JPS63200952A - 不定形物研削方法 - Google Patents

不定形物研削方法

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Publication number
JPS63200952A
JPS63200952A JP3337387A JP3337387A JPS63200952A JP S63200952 A JPS63200952 A JP S63200952A JP 3337387 A JP3337387 A JP 3337387A JP 3337387 A JP3337387 A JP 3337387A JP S63200952 A JPS63200952 A JP S63200952A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
wafer
ground
gallium arsenide
chuck table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3337387A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Nanjo
雅俊 南條
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP3337387A priority Critical patent/JPS63200952A/ja
Publication of JPS63200952A publication Critical patent/JPS63200952A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ガリウム砒素ウェーへの如く一定の形状を有
さない、所謂不定形物の表面を研削するTiFΔrJ方
法に関する。
[従来技術及び問題点] IC等の半導体製品は、シリコンウェーハを基盤として
製造される。シリコンウェーハは、シリコンインゴット
を薄状に切断する事により得られる。技術の進歩により
、シリコンインゴットは今や外径8インチのシリコンウ
ェーハを生産する事ができる程大型のものが生産される
に至っている。
その為、シリコンウェーハは、規格化され、充分に同一
形状のウェーハを市場に供給できろ状況にある。
半導体製造装置の1つである、ウェーハ研削装置も、規
格化されたウェーハに対応して構成されており、該研削
装置の構成要素であるチャックテ−プルもウェーハ径に
対応して形成されている。
半導体ウェーハはシリコンに限られるものではなく、最
近ガリウム砒素が注目されている。ガリウム砒素ウェー
ハは、ガリウム砒素インゴットを薄状に切断する事によ
って得られる。ガリウム砒素インゴットを製造する技術
はまだ充分なものではなく、大型のものを製造できない
ばかりか、ウェーハ形状を規格化できるまでに至ってい
ない。
その為、ガリウム砒素ウェーハは、不定形の状態で、市
場に供給されている。
かかるガリウム砒素ウェーハもシリコンウェーハ同様所
望の厚さに研削される。ウェーハの研削は高精度になさ
れる必要が有り、研削装置によって行われるのが好まし
い。研削装置は、少なくともウェーハを吸引保持するチ
ャックテーブルと、該チャックテーブルに吸引保持され
るウェーハを研削する研削手段からなっている。研削手
段は、ウェーハを研削する研削砥石と、該研削砥石が装
着される回転軸と該回転軸を回転するMrJh源とによ
り構成されている。
チャックテーブルは、規格化されたシリコンウェーハを
吸引保持できるよう、ウェーハ径に対応して形成されて
いる。その為、規格外のウェーハを吸引保持する事は、
非常に困難であり、ガリウム砒素ウェーへの如き不定形
物を研削するに研削装置が充分に利用されていないとい
う問題を有している。
[発明の目的] 本発明は、ガリウム砒素ウェーハの如き不定形物を、研
削装置のチャックテーブルに容易に吸引保持し、研削を
遂行せしめる、不定形物研削方法を提供する事に有る。
〔問題を解決する為の手段〕
本発明は、研削装置のチャックテーブルに被研削物であ
るガリウム砒素ウェーハの如き不定形物を容易に吸引保
持し、研削できろよう、被研削物がチャックテーブルに
保持される前に被研削物を充分収容できる開孔部を有す
るフレームの該開孔部に、被研削物を位置付けし、その
後粘着シートによって、該フレームと、該被研削物とを
一体粘着して一体貼着体を形成し、該一体貼着体の粘着
シートの貼着されていない面を該研削手段に対向せしめ
、該チャックテーブルに吸引保持し、しかる後該研削手
段によって、該一体貼着体の該被研削物を研削する手段
を講じた。
[実施例] 本発明に係る不定形物研削方法を図面に基づき説明する
第1図は、本発明に係る研削方法によって研削される被
研削物たる不定形のガリウム砒素ウェーハを示す平面図
である。
第2図は、ガリウム砒素ウェーハとフレームとが、粘着
シートによって一体貼着された一体貼着体を示す平面図
第3図は、一体貼着体がチャックテーブルに吸引保持さ
れている状態を示す部分断面図である。
第1図に示す如く、ガリウム砒素ウェーハ10は一定の
形状に成形されず不定形の状態で市場に供給される。こ
れは、一定の形状に成形するには、廃棄としなければな
らない部分が生じ、全体として小径となり、IC,LS
Iを製造する際、歩留りが低下し、生産コストの増大を
招く事となるからである。
ガリウム砒素ウェーハ10は研削装置によって研削され
る前に第2図及び第3図に示す如く全体を18で示す一
体貼着体に形成される。12はフレームでその中心部は
ガリウム砒素ウェーハ10を充分収容できる開孔部14
を有している。ガリウム砒素ウェーハ10は、開孔部1
4内に位置付けられ、粘着シート16によってフレーム
12と一体貼着される。
粘着シートの貼り方は、特に限定されろものではないが
、ウェーハ載置台、及びフレーム載置台を一平面上に配
設し、その側方に粘着シートロールを具備し、更に粘着
シートをウェーハとフレームとに貼着すべく抑圧手段を
具え、粘着シートをフレーム外径に沿って切断するカッ
ターを具備した粘着シート貼着装置を使用する事が好ま
しい。
以上のようにフレーム12と一体化したガリウム砒素ウ
ェーハ10は一体貼着体18として、第3図に示す如く
チャックテーブル20上にi置され吸引保持される。そ
の後、研削手段24の研削砥石22がガリウム砒素ウェ
ーハ10の表面に作用し、所定の研削が行われる。
チャックテーブル20は規格化されたウェーハに対応し
て形成されているので、フレーム12を規格化されたウ
ェーハと路間様の形態とすれば一体貼着体18は、充分
にチャックテーブル20に吸引保持されろ。
粘着シート16はチャックテーブル20によって吸引保
持できる密度を有していれば足り、必ずしも無気孔であ
る必要はない。粘着シート16の粘着力は、研削手段2
4によって、ガリウム砒素ウェーハ10が研削される際
、粘着シート16よりガリウム砒素ウェーハ10が剥離
しない程度の粘着力でたりる。
上述した実施例は、本発明を説明するためのものであり
、何ら本発明を限定するものでなく、本発明の技術的範
囲内で変形、改造等の施されたものも総て本発明に含ま
れろ。
[発明の効果] 本発明に係る不定形物研削方法を使用すれば、一定の形
状で市場に供給されない、例えばガリウム砒素ウェーハ
の如き不定形物を従来の研削装置をもって、充分に研削
する事ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ガリウム砒素ウェーハの平面図。 第2図は、ガリウム砒素ウェーハとフレームとが粘着シ
ートによって一体貼着された一体lll!i着体を示す
平面図。 第3図は、一体貼着体がチャックテーブルに吸引保持さ
れている状態を示す部分断面図である。 10:ガリウム砒素ウェーへ 14:開孔部16:粘着
シート

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも被研削物を吸引保持するチャックテー
    ブルと、該チャックテーブルに吸引保持される被研削物
    を研削する研削手段と、を具備する研削装置を使用し、
    被研削物が該チャックテーブルに保持される前に、被研
    削物を充分収容できる開孔部を有するフレームの該開孔
    部に、被研削物を位置付けし、その後粘着シートによっ
    て、該フレームと、該被研削物とを一体貼着して一体貼
    着体を形成し、該一体貼着体の粘着シートの貼着されて
    いない面を該研削手段に対向せしめ、該チャックテーブ
    ルに吸引保持し、しかる後、該研削手段によって該一体
    貼着体の該被研削物を研削する不定形物研削方法。
  2. (2)該被研削物は、半導体ウェーハである特許請求の
    範囲第1項記載の不定形物研削方法。
  3. (3)該半導体ウエーハは、ガリウム砒素ウエーハであ
    る特許請求の範囲第2項記載の不定形物研削方法。
JP3337387A 1987-02-18 1987-02-18 不定形物研削方法 Pending JPS63200952A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0526780A1 (en) * 1991-07-18 1993-02-10 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Method for polishing surface of transparent substrate layer of color filter unit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0526780A1 (en) * 1991-07-18 1993-02-10 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Method for polishing surface of transparent substrate layer of color filter unit

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