ
型ＧａＡｓキャップ層８を１μｍを順次成長した（ｄ）
。
ボン製サセプタ４上に設置されたｎ型ＧａＡｓ基板１の
温度を高周波加熱により成長温度７００℃まで上昇させ
る。なお、この際、Ｇ ａ Ａ ｓ基板のサーマルダメ
ージを防ぐためアルシンを２０Ｃ，（ｙ’ｍｉｎ供給し
た。この時、すでに原料ガスの流量は定常化させである
。ＴＭＡ、ＴＭＧ、アルシン、ＤＭＺセレン化水素の流
量はそれぞれｏ 、２５ＧＣ，／ｍｉｎ ＋０．２ ｓ
Ｃｅ、／ｉｎ 、 ２０ ＣＱ／Ｗｉｎ 、 ０．０２
Ｇ（、／１ｍ 、 ０．０１６ＣＧ／Ｗｉｎである。ま
ず、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１表面に対して垂直方向か
ら３Ｗ／ｃａのパワーでレーザ光３を照射しながらｎ型
Ａｆ！、。、６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層５を１．５μ
ｍ成長した（ａ）。次いで、レーザ光３のパワーを３
Ｗ／ｃｍから○Ｗ／ｃａ まで徐々に減少させながら
ノンドープＡ氾ｘＧａ１ 、Ａｓ 光閉じ込め層を０
．２μｍ成長した。この時、レーザ光３のパワーの増減
によりＡμの組成比Ｘはｘ＝０．６からｘ＝０．３まで
変化した。その後、ＴＭＡの反応室１０４への導入を停
止し、ノンドープＧ ａ Ａ ｓ活性層６を０．０５ｐ
ｍ 成長しくｂ）、再びＴＭＡを反応室１０４に４人
して、し〜ザ光３のパワーをＯＷ／ｃｍから３Ｗ／ｃｔ
ｒｌ ’ｌで徐々に増加させな力１５らノンドープＡｊ
２ＸＧａ１−ｘＡｓ 光閉じ込め層０．２μへさらに
はｐ型Ａ℃。、６Ｇａｏ、４ＡＳクラッド層７を１．６
μｍ１最後にＴＭＡの反応室１０４への導入を停止しく
Ｃ）、又レーザ光３のパワーをＯＷ／ｃｒｉ：にしてｐ
型ＧａＡｓキャップ層８を１μｍを順次成長した（ｄ）
。
以上の様なＧＲＩＮ−８ＣＨ構造の量子井戸レーザのエ
ピタキシャル成長工程の後、電極を形成しし一ザーの発
振特性を測定した結果、成長ロフト毎のバラツキが少な
く、再現性良く、良好な特性の量子井戸レーザが得られ
た。
ピタキシャル成長工程の後、電極を形成しし一ザーの発
振特性を測定した結果、成長ロフト毎のバラツキが少な
く、再現性良く、良好な特性の量子井戸レーザが得られ
た。
以上述べた実施例においては、第３図すに示すＧＲＩＮ
−３ＣＨ構造の光閉じ込め層４２の組成変化ヲＫｒＦ
エキシマレーザの光強度の増減により形成した場合に
ついて述べだが、レーザ光の断続等により第３図ａに示
す急峻な組成変化の井戸層。
−３ＣＨ構造の光閉じ込め層４２の組成変化ヲＫｒＦ
エキシマレーザの光強度の増減により形成した場合に
ついて述べだが、レーザ光の断続等により第３図ａに示
す急峻な組成変化の井戸層。
バリア層の形成にも用いることができ、さらにはレーザ
光の選択、波長の変化、照射法や反応室１０４の改良、
原料ガスの選択等をして光照射効果を改善することによ
り、より広い範囲で組成を変化させることが可能であり
、光閉じ込層４２だけでなく活性層３２の量子井戸部を
も含めた範囲での組成変化の形成も可能と々る。
光の選択、波長の変化、照射法や反応室１０４の改良、
原料ガスの選択等をして光照射効果を改善することによ
り、より広い範囲で組成を変化させることが可能であり
、光閉じ込層４２だけでなく活性層３２の量子井戸部を
も含めた範囲での組成変化の形成も可能と々る。
また、本発明はエピタキシャル成長手段としてＭＯＶＰ
Ｅ法を用いた場合について述べたが、ＶＰＥ法、ＭＢＥ
法やＭＯＭＢＥ法を用いた場合でも実現可能であり、光
源としてＫｒＦ エキシマレーザ光を用いた場合につい
て述べたが、本発明は、Ａｒレーザ、Ｃｏ２ レーザ、
Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａ ｒ ＦやｘｅＦ等のＫｒＦ 以
外のエキシマレーザを用いた場合でも実現可能である。
Ｅ法を用いた場合について述べたが、ＶＰＥ法、ＭＢＥ
法やＭＯＭＢＥ法を用いた場合でも実現可能であり、光
源としてＫｒＦ エキシマレーザ光を用いた場合につい
て述べたが、本発明は、Ａｒレーザ、Ｃｏ２ レーザ、
Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａ ｒ ＦやｘｅＦ等のＫｒＦ 以
外のエキシマレーザを用いた場合でも実現可能である。
なお、以上述べた実施例においてはＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ
ｓ 系量子井戸レーザを例に挙げたが、他の材料系
にも充分適用可能であることは明らかである。
ｓ 系量子井戸レーザを例に挙げたが、他の材料系
にも充分適用可能であることは明らかである。
発明の効果
本発明にかかる量子井戸レーザ１ｄ１そのレーザ構造、
特に量子井戸構造の活性層もしくは活性層とクラッド層
との間に導入される光閉じ込め層の気相成長法によるエ
ピタキシャル成長の際、基板上に光照射し、その断続も
しくは光強度の連続的変化により、異なった組成の薄膜
からなる量子井戸構造や組成を徐々に変化させたＧＲＩ
Ｎ−８ＣＨ構造を形成したものである。従って、原料ガ
スの切換えや流量変化の問題を共なわず、所要の組成変
化が再現性良くできるため、作製した量子井戸レーザの
特性の再現性と信頼性を向上させることが可能となり、
その利用価値、実用的効果は非常に大きい。
特に量子井戸構造の活性層もしくは活性層とクラッド層
との間に導入される光閉じ込め層の気相成長法によるエ
ピタキシャル成長の際、基板上に光照射し、その断続も
しくは光強度の連続的変化により、異なった組成の薄膜
からなる量子井戸構造や組成を徐々に変化させたＧＲＩ
Ｎ−８ＣＨ構造を形成したものである。従って、原料ガ
スの切換えや流量変化の問題を共なわず、所要の組成変
化が再現性良くできるため、作製した量子井戸レーザの
特性の再現性と信頼性を向上させることが可能となり、
その利用価値、実用的効果は非常に大きい。
第１図は本発明の一実施例における量子井戸レーザの製
造工程断面図、第２図は本発明の一実施例におけるエピ
タキシャル成長装置の概略図、第３図は量子井戸レーザ
のバンド構造図、第４図はＭＯＶＰＥ装置の概略図であ
る。 １・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・・
光透過窓、３・・・・・・レーザ光、６−・・・ノンド
ープＧＲＩＮ−８ＣＨ構造の活性層、３１．３２・・・
・・・活性層、４１．４２・・・・・・光閉じ込め層。
造工程断面図、第２図は本発明の一実施例におけるエピ
タキシャル成長装置の概略図、第３図は量子井戸レーザ
のバンド構造図、第４図はＭＯＶＰＥ装置の概略図であ
る。 １・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・・
光透過窓、３・・・・・・レーザ光、６−・・・ノンド
ープＧＲＩＮ−８ＣＨ構造の活性層、３１．３２・・・
・・・活性層、４１．４２・・・・・・光閉じ込め層。
Claims (3)
- （１）ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、それら２
つのクラッド層にはさまれ、単層もしくは多層の量子サ
イズ効果を有する薄膜量子井戸構造の活性層とを含む量
子井戸レーザを、有機金属を含む原料ガスを用いた気相
成長法によりエピタキシャル成長する工程において、活
性層もしくは活性層とクラッド層との間に導入される光
閉じ込め層の組成変化を光照射による光化学反応で形成
することを特徴とする量子井戸レーザの製造方法。 - （２）光照射の光源がレーザ発振装置であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の量子井戸レーザの製
造方法。 - （３）組成変化は光照射強度の断続もしくは連続的変化
により形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の量子井戸レーザの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033804A JPS63200585A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 量子井戸レ−ザの製造方法 |
| US07/156,525 US4885260A (en) | 1987-02-17 | 1988-02-16 | Method of laser enhanced vapor phase growth for compound semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033804A JPS63200585A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 量子井戸レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200585A true JPS63200585A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12396662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033804A Pending JPS63200585A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 量子井戸レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078602A (en) * | 1996-02-12 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Separate confinement heterostructured semiconductor laser device having high speed characteristics |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62033804A patent/JPS63200585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078602A (en) * | 1996-02-12 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Separate confinement heterostructured semiconductor laser device having high speed characteristics |
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