JPS63201929A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JPS63201929A
JPS63201929A JP62034035A JP3403587A JPS63201929A JP S63201929 A JPS63201929 A JP S63201929A JP 62034035 A JP62034035 A JP 62034035A JP 3403587 A JP3403587 A JP 3403587A JP S63201929 A JPS63201929 A JP S63201929A
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substrate
plasma
recording medium
polymerized film
recording layer
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Kunihiro Ueda
国博 上田
Masahiro Shinkai
正博 新海
Noriyoshi Nanba
憲良 南波
Masatoshi Nakayama
正俊 中山
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Abstract

PURPOSE:To improve adhesiveness after record writing and solvent resistance and to permit satisfactory reproduction of a reproduction signal and address signal, etc., as well by providing an underlying layer of a plasma-polymerized film formed by polymerizing a silicon compd. having a siloxane bond between an recording layer and substrate. CONSTITUTION:This recording medium has the recording layer 12 consisting of a dye or dye compsn. on the substrate 11 and has the underlying layer 13 of the plasma-polymerized film formed by a polymn. of the silicon compd. having the siloxane bond between the recording layer 12 and the substrate 11. The plasma-polymerized film is formed preferably to 1.3-1.7 refractive index at 6,328Angstrom . The thickness of the underlying layer 13 of the plasma- polymerized film is specified to 10-100Angstrom , more preferably to 50-600Angstrom . The adhesiveness and more particularly the adhesiveness after the record writing are thereby improved. The solvent resistance is improved and the good reproduction signal is obtd. at a high reflection level; further, embedment of grooves and pits for tracking control and pits for the address signal is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 ■  発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Background of the Invention Technical Field The present invention relates to an optical recording medium, particularly a heat mode optical recording medium.

先行技術とその問題点 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため種々の光記録媒体の°開発研究が行
われている。
Prior art and its problems Optical recording media have the characteristic that the recording medium does not deteriorate due to wear and tear because there is no contact between the medium and the writing or reading head.For this reason, development research has been carried out on various optical recording media. There is.

このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。
Among such optical recording media, heat mode optical recording media are being actively developed because they do not require development in a dark room.

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その−例解、除去等して、ピ
ットと称される小穴を形成して書き込みを行い、このピ
ットにより情報を記録し、このピットを読み出し光で検
出して読み出しを行うビット形成タイプのものがある。
This heat mode optical recording medium is an optical recording medium that uses recording light as heat, and writes information by forming small holes called pits by removing or removing the recording light. There is a bit forming type in which the pits are recorded and read out by detecting the pits with readout light.

このようなピット形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Teを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。
Until now, most of these pit-forming type media, especially those using a semiconductor laser as a light source that can make the device smaller, have a recording layer made of a material mainly composed of Te.

また、近年、Te系材料が有害であること、そして、よ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Te系にかえ、色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している(特開昭60−203488号等)
In addition, in recent years, organic materials mainly containing dyes have been used instead of Te-based materials due to the toxicity of Te-based materials and the need for higher sensitivity and lower manufacturing costs. There are an increasing number of proposals and reports on media using recording layers of the above-mentioned type (Japanese Patent Laid-Open No. 60-203488, etc.)
.

このような色素等の記録層を有するビット形成タイプの
光記録媒体では、感度およびS/N比の低下を防止する
ために、いわゆるエアーサンドイッチ構造とすることが
好ましい。
In a bit-forming type optical recording medium having such a recording layer made of a dye or the like, a so-called air sandwich structure is preferably used in order to prevent deterioration of sensitivity and S/N ratio.

さらに、これらの色素を含む記録層を基板上に形成して
、記録・再生を行なう場合、通常、基板の裏面側から書
き込み光および読み出し光を照射して記録・再生を行な
う。
Further, when a recording layer containing these dyes is formed on a substrate and recording/reproduction is performed, recording/reproduction is normally performed by irradiating writing light and reading light from the back side of the substrate.

しかし、基板としてポリカーボネート、アクリル樹脂等
の透明樹脂製の基板を用いる場合、記録層の塗布設層の
際の塗布溶媒により樹脂基板表面がおかされ、記録層の
反射率が低下し、読み出しのS/N比が十分高くとれな
いという欠点がある。
However, when using a substrate made of transparent resin such as polycarbonate or acrylic resin, the surface of the resin substrate is damaged by the coating solvent used when coating the recording layer, reducing the reflectance of the recording layer and reducing the readout S. There is a drawback that the /N ratio cannot be kept high enough.

また、長期保存に際し、色素その他の添加物が基板樹脂
中へ溶解拡散してしまい、反射率が低下してしまうよう
なおそれがある。
Furthermore, during long-term storage, there is a risk that dyes and other additives may dissolve and diffuse into the substrate resin, resulting in a decrease in reflectance.

さらには、−書き込みにより、基板が熱によってへこん
でしまうなど損傷をうけ、これによってもS/N比が低
下する。また、消去後のノイズが増加する。
Furthermore, -writing causes damage such as denting of the substrate due to heat, which also lowers the S/N ratio. Moreover, the noise after erasing increases.

これに対し1本発明者らは、下地層として、ケイ素系縮
合物のコロイド粒子分散液の塗膜を用いる旨を提案して
いる(特開昭60−203489号)。
In response to this, the present inventors have proposed the use of a coating film of a colloidal particle dispersion of a silicon-based condensate as the underlayer (Japanese Patent Application Laid-open No. 203489/1989).

ところが、このような塗膜による下地層は、基板との接
着性において十分ではなく、特に記録書き込み後の接着
性が悪化するという問題があった。
However, the base layer made of such a coating film does not have sufficient adhesion to the substrate, and there is a problem in that the adhesion is particularly poor after recording and writing.

また、このような下地層が存在するために、予め基板上
に形成したトラッキング制御用のグループないしピット
やトラック内の基板1に形成したアドレス信号用ピット
等が埋ってしまい、再生信号やアドレス信号の検出がし
にくいという問題もあった。
In addition, due to the presence of such a base layer, groups or pits for tracking control previously formed on the substrate and pits for address signals formed on the substrate 1 in the track are buried, causing playback signals and address signals to be buried. Another problem was that it was difficult to detect.

■  発明の目的 本発明の目的は、接着性、特に記録書き込み後の接着性
が良好で、かつ耐溶剤性に優れ、再生信号やアドレス信
号等も良好に再生できる光記録媒体を提供することにあ
る。
■ Purpose of the Invention The purpose of the present invention is to provide an optical recording medium that has good adhesive properties, especially adhesive properties after recording and writing, has excellent solvent resistance, and can also reproduce reproduction signals, address signals, etc. well. be.

■  発明の開示 このようなII的は、下記の本発明によって達成される
■ Disclosure of the Invention These two objectives are achieved by the present invention described below.

すなわち、本発明は、基板トに、色素または色素組成物
の記録層を有する光記録媒体において、記録層と基板と
の間に、シロキサン結合を有する珪素化合物を重合する
ことにより形成したプラズマ重合1漠下地層を有するこ
とを特徴とする光記録媒体である。
That is, the present invention provides an optical recording medium having a recording layer of a dye or a dye composition on a substrate, in which plasma-polymerized 1 is formed by polymerizing a silicon compound having a siloxane bond between the recording layer and the substrate. This is an optical recording medium characterized by having a desert underground layer.

■  発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。■ Specific structure of the invention Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail.

本発明の光輪録媒体1は、第1図に示すように、基板1
1トに記録層12を有するものであって、記録層12と
基板11どの間にF地層13を有するものである。
As shown in FIG. 1, the halo recording medium 1 of the present invention has a substrate 1
1 has a recording layer 12, and has an F layer 13 between the recording layer 12 and the substrate 11.

そして、基板11は書き込み光および読み出し光に対し
、実質的に透明(好ましくは透過率80%以上)なもの
であることが好ましく、実質的に透明であれば、書き込
みおよび読み出しを基板裏面側から行なうことができ、
感度、S/N比等の点で有利であり、また、はこり対策
等の実装上の点でも有利である。
The substrate 11 is preferably substantially transparent (preferably with a transmittance of 80% or more) to the writing light and the reading light, and if it is substantially transparent, writing and reading can be performed from the back side of the substrate. can be done,
This is advantageous in terms of sensitivity, S/N ratio, etc., and is also advantageous in terms of implementation, such as countermeasures against lumps.

基板の形状は使用用途に応じ、ディスク、テープ、ドラ
ム、ベルト等いずれであってもよい。
The shape of the substrate may be a disk, tape, drum, belt, etc. depending on the intended use.

このような基板11の記録層12および下地層13形成
面には、第1図に示すように、トラッキング用にプリグ
ループ115が形成されることが好ましい。
As shown in FIG. 1, it is preferable that a pre-group 115 for tracking is formed on the surface of the substrate 11 on which the recording layer 12 and the underlayer 13 are formed.

プリグループ115の溝の深さは、λ/ 8 n程度、
特にλ/ 7 n〜λ/ 12 n (ここに、nは基
板の屈折率である)とされている。また、プリグループ
115の溝の巾は、トラツク11程度とされる。
The depth of the groove of the pre-group 115 is about λ/8n,
In particular, the range is λ/7n to λ/12n (where n is the refractive index of the substrate). Further, the width of the groove of the pre-group 115 is about 11 tracks.

そして、このプリグループ115の凹部または凸部に位
置する記録層12を記録トラック部として、書き込み光
および読み出し光を基板裏面側から照射することが好ま
しい。
It is preferable to use the recording layer 12 located in the concave or convex portions of the pre-group 115 as a recording track section, and to irradiate the write light and the read light from the back side of the substrate.

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのS/N比が向上し、しか“もトラッキングの制御信
号は大きくなる。
With this configuration, the writing sensitivity and the reading S/N ratio are improved, and the tracking control signal is also increased.

このようなグループを形成するかわりにビットを形成し
てもよい。
Instead of forming such groups, bits may be formed.

またトラック部にはアドレス信号用のビットを設けるこ
とができる。
Further, a bit for an address signal can be provided in the track portion.

このような基板11上へのグループやビットの形成は、
2P法によっても射出成形法によってもよい。
The formation of such groups and bits on the substrate 11 is as follows:
The 2P method or the injection molding method may be used.

基板11は、通常、樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等
のオレフィン系樹脂等から形成するが、″その他、ガラ
ス等であってもよい。
The substrate 11 is usually made of resin, such as acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, or olefin resin such as polymethylpentene, but may also be made of other materials such as glass.

そして基板は、少なくとも樹脂表面を有することが好ま
しく、用いる樹脂としては上記のものが挙げられる。
The substrate preferably has at least a resin surface, and examples of the resin used include those mentioned above.

このような基板tthには、下地層13および記録層1
2が形成される。
Such a substrate tth includes an underlayer 13 and a recording layer 1.
2 is formed.

本発明における下地層13は、プラズマ重合膜から形成
され、このプラズマ重合膜はシロキサン結合を有する珪
素化合物を重合したものである。
The base layer 13 in the present invention is formed from a plasma polymerized film, and this plasma polymerized film is obtained by polymerizing a silicon compound having a siloxane bond.

シロキサン結合を有する有機珪素化合物としては、以下
のものが好ましい。
As the organosilicon compound having a siloxane bond, the following are preferred.

テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、オクタ
メチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロシ
ロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキ
シジシロキサン、トリエトキシビニルシラン、ジメチル
エトキシビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、メ
チルトリメトキシシラン、ジメトキシメチルクロロシラ
ン、ジメトキシメチルシラン、トリメトキシシラン、ジ
メチルエトキシシラン、トリメトキシシラノール、ハイ
ドロキシメチルトリメチルシラン、メトキシトリメチル
シラン、ジメトキシジメチルシラン、エトキシトリメト
キシシラン、ビス(2−クロロエトキシ)メチルシラン
、アセトキシトリメチルシラン、クロロメチルジメチル
エトキシシラン、2−クロロエトキシトリメチルシラン
、エトキシトリメチルシラン、ジェトキシメチルシラン
、エチルトリメトキシシラン、トリス(2−クロロエト
キシ)シラン、ジメトキシメチル−3,3,3−トリフ
ルオロプロピルシラン、!−クロロメチルー2−クロロ
エトキシトリメチルシラン、アリルオキシトリメチルシ
ラン、エトキシジメチルビニルシラン、イソプロフェノ
キシトリメチルシラン、3−クロロプロピルジメトキシ
メチルシラン、クロロメチルジェトキシメチルシラン、
トリエトキシクロロシラン、3−クロロプロルビルトリ
メトキシシラン、ジェトキシジメチルシラン、−ジメト
キシ−3−メルカプトプロピルメチルシラン、トリエト
キシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、3−アミノプロビルトリメトキシシラン、ジェトキ
シメチルビニルシラン、クロロメチルトリエトキシシラ
ン、ターシャリ−ブトキシトリメチルシラン、ブチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、3−(
N−メチルアミノプロピル)トリエトキシシラン、ジェ
トキシジビニルシラン、ジェトキシジエチルシラン、エ
チルトリエトキシシラン、2−メルカプトエチルトリエ
トキシシラン、3−アミノプロピルジェトキシメチルシ
ラン、p−クロロフェニルトリエトキシシラン、フェニ
ルトリメトキシシラン、2−シアノエチルトリエトキシ
シラン、アリルトリエトキシシラン、3−クロロプロピ
ルトリモトキシシラン、3−アリルアミノプロピルトリ
メトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキサ
トリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、3−メチルアクリルオキシプロピルトリメトキ
シシラン、メチルトリス(2−メトキシエトキシ)シラ
ン、ジェトキシメチルフェニルシラン、p−クロロフェ
ニルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン
、テトラアリルオキシシラン、テトラプロポキシシラン
、テトライソプロポキシシラン、ジメトキシジフェニル
シラン、ジェトキシジフェニルシラン、テトラフェノキ
シシラン、1.1,3.3−テトラメチルジシロキサン
、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキ
サン、1,1,1,3,5,5゜5−ヘプタメチルトリ
シロキサン、ヘキサエチルシクロトリシロキサン、1,
3.5−)ツメチル−1,3,5−トリフエニルシクロ
トリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン
、ヘキサメチルシクロシロキサン。
Tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, hexamethylcyclosiloxane, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, triethoxyvinylsilane, dimethylethoxyvinylsilane, trimethoxyvinylsilane, methyltrimethoxysilane, dimethoxymethylchlorosilane, Dimethoxymethylsilane, trimethoxysilane, dimethylethoxysilane, trimethoxysilanol, hydroxymethyltrimethylsilane, methoxytrimethylsilane, dimethoxydimethylsilane, ethoxytrimethoxysilane, bis(2-chloroethoxy)methylsilane, acetoxytrimethylsilane, chloromethyldimethyl Ethoxysilane, 2-chloroethoxytrimethylsilane, ethoxytrimethylsilane, jetoxymethylsilane, ethyltrimethoxysilane, tris(2-chloroethoxy)silane, dimethoxymethyl-3,3,3-trifluoropropylsilane,! -chloromethyl-2-chloroethoxytrimethylsilane, allyloxytrimethylsilane, ethoxydimethylvinylsilane, isoprophenoxytrimethylsilane, 3-chloropropyldimethoxymethylsilane, chloromethyljethoxymethylsilane,
Triethoxychlorosilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, jetoxydimethylsilane, -dimethoxy-3-mercaptopropylmethylsilane, triethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, Toxymethylvinylsilane, chloromethyltriethoxysilane, tert-butoxytrimethylsilane, butyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, 3-(
N-methylaminopropyl)triethoxysilane, jetoxydivinylsilane, jetoxydiethylsilane, ethyltriethoxysilane, 2-mercaptoethyltriethoxysilane, 3-aminopropyljethoxymethylsilane, p-chlorophenyltriethoxysilane, phenyl Trimethoxysilane, 2-cyanoethyltriethoxysilane, allyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimotoxysilane, 3-allylaminopropyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, hexatrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane , 3-methylacryloxypropyltrimethoxysilane, methyltris(2-methoxyethoxy)silane, jetoxymethylphenylsilane, p-chlorophenyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, tetraallyloxysilane, tetrapropoxysilane, tetraisopropoxy Silane, dimethoxydiphenylsilane, jetoxydiphenylsilane, tetraphenoxysilane, 1.1,3.3-tetramethyldisiloxane, hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane, 1,1,1,3,5,5° 5-heptamethyltrisiloxane, hexaethylcyclotrisiloxane, 1,
3.5-) Trimethyl-1,3,5-triphenylcyclotrisiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, hexamethylcyclosiloxane.

これらは単独で用いても、2 MJ以上を併用してもよ
い。
These may be used alone or in combination of 2 MJ or more.

この他、上記各種有機珪素化合物を併用したり、シロキ
サンと炭化水素系化合物とを用いてもよい。
In addition, the above various organic silicon compounds may be used in combination, or siloxane and a hydrocarbon compound may be used.

炭化水素系化合物としては、通常操作性の良いことから
、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペ
ンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、
アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不
飽和の炭化水素の1種以上を用い、珪素化合物に対し炭
化水素系化合物は通常、モル比で50倍程度以下用いる
ことができる。
Hydrocarbon compounds that are usually gaseous at room temperature include methane, ethane, propane, butane, pentane, ethylene, propylene, butene, butadiene, and
One or more types of acetylene, methylacetylene, and other saturated or unsaturated hydrocarbons are used, and the molar ratio of the hydrocarbon compound to the silicon compound can usually be about 50 times or less.

本発明の、プラズマ重合膜は、6328人における屈折
率nが1.3〜1.7とすることが好ましい。
The plasma polymerized film of the present invention preferably has a refractive index n of 1.3 to 1.7 based on 6328 people.

このような屈折率とするのは、nが1.3未満では、膜
の緻密性が不十分であり、ト分な耐溶剤性が得られず、
接着性も十分ではないからであり、また、1.7をこえ
ると、重合膜の撥水性と硬さが増し、重合膜に接して設
層される記録層12(塗布膜)との接着が不良となり、
また設層が困難となるからである。
The reason for setting such a refractive index is that if n is less than 1.3, the density of the film will be insufficient, and sufficient solvent resistance will not be obtained.
This is because the adhesiveness is not sufficient, and if it exceeds 1.7, the water repellency and hardness of the polymeric film increase, and the adhesion with the recording layer 12 (coated film) formed in contact with the polymeric film becomes difficult. becomes defective,
This is also because it becomes difficult to lay the layers.

このようなnとするときには、後述のように低成膜率お
よび低圧のプラズマ重合条件を選べばよい。
When n is set like this, plasma polymerization conditions such as a low film formation rate and low pressure may be selected as described later.

本発明において、プラズマ重合膜下地層13の厚さは、
10〜1000人、好ましくは50〜600人とするの
がよい。
In the present invention, the thickness of the plasma polymerized film base layer 13 is as follows:
The number is preferably 10 to 1000 people, preferably 50 to 600 people.

このような厚さとするのは10λ未満では、本発明の実
効が得られないからであり、1000人をこえても本発
明の効果に差異はなく、この値以上にする必要がないか
らである。
The reason why this thickness is set is that the effectiveness of the present invention cannot be obtained if the thickness is less than 10λ, and there is no difference in the effectiveness of the present invention even if the number of people exceeds 1000, and there is no need to increase the thickness above this value. .

なお、膜J’Xの測定は、エリプソメーター等を用いれ
ばよい。
Note that the membrane J'X may be measured using an ellipsometer or the like.

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。
Such film thickness can be controlled by controlling the reaction time, raw material gas flow rate, etc. during plasma polymerized film formation.

プラズマ重合膜下地層13は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成する
ものである。
The plasma polymerized film base layer 13 is a polymerized film formed by bringing discharge plasma of the above-mentioned raw material gas into contact with the substrate.

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由型
fは、常圧に比べ分子間距離が非常に大″きいため、電
界加速を受け、5〜10eVの運動エネルギー(電を温
度)を獲得する。
To outline the principle of plasma polymerization, when a gas is kept at a low pressure and an electric field is applied, the free form f present in a small amount in the gas is accelerated by the electric field because the intermolecular distance is much larger than at normal pressure. Obtain kinetic energy (electricity to temperature) of 5 to 10 eV.

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原r軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。
When these accelerated electrons collide with atoms or molecules, they disrupt the original r orbitals and molecular orbitals, dissociating them into chemical species that are unstable under normal conditions, such as electrons, ions, and neutral radicals.

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。 そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。
The dissociated electrons are accelerated by the electric field again, causing them to dissociate from other atoms or molecules, and this chain reaction quickly turns the gas into a highly ionized state. And this is called plasma gas.

゛気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギ
ーをあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。
``Gas molecules have fewer chances of collision with electrons, so they do not absorb much energy and are kept at a temperature close to room temperature.

このような電子の運動エネルギー(電子温度)と、分子
の熱運動(ガス温度)が分離した系は低温プラズマと呼
ばれ、ここでは化学種か比較的原型を保ったまま爪台等
の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、本発
明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形成
しようとするものである。 なお、低温プラズマを利用
するため、基板への熱影響は全くない。
A system in which the kinetic energy of electrons (electron temperature) and the thermal motion of molecules (gas temperature) are separated is called a low-temperature plasma. The present invention aims to utilize this situation to form a plasma polymerized film on a substrate. Note that since low-temperature plasma is used, there is no thermal effect on the substrate.

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第2図に
示しである。 第2図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。
An example of an apparatus for forming a plasma polymerized film on a substrate surface is shown in FIG. FIG. 2 shows a plasma polymerization apparatus using a frequency variable power source.

第2図において、反応容器R−1,mは、原料ガス源5
11または512から原料ガスがそれぞれマスフローコ
ントローラ521および522を経て供給される。 ガ
ス源511または512から別々のガスを供給する場合
は、混合vI53において混合して供給する。
In FIG. 2, the reaction vessel R-1,m is a raw material gas source 5.
Raw material gas is supplied from 11 or 512 via mass flow controllers 521 and 522, respectively. When separate gases are supplied from the gas sources 511 or 512, they are mixed and supplied in the mixing vI 53.

原料ガスは、各々1〜250 IIILZ分の流量範囲
をとりつる。
The raw material gases each have a flow rate range of 1 to 250 IIIZ.

反応容器R内には、被処理基板111が一方の回転式電
極552に支持される。
Inside the reaction vessel R, a substrate to be processed 111 is supported by one rotary electrode 552 .

そして被処理基板111を挟むように回転式電極552
に対向する電極551が設けられている。
Rotary electrodes 552 are placed across the substrate 111 to be processed.
An electrode 551 facing the is provided.

−・方の?「極551は、例えば周波数可変型の電源5
4に接癲され、他方の回転式電極552は8にて接地さ
れている。
-・Who? "The pole 551 is, for example, a variable frequency power supply 5
4, and the other rotary electrode 552 is grounded at 8.

さらに、反応容器R内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ56、液
体窒素トラップ57.油拡散ポンプ58および真空コン
トローラ59を含む。 これら真空系統は、反応容器内
を0.1Torr未満、好ましくは0.005〜0.0
8Torrの真空度の範囲に維持する。
Furthermore, a vacuum system for evacuating the inside of the reaction vessel R is provided, and this system includes an oil rotary pump 56, a liquid nitrogen trap 57, and a liquid nitrogen trap 57. Includes an oil diffusion pump 58 and a vacuum controller 59. These vacuum systems operate at a pressure of less than 0.1 Torr, preferably from 0.005 to 0.0 Torr, within the reaction vessel.
Maintain a vacuum level of 8 Torr.

操作においては、反応容器R内がまず1O−5Torr
以丁になるまで容器内を排気し、その後処理ガスか所定
の流量において容器内に混合状態で供給させる。
In the operation, the inside of the reaction vessel R is first set at 1O-5 Torr.
The inside of the container is evacuated until the gas is exhausted, and then the processing gas is supplied into the container in a mixed state at a predetermined flow rate.

そして、成膜率は上記のようなnの重合膜とする場合は
50〜200λ/wjnとするのがよい。
The film forming rate is preferably 50 to 200 λ/wjn when forming a polymer film of n as described above.

このとき、反応容器内の真空は0.1Torr未満、好
ましくは0 、0 O5〜0 、08Torrの範囲に
管理される。
At this time, the vacuum inside the reaction vessel is controlled to be less than 0.1 Torr, preferably in the range of 0.05 to 0.08 Torr.

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。 
こうして、基板上にプラズマ上に重合膜が形成される。
When the flow rate of the source gas becomes stable, the power is turned on.
In this way, a polymeric film is formed on the plasma on the substrate.

なお、キャリアガスとして、Ar、N2.”He、82
などを使用してもよい。
In addition, as a carrier gas, Ar, N2. “He, 82
etc. may also be used.

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
Further, the applied current, processing time, etc. may be set to normal conditions.

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。
As the plasma generation source, in addition to high frequency discharge, microwave discharge, direct current discharge, alternating current discharge, etc. can be used.

本発明では、特に動作圧力が低圧にある場合は、磁場を
併用するマグネトロン方式を用いるのが好ましい。
In the present invention, it is preferable to use a magnetron system that uses a magnetic field, especially when the operating pressure is low.

なお、本発明において原料に液体上ツマ−を用いる場合
は、第2図におけるガス源511゜512のところに液
体モノマーを入れた容器を恒温槽に設置して使用すれば
よい。
In the case where a liquid monomer is used as a raw material in the present invention, a container containing a liquid monomer may be placed in a constant temperature bath at the gas sources 511 and 512 in FIG.

このように形成される本発明の光磁気記録媒体のプラズ
マ重合膜中のSi含有量は、通常2〜95aL%、特に
2〜80aL%程度とする。
The Si content in the plasma polymerized film of the magneto-optical recording medium of the present invention formed in this manner is usually about 2 to 95 aL%, particularly about 2 to 80 aL%.

また、プラズマ重合膜中のC含有量は、5〜50aL%
程度−Hは5〜90aL%程度含有されることが好まし
い。
In addition, the C content in the plasma polymerized film is 5 to 50 aL%.
It is preferable that the degree -H is contained in an amount of about 5 to 90 aL%.

なお、プラズマ重合膜中の0含有量は、通常40aL%
程度以下とされる。
Note that the zero content in the plasma polymerized film is usually 40aL%.
It is considered to be below that level.

なお、プラズマ重合膜中のSi、C,Hおよびその他の
元素の含有量の分析は、SIMS(2次イオン質量分析
)等に従えばよい。
Note that the content of Si, C, H, and other elements in the plasma polymerized film may be analyzed by SIMS (secondary ion mass spectrometry) or the like.

5IIJSを用いる場合、プラズマ重合膜表面にて、S
i、(::、Hおよびその他の元素をカウントして算出
さればよい。
When using 5IIJS, S
It may be calculated by counting i, (::, H and other elements).

あるいは、Ar等でイオンエツチングを行いながら、S
i、C,Hおよびその他の元素のプロファイルを測定し
て算出してもよい。
Alternatively, while performing ion etching with Ar etc.,
It may be calculated by measuring the profiles of i, C, H, and other elements.

SIMSの測定については、表面科学基礎講座第3巻(
1984)表面分析の基礎と応用(p70)”S[MS
およびLAMMA″の記載に従えばよい。
Regarding SIMS measurement, please refer to Volume 3 of Surface Science Basic Course (
1984) Fundamentals and Applications of Surface Analysis (p70)”S[MS
and LAMMA''.

このようなプラズマ重合膜下地層13は、プラズマ処理
された基板11)Hに形成されることが好ましい。
The plasma polymerized film base layer 13 is preferably formed on the plasma-treated substrate 11)H.

基板11表面をプラズマ処理することによって、基板1
1どの接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重
合膜下地層13との接着力が向上する。
By plasma-treating the surface of the substrate 11, the substrate 1
1, the adhesive force between the substrate and the plasma polymerized film base layer 13 is improved.

基板11表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成
条件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的はほぼ
同一である。
The principle, method, formation conditions, etc. of the plasma treatment method for the surface of the substrate 11 are basically almost the same as those of the plasma polymerization method described above.

ただし、プラズマ処理は、原則として無機ガスを処理ガ
ス(場合によっては無機ガスを混入させてもよい)を原
料ガスとして用いる。
However, in plasma processing, in principle, an inorganic gas is used as a processing gas (an inorganic gas may be mixed in depending on the case) as a raw material gas.

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。There are no particular limitations on the plasma processing gas of the present invention.

すなわち、H2、Ar、He、02 、N2 。That is, H2, Ar, He, 02, N2.

空気、NH3,03,H2O;No、N20゜02など
のNOx等の中から適宜選定し、これらの単独ないし混
合したものいずれであってもよい。
It may be appropriately selected from air, NH3,03, H2O; NOx, such as N20°02, and may be used alone or in combination.

さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
はなく、直流、交流マイクロ波等いずれであってもよい
Further, the frequency of the plasma processing power source is not particularly limited, and may be either direct current, alternating current microwave, or the like.

記録層12としては、種々のものであってよい。 ただ
、本発明では色素単独からなるか、色素組成物からなる
ことが好ましい。
The recording layer 12 may be of various types. However, in the present invention, it is preferable to consist of a dye alone or a dye composition.

用いる色素としては、書き込み光および読み出し光の波
長に応じ、これを有効に吸収するもののなかから、適宜
決定すればよい。 この場合、これらの光源としては、
装置を小型化できる点で、半導体レーザーを用いること
が好ましいので1色素はシアニン系、フタロシアニン系
、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン系、
ビリリウムないしチアピリリウム塩系等が好ましい。
The dye to be used may be appropriately determined from among those that effectively absorb the wavelengths of the writing light and reading light. In this case, these light sources are
Since it is preferable to use a semiconductor laser because the device can be miniaturized, one dye may be a cyanine-based, phthalocyanine-based, anthraquinone-based, azo-based, triphenylmethane-based,
Byrylium or thiapyrylium salts are preferred.

また、色素組成物を記録層とする場合、ニトロセルロー
ス等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ナイロン等
の熱可塑性樹脂を含有させることができる。 また、色
素の酸化劣化を防止するため、クエンチャ−を含有させ
ることもできる。 さらには、この他の添加剤を含有さ
せてもよい。
Further, when the dye composition is used as a recording layer, it can contain a self-oxidizing resin such as nitrocellulose, or a thermoplastic resin such as polystyrene or nylon. Furthermore, a quencher may be included in order to prevent oxidative deterioration of the dye. Furthermore, other additives may also be included.

このような場合、特に好ましくは、インドレニン系のシ
アニン色素とビスフェニルジチオール系等のクエンチャ
−との混合物が好ましい。
In such a case, a mixture of an indolenine cyanine dye and a quencher such as bisphenyldithiol is particularly preferred.

またこれらを色素のカチオンと、クエンチャ−のアニオ
ンとのイオン結合体として用いるのも好ましい。
It is also preferable to use these as an ionic bond between a dye cation and a quencher anion.

好ましい色素およびクエンチャ−の詳細については特開
昭59−55794号、同59−55795号、同59
−81194号、同59−83695号、同60−18
387号、同60−19586号、同60−19587
号、同60−35054号、同60−36190号、同
60−36191号、同60−44554号、同60−
44555号、同60−44389号、同60−443
90号、同6〇−47069号、同60−20991号
、同60−71294号、同60−54892号、同6
0−71295号、同60−71296号、同60−7
3891号、同60−73892号、同60−7389
3号、同60−83892号、同60−85449号、
同60−92893号、同60−159087号、同6
〇−162691号、同60−203488号、同60
−201988号、同60−234886号、同60−
234892号、同61−16894号、同61−11
292号、同61−11294号、同61−16891
号、同61−8384号、同61−14988号、同6
1−163243号、四61−210539号、特願昭
60−54013号等に記載されている。
For details on preferred dyes and quenchers, see JP-A Nos. 59-55794, 59-55795, and 59-59.
-81194, 59-83695, 60-18
No. 387, No. 60-19586, No. 60-19587
No. 60-35054, No. 60-36190, No. 60-36191, No. 60-44554, No. 60-
No. 44555, No. 60-44389, No. 60-443
No. 90, No. 60-47069, No. 60-20991, No. 60-71294, No. 60-54892, No. 6
No. 0-71295, No. 60-71296, No. 60-7
No. 3891, No. 60-73892, No. 60-7389
No. 3, No. 60-83892, No. 60-85449,
No. 60-92893, No. 60-159087, No. 6
〇-162691, 60-203488, 60
-201988, 60-234886, 60-
No. 234892, No. 61-16894, No. 61-11
No. 292, No. 61-11294, No. 61-16891
No. 61-8384, No. 61-14988, No. 6
It is described in No. 1-163243, No. 461-210539, Japanese Patent Application No. 60-54013, etc.

記録層12の設層は、ケトン系、エステル系、エーテル
系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、アルコール系等
の溶媒を用いてスピンナーコート等の塗布を行えばよい
。 本発明では下地層13を設けたことにより耐溶剤性
が向上し、最適の溶媒を広範囲で溶媒群から選択して用
いることができめる。
The recording layer 12 may be formed by spinner coating using a ketone, ester, ether, aromatic, halogenated alkyl, or alcohol solvent. In the present invention, by providing the underlayer 13, solvent resistance is improved, and an optimal solvent can be selected from a wide range of solvent groups and used.

このような記録層12は、0.01〜10−の厚さとす
ればよい。
Such a recording layer 12 may have a thickness of 0.01 to 10 -.

なお、トラッキング制御用のグループないしビットを設
ける場合、記録層の厚さは、0.2戸以ド、より好まし
くは0.05〜0.15%とすることが好ましい。
Note that when groups or bits for tracking control are provided, the thickness of the recording layer is preferably 0.2% or more, more preferably 0.05 to 0.15%.

このとき、書き込み感度が向上する。 また、記録層中
での多重反射により、反射率がきわめて高くなり、読み
出しのS/N比がきわめて高くなる。 そして、記録ト
ラック部と他の領域との厚さの差にもとづく反射率の違
いが大きくなり、トラッキング制御が容易となる。
At this time, writing sensitivity is improved. Further, due to multiple reflections in the recording layer, the reflectance becomes extremely high, and the read S/N ratio becomes extremely high. Then, the difference in reflectance based on the difference in thickness between the recording track portion and other areas increases, making tracking control easier.

このような記録部分には、記録層のF層を設層すること
もできる。
An F layer of the recording layer can also be provided in such a recording portion.

また、本発明の光記録媒体は、保護板を設けてもよい。Further, the optical recording medium of the present invention may be provided with a protection plate.

下地層13および記録層12を有する基板11と、保護
板とは空隙を介して一体化することが好ましく、その際
一方に突起を設けて一体化してもよく、−・体化するに
は、通常超音波融着な用いればよい。
It is preferable that the substrate 11 having the base layer 13 and the recording layer 12 and the protective plate are integrated with a gap therebetween. Usually, ultrasonic fusion may be used.

超音波融着を施す場合には、突起を例えば棒状とすれば
この突起が有効に加熱され、融着効率が良好で、卸業性
が良好となり、また接着強度も高く、空隙間−も精度よ
く制御することができる。
When performing ultrasonic fusion, if the protrusion is made into a rod shape, for example, the protrusion will be effectively heated, the fusion efficiency will be good, the wholesaleability will be good, the adhesive strength will be high, and the gap will be precisely controlled. Can be well controlled.

変形が大きく突起配置密度が高いときには、気密な外周
壁が全面に形成されることがある。
When the deformation is large and the protrusion arrangement density is high, an airtight outer peripheral wall may be formed over the entire surface.

また通気口を隔壁間に形成することもできる。Also, vents can be formed between the partition walls.

通気口は、突起間間隙に形成される。The vent is formed in the gap between the protrusions.

また、固着は接着剤を注入することによっても行われる
Fixing can also be achieved by injecting adhesive.

また、基板の周縁部にホットメルト樹脂を接着剤として
塗布し、その後、内基板を組み合せ超訝波融着を施した
、いわゆる接着と融着との組み合せを用いて一体化して
もよい。
Alternatively, a combination of so-called adhesion and fusion may be used, in which a hot melt resin is applied as an adhesive to the peripheral edge of the substrate, and then the inner substrates are combined and subjected to ultrasonic welding.

このような複数の棒状突起を形成するには、原盤または
スタンパ−の加工を行い、基板成形時−・体成形すれば
よい。
In order to form such a plurality of rod-shaped protrusions, it is sufficient to process a master or a stamper and perform body molding during substrate molding.

以上、棒状突起によるー・体化について説明してきたが
、この他、公知の種々の一体化構造が可能である。
Although the above explanation has been about integration using rod-like projections, various other known integrated structures are possible.

なお、以上では片面記録の場合について述べてきたが本
発明では、両方の基板に記録層を設ける両面記録の媒体
としてもよい。 この場合には両方の基板が実質的に透
明な樹脂製であり、かつ両方の基板に下地層を設けるこ
とが必要である。
Although the case of single-sided recording has been described above, the present invention may also be a double-sided recording medium in which recording layers are provided on both substrates. In this case, it is necessary that both substrates be made of substantially transparent resin, and that both substrates be provided with an underlayer.

■ 発明の具体的作用 本発明の光記録媒体は、通常ディスクとし、回転F、書
き込み光を基板裏面側から照射する。 これにより、好
ましくは溝凹部に位置する記録トラック部にビットがト
ラック状に形成される。
(2) Specific Effects of the Invention The optical recording medium of the present invention is a normal disk, which is rotated F and is irradiated with writing light from the back side of the substrate. As a result, bits are preferably formed in a track shape in the recording track portion located in the groove recess.

このように形成されたビットは、回転下、基板裏面側か
ら読み出し光を照射1して、その反射光を検出すること
によって検知される。
The bits formed in this manner are detected by irradiating readout light 1 from the back side of the substrate while rotating and detecting the reflected light.

また、トラッキングの制御を行うには、通常、書き込み
および読み出しを行いながら、その反射光を分割して、
2分割した一対のセンサーに導入する。。 このとき、
ビームスポットが記録トラック部をはずれかけると、溝
の段差で位相差による干渉効果による一次光が一方のセ
ンサー側にかたよるので、両センサーの信号を検出して
、トラックエラー信号が検出される。
In order to control tracking, the reflected light is usually split while writing and reading.
Introduce it to a pair of sensors divided into two. . At this time,
When the beam spot begins to deviate from the recording track section, the primary light is biased towards one sensor due to the interference effect due to the phase difference due to the groove step, so the signals from both sensors are detected and a track error signal is detected.

なお、記録層に一旦形成したビットを、光または熱によ
って消去して、ilTび書き込みを行うこともできる。
Incidentally, it is also possible to erase the bits once formed on the recording layer using light or heat to perform the write operation.

また、書き込みおよび読み出しに用いる光源としては、
各柚レーザーを用いることができるが、特に半導体レー
ザーを用いることが好まし■ 発明の具体的効果 本発明の光記録媒体は、基板1に、色素または色素組成
物の記録層を有するものであって記録層と基板との間に
シロキサン結合を有する珪素化合物を重合することによ
り形成したプラズマ重合膜下地層を有しているため、接
着性、特に記録書き込み後の接着性が良好であるまた耐
溶剤性に優れ反射レベルが高く良好な再生信号が得られ
る。 さらには、トラッキング制御用のグループないし
ビットやアドレス信号用のビットの埋没を防止でき、ト
ラッキング制御用のグループないしビットの埋没による
エラー信号の発生がなく、アドレス信号用のビットの埋
没がないため、アドレス信号も良好に再生することがで
きる。
In addition, the light source used for writing and reading is
Although any type of yuzu laser can be used, it is particularly preferable to use a semiconductor laser.■ Specific Effects of the Invention The optical recording medium of the present invention has a recording layer of a dye or a dye composition on the substrate 1. Since it has a plasma polymerized film base layer formed by polymerizing a silicon compound having a siloxane bond between the recording layer and the substrate, it has good adhesion, especially after recording and writing, and is highly durable. Excellent solvent properties, high reflection level, and good reproduced signals can be obtained. Furthermore, it is possible to prevent groups or bits for tracking control and bits for address signals from being buried, no error signals are generated due to burying of groups or bits for tracking control, and there is no burying of address signal bits. Address signals can also be reproduced well.

■ 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例をあげて本発明をさらに詳
細に説明する。
(2) Specific Examples of the Invention The present invention will be explained in more detail below by giving specific examples of the invention.

実施例 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールA系の
ポリカーボネート樹脂(分子量15000)からなる基
板11に射出成型により、スパイラル状に巾0.6−1
深さ0.IPのトラッキング制御用のグループを、また
巾0.6−1深さ0.1−のアドレス信号用のビットを
それぞれ設けた。 このような基板11を真空チャンバ
中に入れ、 旦10−5Torrの真空に引パた後、処
理ガスとしてA「を用い、流量: 50m1/分にてガ
ス圧0.ITorrに保ちながら13.56MHzの高
周波電圧をかけてプラズマを発生させ、基板11表面を
プラズマ処理した。
Example A substrate 11 made of bisphenol A polycarbonate resin (molecular weight 15,000) with a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm was molded into a spiral shape with a width of 0.6-1 mm by injection molding.
Depth 0. A group for IP tracking control and a bit for an address signal with a width of 0.6-1 and a depth of 0.1- are provided, respectively. Such a substrate 11 was placed in a vacuum chamber, and after the vacuum was evacuated to 10-5 Torr, A was used as a processing gas at a flow rate of 50 m1/min while maintaining the gas pressure at 0.1 Torr at 13.56 MHz. A high frequency voltage was applied to generate plasma, and the surface of the substrate 11 was plasma-treated.

その後、さらに表1に示す条件にてプラズマ重合1漠下
地層13を基板ll上に形成した。
Thereafter, a plasma polymerized underlayer 13 was further formed on the substrate 11 under the conditions shown in Table 1.

なお1表1に示した屈折率nは6238人にて測定した
Note that the refractive index n shown in Table 1 was measured by 6238 people.

また、これらのプラズマ重合膜の元素分析はSIMSで
測定し、11q厚はエリプソメータによって測定した。
Further, the elemental analysis of these plasma polymerized films was measured by SIMS, and the 11q thickness was measured by an ellipsometer.

記録層12はインドレニン系シアニン色素(1,3,3
,1’ 、3’ 、3’ −ヘキサトリメデルインドト
リカルボシアニンカチオン)とビスフェニルジチオール
系のクエンチャ−(ビス(トリクロロフェニルジチオー
ル)Niアニオン)との色素結合体の2.2%シクロヘ
キサノン溶液を用いて、0.05−の厚さに前述のよう
に下地層13を設層した基板111zに塗布設層した。
The recording layer 12 is made of indolenine cyanine dye (1,3,3
, 1', 3', 3'-hexatrimedelindotricarbocyanine cation) and a bisphenyldithiol-based quencher (bis(trichlorophenyldithiol)Ni anion) in a 2.2% cyclohexanone solution. The substrate 111z was coated with the base layer 13 as described above to a thickness of 0.05-0.

 ′ このようにしてサンプルl〜8を得た。゛また下地層を
設層しないものも作製し、これをサンプル10とした。
' Samples 1 to 8 were thus obtained. ``A sample without a base layer was also produced, and this was designated as sample 10.

また、比較として、特開昭60−203489号で開示
されているケイ素系縮合物のコロイド粒子分散液(コル
コート)の塗膜を下地層に使用したものも作製し、これ
をサンプル11とした。
For comparison, a sample 11 was also prepared in which a coating film of a colloidal particle dispersion (Colcoat) of a silicon-based condensate disclosed in JP-A No. 60-203489 was used as the base layer.

この場合、下地層は酢酸、エチルとエチルアルコールを
10:11の割合で混合し、攪拌しながら徐々にSi(
OC2H5)4を酢酸エチルに対し2/25の割合で添
加後、3〜4日間放置した溶液をn−プロパツールでさ
らに10倍希釈した後、基板上に塗布設層し、60℃、
30分処理して形成した。
In this case, the base layer is made by mixing acetic acid, ethyl and ethyl alcohol in a ratio of 10:11, and gradually adding Si(
After adding OC2H5)4 to ethyl acetate at a ratio of 2/25, the solution was left to stand for 3 to 4 days, and the solution was further diluted 10 times with n-propertool, and then coated on a substrate and heated at 60°C.
It was formed by processing for 30 minutes.

なお、酸化ケイ素コロイドの粒径は50〜80人であり
、下地層の厚さは400人とした。
The particle size of the silicon oxide colloid was 50 to 80 particles, and the thickness of the base layer was 400 particles.

以上のサンプルを用いて下記の測定を行った。The following measurements were performed using the above samples.

(1)基板と下地層との接着強度 各サンプルの初期時、記録後および60℃、90%RH
の雰囲気中に10日放置後の接着強度を、各サンプルを
1mm間隔で縦横各々11本クロスカットし、セロテー
プによる剥離テストを行ったときの基板への残存率(%
)により、;f価した。
(1) Adhesive strength between the substrate and the base layer: At the initial stage of each sample, after recording, and at 60°C and 90%RH
The adhesive strength after 10 days in an atmosphere of
).

なお、記録は、記録パワー3.8mW、線速度1.3n
+/Sで行った。
Note that recording was performed at a recording power of 3.8 mW and a linear velocity of 1.3 n.
I went with +/S.

(2)反射レベル 8jOnmで基板裏面側から光デイスクドライブ装置に
て溝部をトラッキングコントロールを行った状態で反射
レベル測定した。 なお、表中の値は任意単位である。
(2) The reflection level was measured at a reflection level of 8jOnm from the back side of the substrate while tracking control of the groove portion was performed using an optical disk drive device. Note that the values in the table are in arbitrary units.

(3)トラッキングエラーイ言号の全 光ディスクドライブ装置にて、記録膜面(未記録部)に
光を集束させ、トラッキングコントロールを行わない状
態でpush−pul lトラッキングエラー18号の
量を測定した。 なお、表中の任′意単位である。
(3) Tracking error In an all-optical disc drive device, light was focused on the recording film surface (unrecorded area), and the amount of push-pull tracking error No. 18 was measured without tracking control. Note that this is an arbitrary unit in the table.

(4)アドレス信号の再生 光デイスクドライブ装置にて記録膜面(アドレス信号部
)に光を集束させ、トラッキングコントロールを行った
状態でアドレス信号光の量を測定した。 なお、表中の
値は任意単位である。
(4) Reproducing Address Signal Light was focused on the recording film surface (address signal area) using an optical disk drive device, and the amount of address signal light was measured while tracking control was performed. Note that the values in the table are in arbitrary units.

これらの結果を表2に示す。These results are shown in Table 2.

表2の結果より、本発明の効果は明らかである。From the results in Table 2, the effects of the present invention are clear.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の光記録媒体の1実施態様を示す断面
図である。 第2図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 1・・・光記録媒体、11・・・基板。 115・・・グループ、12・・・記録層、13−・・
プラズマ重合膜下地層、 53・・・混合器、 54・・・直流、交流および周波数可変型電源、56・
・・油回転ポンプ、 57・・・液体窒素トラップ、 58・・・油拡散ポンプ、 59−・・真空コントローラ、 111・・・被処理基板、 511.512・・・原料ガス源、 521.522・・・マスフローコントローラ、551
.552・・・電極
FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the optical recording medium of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma polymerization apparatus. Explanation of symbols 1... Optical recording medium, 11... Substrate. 115...Group, 12...Recording layer, 13-...
Plasma polymerized film base layer, 53... Mixer, 54... DC, AC and frequency variable power source, 56...
...Oil rotary pump, 57.. Liquid nitrogen trap, 58.. Oil diffusion pump, 59-.. Vacuum controller, 111.. Processing substrate, 511.512.. Source gas source, 521.522 ...mass flow controller, 551
.. 552...electrode

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板上に、色素または色素組成物の記録層を有す
る光記録媒体において、 記録層と基板との間に、シロキサン結合を有する珪素化
合物を重合することにより形成したプラズマ重合膜下地
層を有することを特徴とする光記録媒体。
(1) In an optical recording medium having a recording layer of a dye or a dye composition on a substrate, a plasma polymerized film base layer formed by polymerizing a silicon compound having a siloxane bond is provided between the recording layer and the substrate. An optical recording medium comprising:
(2)プラズマ重合膜の6328Åにおける屈折率が1
.3〜1.7である特許請求の範囲第1項に記載の光記
録媒体。
(2) The refractive index at 6328 Å of the plasma polymerized film is 1
.. 3 to 1.7. The optical recording medium according to claim 1.
(3)プラズマ重合膜下地層の厚さが10〜1000Å
である特許請求の範囲第1項または第2項に記載の光記
録媒体。
(3) The thickness of the plasma polymerized film base layer is 10 to 1000 Å
An optical recording medium according to claim 1 or 2.
(4)基板が少なくとも樹脂表面を有する特許請求の範
囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の光記録媒体。
(4) The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate has at least a resin surface.
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